JP2002124690A - 薄膜太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多数の採光用開口溝を設けても、特性が劣化し
ない。 【解決手段】各太陽電池片６の直列接続の方向と直交す
る方向に延びる複数の採光用開口溝７を形成する。各採
光用開口溝７の形成に伴い、各採光用開口溝７間には、
各太陽電池片６を直列接続してなるそれぞれの電池列８
が形成される。各電池列８の両端をそれぞれの電力端子
９に接続し、各電池列８の電力を各電力端子９及び各配
線コード１１を通じて取り出すので、電流経路が短く、
抵抗損失が小さくて済む。
ない。 【解決手段】各太陽電池片６の直列接続の方向と直交す
る方向に延びる複数の採光用開口溝７を形成する。各採
光用開口溝７の形成に伴い、各採光用開口溝７間には、
各太陽電池片６を直列接続してなるそれぞれの電池列８
が形成される。各電池列８の両端をそれぞれの電力端子
９に接続し、各電池列８の電力を各電力端子９及び各配
線コード１１を通じて取り出すので、電流経路が短く、
抵抗損失が小さくて済む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜太陽電池及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の薄膜太陽電池としては、
例えば図５及び図６に示す様なものがある。この薄膜太
陽電池は、ガラス基板１０１上に、ＳｎＯ2 、ＩＴＯ、
ＺｎＯ等からなる短冊状の透明導電膜１０２を形成し、
その上に、非晶質半導体のｐ層、ｉ層及びｎ層を順次積
層してなる短冊状の光電変換層１０３を形成し、更に、
金属薄膜である短冊状の裏面電極１０４、及び短冊状の
レジスト１０５を順次形成してなる。
例えば図５及び図６に示す様なものがある。この薄膜太
陽電池は、ガラス基板１０１上に、ＳｎＯ2 、ＩＴＯ、
ＺｎＯ等からなる短冊状の透明導電膜１０２を形成し、
その上に、非晶質半導体のｐ層、ｉ層及びｎ層を順次積
層してなる短冊状の光電変換層１０３を形成し、更に、
金属薄膜である短冊状の裏面電極１０４、及び短冊状の
レジスト１０５を順次形成してなる。
【０００３】また、他の薄膜太陽電池としては、電極と
なる金属基板上に、非晶質半導体のｎ層、ｉ層及びｐ層
を順次積層してなる光電変換層を形成し、その上に、透
明導電膜を形成したものがある。
なる金属基板上に、非晶質半導体のｎ層、ｉ層及びｐ層
を順次積層してなる光電変換層を形成し、その上に、透
明導電膜を形成したものがある。
【０００４】これらの薄膜太陽電池のうちの前者のもの
（ｐ層、ｉ層及びｎ層からなる光電変換層１０３を含
む）においては、ガラス基板１０１が太陽電池の表面の
保護を兼ねること、またＳｎＯ2 等の耐プラズマ性透明
導電膜が開発されたり、プラズマＣＶＤ法による非晶質
半導体の生成が可能になったこと、つまり製造技術が確
立されたことから、多用される様になり、現在の主流と
なっている。
（ｐ層、ｉ層及びｎ層からなる光電変換層１０３を含
む）においては、ガラス基板１０１が太陽電池の表面の
保護を兼ねること、またＳｎＯ2 等の耐プラズマ性透明
導電膜が開発されたり、プラズマＣＶＤ法による非晶質
半導体の生成が可能になったこと、つまり製造技術が確
立されたことから、多用される様になり、現在の主流と
なっている。
【０００５】また、図５及び図６に示す薄膜太陽電池に
おいては、短冊状の光電変換層１０３、裏面電極１０４
及びレジスト１０５を順次積層してなる各太陽電池片１
０６を直列接続している。１つの太陽電池片１０６の光
電変換層１０３下に重なる透明導電膜１０２は、隣合う
他の太陽電池片１０６のスルーホール１０３ａを介して
裏面電極１０４に接続されている。
おいては、短冊状の光電変換層１０３、裏面電極１０４
及びレジスト１０５を順次積層してなる各太陽電池片１
０６を直列接続している。１つの太陽電池片１０６の光
電変換層１０３下に重なる透明導電膜１０２は、隣合う
他の太陽電池片１０６のスルーホール１０３ａを介して
裏面電極１０４に接続されている。
【０００６】更に、薄膜太陽電池の周縁に、透明導電膜
１０２、光電変換層１０３、裏面電極１０４及びレジス
ト１０５を部分的に開口して、開口溝１０８を形成し、
この開口溝１０８の内側の太陽電池と外側の透明導電膜
間を電気的に絶縁している。この開口溝１０８は、透明
導電膜１０２、光電変換層１０３、裏面電極１０４及び
レジスト１０５をレーザー光により加工して形成され
る。ただし、透明導電膜１０２をレーザー光により加工
すると、透明導電膜１０２の昇華により導電性を有する
残滓が発生し、この残滓が開口溝１０８の断面に付着
し、各層間の絶縁性が損なわれる。このため、通常は、
透明導電膜１０２を形成した直後に、レーザー光によ
り、透明導電膜１０２の開口部を形成しておき、その上
に光電変換層１０３、裏面電極１０４及びレジスト１０
５を順次形成してから、レーザー光により、図７に示す
様に透明導電膜１０２の開口部よりも狭い幅の開口溝１
０８を光電変換層１０３、裏面電極１０４及びレジスト
１０５に形成している。これにより、開口溝１０８を形
成するときに、レーザー光が透明導電膜１０２に照射さ
れることがなく、透明導電膜１０２の残滓が発生せずに
済む。
１０２、光電変換層１０３、裏面電極１０４及びレジス
ト１０５を部分的に開口して、開口溝１０８を形成し、
この開口溝１０８の内側の太陽電池と外側の透明導電膜
間を電気的に絶縁している。この開口溝１０８は、透明
導電膜１０２、光電変換層１０３、裏面電極１０４及び
レジスト１０５をレーザー光により加工して形成され
る。ただし、透明導電膜１０２をレーザー光により加工
すると、透明導電膜１０２の昇華により導電性を有する
残滓が発生し、この残滓が開口溝１０８の断面に付着
し、各層間の絶縁性が損なわれる。このため、通常は、
透明導電膜１０２を形成した直後に、レーザー光によ
り、透明導電膜１０２の開口部を形成しておき、その上
に光電変換層１０３、裏面電極１０４及びレジスト１０
５を順次形成してから、レーザー光により、図７に示す
様に透明導電膜１０２の開口部よりも狭い幅の開口溝１
０８を光電変換層１０３、裏面電極１０４及びレジスト
１０５に形成している。これにより、開口溝１０８を形
成するときに、レーザー光が透明導電膜１０２に照射さ
れることがなく、透明導電膜１０２の残滓が発生せずに
済む。
【０００７】ところで、この様な薄膜太陽電池に、採光
用の開口溝を設けることがある。例えば、図８（ａ）及
び（ｂ）に示す様な薄膜太陽電池においては、各太陽電
池片１１１の直列接続の方向と直交する方向に、複数の
採光用開口溝１１２を形成している。また、各採光用開
口溝１１２が各太陽電位片１１１の直列接続の方向と直
交するので、この直列接続の方向での抵抗が大きく、こ
のために電流を流す複数の非採光部１１３を格別に形成
している。
用の開口溝を設けることがある。例えば、図８（ａ）及
び（ｂ）に示す様な薄膜太陽電池においては、各太陽電
池片１１１の直列接続の方向と直交する方向に、複数の
採光用開口溝１１２を形成している。また、各採光用開
口溝１１２が各太陽電位片１１１の直列接続の方向と直
交するので、この直列接続の方向での抵抗が大きく、こ
のために電流を流す複数の非採光部１１３を格別に形成
している。
【０００８】尚、図９に示す様にシリコンウエハーを用
いた結晶型太陽電池においても、採光を採用したものが
ある。ここでは、シリコンウエハーから形成された複数
の太陽電池片１２１を相互に離間させて配列し、各太陽
電池片１２１を２枚のガラス基板１２２間に挟み込ん
で、各太陽電池片１２１の間隙に透光性樹脂を充填して
おり、各太陽電池片１２１の間隙が採光用の開口部とな
る。
いた結晶型太陽電池においても、採光を採用したものが
ある。ここでは、シリコンウエハーから形成された複数
の太陽電池片１２１を相互に離間させて配列し、各太陽
電池片１２１を２枚のガラス基板１２２間に挟み込ん
で、各太陽電池片１２１の間隙に透光性樹脂を充填して
おり、各太陽電池片１２１の間隙が採光用の開口部とな
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８
（ａ）及び（ｂ）の薄膜太陽電池においては、各太陽電
池片１１１の電流を各非採光部１１３に集め、各非採光
部１１３から電圧端子１１４及び配線（図示せず）を通
じて外部に取り出すので、電流経路が長く、抵抗損失が
大きくなり、特性が劣化した。
（ａ）及び（ｂ）の薄膜太陽電池においては、各太陽電
池片１１１の電流を各非採光部１１３に集め、各非採光
部１１３から電圧端子１１４及び配線（図示せず）を通
じて外部に取り出すので、電流経路が長く、抵抗損失が
大きくなり、特性が劣化した。
【００１０】また、各採光用開口溝１１２は、ＹＡＧ第
２高調波レーザー光により形成する方法と、ＹＡＧ基本
波レーザー光により形成する方法とがある。
２高調波レーザー光により形成する方法と、ＹＡＧ基本
波レーザー光により形成する方法とがある。
【００１１】前者のＹＡＧ第２高調波レーザー光を透明
導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジストに照射する
と、光電変換層、裏面電極及びレジストが選択的に加工
され、透明導電膜のみが加工されない。このため、各採
光用開口溝１１２の底部には、透明導電膜が残存するこ
とになり、この透明導電膜の昇華による残滓が発生する
ことはない。しかしながら、ＹＡＧ第２高調波レーザー
光の大出力を得ることは困難であり、十分な加工性能を
達成するには、レーザビーム径を小さくするしかなく、
生産性が低下するという問題があった。
導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジストに照射する
と、光電変換層、裏面電極及びレジストが選択的に加工
され、透明導電膜のみが加工されない。このため、各採
光用開口溝１１２の底部には、透明導電膜が残存するこ
とになり、この透明導電膜の昇華による残滓が発生する
ことはない。しかしながら、ＹＡＧ第２高調波レーザー
光の大出力を得ることは困難であり、十分な加工性能を
達成するには、レーザビーム径を小さくするしかなく、
生産性が低下するという問題があった。
【００１２】また、後者のＹＡＧ基本波レーザー光を適
用する場合は、大出力を容易に得ることができるもの
の、ＹＡＧ基本波レーザー光を透明導電膜、光電変換
層、裏面電極及びレジストに照射すると、これらの全て
が同時に加工されるので、透明導電膜の昇華による残滓
が発生する。このため、図５及び図６の開口溝１０８と
同様に、透明導電膜を形成した直後に、レーザー光によ
り、透明導電膜の開口部を形成しておき、その上に光電
変換層、裏面電極及びレジストを順次形成してから、レ
ーザー光により、透明導電膜の開口部よりも狭い幅の開
口部を光電変換層、裏面電極及びレジストに形成する必
要がある。この場合は、製造工程が煩雑化することか
ら、生産性が低下した。
用する場合は、大出力を容易に得ることができるもの
の、ＹＡＧ基本波レーザー光を透明導電膜、光電変換
層、裏面電極及びレジストに照射すると、これらの全て
が同時に加工されるので、透明導電膜の昇華による残滓
が発生する。このため、図５及び図６の開口溝１０８と
同様に、透明導電膜を形成した直後に、レーザー光によ
り、透明導電膜の開口部を形成しておき、その上に光電
変換層、裏面電極及びレジストを順次形成してから、レ
ーザー光により、透明導電膜の開口部よりも狭い幅の開
口部を光電変換層、裏面電極及びレジストに形成する必
要がある。この場合は、製造工程が煩雑化することか
ら、生産性が低下した。
【００１３】尚、図９の結晶型太陽電池は、採光用の開
口部を有するものとして例示しているが、基本的な構造
及び製造方法が薄膜太陽電池とは全く異なる。
口部を有するものとして例示しているが、基本的な構造
及び製造方法が薄膜太陽電池とは全く異なる。
【００１４】そこで、本発明は、上記従来の問題に鑑み
てなされたものであり、多数の採光用開口溝を設けて
も、特性が劣化せず、また生産性の向上を図ることが可
能な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することを目
的とする。
てなされたものであり、多数の採光用開口溝を設けて
も、特性が劣化せず、また生産性の向上を図ることが可
能な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜太陽電池は、透明基板上に、複数の電
池列を並行に配列して、各電池列間に、光を透過する各
採光用開口溝を設けており、各電池列は、複数の薄膜太
陽電池片を直列接続したものである。
に、本発明の薄膜太陽電池は、透明基板上に、複数の電
池列を並行に配列して、各電池列間に、光を透過する各
採光用開口溝を設けており、各電池列は、複数の薄膜太
陽電池片を直列接続したものである。
【００１６】本発明によれば、各電池列は、各薄膜太陽
電池片を直列接続してなる。各採光用開口溝は、各電池
列に並行しているので、電池列の各薄膜太陽電池片の接
続を遮ることがない。従って、各電池列の両端から電力
を取り出すことができ、電流経路が長くならず、抵抗損
失を小さすることができる。
電池片を直列接続してなる。各採光用開口溝は、各電池
列に並行しているので、電池列の各薄膜太陽電池片の接
続を遮ることがない。従って、各電池列の両端から電力
を取り出すことができ、電流経路が長くならず、抵抗損
失を小さすることができる。
【００１７】また、本発明においては、太陽電池片は、
透明基板上に、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及び
レジスト皮膜を順次積層したものであり、採光用開口溝
は、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮
膜の開口部を重ねたものである。
透明基板上に、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及び
レジスト皮膜を順次積層したものであり、採光用開口溝
は、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮
膜の開口部を重ねたものである。
【００１８】この様に採光用開口溝が透明導電膜、光電
変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部からなる場
合は、ＹＡＧ基本波レーザー光によって各層の開口部を
一度に形成することができる。
変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部からなる場
合は、ＹＡＧ基本波レーザー光によって各層の開口部を
一度に形成することができる。
【００１９】更に、本発明においては、透明導電膜の開
口部の幅は、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の
開口部の幅よりも狭い。
口部の幅は、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の
開口部の幅よりも狭い。
【００２０】この様に透明導電膜の開口部の幅だけを狭
くするには、ＹＡＧ基本波レーザー光の強度を調整する
ことによりなされる。この場合、昇華される透明導電膜
の量が減少し、かつ透明導電膜の開口部が光電変換層、
裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の断面から離間す
る。このため、透明導電膜の昇華により発生した残滓が
光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の断面
に付着する確率が減少し、各層間の絶縁不良の発生率が
減少する。
くするには、ＹＡＧ基本波レーザー光の強度を調整する
ことによりなされる。この場合、昇華される透明導電膜
の量が減少し、かつ透明導電膜の開口部が光電変換層、
裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の断面から離間す
る。このため、透明導電膜の昇華により発生した残滓が
光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の断面
に付着する確率が減少し、各層間の絶縁不良の発生率が
減少する。
【００２１】また、本発明においては、採光用開口溝の
幅は、３ミリ以下である。
幅は、３ミリ以下である。
【００２２】レーザー光の適用により、採光用開口溝の
幅を３ミリ以下にすることができ、デザイン上の自由度
を高くすることができる。
幅を３ミリ以下にすることができ、デザイン上の自由度
を高くすることができる。
【００２３】更に、本発明においては、各電池列からの
電力を伝送するための配線を設ける範囲には、採光用開
口溝を形成しない。
電力を伝送するための配線を設ける範囲には、採光用開
口溝を形成しない。
【００２４】また、本発明においては、各電池列から電
力を取り出すための電力端子には、採光用開口溝を形成
しない。
力を取り出すための電力端子には、採光用開口溝を形成
しない。
【００２５】この様に採光用開口溝を配線や電力端子の
部位に形成しなければ、配線や電力端子が採光用開口溝
を通じて見えずに済む。また、採光用開口溝によって電
力端子が分断されずに済む。
部位に形成しなければ、配線や電力端子が採光用開口溝
を通じて見えずに済む。また、採光用開口溝によって電
力端子が分断されずに済む。
【００２６】次に、本発明の製造方法は、透明基板上
に、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮
膜を順次積層し、レーザー光を照射することにより、透
明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜を部
分的に開口して、採光用開口溝を形成している。
に、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮
膜を順次積層し、レーザー光を照射することにより、透
明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜を部
分的に開口して、採光用開口溝を形成している。
【００２７】この様にレーザー光によって透明導電膜、
光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜を開口する場合
は、その製造工程が簡単化される。また、ＹＡＧ基本波
レーザー光を適用することができ、生産性の向上を図る
ことができる。
光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜を開口する場合
は、その製造工程が簡単化される。また、ＹＡＧ基本波
レーザー光を適用することができ、生産性の向上を図る
ことができる。
【００２８】また、本発明においては、レーザー光の強
度は、透明導電膜の開口部の幅が光電変換層、裏面電極
及びレジスト皮膜の開口部の幅よりも狭くなる様に設定
される。
度は、透明導電膜の開口部の幅が光電変換層、裏面電極
及びレジスト皮膜の開口部の幅よりも狭くなる様に設定
される。
【００２９】この様にレーザー光の強度を適宜に設定す
ることにより、透明導電膜の開口部の幅を光電変換層、
裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の幅よりも狭くする
ことができる。これにより、先に述べた様に昇華される
透明導電膜の量が減少し、かつ透明導電膜の開口部が光
電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の断面か
ら離間する。このため、透明導電膜の昇華により発生し
た残滓が該断面に付着する確率が減少し、各層間の絶縁
不良の発生率が減少する。
ることにより、透明導電膜の開口部の幅を光電変換層、
裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の幅よりも狭くする
ことができる。これにより、先に述べた様に昇華される
透明導電膜の量が減少し、かつ透明導電膜の開口部が光
電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の断面か
ら離間する。このため、透明導電膜の昇華により発生し
た残滓が該断面に付着する確率が減少し、各層間の絶縁
不良の発生率が減少する。
【００３０】更に、本発明においては、電力を伝送する
ための配線を設ける範囲、及び電力を取り出すための電
力端子の範囲にレーザー光が照射されない様に、レーザ
ー光を照射するレーザ装置をプログラム制御する。
ための配線を設ける範囲、及び電力を取り出すための電
力端子の範囲にレーザー光が照射されない様に、レーザ
ー光を照射するレーザ装置をプログラム制御する。
【００３１】また、本発明においては、電力を伝送する
ための配線を設ける範囲、及び電力を取り出すための電
力端子の範囲にレーザー光が照射されない様に、マスク
を被せる。
ための配線を設ける範囲、及び電力を取り出すための電
力端子の範囲にレーザー光が照射されない様に、マスク
を被せる。
【００３２】この様にレーザ装置をプログラム制御した
り、マスクを被せることにより、配線や電力端子の範囲
にはレーザー光を照射せず、この範囲では採光用開口溝
を形成していない。こうして採光用開口溝を配線や電力
端子の部位に形成しなければ、配線や電力端子が採光用
開口溝を通じて見えずに済む。また、採光用開口溝によ
って電力端子が分断されずに済む。
り、マスクを被せることにより、配線や電力端子の範囲
にはレーザー光を照射せず、この範囲では採光用開口溝
を形成していない。こうして採光用開口溝を配線や電力
端子の部位に形成しなければ、配線や電力端子が採光用
開口溝を通じて見えずに済む。また、採光用開口溝によ
って電力端子が分断されずに済む。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００３４】図１は、本発明の薄膜太陽電池の一実施形
態を示す斜視図であり、図２は、図１の薄膜太陽電池を
示す部分拡大図である。
態を示す斜視図であり、図２は、図１の薄膜太陽電池を
示す部分拡大図である。
【００３５】本実施形態の薄膜太陽電池を製造するに
は、まず図３に示す様にガラス基板１上に、短冊状の透
明導電膜２を形成し、その上に、非晶質半導体のｐ層、
ｉ層及びｎ層を順次積層してなる短冊状の光電変換層３
を形成し、更に、金属薄膜である短冊状の裏面電極４、
及び短冊状のレジスト５を順次形成する。これにより、
光電変換層３、裏面電極４及びレジスト５を順次積層し
てなる各太陽電池片６が形成される。１つの太陽電池片
６の透明導電膜２を隣り合う他の太陽電池片６のスルー
ホール３ａを介して裏面電極４に接続して、各太陽電池
片６を直列接続している。
は、まず図３に示す様にガラス基板１上に、短冊状の透
明導電膜２を形成し、その上に、非晶質半導体のｐ層、
ｉ層及びｎ層を順次積層してなる短冊状の光電変換層３
を形成し、更に、金属薄膜である短冊状の裏面電極４、
及び短冊状のレジスト５を順次形成する。これにより、
光電変換層３、裏面電極４及びレジスト５を順次積層し
てなる各太陽電池片６が形成される。１つの太陽電池片
６の透明導電膜２を隣り合う他の太陽電池片６のスルー
ホール３ａを介して裏面電極４に接続して、各太陽電池
片６を直列接続している。
【００３６】この後、ＹＡＧ基本波レーザ装置を用い
て、ＹＡＧ基本波レーザ光を図３のガラス基板１上の各
層に照射することにより、透明導電膜２、光電変換層
３、裏面電極４及びレジスト５を部分的に開口して、図
１及び図２に示す様に各太陽電池片６の直列接続の方向
と直交する方向に延びる複数の採光用開口溝７を形成す
る。各採光用開口溝７の形成に伴い、各採光用開口溝７
間には、各太陽電池片６を直列接続してなるそれぞれの
電池列８が形成される。
て、ＹＡＧ基本波レーザ光を図３のガラス基板１上の各
層に照射することにより、透明導電膜２、光電変換層
３、裏面電極４及びレジスト５を部分的に開口して、図
１及び図２に示す様に各太陽電池片６の直列接続の方向
と直交する方向に延びる複数の採光用開口溝７を形成す
る。各採光用開口溝７の形成に伴い、各採光用開口溝７
間には、各太陽電池片６を直列接続してなるそれぞれの
電池列８が形成される。
【００３７】ただし、各電池列８の両端に接続されるそ
れぞれの電力端子９、及び薄膜太陽電池の略中央の配線
スペース１０には、採光用開口溝７を形成しない。この
ためには、ＹＡＧ基本波レーザ装置をプログラム制御し
たり、レーザー光に対する十分な耐性と遮蔽性を有する
金属等のマスクを各電力端子９及び配線スペース１０に
被せ、各採光用開口溝７の形成範囲を特定する。
れぞれの電力端子９、及び薄膜太陽電池の略中央の配線
スペース１０には、採光用開口溝７を形成しない。この
ためには、ＹＡＧ基本波レーザ装置をプログラム制御し
たり、レーザー光に対する十分な耐性と遮蔽性を有する
金属等のマスクを各電力端子９及び配線スペース１０に
被せ、各採光用開口溝７の形成範囲を特定する。
【００３８】更に、各電力端子９にそれぞれの配線コー
ド１１を接続し、各配線コード１１を薄膜太陽電池の略
中央まで配線スペース１０上で引き廻す。そして、各配
線コード１１間に電流バイパス用のダイオード（図示せ
ず）を接続して挿入し、このダイオードを小箱（図示せ
ず）に収納する。更に、各配線コード１１を保護ガラス
（図示せず）の中央の孔に通して、この保護ガラスを各
電池列８や各電力端子９等の上に重ね合わせ、透明樹脂
等を用いて、この保護ガラスと基板ガラス１間に各電池
列８や各電力端子９等を封止する。
ド１１を接続し、各配線コード１１を薄膜太陽電池の略
中央まで配線スペース１０上で引き廻す。そして、各配
線コード１１間に電流バイパス用のダイオード（図示せ
ず）を接続して挿入し、このダイオードを小箱（図示せ
ず）に収納する。更に、各配線コード１１を保護ガラス
（図示せず）の中央の孔に通して、この保護ガラスを各
電池列８や各電力端子９等の上に重ね合わせ、透明樹脂
等を用いて、この保護ガラスと基板ガラス１間に各電池
列８や各電力端子９等を封止する。
【００３９】この様に本実施形態の薄膜太陽電池では、
各電池列８の両端をそれぞれの電力端子９に接続し、各
電池列８の電力を各電力端子９及び各配線コード１１を
通じて取り出すので、電流経路が短く、抵抗損失が小さ
くて済む。
各電池列８の両端をそれぞれの電力端子９に接続し、各
電池列８の電力を各電力端子９及び各配線コード１１を
通じて取り出すので、電流経路が短く、抵抗損失が小さ
くて済む。
【００４０】また、各採光用開口溝７を形成するため
に、ＹＡＧ基本波レーザ光を用いている。このＹＡＧ基
本波レーザ光は、赤外線域の波長を有しており、透明導
電膜２に吸収されても、ガラス基板１に吸収されること
がない。このため、ガラス基板１を除く、他の透明導電
膜２、光電変換層３、裏面電極４及びレジスト５が部分
的に除去されて開口される。このＹＡＧ基本波レーザ光
の強度を適宜に調整することにより、図４に示す様に透
明導電膜２の開口部の幅よりも、光電変換層３、裏面電
極４及びレジスト５の開口部の幅が広くなった採光用開
口溝７の断面構造を得ることができる。これは、光電変
換層３よりも、裏面電極４及びレジスト５の方が、膜と
しての強度が低く、かつＹＡＧ基本波レーザ光の吸収率
が高いためと考えられる。
に、ＹＡＧ基本波レーザ光を用いている。このＹＡＧ基
本波レーザ光は、赤外線域の波長を有しており、透明導
電膜２に吸収されても、ガラス基板１に吸収されること
がない。このため、ガラス基板１を除く、他の透明導電
膜２、光電変換層３、裏面電極４及びレジスト５が部分
的に除去されて開口される。このＹＡＧ基本波レーザ光
の強度を適宜に調整することにより、図４に示す様に透
明導電膜２の開口部の幅よりも、光電変換層３、裏面電
極４及びレジスト５の開口部の幅が広くなった採光用開
口溝７の断面構造を得ることができる。これは、光電変
換層３よりも、裏面電極４及びレジスト５の方が、膜と
しての強度が低く、かつＹＡＧ基本波レーザ光の吸収率
が高いためと考えられる。
【００４１】この様に透明導電膜２の開口部の幅が狭い
場合は、昇華される透明導電膜２の量が減少し、かつ該
開口部が光電変換層３、裏面電極４及びレジスト５の開
口部の断面から離間する。このため、透明導電膜２の昇
華により発生した残滓が光電変換層３、裏面電極４及び
レジスト５の開口部の断面に付着する確率が減少する。
更に、採光用開口溝７を形成した後に、採光用開口溝７
を洗浄したりエッチングすれば、透明導電膜２の残滓を
ほぼ完全に除去することができ、採光用開口溝７におけ
る各層間の絶縁不良を防止することができる。
場合は、昇華される透明導電膜２の量が減少し、かつ該
開口部が光電変換層３、裏面電極４及びレジスト５の開
口部の断面から離間する。このため、透明導電膜２の昇
華により発生した残滓が光電変換層３、裏面電極４及び
レジスト５の開口部の断面に付着する確率が減少する。
更に、採光用開口溝７を形成した後に、採光用開口溝７
を洗浄したりエッチングすれば、透明導電膜２の残滓を
ほぼ完全に除去することができ、採光用開口溝７におけ
る各層間の絶縁不良を防止することができる。
【００４２】また、例えば採光用開口溝７の幅を０．１
ミリに設定し、各採光用開口溝７間の受光面の幅を０．
９ミリに設定すると、薄膜太陽電池の表面に対する採光
用開口溝７の開口率が１０％程度となる。この場合、薄
膜太陽電池の全体に多数の細線が並行に引かれる。この
様な薄膜太陽電池を建築物等に設置すると、デザイン
上、視覚的に優れた効果を得ることができる。また、採
光用開口溝７の幅や受光面の幅、それらの数等を適宜に
設定することができ、デザインの自由度が高い。
ミリに設定し、各採光用開口溝７間の受光面の幅を０．
９ミリに設定すると、薄膜太陽電池の表面に対する採光
用開口溝７の開口率が１０％程度となる。この場合、薄
膜太陽電池の全体に多数の細線が並行に引かれる。この
様な薄膜太陽電池を建築物等に設置すると、デザイン
上、視覚的に優れた効果を得ることができる。また、採
光用開口溝７の幅や受光面の幅、それらの数等を適宜に
設定することができ、デザインの自由度が高い。
【００４３】尚、従来の図９に示す結晶型太陽電池の場
合は、シリコンウエハーからなる各太陽電池片１２１間
の接続配線を考慮すると、各太陽電池片１２１を相互に
５ミリ以上離間させて配置せねばならない。このため、
デザイン上の視覚的な効果が低く、デザインの自由度が
殆どない。
合は、シリコンウエハーからなる各太陽電池片１２１間
の接続配線を考慮すると、各太陽電池片１２１を相互に
５ミリ以上離間させて配置せねばならない。このため、
デザイン上の視覚的な効果が低く、デザインの自由度が
殆どない。
【００４４】更に、各電力端子９及び配線スペース１０
には、採光用開口溝７を形成していないので、各配線コ
ード１１、電流バイパス用のダイオード（図示せず）、
このダイオードを収納する小箱（図示せず）等が各採光
用開口溝７を通じて見えずに済む。また、各採光用開口
溝７によって、電流経路となる各電力端子９が分断され
ずに済む。
には、採光用開口溝７を形成していないので、各配線コ
ード１１、電流バイパス用のダイオード（図示せず）、
このダイオードを収納する小箱（図示せず）等が各採光
用開口溝７を通じて見えずに済む。また、各採光用開口
溝７によって、電流経路となる各電力端子９が分断され
ずに済む。
【００４５】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものでなく、多様に変形することができる。例えば、ガ
ラス基板や保護ガラスの代わりに、他の材質の透明基板
を適用しても構わない。また、透明導電膜、光電変換
層、裏面電極、レジストの材質を適宜に変更しても良
い。更に、各採光用開口溝の幅、長さ、本数、間隔等を
任意に設定しも良い。
ものでなく、多様に変形することができる。例えば、ガ
ラス基板や保護ガラスの代わりに、他の材質の透明基板
を適用しても構わない。また、透明導電膜、光電変換
層、裏面電極、レジストの材質を適宜に変更しても良
い。更に、各採光用開口溝の幅、長さ、本数、間隔等を
任意に設定しも良い。
【００４６】
【実施例】実際に、６５０ミリ×４５５ミリのガラス基
板上に、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジス
トを順次形成し、この後に照射面でのビーム径が０．１
ミリ角、出力が７ワット、パルスの周波数が５ＫＨｚ、
掃引速度が２００ミリ／秒のＹＡＧ基本波レーザー光を
照射することにより、幅が８０ミクロン、長さが４２５
ミリの採光用開口溝を８８０本形成し、薄膜太陽電池の
表面に対する採光用開口溝の開口率を１０％に設定し
た。この薄膜太陽電池の初期特性は、次の表の通りであ
った。
板上に、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジス
トを順次形成し、この後に照射面でのビーム径が０．１
ミリ角、出力が７ワット、パルスの周波数が５ＫＨｚ、
掃引速度が２００ミリ／秒のＹＡＧ基本波レーザー光を
照射することにより、幅が８０ミクロン、長さが４２５
ミリの採光用開口溝を８８０本形成し、薄膜太陽電池の
表面に対する採光用開口溝の開口率を１０％に設定し
た。この薄膜太陽電池の初期特性は、次の表の通りであ
った。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、各電
池列は、各薄膜太陽電池片を直列接続してなる。各採光
用開口溝は、各電池列に並行しているので、電池列の各
薄膜太陽電池片の接続を遮ることがない。従って、各電
池列の両端から電力を取り出すことができ、電流経路が
長くならず、抵抗損失を小さすることができる。
池列は、各薄膜太陽電池片を直列接続してなる。各採光
用開口溝は、各電池列に並行しているので、電池列の各
薄膜太陽電池片の接続を遮ることがない。従って、各電
池列の両端から電力を取り出すことができ、電流経路が
長くならず、抵抗損失を小さすることができる。
【００４９】また、本発明によれば、太陽電池片は、透
明基板上に、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレ
ジスト皮膜を順次積層したものであり、採光用開口溝
は、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮
膜の開口部を重ねたものである。このため、ＹＡＧ基本
波レーザー光によって各層の開口部を一度に形成するこ
とが可能である。
明基板上に、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレ
ジスト皮膜を順次積層したものであり、採光用開口溝
は、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮
膜の開口部を重ねたものである。このため、ＹＡＧ基本
波レーザー光によって各層の開口部を一度に形成するこ
とが可能である。
【００５０】更に、本発明によれば、透明導電膜の開口
部の幅だけを狭くしている。これは、ＹＡＧ基本波レー
ザー光の強度を調整することによりなされる。この場
合、昇華される透明導電膜の量が減少し、かつ透明導電
膜の開口部が光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の
開口部の断面から離間する。このため、透明導電膜の昇
華により発生した残滓が光電変換層、裏面電極及びレジ
スト皮膜の開口部の断面に付着する確率が減少し、各層
間の絶縁不良の発生率が減少する。
部の幅だけを狭くしている。これは、ＹＡＧ基本波レー
ザー光の強度を調整することによりなされる。この場
合、昇華される透明導電膜の量が減少し、かつ透明導電
膜の開口部が光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の
開口部の断面から離間する。このため、透明導電膜の昇
華により発生した残滓が光電変換層、裏面電極及びレジ
スト皮膜の開口部の断面に付着する確率が減少し、各層
間の絶縁不良の発生率が減少する。
【００５１】また、本発明によれば、採光用開口溝の幅
は、３ミリ以下である。レーザー光の適用により、採光
用開口溝の幅を３ミリ以下にすることができ、デザイン
上の自由度を高くすることができる。
は、３ミリ以下である。レーザー光の適用により、採光
用開口溝の幅を３ミリ以下にすることができ、デザイン
上の自由度を高くすることができる。
【００５２】更に、本発明によれば、採光用開口溝を配
線や電力端子の部位に形成しないので、配線や電力端子
が採光用開口溝を通じて見えずに済む。また、採光用開
口溝によって電力端子が分断されずに済む。
線や電力端子の部位に形成しないので、配線や電力端子
が採光用開口溝を通じて見えずに済む。また、採光用開
口溝によって電力端子が分断されずに済む。
【００５３】次に、本発明の製造方法によれば、レーザ
ー光によって透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレ
ジスト皮膜を開口するので、その製造工程が簡単化され
る。また、ＹＡＧ基本波レーザー光を適用することがで
き、生産性の向上を図ることができる。
ー光によって透明導電膜、光電変換層、裏面電極及びレ
ジスト皮膜を開口するので、その製造工程が簡単化され
る。また、ＹＡＧ基本波レーザー光を適用することがで
き、生産性の向上を図ることができる。
【００５４】また、本発明によれば、レーザー光の強度
を適宜に設定することにより、透明導電膜の開口部の幅
を光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の幅
よりも狭くしている。これにより、先に述べた様に昇華
される透明導電膜の量が減少し、かつ透明導電膜の開口
部が光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の
断面から離間する。このため、透明導電膜の昇華により
発生した残滓が該断面に付着する確率が減少し、各層間
の絶縁不良の発生率が減少する。
を適宜に設定することにより、透明導電膜の開口部の幅
を光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の幅
よりも狭くしている。これにより、先に述べた様に昇華
される透明導電膜の量が減少し、かつ透明導電膜の開口
部が光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の
断面から離間する。このため、透明導電膜の昇華により
発生した残滓が該断面に付着する確率が減少し、各層間
の絶縁不良の発生率が減少する。
【００５５】更に、本発明によれば、レーザ装置をプロ
グラム制御したり、マスクを被せることにより、配線や
電力端子の範囲にはレーザー光を照射せず、この範囲で
は採光用開口溝を形成していない。こうして採光用開口
溝を配線や電力端子の部位に形成しなければ、配線や電
力端子が採光用開口溝を通じて見えずに済む。また、採
光用開口溝によって電力端子が分断されずに済む。
グラム制御したり、マスクを被せることにより、配線や
電力端子の範囲にはレーザー光を照射せず、この範囲で
は採光用開口溝を形成していない。こうして採光用開口
溝を配線や電力端子の部位に形成しなければ、配線や電
力端子が採光用開口溝を通じて見えずに済む。また、採
光用開口溝によって電力端子が分断されずに済む。
【図１】本発明の薄膜太陽電池の一実施形態を示す斜視
図である。
図である。
【図２】図１の薄膜太陽電池を示す部分拡大図である。
【図３】各採光用開口溝を形成する以前の薄膜太陽電池
を示す部分拡大図である。
を示す部分拡大図である。
【図４】図１の薄膜太陽電池を示す部分断面図である。
【図５】従来の薄膜太陽電池の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】図５の薄膜太陽電池を示す部分拡大図である。
【図７】図５の薄膜太陽電池を示す部分断面図である。
【図８】（ａ）は従来の薄膜太陽電池の他の例を示す平
面図であり、（ｂ）は（ａ）の薄膜太陽電池の部分拡大
図である。
面図であり、（ｂ）は（ａ）の薄膜太陽電池の部分拡大
図である。
【図９】従来の結晶型太陽電池を例示する平面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ 光電変換層 ４ 裏面電極 ５ レジスト ６ 太陽電池片 ７ 採光用開口溝 ８ 電池列 ９ 電力端子 １０ 配線スペース １１ 配線コード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E068 AC00 DA10 5F051 AA05 BA11 BA17 DA04 EA02 EA06 EA09 EA10 EA11 EA16 GA03 JA02 JA06 JA07 JA08
Claims (10)
- 【請求項１】 透明基板上に、複数の電池列を並行に配
列して、各電池列間に、光を透過する各採光用開口溝を
設けており、 各電池列は、複数の薄膜太陽電池片を直列接続したもの
であることを特徴とする薄膜太陽電池。 - 【請求項２】 太陽電池片は、透明基板上に、透明導電
膜、光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜を順次積層
したものであり、 採光用開口溝は、透明導電膜、光電変換層、裏面電極及
びレジスト皮膜の開口部を重ねたものであることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項３】 透明導電膜の開口部の幅は、光電変換
層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口部の幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項４】 採光用開口溝の幅は、３ミリ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項５】 各電池列からの電力を伝送するための配
線を設ける範囲には、採光用開口溝を形成しないことを
特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項６】 各電池列から電力を取り出すための電力
端子には、採光用開口溝を形成しないことを特徴とする
請求項１に記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項７】 透明基板上に、透明導電膜、光電変換
層、裏面電極及びレジスト皮膜を順次積層し、レーザー
光を照射することにより、透明導電膜、光電変換層、裏
面電極及びレジスト皮膜を部分的に開口して、採光用開
口溝を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方
法。 - 【請求項８】 レーザー光の強度は、透明導電膜の開口
部の幅が光電変換層、裏面電極及びレジスト皮膜の開口
部の幅よりも狭くなる様に設定されることを特徴とする
請求項７に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項９】 電力を伝送するための配線を設ける範
囲、及び電力を取り出すための電力端子の範囲にレーザ
ー光が照射されない様に、レーザー光を照射するレーザ
装置をプログラム制御することを特徴とする請求項７に
記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項１０】 電力を伝送するための配線を設ける範
囲、及び電力を取り出すための電力端子の範囲にレーザ
ー光が照射されない様に、マスクを被せることを特徴と
する請求項７に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000313802A JP3720254B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000313802A JP3720254B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124690A true JP2002124690A (ja) | 2002-04-26 |
| JP3720254B2 JP3720254B2 (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=18793158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000313802A Expired - Fee Related JP3720254B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3720254B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009139337A1 (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | 旭硝子株式会社 | 酸化物層付き基体とその製造方法 |
| WO2010032713A1 (ja) | 2008-09-22 | 2010-03-25 | シャープ株式会社 | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| US7750233B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film solar cell and manufacturing method thereof |
| WO2011052479A1 (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | 三洋電機株式会社 | 光電変換モジュール |
| CN102082211A (zh) * | 2010-08-09 | 2011-06-01 | 河北东旭投资集团有限公司 | 一种非晶硅太阳能电池模组简化工艺 |
| CN102144299A (zh) * | 2008-09-04 | 2011-08-03 | 夏普株式会社 | 集成薄膜太阳能电池 |
-
2000
- 2000-10-13 JP JP2000313802A patent/JP3720254B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7750233B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film solar cell and manufacturing method thereof |
| CN102026770A (zh) * | 2008-05-13 | 2011-04-20 | 旭硝子株式会社 | 带有氧化物层的基体及其制造方法 |
| JP5488461B2 (ja) * | 2008-05-13 | 2014-05-14 | 旭硝子株式会社 | 酸化物層付き基体とその製造方法 |
| WO2009139337A1 (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | 旭硝子株式会社 | 酸化物層付き基体とその製造方法 |
| US8907203B2 (en) | 2008-09-04 | 2014-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated thin-film solar battery |
| CN102144299A (zh) * | 2008-09-04 | 2011-08-03 | 夏普株式会社 | 集成薄膜太阳能电池 |
| EP2337085A4 (en) * | 2008-09-22 | 2012-08-29 | Sharp Kk | INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| WO2010032713A1 (ja) | 2008-09-22 | 2010-03-25 | シャープ株式会社 | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP2010074071A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Sharp Corp | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| EP2337085A1 (en) * | 2008-09-22 | 2011-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated thin film solar cell and manufacturing method therefor |
| CN102473758A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-05-23 | 三洋电机株式会社 | 光电转换模块 |
| WO2011052479A1 (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | 三洋電機株式会社 | 光電変換モジュール |
| CN102082211B (zh) * | 2010-08-09 | 2013-05-01 | 东旭集团有限公司 | 一种非晶硅太阳能电池模组简化工艺 |
| CN102082211A (zh) * | 2010-08-09 | 2011-06-01 | 河北东旭投资集团有限公司 | 一种非晶硅太阳能电池模组简化工艺 |
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|---|---|
| JP3720254B2 (ja) | 2005-11-24 |
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