JP2001217435A - 薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池およびその製造方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 集積型薄膜太陽電池の裏面電極膜をレーザス
クライブする際、スクライブラインに付着した導電性付
着物によるリーク電流を抑制する。 【解決手段】 絶縁透光性基板１、透明導電膜２、非晶
質シリコン系半導体の光電変換層３、および裏面電極膜
４を備え、絶縁透光性基板１上で複数の発電領域に分割
され、直列接続された集積型薄膜太陽電池であって、裏
面電極膜４上にレジスト膜６が積層され、裏面電極分離
ライン３０が、レジスト膜６、裏面電極膜４、および光
電変換層３とともに略同一形状にパターニングされ、レ
ジスト膜６と光電変換層３との間にある裏面電極膜４
が、内側に削られている。
クライブする際、スクライブラインに付着した導電性付
着物によるリーク電流を抑制する。 【解決手段】 絶縁透光性基板１、透明導電膜２、非晶
質シリコン系半導体の光電変換層３、および裏面電極膜
４を備え、絶縁透光性基板１上で複数の発電領域に分割
され、直列接続された集積型薄膜太陽電池であって、裏
面電極膜４上にレジスト膜６が積層され、裏面電極分離
ライン３０が、レジスト膜６、裏面電極膜４、および光
電変換層３とともに略同一形状にパターニングされ、レ
ジスト膜６と光電変換層３との間にある裏面電極膜４
が、内側に削られている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜太陽電池およ
びその製造方法に関するものであり、特に、裏面電極膜
の分離が良好な薄膜太陽電池およびその製造方法に関す
るものである。
びその製造方法に関するものであり、特に、裏面電極膜
の分離が良好な薄膜太陽電池およびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜太陽電池には、以下の２つ
の構造のものがある。まず１つは、ガラス等の透光性絶
縁基板上に、ＳｎＯ2やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜
が形成され、その上に非晶質半導体のｐ層、ｉ層、ｎ層
がこの順に積層されて光電変換層が形成され、さらにそ
の上に金属薄膜裏面電極が積層されてなる構造のもので
ある。もう１つは、金属基板電極の上に、非晶質半導体
のｎ層、ｉ層、ｐ層がこの順に積層されて光電変換層が
形成され、その上に透明導電膜が積層されてなる構造で
ある。これらのうち、ｐ−ｉ−ｎ層の順に積層する方法
は、透光性絶縁基板が太陽電池表面カバーガラスを兼ね
ることができること、また、ＳｎＯ2等の耐プラズマ性
透明導電膜が開発されて、この上に非晶質半導体光電変
換層をプラズマＣＶＤ法で積層することが可能となった
こと、等から多用されるようになり、現在の主流となっ
ている。
の構造のものがある。まず１つは、ガラス等の透光性絶
縁基板上に、ＳｎＯ2やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜
が形成され、その上に非晶質半導体のｐ層、ｉ層、ｎ層
がこの順に積層されて光電変換層が形成され、さらにそ
の上に金属薄膜裏面電極が積層されてなる構造のもので
ある。もう１つは、金属基板電極の上に、非晶質半導体
のｎ層、ｉ層、ｐ層がこの順に積層されて光電変換層が
形成され、その上に透明導電膜が積層されてなる構造で
ある。これらのうち、ｐ−ｉ−ｎ層の順に積層する方法
は、透光性絶縁基板が太陽電池表面カバーガラスを兼ね
ることができること、また、ＳｎＯ2等の耐プラズマ性
透明導電膜が開発されて、この上に非晶質半導体光電変
換層をプラズマＣＶＤ法で積層することが可能となった
こと、等から多用されるようになり、現在の主流となっ
ている。
【０００３】この薄膜太陽電池の裏面電極膜としては、
Ａｇ、Ａｌ等の反射率の高い材料が使用され、また、光
電変換層と裏面電極膜との間に透明電極を挟むことによ
り、太陽電池の変換効率を向上させる方法も併せて用い
られる。この際、透明電極には、ＺｎＯ、ＩＴＯ等が使
用される。
Ａｇ、Ａｌ等の反射率の高い材料が使用され、また、光
電変換層と裏面電極膜との間に透明電極を挟むことによ
り、太陽電池の変換効率を向上させる方法も併せて用い
られる。この際、透明電極には、ＺｎＯ、ＩＴＯ等が使
用される。
【０００４】また、大面積化を行なうためには、レーザ
を用いて集積化を行ない、直列接続するのが一般的な方
法である。この構造は、ガラス基板等の透光性絶縁基板
上に、透明導電膜を短冊状に形成し、その上に非晶質半
導体層、続いて裏面電極膜を順に積層する。そして、１
つの透明導電膜、非晶質半導体層、裏面電極膜からなる
単位太陽電池の透明導電膜が、隣接する単位太陽電池の
裏面電極と接触する構造となるように、両電極および非
晶質半導体層のパターンを形成する。
を用いて集積化を行ない、直列接続するのが一般的な方
法である。この構造は、ガラス基板等の透光性絶縁基板
上に、透明導電膜を短冊状に形成し、その上に非晶質半
導体層、続いて裏面電極膜を順に積層する。そして、１
つの透明導電膜、非晶質半導体層、裏面電極膜からなる
単位太陽電池の透明導電膜が、隣接する単位太陽電池の
裏面電極と接触する構造となるように、両電極および非
晶質半導体層のパターンを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】薄膜太陽電池を集積化
する場合の裏面電極のパターニング方法としては、ガラ
ス面からレーザを入射し、光電変換層と裏面電極膜とを
同時にパターニングする方法がある。
する場合の裏面電極のパターニング方法としては、ガラ
ス面からレーザを入射し、光電変換層と裏面電極膜とを
同時にパターニングする方法がある。
【０００６】高い変換効率を求めた場合、裏面電極材料
として、反射率の高いＡｇ、Ａｌ等を使用することが一
般的である。また、光電変換層と裏面電極膜との間に
は、反射率を向上させるために透明電極膜を形成する方
法が有効であり、ＺｎＯ、ＩＴＯ等を使用することが変
換効率の向上につながる。
として、反射率の高いＡｇ、Ａｌ等を使用することが一
般的である。また、光電変換層と裏面電極膜との間に
は、反射率を向上させるために透明電極膜を形成する方
法が有効であり、ＺｎＯ、ＩＴＯ等を使用することが変
換効率の向上につながる。
【０００７】図２は、従来の薄膜太陽電池の構造を概略
的に示す断面図である。図２を参照して、この薄膜太陽
電池は、透明導電膜２が形成されたガラス基板１上に、
光電変換層３、透明電極４４と金属電極４５とからなる
裏面電極膜４、およびレジスト層６が形成されている。
そして、レーザによりパターニングがされ、第１の開口
１０、第２の開口２０、および第３の開口３０が形成さ
れている。
的に示す断面図である。図２を参照して、この薄膜太陽
電池は、透明導電膜２が形成されたガラス基板１上に、
光電変換層３、透明電極４４と金属電極４５とからなる
裏面電極膜４、およびレジスト層６が形成されている。
そして、レーザによりパターニングがされ、第１の開口
１０、第２の開口２０、および第３の開口３０が形成さ
れている。
【０００８】しかし、このような構成の薄膜太陽電池の
場合、レーザでのパターニングを行なった透明導電膜
２、光電変換層３、および裏面電極膜４の間で、リーク
パスが生じるのが一般的な現象である。これは、透明導
電膜２、光電変換層３、および裏面電極膜４がレーザス
クライブ時に昇華し、その壁面に導電性付着物７が再付
着して、リークパスを形成しているためと考えられる。
そのため、何らかの方法で、このリークパスを除去する
必要がある。
場合、レーザでのパターニングを行なった透明導電膜
２、光電変換層３、および裏面電極膜４の間で、リーク
パスが生じるのが一般的な現象である。これは、透明導
電膜２、光電変換層３、および裏面電極膜４がレーザス
クライブ時に昇華し、その壁面に導電性付着物７が再付
着して、リークパスを形成しているためと考えられる。
そのため、何らかの方法で、このリークパスを除去する
必要がある。
【０００９】図３は、リークパスを防止するための工夫
がされた薄膜太陽電池の一例の構成を示す断面図であ
る。
がされた薄膜太陽電池の一例の構成を示す断面図であ
る。
【００１０】図３を参照して、この薄膜太陽電池におい
ては、透明導電膜２上に、予め絶縁物８が形成されてい
る。しかしながら、集積損失を低下させるためには、こ
のような方法は望ましくない。
ては、透明導電膜２上に、予め絶縁物８が形成されてい
る。しかしながら、集積損失を低下させるためには、こ
のような方法は望ましくない。
【００１１】また、図４は、リークパスを防止するため
の工夫がされた薄膜太陽電池の他の例の構成を示す断面
図である。
の工夫がされた薄膜太陽電池の他の例の構成を示す断面
図である。
【００１２】図４を参照して、この薄膜太陽電池におい
ては、裏面電極膜４上にレジスト膜６を形成し、それを
レーザでパターニング後、エッチングで裏面電極膜４を
分離している。しかしながら、この方法では、レーザで
レジスト膜６を切断する際に、レーザ装置の光学系を汚
してしまうため、安定して切断できないという問題があ
った。
ては、裏面電極膜４上にレジスト膜６を形成し、それを
レーザでパターニング後、エッチングで裏面電極膜４を
分離している。しかしながら、この方法では、レーザで
レジスト膜６を切断する際に、レーザ装置の光学系を汚
してしまうため、安定して切断できないという問題があ
った。
【００１３】本発明の目的は、上述の問題点を解決し、
このような裏面電極膜を分離する際に、集積損失を低減
し、同時に安定して切断するための薄膜太陽電池の構造
および製造方法を提供することにある。
このような裏面電極膜を分離する際に、集積損失を低減
し、同時に安定して切断するための薄膜太陽電池の構造
および製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による薄
膜太陽電池は、絶縁透光性基板、透明導電膜、非晶質シ
リコン系半導体の光電変換層、および裏面電極膜を備
え、絶縁透光性基板上で複数の発電領域に分割され、直
列接続された集積型薄膜太陽電池であって、裏面電極膜
上にレジスト膜が積層され、裏面電極分離ラインが、レ
ジスト膜、裏面電極膜、および光電変換層とともに略同
一形状にパターニングされ、レジスト膜と光電変換層と
の間にある裏面電極膜が内側に削られている。
膜太陽電池は、絶縁透光性基板、透明導電膜、非晶質シ
リコン系半導体の光電変換層、および裏面電極膜を備
え、絶縁透光性基板上で複数の発電領域に分割され、直
列接続された集積型薄膜太陽電池であって、裏面電極膜
上にレジスト膜が積層され、裏面電極分離ラインが、レ
ジスト膜、裏面電極膜、および光電変換層とともに略同
一形状にパターニングされ、レジスト膜と光電変換層と
の間にある裏面電極膜が内側に削られている。
【００１５】この発明によれば、レジスト膜と光電変換
層との間にある裏面電極膜が内側に削られていることに
より、表面電極と裏面電極の導電性付着物によるリーク
パスがなくなり、裏面電極膜の分離を良好に行なうこと
が可能となる。
層との間にある裏面電極膜が内側に削られていることに
より、表面電極と裏面電極の導電性付着物によるリーク
パスがなくなり、裏面電極膜の分離を良好に行なうこと
が可能となる。
【００１６】請求項２の発明による薄膜太陽電池の製造
方法は、請求項１の発明による薄膜太陽電池を製造する
方法であって、裏面電極分離ラインをレジスト膜、裏面
電極膜、および光電変換層とともにパターニングする場
合に、レーザ光を用いることを特徴としている。
方法は、請求項１の発明による薄膜太陽電池を製造する
方法であって、裏面電極分離ラインをレジスト膜、裏面
電極膜、および光電変換層とともにパターニングする場
合に、レーザ光を用いることを特徴としている。
【００１７】この発明によれば、パターニングする場合
にレーザ光を用いることにより、表面の透明電極にほと
んど傷を付けずに、光電変換層、裏面電極膜、およびレ
ジスト膜を除去することが可能となる。
にレーザ光を用いることにより、表面の透明電極にほと
んど傷を付けずに、光電変換層、裏面電極膜、およびレ
ジスト膜を除去することが可能となる。
【００１８】請求項３の発明による薄膜太陽電池の製造
方法は、請求項２の発明の構成において、レーザ光を、
絶縁透光性基板側から入射してパターニングすることを
特徴としている。
方法は、請求項２の発明の構成において、レーザ光を、
絶縁透光性基板側から入射してパターニングすることを
特徴としている。
【００１９】この発明によれば、絶縁透光性基板側から
レーザ光を入射してパターニングすることにより、表面
の透明電極にほとんど傷を付けずに、光電変換層、裏面
電極膜、およびレジスト膜を除去することが可能とな
る。
レーザ光を入射してパターニングすることにより、表面
の透明電極にほとんど傷を付けずに、光電変換層、裏面
電極膜、およびレジスト膜を除去することが可能とな
る。
【００２０】請求項４の発明による薄膜太陽電池の製造
方法は、請求項２または請求項３の発明の構成におい
て、レジスト膜と光電変換層との間にある裏面電極膜
を、化学的なエッチングにより内側に削り取ることを特
徴としている。
方法は、請求項２または請求項３の発明の構成におい
て、レジスト膜と光電変換層との間にある裏面電極膜
を、化学的なエッチングにより内側に削り取ることを特
徴としている。
【００２１】この発明によれば、レジスト膜と光電変換
層との間にある裏面電極膜を化学的なエッチングにより
内側に削り取ることにより、リークパスがなくなり、裏
面電極膜の分離を良好に行なうことが可能となる。
層との間にある裏面電極膜を化学的なエッチングにより
内側に削り取ることにより、リークパスがなくなり、裏
面電極膜の分離を良好に行なうことが可能となる。
【００２２】請求項５の発明による薄膜太陽電池の製造
方法は、請求項４の発明の構成において、裏面電極膜が
透明電極と金属電極との２層構造であり、透明電極と金
属電極の両方の材料が、同時に除去できるエッチング液
を用いることを特徴としている。
方法は、請求項４の発明の構成において、裏面電極膜が
透明電極と金属電極との２層構造であり、透明電極と金
属電極の両方の材料が、同時に除去できるエッチング液
を用いることを特徴としている。
【００２３】この発明によれば、裏面電極膜が透明電極
と金属電極との２層構造であり、両方の材料が同時に除
去できるエッチング液を用いることにより、２層の裏面
電極膜を１回のエッチングにより分離することが可能と
なる。
と金属電極との２層構造であり、両方の材料が同時に除
去できるエッチング液を用いることにより、２層の裏面
電極膜を１回のエッチングにより分離することが可能と
なる。
【００２４】請求項６の発明による薄膜太陽電池の製造
方法は、請求項５の発明の構成において、エッチング液
に、硫酸鉄系のエッチング液を用いることを特徴として
いる。
方法は、請求項５の発明の構成において、エッチング液
に、硫酸鉄系のエッチング液を用いることを特徴として
いる。
【００２５】この発明によれば、エッチング液に硫酸鉄
系のエッチング液を用いることにより、高速にエッチン
グを行なうことが可能となる。
系のエッチング液を用いることにより、高速にエッチン
グを行なうことが可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による薄膜太陽電
池の一例の構成を概略的に示す断面図である。
池の一例の構成を概略的に示す断面図である。
【００２７】図１を参照して、まず、予め透明導電膜２
を形成したガラス基板１を用いる。このガラス基板１に
は、透明導電膜２がガラス片側表面と全周囲端面に形成
されている。
を形成したガラス基板１を用いる。このガラス基板１に
は、透明導電膜２がガラス片側表面と全周囲端面に形成
されている。
【００２８】次に、レーザを用いて透明導電膜２のパタ
ーニングを行なう。透明導電膜２は、短冊状に分離され
て、第１の開口１０が形成される。
ーニングを行なう。透明導電膜２は、短冊状に分離され
て、第１の開口１０が形成される。
【００２９】この後、基板１を純水で洗浄し、光電変換
層３を形成する。光電変換層３は、ａ−Ｓｉ：Ｈｐ層、
ａ−Ｓｉ：Ｈｉ層、およびμｃ−Ｓｉ：Ｈｎ層からな
り、合計の厚みは１００ｎｍ〜６００ｎｍ程度である。
層３を形成する。光電変換層３は、ａ−Ｓｉ：Ｈｐ層、
ａ−Ｓｉ：Ｈｉ層、およびμｃ−Ｓｉ：Ｈｎ層からな
り、合計の厚みは１００ｎｍ〜６００ｎｍ程度である。
【００３０】次に、第１の開口１０の形成と同様に、レ
ーザを用いて第２の開口２０を形成する。この際、レー
ザによる透明導電膜２への影響を避けるため、レーザに
は、透明導電膜２の透過性がよい可視光領域のレーザ、
たとえばＳＨＧ ＹＡＧレーザ等を使用することが望ま
しい。第２の開口２０は、第１の開口１０と半分程度重
なる場所から、１００μｍ程度離れた場所に形成する。
ーザを用いて第２の開口２０を形成する。この際、レー
ザによる透明導電膜２への影響を避けるため、レーザに
は、透明導電膜２の透過性がよい可視光領域のレーザ、
たとえばＳＨＧ ＹＡＧレーザ等を使用することが望ま
しい。第２の開口２０は、第１の開口１０と半分程度重
なる場所から、１００μｍ程度離れた場所に形成する。
【００３１】さらにこの後、透明電極４４および金属電
極４５からなる裏面電極膜４を形成する。透明電極４４
には、比抵抗が小さく透光性が高いＺｎＯやＩＴＯを用
い、金属電極４５には、発生率の高い金属であるＡｌや
Ａｇを用いる。透明電極４４の膜厚は５０ｎｍ〜２００
ｎｍ程度、金属電極４５の膜厚は５００ｎｍ〜１μｍ程
度が好ましい。透明電極４４は割愛してもかまわない
が、高い変換効率を得るためにはあった方が望ましい。
極４５からなる裏面電極膜４を形成する。透明電極４４
には、比抵抗が小さく透光性が高いＺｎＯやＩＴＯを用
い、金属電極４５には、発生率の高い金属であるＡｌや
Ａｇを用いる。透明電極４４の膜厚は５０ｎｍ〜２００
ｎｍ程度、金属電極４５の膜厚は５００ｎｍ〜１μｍ程
度が好ましい。透明電極４４は割愛してもかまわない
が、高い変換効率を得るためにはあった方が望ましい。
【００３２】次に、レジスト膜６となる樹脂層を、裏面
電極膜４上に数μｍ〜数十μｍの厚さで塗布し、乾燥さ
せる。塗布には、スプレー式、スピンコータ等を使用
し、塗布後乾燥炉等で乾燥させる。
電極膜４上に数μｍ〜数十μｍの厚さで塗布し、乾燥さ
せる。塗布には、スプレー式、スピンコータ等を使用
し、塗布後乾燥炉等で乾燥させる。
【００３３】次に、レーザを用いて、スクライブにより
第３の開口３０を形成する。第２の開口２０の形成のと
きと同じ理由から、ＳＨＧ ＹＡＧ等のレーザを使用す
ることが望ましい。また、第３の開口３０は、第２の開
口２０と半分程度重なる場所から１００μｍ程度離れた
場所に、５０μｍ〜１００μｍ程度の幅で形成する。
第３の開口３０を形成する。第２の開口２０の形成のと
きと同じ理由から、ＳＨＧ ＹＡＧ等のレーザを使用す
ることが望ましい。また、第３の開口３０は、第２の開
口２０と半分程度重なる場所から１００μｍ程度離れた
場所に、５０μｍ〜１００μｍ程度の幅で形成する。
【００３４】このとき、レーザの照射は、ガラス基板１
側から行なう。このため、裏面電極膜４はもとより、光
電変換層３、およびレジスト膜６にも開口が形成され
る。この第３の開口３０の形成により、裏面電極膜４の
開口部周辺には、レーザにより昇華した裏面電極膜４、
光電変換層３、および透明導電膜２による導電性物質７
が付着しており、隣り合うパターン間、または透明導電
膜２の間で短絡が発生する。
側から行なう。このため、裏面電極膜４はもとより、光
電変換層３、およびレジスト膜６にも開口が形成され
る。この第３の開口３０の形成により、裏面電極膜４の
開口部周辺には、レーザにより昇華した裏面電極膜４、
光電変換層３、および透明導電膜２による導電性物質７
が付着しており、隣り合うパターン間、または透明導電
膜２の間で短絡が発生する。
【００３５】そこで、レジスト膜６をマスクに利用し
て、裏面電極膜４のサイドエッチングを行なうことによ
り、リークパスを切断する。すなわち、導電性付着物７
と裏面電極膜４とが接触しないように、裏面電極膜の一
部分を図１に示すように削り取ることにより、リークパ
スは切断されることになる。
て、裏面電極膜４のサイドエッチングを行なうことによ
り、リークパスを切断する。すなわち、導電性付着物７
と裏面電極膜４とが接触しないように、裏面電極膜の一
部分を図１に示すように削り取ることにより、リークパ
スは切断されることになる。
【００３６】エッチング液としては、裏面電極膜４のエ
ッチング液となり得る溶液を使用する。たとえば、裏面
電極膜４にＺｎＯとＡｇを使用した場合には、硫酸鉄系
のエッチング液を使用する。エッチング後は、エッチン
グ液が残留しないように純水で洗浄を行ない、乾燥させ
る。エッチング液には、過酸化水素水とアンモニアとの
混合液も利用可能だが、液を頻繁に新液に換える必要が
ある。
ッチング液となり得る溶液を使用する。たとえば、裏面
電極膜４にＺｎＯとＡｇを使用した場合には、硫酸鉄系
のエッチング液を使用する。エッチング後は、エッチン
グ液が残留しないように純水で洗浄を行ない、乾燥させ
る。エッチング液には、過酸化水素水とアンモニアとの
混合液も利用可能だが、液を頻繁に新液に換える必要が
ある。
【００３７】このようなプロセスにより、薄膜太陽電池
において、短絡原因となるリークパスの切断を行なうこ
とができる。
において、短絡原因となるリークパスの切断を行なうこ
とができる。
【００３８】上述した本発明に従う方法により、実際に
薄膜太陽電池を作製した。その結果、作製した薄膜太陽
電池（基板サイズ：６５０ｍｍ×４５５ｍｍ）の特性
は、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）において、Ｉｓ
ｃ：０．５６０Ａ、Ｖｏｃ：６２．０Ｖ、Ｆ．Ｆ．：
０．７１、Ｐｍａｘ：２４．７Ｗであった。
薄膜太陽電池を作製した。その結果、作製した薄膜太陽
電池（基板サイズ：６５０ｍｍ×４５５ｍｍ）の特性
は、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）において、Ｉｓ
ｃ：０．５６０Ａ、Ｖｏｃ：６２．０Ｖ、Ｆ．Ｆ．：
０．７１、Ｐｍａｘ：２４．７Ｗであった。
【００３９】なお、上述した例では、光電変換層が単層
であるが、本発明は、タンデム構造あるいはトリプル構
造のように、積層されたものでもよいことはいうまでも
ない。
であるが、本発明は、タンデム構造あるいはトリプル構
造のように、積層されたものでもよいことはいうまでも
ない。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による薄膜
太陽電池は、裏面電極膜上にレジストを形成し、光電変
換層、裏面電極膜、およびレジストをレーザで同時に加
工し、その後、レジスト膜をエッチングのマスクとして
用いてエッチングを行なうことにより、裏面電極と表面
電極のリークパスを切断することができ、裏面電極膜の
良好な分離を得ることができる。
太陽電池は、裏面電極膜上にレジストを形成し、光電変
換層、裏面電極膜、およびレジストをレーザで同時に加
工し、その後、レジスト膜をエッチングのマスクとして
用いてエッチングを行なうことにより、裏面電極と表面
電極のリークパスを切断することができ、裏面電極膜の
良好な分離を得ることができる。
【図１】 本発明による薄膜太陽電池の一例の構成を概
略的に示す断面図である。
略的に示す断面図である。
【図２】 従来の薄膜太陽電池の構造を概略的に示す断
面図である。
面図である。
【図３】 リークパスを防止するための工夫がされた薄
膜太陽電池の一例の構成を示す断面図である。
膜太陽電池の一例の構成を示す断面図である。
【図４】 リークパスを防止するための工夫がされた薄
膜太陽電池の他の例の構成を示す断面図である。
膜太陽電池の他の例の構成を示す断面図である。
１ ガラス基板、２ 透明導電膜、３ 光電変換層、４
裏面電極膜、６ レジスト膜、７ 導電性付着物、８
絶縁物、１０ 第１の開口、２０ 第２の開口、３０
第３の開口、４４ 透明電極、４５ 金属電極。
裏面電極膜、６ レジスト膜、７ 導電性付着物、８
絶縁物、１０ 第１の開口、２０ 第２の開口、３０
第３の開口、４４ 透明電極、４５ 金属電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福岡 裕介 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 AA05 BA11 CA15 CB21 CB27 DA04 EA11 EA16 FA02 FA03 FA04 FA06 GA03
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁透光性基板、透明導電膜、非晶質シ
リコン系半導体の光電変換層、および裏面電極膜を備
え、前記絶縁透光性基板上で複数の発電領域に分割さ
れ、直列接続された集積型薄膜太陽電池であって、 前記裏面電極上にレジスト膜が積層され、 裏面電極分離ラインが、前記レジスト膜、前記裏面電極
膜、および前記光電変換層とともに略同一形状にパター
ニングされ、 前記レジスト膜と前記光電変換層との間にある前記裏面
電極膜が、内側に削られている、薄膜太陽電池。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜太陽電池を製造する
方法であって、 裏面電極分離ラインを、前記レジスト膜、前記裏面電極
膜、および前記光電変換層とともにパターニングする場
合に、レーザ光を用いることを特徴とする、薄膜太陽電
池の製造方法。 - 【請求項３】 前記レーザ光を、前記絶縁透光性基板側
から入射してパターニングすることを特徴とする、請求
項２記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】 前記レジスト膜と前記光電変換層との間
にある前記裏面電極膜を、化学的なエッチングにより内
側に削り取ることを特徴とする、請求項２または請求項
３記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】 前記裏面電極が、透明電極と金属電極と
の２層構造であり、 前記透明電極と前記金属電極の両方の材料が、同時に除
去できるエッチング液を用いることを特徴とする、請求
項４記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項６】 前記エッチング液に、硫酸鉄系のエッチ
ング液を用いることを特徴とする、請求項５記載の薄膜
太陽電池の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6870088B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar battery cell and manufacturing method thereof |
| GB2446838A (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-27 | David John Ruchat | Photovoltaic device and manufacturing method |
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| JP2012151282A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
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| JP2014527296A (ja) * | 2011-08-04 | 2014-10-09 | アイメック | 相互嵌合型電極形成 |
| KR101476122B1 (ko) * | 2008-08-14 | 2014-12-24 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지의 제조방법 및 제조장치 |
-
2000
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| WO2014105710A1 (en) * | 2012-12-24 | 2014-07-03 | University Of Kansas | Integrated photovoltaic-battery device and related methods |
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