JP4646532B2 - 薄膜のパターニング方法およびパターニング装置、ならびに薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜のパターニング方法およびパターニング装置、ならびに薄膜太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
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Description
まず、絶縁透光性基板上に表面電極を形成する。絶縁透光性基板としては、上述したようなガラス、石英、透明性を有するプラスチックなどを材質として用いた基板が挙げられる。この絶縁透光性基板上に形成する表面電極は、導電性および透光性を有していれば、特に限定されず、一般に太陽電池に用いられる表面電極を使用することができる。表面電極としては、透明性および導電性を有する材質からなる膜状の電極(本明細書において、「透明導電膜」と呼称する)が好ましい。ただし、表面電極は、全ての部位が透光性を有する必要はなく、少なくとも一部の部位が透光性を有し、太陽光発電に必要とされる量の光を透過することのできる透明性を有していれば使用可能である。すなわち、金属などの透光性を有さない材質を用いた電極であっても、たとえば構造が格子状であれば透光性を有するため、本実施形態に用いる表面電極として使用可能である。
次に、上記(1)の工程で形成した表面電極をパターニングして、表面電極分離ラインを形成する。パターニングの手法は特に限定されず、正確にパターニングが可能な手法であれば、一般に金属電極あるいは透明導電膜のパターニングに用いられる手法を好適に使用可能である。たとえば、樹脂マスクや金属マスクなどを用いたエッチングによって表面電極のパターニングを行なってもよい。しかし、このような方法では、積層構造の形成に多くのプロセスを必要とし、しかも取扱い得る基板の寸法に制約があり、太陽電池の基板内の発電領域の有効面積が小さくなりやすく、ウェットプロセスのため光電変換層中にピンホールが発生しやすく、曲面基板ではパターニングが難しいなどの問題点がある。
続いて、上記(2)の工程でパターニングを施した表面電極上に、光電変換層を形成する。光電変換層は、半導体膜を積層した構造を有し、光電変換性を有していれば、特に限定されない。かかる光電変換層の材質としては、半導体であれば、一般に太陽電池の光電変換層に用いられる材質を用いることができるが、具体例としては、Si、Ge、SiGe、SiC、SiN、GaAs、SiSnなどの半導体を使用することができる。これらのうちでは、シリコン系の半導体であるSi、SiGe、SiCなどを用いることが好ましい。また、光電変換層は、上記半導体膜が複数積層された構造を有していてもよい。上記複数積層される場合、各半導体膜の材料および構造は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
次に、上記(3)の工程で形成した光電変換層をパターニングして、光電変換層分離ラインを形成する。パターニングの手法は特に限定されず、正確にパターニングが可能な手法であれば、一般に光電変換層および透明導電膜のパターニングに用いられる手法を好適に使用可能である。たとえば、樹脂マスクや金属マスクなどを用いたエッチングによるパターニングを行なってもよい。しかし、このような方法では、積層構造の形成に多くのプロセスを必要とし、しかも取扱い得る基板の寸法に制約があり、薄膜太陽電池の基板内の発電領域の有効面積が小さくなりやすく、ウェットプロセスのため光電変換層中にピンホールが発生しやすく、曲面基板ではパターニングが難しいなどの問題点がある。
続いて、裏面電極を形成する。裏面電極は、光電変換層の光入射面の反対側(本明細書において、「裏面側」とも呼称する)に形成される。裏面電極は、導電性に加えて光散乱性または光反射性を有するならば、特に制限されるものではない。裏面金属電極の具体例としては、光反射性に優れたAgやAlやCrなどを材質として用いた金属膜が挙げられるが、中でも特に反射率が高いことから、Agで形成された金属膜が好ましい。
続いて、上記(5)の工程で形成した裏面電極をパターニングして、裏面電極分離ラインを形成する。かかる工程に用いるパターニングの手法は特に制限されるものではなく、正確にパターニングが可能な手法であれば、一般に金属電極あるいは透明導電膜のパターニングに用いられる手法を好適に使用可能である。たとえば、樹脂マスクや金属マスクなどを用いたエッチングによるパターニングを行なってもよい。しかし、このような方法では、薄膜積層構造の形成に多くのプロセスを必要とし、しかも取扱い得る基板の寸法に制約があり、薄膜太陽電池の基板内の発電領域の有効面積が小さくなりやすく、ウェットプロセスのため光電変換層中にピンホールが発生しやすく、曲面基板ではパターニングが難しいなどの問題点がある。
そして、上記パターニング加工後の裏面電極を、ガラス面よりたとえばYAGレーザの基本波をレーザ照射することで光透過用開口部を形成する。レーザ加工条件は、透明導電膜にダメージを与えない条件を選択するのが好ましい。この際、上述したように、基板の薄膜が形成されていない側に当接する複数の保持部材にて基板を保持してなり、保持部材が当接している領域に相当する薄膜上の領域に光が照射された際に、保持部材の前記基板に当接する先端部が下方または基板面に沿って移動可能であるようにして、光透過用開口部の形成を行う。かかる光透過用開口部の形成は、上述した薄膜のパターニング装置を用いて行うのが好ましい。
絶縁透光性基板1として厚さ1.5mm程度のガラス基板を使用し、ガラス基板(基板サイズ(X,Y)=925mm×560mm)に、表面電極2として、熱CVD法でSnO2(酸化錫)からなる透明導電膜を成膜した。
開口部を形成する方法以外は実施例1と同様にして、シースルー型薄膜太陽電池を作製した。本比較例においては、図11に示すように、太陽電池をレーザステージの周辺部のクランプユニットの一部である周辺部保持部材30のみで支えた状態で、開口部を作製した。得られた薄膜太陽電池について、ソーラーシュミレーターを照射した状態で、開口部を観察すると、図12に示したような斑が発生し外観上に問題が生じた。
開口部を形成する方法以外は実施例1と同様にして、シースルー型薄膜太陽電池を作製した。本比較例においては、図13に示すように基板を駆動しない非駆動式基板支持材32でX方向4点、Y方向4点で支えて開口部9を作製した。図13では簡略化のため、太陽電池は略水平に描いてあるが、実際には非駆動式基板支持部材32の間で太陽電池は撓んでいる。まず、非駆動基板支持部材32を0.6mmピッチの間に精度よく揃えるのが煩雑な作業性を要した。また、何度もレーザ照射部が非駆動式基板支持部材32にあたらないように調整する必要が生じた。得られた薄膜太陽電池について、ソーラーシュミレーターを照射した状態で、開口部を観察すると、図14に示したような斑が発生し外観上に問題が生じた。
Claims (6)
- 薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して薄膜をパターニングする方法であって、基板の薄膜が形成されていない側に当接する複数の保持部材にて基板を保持し、保持部材が当接している領域に相当する領域に光が照射された際に、直線状に並ぶ複数の保持部材の前記基板に当接する先端部が基板面に沿って移動することを特徴とする薄膜のパターニング方法。
- 光照射の際に移動していた保持部材の先端部が、光が照射されなくなった際に、元の位置に戻ることを特徴とする請求項1に記載の薄膜のパターニング方法。
- 少なくとも絶縁透光性基板、表面電極、光電変換層、裏面電極からなり、前記絶縁基板上で複数の発電領域に分断され、直列接続されてなり、前記発電領域内に少なくとも前記光電変換層および裏面電極を部分的に除去した光透過用開口部を設けた集積型薄膜太陽電池を製造する方法であって、前記光透過用開口部を請求項1または2に記載のパターニング方法にて形成すること特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記光電変換層が微結晶シリコンで形成されたものである、請求項3に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記開口部のピッチが0.5mm〜3mmである、請求項3または4に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して薄膜をパターニングするのに用いられるパターニング装置であって、
薄膜をパターニングするためのレーザ光を照射する光照射手段と、
基板の薄膜が形成されていない側に当接して基板を保持する複数の保持部材であって、基板に当接するその先端部が基板面に沿って移動する保持部材と、
保持部材で保持された基板に対して光照射手段によりレーザ光を照射して薄膜をパターニングする際に、直線状に並ぶ複数の保持部材の先端部が移動するように制御する制御部とを少なくとも備える、パターニング装置。
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