JPH09199742A - 電界効果型太陽電池 - Google Patents
電界効果型太陽電池Info
- Publication number
- JPH09199742A JPH09199742A JP8007227A JP722796A JPH09199742A JP H09199742 A JPH09199742 A JP H09199742A JP 8007227 A JP8007227 A JP 8007227A JP 722796 A JP722796 A JP 722796A JP H09199742 A JPH09199742 A JP H09199742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- solar cell
- field effect
- layer
- voltage application
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 8
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体接合の太陽電池において、光入射側と
反対側に絶縁膜を介した電圧印加用電極を有し、電圧印
加用電極下の絶縁膜にピンホールがないことを特徴とす
る。 【解決手段】 絶縁膜のピンホール防止のために、主に
用いられる絶縁膜であるシリコン酸化膜が、エッチング
時にピンホールを生じない構造とする。
反対側に絶縁膜を介した電圧印加用電極を有し、電圧印
加用電極下の絶縁膜にピンホールがないことを特徴とす
る。 【解決手段】 絶縁膜のピンホール防止のために、主に
用いられる絶縁膜であるシリコン酸化膜が、エッチング
時にピンホールを生じない構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池、特に単
結晶および多結晶シリコンを用いた電界効果型太陽電池
に関するものである。
結晶および多結晶シリコンを用いた電界効果型太陽電池
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】結晶シリコン太陽電池の光電変換効率の
向上には、一般に半導体中の不純物や欠陥の低減ととも
に、結晶表面におけるキャリヤの再結合低減が重要であ
る。表面再結合の低減のためには熱酸化を行ない、酸化
膜でパッシベーションすることが行われてきた。しか
し、太陽電池作製後の半導体表面は、ミッドギャップ付
近の低密度領域でも１×１０10／ｅＶｃｍ2以上の界面
準位が存在する。このとき、太陽電池の特性は表面電位
にしたがって大きく変化することが知られている。例え
ば、第４回「高効率太陽電池」ワークショップ予稿集
（奈良、１９９４）の４９頁から５２頁に、大塚、上
松、蕨迫により報告されている。特に、表面にほとんど
電位が存在しない通常の動作状態で光電変換効率は大き
く低下し、正または負の電界を印加できれば光電変換効
率は大きく向上する。近年、この問題を解決するために
電界効果型太陽電池が提案されており、電圧印加によっ
て太陽電池特性の大幅な向上が示されている。例えば、
「太陽エネルギーと太陽電池」（Solar Energy and Sol
ar Cells）２９（１９９３）、１７５−１８２に、A.G.
Aberle,S.Glunz and W.Wartaにより報告されている。し
かしながら、実際に電界効果型太陽電池を作製すると、
電界効果を与える電圧印加用電極が大面積であるため、
半導体基板に短絡する不良が多発し、製品として問題が
ない歩留まりを全く得られなかった。
向上には、一般に半導体中の不純物や欠陥の低減ととも
に、結晶表面におけるキャリヤの再結合低減が重要であ
る。表面再結合の低減のためには熱酸化を行ない、酸化
膜でパッシベーションすることが行われてきた。しか
し、太陽電池作製後の半導体表面は、ミッドギャップ付
近の低密度領域でも１×１０10／ｅＶｃｍ2以上の界面
準位が存在する。このとき、太陽電池の特性は表面電位
にしたがって大きく変化することが知られている。例え
ば、第４回「高効率太陽電池」ワークショップ予稿集
（奈良、１９９４）の４９頁から５２頁に、大塚、上
松、蕨迫により報告されている。特に、表面にほとんど
電位が存在しない通常の動作状態で光電変換効率は大き
く低下し、正または負の電界を印加できれば光電変換効
率は大きく向上する。近年、この問題を解決するために
電界効果型太陽電池が提案されており、電圧印加によっ
て太陽電池特性の大幅な向上が示されている。例えば、
「太陽エネルギーと太陽電池」（Solar Energy and Sol
ar Cells）２９（１９９３）、１７５−１８２に、A.G.
Aberle,S.Glunz and W.Wartaにより報告されている。し
かしながら、実際に電界効果型太陽電池を作製すると、
電界効果を与える電圧印加用電極が大面積であるため、
半導体基板に短絡する不良が多発し、製品として問題が
ない歩留まりを全く得られなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記半導体基板と電圧
印加用電極や他の電極との短絡の原因を明らかにすると
ともに、これらの原因を制御し製品としての歩留まりを
得ることが重要である。
印加用電極や他の電極との短絡の原因を明らかにすると
ともに、これらの原因を制御し製品としての歩留まりを
得ることが重要である。
【０００４】本発明は、上記問題を解決し、製品の製造
上で問題がない電界効果型太陽電池を得ることを目的と
する。
上で問題がない電界効果型太陽電池を得ることを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、第１の半導
体層と第２の半導体層からなる接合を有する太陽電池に
おいて、光入射側（表面側）および反対側（裏面側）の
両面または片面に、電流取り出し電極とは別に、絶縁性
薄膜を介して電圧印加用電極を有し、上記絶縁性薄膜
は、ピンホールの確率が１００ｃｍ2に１個以下のレベ
ルにあることにより達成され、また、上記電圧印加用電
極が、ふっ酸により実質的にエッチングされない材料か
らなるか、または該材料により被覆されていることによ
り、さらに上記取り出し電極が、上記電圧印加用電極と
同一絶縁膜上にないことによって達成される。
体層と第２の半導体層からなる接合を有する太陽電池に
おいて、光入射側（表面側）および反対側（裏面側）の
両面または片面に、電流取り出し電極とは別に、絶縁性
薄膜を介して電圧印加用電極を有し、上記絶縁性薄膜
は、ピンホールの確率が１００ｃｍ2に１個以下のレベ
ルにあることにより達成され、また、上記電圧印加用電
極が、ふっ酸により実質的にエッチングされない材料か
らなるか、または該材料により被覆されていることによ
り、さらに上記取り出し電極が、上記電圧印加用電極と
同一絶縁膜上にないことによって達成される。
【０００６】さらに上記目的は、第１のシリコン半導体
層と第２のシリコン半導体層からなる接合を有する太陽
電池において、光入射側（表面側）とは反対側（裏面
側）の面に、裏面電極および電圧印加用電極を有し、上
記裏面電極と上記電圧印加用電極とが同一絶縁膜上にな
いことにより達成され、また、上記裏面電極が上記電圧
印加用電極と異なる種類の導電性材料からなることによ
り、また、上記裏面電極が基板に近い第１絶縁膜上に形
成され、上記電圧印加用電極が基板から遠い第２絶縁膜
上に形成されていることにより達成され、上記電圧印加
用電極が基板に近い第１絶縁膜上に形成され、上記裏面
電極が基板から遠い第２絶縁膜上に形成されていること
により、また、上記電圧印加用電極が膜厚方向に見て上
記裏面電極と実質的に重なり合う部分がないことによ
り、さらに、上記電圧印加用電極が上記裏面電極に部分
的に重なり合っており、その重なりは３μｍ以上で、電
圧印加用電極面積の１０％以下であることにより達成さ
れる。
層と第２のシリコン半導体層からなる接合を有する太陽
電池において、光入射側（表面側）とは反対側（裏面
側）の面に、裏面電極および電圧印加用電極を有し、上
記裏面電極と上記電圧印加用電極とが同一絶縁膜上にな
いことにより達成され、また、上記裏面電極が上記電圧
印加用電極と異なる種類の導電性材料からなることによ
り、また、上記裏面電極が基板に近い第１絶縁膜上に形
成され、上記電圧印加用電極が基板から遠い第２絶縁膜
上に形成されていることにより達成され、上記電圧印加
用電極が基板に近い第１絶縁膜上に形成され、上記裏面
電極が基板から遠い第２絶縁膜上に形成されていること
により、また、上記電圧印加用電極が膜厚方向に見て上
記裏面電極と実質的に重なり合う部分がないことによ
り、さらに、上記電圧印加用電極が上記裏面電極に部分
的に重なり合っており、その重なりは３μｍ以上で、電
圧印加用電極面積の１０％以下であることにより達成さ
れる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、電圧印加用電極下の絶
縁層にピンホールが生じることを防止し、電圧印加用電
極が裏面電極や基板と短絡するのを防ぐものである。つ
ぎに本発明の概略を、図１により説明する。図１は本発
明による電界効果型太陽電池の構造を示す模式図であ
り、ｐ型結晶シリコン基板１上にｎ型の拡散層２を形成
して接合とする。光入射側の表面は酸化膜４でパッシベ
ーションされるとともに、凹凸構造からなる光閉じ込め
構造や適当な無反射コーティング層５などが形成され、
高濃度のｎ型拡散層３を介して必要最低限の面積で、表
面電極６のフィンガーとバスバーが形成される。上記光
入射側と反対側の裏面側は、パッシベーション酸化膜
４′を形成したのちすぐに耐ふっ酸性の金属層７である
例えばクロム層が形成され、上記クロム層を電圧印加用
電極に加工し、これらのクロム層にコンタクト穴８を形
成し、さらに第２の絶縁層としてＣＶＤ法によりシリコ
ン酸化膜９を形成してコンタクト穴を形成したのち、裏
面電極層１０を形成する。上記構成とすることにより、
ふっ酸でエッチングされないクロム層７があることか
ら、コンタクト穴形成時に第１の絶縁膜であるパッシベ
ーション酸化膜４′にピンホールができる確率が大きく
減少し、電界効果が十分に付与できるようになった。す
なわち、コンタクト穴形成時に裏面側のパッシベーショ
ン酸化膜４′にピンホールを生じることが、本装置を作
製する上で最も大きな問題であることを明らかにし、上
記問題に対する対策を考案したものである。また、第２
の絶縁層であるシリコン酸化膜９を介しての裏面電極１
０と電圧印加用電極（耐ふっ酸性金属層７）間のショー
トも問題になるが、これは直接重なる部分の面積を十分
小さくできるので、上記第１の絶縁膜であるパッシベー
ション酸化膜４′のピンホールに比べて問題にならない
ことが判った。耐ふっ酸性の金属層７としては、アルミ
ニウム／クロムの２層膜を用いることも有効であった。
クロムに比べアルミニウムの方が反射率が高く、より光
の有効利用ができるからである。また、表面側にも透明
導電性酸化膜７′により電圧印加用電極を形成した。こ
の透明導電性酸化膜７′のエッチングがシリコン酸化膜
や無反射コーティング層を腐食しないので、上記透明導
電性酸化膜７′と基板１との短絡も見られなかった。た
だし、電圧印加の効果は裏面側ほど大きくなかった。
縁層にピンホールが生じることを防止し、電圧印加用電
極が裏面電極や基板と短絡するのを防ぐものである。つ
ぎに本発明の概略を、図１により説明する。図１は本発
明による電界効果型太陽電池の構造を示す模式図であ
り、ｐ型結晶シリコン基板１上にｎ型の拡散層２を形成
して接合とする。光入射側の表面は酸化膜４でパッシベ
ーションされるとともに、凹凸構造からなる光閉じ込め
構造や適当な無反射コーティング層５などが形成され、
高濃度のｎ型拡散層３を介して必要最低限の面積で、表
面電極６のフィンガーとバスバーが形成される。上記光
入射側と反対側の裏面側は、パッシベーション酸化膜
４′を形成したのちすぐに耐ふっ酸性の金属層７である
例えばクロム層が形成され、上記クロム層を電圧印加用
電極に加工し、これらのクロム層にコンタクト穴８を形
成し、さらに第２の絶縁層としてＣＶＤ法によりシリコ
ン酸化膜９を形成してコンタクト穴を形成したのち、裏
面電極層１０を形成する。上記構成とすることにより、
ふっ酸でエッチングされないクロム層７があることか
ら、コンタクト穴形成時に第１の絶縁膜であるパッシベ
ーション酸化膜４′にピンホールができる確率が大きく
減少し、電界効果が十分に付与できるようになった。す
なわち、コンタクト穴形成時に裏面側のパッシベーショ
ン酸化膜４′にピンホールを生じることが、本装置を作
製する上で最も大きな問題であることを明らかにし、上
記問題に対する対策を考案したものである。また、第２
の絶縁層であるシリコン酸化膜９を介しての裏面電極１
０と電圧印加用電極（耐ふっ酸性金属層７）間のショー
トも問題になるが、これは直接重なる部分の面積を十分
小さくできるので、上記第１の絶縁膜であるパッシベー
ション酸化膜４′のピンホールに比べて問題にならない
ことが判った。耐ふっ酸性の金属層７としては、アルミ
ニウム／クロムの２層膜を用いることも有効であった。
クロムに比べアルミニウムの方が反射率が高く、より光
の有効利用ができるからである。また、表面側にも透明
導電性酸化膜７′により電圧印加用電極を形成した。こ
の透明導電性酸化膜７′のエッチングがシリコン酸化膜
や無反射コーティング層を腐食しないので、上記透明導
電性酸化膜７′と基板１との短絡も見られなかった。た
だし、電圧印加の効果は裏面側ほど大きくなかった。
【０００８】
【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図２は本発明による構造の電界効果型太陽電池の第
１実施例を説明する概念図、図３は本発明の第２実施例
を説明する概念図、図４は本発明の第３実施例を説明す
る概念図、図５は本発明の第４実施例を説明する概念図
である。
る。図２は本発明による構造の電界効果型太陽電池の第
１実施例を説明する概念図、図３は本発明の第２実施例
を説明する概念図、図４は本発明の第３実施例を説明す
る概念図、図５は本発明の第４実施例を説明する概念図
である。
【０００９】第１実施例 本発明の第１実施例における電界効果型太陽電池を示す
図２において、その形成工程を（ａ）から（ｅ）にそれ
ぞれ示す。図２（ａ）に示すように、ｐ型結晶シリコン
基板１の光入射側表面に光閉じ込め用の凹凸構造１１を
異方性エッチングにより形成した。つぎに拡散マスク用
の熱酸化膜１２を０．２μｍ形成し、周知の光食刻法に
より高濃度りん拡散部分１３に穴あけを行った。ｎ型の
高濃度拡散層１４をＰＯＣｌ3の熱拡散により０．４μ
ｍ形成して接合とした。
図２において、その形成工程を（ａ）から（ｅ）にそれ
ぞれ示す。図２（ａ）に示すように、ｐ型結晶シリコン
基板１の光入射側表面に光閉じ込め用の凹凸構造１１を
異方性エッチングにより形成した。つぎに拡散マスク用
の熱酸化膜１２を０．２μｍ形成し、周知の光食刻法に
より高濃度りん拡散部分１３に穴あけを行った。ｎ型の
高濃度拡散層１４をＰＯＣｌ3の熱拡散により０．４μ
ｍ形成して接合とした。
【００１０】つぎに図２（ｂ）に示すように、熱酸化膜
１２を除去し、基板の光入射側の全面にｎ型の低濃度拡
散層１５をＰＯＣｌ3の熱拡散により０．１５μｍ形成
して接合とした。さらに、拡散マスク用の熱酸化膜１６
を０．２μｍ形成した。つぎに図２（ｃ）に示すよう
に、周知の光食刻法を用いて裏面のボロン拡散部分１７
に穴あけを行った。ｐ型の拡散層１８をＢＢｒ3の熱拡
散により０．４μｍ形成して接合とした。ついで図２
（ｄ）に示すように、パッシベーション酸化膜１９を熱
酸化により約０．１μｍ形成した。さらに、電圧印加用
電極材料として耐ふっ酸性金層のＣｒ層２０を０．１μ
ｍ形成し、Ｃｒおよび酸化膜のエッチングにより、表面
および裏面に電極コンタクト用の穴２１および２２を形
成した。裏面のＣｒ層はさらにエッチングを行い電圧印
加用電極２３とした。このとき、表面側のＣｒ層はすべ
てエッチング除去した。さらに、図２（ｅ）に示すよう
に、必要最低限の面積で表面電極２４のフィンガーとバ
スバーをＡｇ電極で形成し、裏面電極層２５をＡｌ電極
で形成した。
１２を除去し、基板の光入射側の全面にｎ型の低濃度拡
散層１５をＰＯＣｌ3の熱拡散により０．１５μｍ形成
して接合とした。さらに、拡散マスク用の熱酸化膜１６
を０．２μｍ形成した。つぎに図２（ｃ）に示すよう
に、周知の光食刻法を用いて裏面のボロン拡散部分１７
に穴あけを行った。ｐ型の拡散層１８をＢＢｒ3の熱拡
散により０．４μｍ形成して接合とした。ついで図２
（ｄ）に示すように、パッシベーション酸化膜１９を熱
酸化により約０．１μｍ形成した。さらに、電圧印加用
電極材料として耐ふっ酸性金層のＣｒ層２０を０．１μ
ｍ形成し、Ｃｒおよび酸化膜のエッチングにより、表面
および裏面に電極コンタクト用の穴２１および２２を形
成した。裏面のＣｒ層はさらにエッチングを行い電圧印
加用電極２３とした。このとき、表面側のＣｒ層はすべ
てエッチング除去した。さらに、図２（ｅ）に示すよう
に、必要最低限の面積で表面電極２４のフィンガーとバ
スバーをＡｇ電極で形成し、裏面電極層２５をＡｌ電極
で形成した。
【００１１】その結果、基板上の５ｃｍ2の素子すべて
において、電界効果用電極２３とシリコン基板１との間
に短絡は生じず、一度に作製した１５枚の基板すべてに
おいて、この部分の短絡は見られなかった。短絡がない
ことは、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数で容量を測定
し、酸化膜の容量が正しく評価されることで確認した。
短絡を生じるのは絶縁膜にピンホールがあるためと考え
られるが、１００ｃｍ2の基板について多数枚数の評価
を行っても短絡は見られなかったことから、ピンホール
密度は少なくとも１００ｃｍ2に１個程度以下と考えら
れる。そして、このピンホール密度の低減により、１０
ｃｍ角の太陽電池が上記部分の不良により不良品となる
ことはなくなった。
において、電界効果用電極２３とシリコン基板１との間
に短絡は生じず、一度に作製した１５枚の基板すべてに
おいて、この部分の短絡は見られなかった。短絡がない
ことは、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数で容量を測定
し、酸化膜の容量が正しく評価されることで確認した。
短絡を生じるのは絶縁膜にピンホールがあるためと考え
られるが、１００ｃｍ2の基板について多数枚数の評価
を行っても短絡は見られなかったことから、ピンホール
密度は少なくとも１００ｃｍ2に１個程度以下と考えら
れる。そして、このピンホール密度の低減により、１０
ｃｍ角の太陽電池が上記部分の不良により不良品となる
ことはなくなった。
【００１２】電圧印加用電極２３に１．５Ｖの電圧を印
加し、太陽電池の特性を測定したところ、電圧非印加時
に比べて光電変換効率が７．２％向上した。なお、表面
に光閉じ込め用の凹凸構造をもたない平坦表面素子も形
成したところ、表面反射の影響で光電変換効率は低くな
ったが、電圧印加の効果は凹凸構造がある場合と同様で
あり、平坦構造でも従来よりは高効率が得られた。
加し、太陽電池の特性を測定したところ、電圧非印加時
に比べて光電変換効率が７．２％向上した。なお、表面
に光閉じ込め用の凹凸構造をもたない平坦表面素子も形
成したところ、表面反射の影響で光電変換効率は低くな
ったが、電圧印加の効果は凹凸構造がある場合と同様で
あり、平坦構造でも従来よりは高効率が得られた。
【００１３】第２実施例 第１実施例と同様に、ｐ型結晶シリコン基板１にｎ型お
よびｐ型拡散を行った。つぎに図３（ａ）に示すよう
に、パッシベーション酸化膜２６を熱酸化により約０．
１μｍ形成した。さらに電圧印加電極用材料として耐ふ
っ酸性金属のＣｒ層２７を０．１μｍ形成し、Ｃｒおよ
び酸化膜のエッチングにより表面および裏面に電極コン
タクト用の穴２８および２９を形成した。Ｃｒ層はその
まま電圧印加用電極３０とした。このとき、表面側のＣ
ｒ層はすべてエッチング除去した。
よびｐ型拡散を行った。つぎに図３（ａ）に示すよう
に、パッシベーション酸化膜２６を熱酸化により約０．
１μｍ形成した。さらに電圧印加電極用材料として耐ふ
っ酸性金属のＣｒ層２７を０．１μｍ形成し、Ｃｒおよ
び酸化膜のエッチングにより表面および裏面に電極コン
タクト用の穴２８および２９を形成した。Ｃｒ層はその
まま電圧印加用電極３０とした。このとき、表面側のＣ
ｒ層はすべてエッチング除去した。
【００１４】つぎに図３（ｂ）に示すように、裏面にＴ
ＥＯＳを原料としてｐ−ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜
３１を０．５μｍ形成し、裏面電極コンタクト用の穴３
２をエッチングにより形成した。さらに図３（ｃ）に示
すように、Ａｌにより裏面電極３３を蒸着したのち加工
することにより形成した。このとき、電圧印加用電極３
０と裏面電極３３とは、わずかに重なるように配置し
た。さらに、必要最低限の面積で表面電極３４のフィン
ガーとバスバーをＡｇ電極で形成した。
ＥＯＳを原料としてｐ−ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜
３１を０．５μｍ形成し、裏面電極コンタクト用の穴３
２をエッチングにより形成した。さらに図３（ｃ）に示
すように、Ａｌにより裏面電極３３を蒸着したのち加工
することにより形成した。このとき、電圧印加用電極３
０と裏面電極３３とは、わずかに重なるように配置し
た。さらに、必要最低限の面積で表面電極３４のフィン
ガーとバスバーをＡｇ電極で形成した。
【００１５】上記の結果、電圧印加用電極３０とシリコ
ン基板１の間に短絡が生じないことは第１実施例と同様
であり、さらに第１実施例では、電圧印加用電極２３と
裏面電極２５の間に、基板面内方向に電極金属がない部
分を少なくとも１０μｍのスペースでとる必要があるた
め、その部分にきた光は反射されずに素子から出てし
まう、その部分には電界効果がかけられない、という
問題があったが、これらを解決することができた。その
結果、太陽電池特性において電圧を印加しないときに比
べ、光電変換効率で平均８．５％の向上が見られた。な
お、電圧印加用電極３３と表面電極３４の重なる部分
は、原理的には電圧印加用電極の全体を覆っていてもよ
い。しかし、重なりが電圧印加用電極面積の１０％を越
えると、２つの電極間の短絡が数％の確率で見られるよ
うになった。一方、重なりが横方向に３μｍ以下である
と、光食刻時の合わせ誤差もあり光のロスを生じた。
ン基板１の間に短絡が生じないことは第１実施例と同様
であり、さらに第１実施例では、電圧印加用電極２３と
裏面電極２５の間に、基板面内方向に電極金属がない部
分を少なくとも１０μｍのスペースでとる必要があるた
め、その部分にきた光は反射されずに素子から出てし
まう、その部分には電界効果がかけられない、という
問題があったが、これらを解決することができた。その
結果、太陽電池特性において電圧を印加しないときに比
べ、光電変換効率で平均８．５％の向上が見られた。な
お、電圧印加用電極３３と表面電極３４の重なる部分
は、原理的には電圧印加用電極の全体を覆っていてもよ
い。しかし、重なりが電圧印加用電極面積の１０％を越
えると、２つの電極間の短絡が数％の確率で見られるよ
うになった。一方、重なりが横方向に３μｍ以下である
と、光食刻時の合わせ誤差もあり光のロスを生じた。
【００１６】第３実施例 第１実施例と同様に、ｐ型結晶シリコン基板１にｎ型お
よびｐ型拡散を行った。さぎに図４（ａ）に示すよう
に、パッシベーション酸化膜３５を熱酸化により約０．
１μｍ形成し、さらに表面および裏面に電極コンタクト
用の穴を形成した。つぎにＡｌ層を蒸着しエッチング加
工して裏面電極３６とした。さらに、必要最低限の面積
で表面電極３７のフィンガーとバスバーをＡｇ電極で形
成した。つぎに図４（ｂ）に示すように、裏面にＴＥＯ
Ｓを原料としてｐ−ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜３８
を０．３μｍ形成し、電圧印加用電極３９を蒸着法によ
り形成した。
よびｐ型拡散を行った。さぎに図４（ａ）に示すよう
に、パッシベーション酸化膜３５を熱酸化により約０．
１μｍ形成し、さらに表面および裏面に電極コンタクト
用の穴を形成した。つぎにＡｌ層を蒸着しエッチング加
工して裏面電極３６とした。さらに、必要最低限の面積
で表面電極３７のフィンガーとバスバーをＡｇ電極で形
成した。つぎに図４（ｂ）に示すように、裏面にＴＥＯ
Ｓを原料としてｐ−ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜３８
を０．３μｍ形成し、電圧印加用電極３９を蒸着法によ
り形成した。
【００１７】上記の結果、電圧印加用電極３９と、シリ
コン基板１および裏面電極３６の間には、ＴＥＯＳを原
料としてｐ−ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜３
８が必ず存在し、この膜はエッチング工程がないので、
短絡をほとんど生じないことが判った。さらに光のロス
や、電界効果がかからない部分を生じる問題もなくなっ
た。その結果、太陽電池特性において、電圧を印加しな
い時に比べて光電変換効率で平均７．５％の向上が見ら
れた。
コン基板１および裏面電極３６の間には、ＴＥＯＳを原
料としてｐ−ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜３
８が必ず存在し、この膜はエッチング工程がないので、
短絡をほとんど生じないことが判った。さらに光のロス
や、電界効果がかからない部分を生じる問題もなくなっ
た。その結果、太陽電池特性において、電圧を印加しな
い時に比べて光電変換効率で平均７．５％の向上が見ら
れた。
【００１８】第４実施例 上記各実施例と同様に、ｐ型結晶シリコン基板１を用い
電界効果型太陽電池を作製した。図５に示すようにｐ、
ｎの拡散層４０、４１は裏面側のみに形成した。パッシ
ベーション酸化膜４２を形成したのち、ｐ側電極４３と
ｎ側電極４４を裏面側に形成し、表面側の酸化膜４２上
に無反射コート膜４５を形成後、透明導電性酸化膜４６
を２００ｎｍ厚さで形成した。酸化膜と無反射コート膜
４５を加えた厚さは、電圧印加のため３００ｎｍ以下と
した。その後、透明導電性酸化膜４６を加工することが
ないので、酸化膜と無反射コート膜の積層膜にはピンホ
ールがなく、透明導電性酸化膜４６への正または負の電
圧印加により、光電変換効率はそれぞれ６．８％または
８．９％増と大きく向上した。
電界効果型太陽電池を作製した。図５に示すようにｐ、
ｎの拡散層４０、４１は裏面側のみに形成した。パッシ
ベーション酸化膜４２を形成したのち、ｐ側電極４３と
ｎ側電極４４を裏面側に形成し、表面側の酸化膜４２上
に無反射コート膜４５を形成後、透明導電性酸化膜４６
を２００ｎｍ厚さで形成した。酸化膜と無反射コート膜
４５を加えた厚さは、電圧印加のため３００ｎｍ以下と
した。その後、透明導電性酸化膜４６を加工することが
ないので、酸化膜と無反射コート膜の積層膜にはピンホ
ールがなく、透明導電性酸化膜４６への正または負の電
圧印加により、光電変換効率はそれぞれ６．８％または
８．９％増と大きく向上した。
【００１９】上記各実施例中においては、結晶シリコン
基板としてｐ型基板を用いたが、ｎ型基板であってもよ
く、また、耐ふっ酸性の金属としてはクロムを示した
が、その他、モリブデン、タングステン、白金などであ
ってもよいし、アルミニウム表面を陽極酸化でアルミナ
とし、実質的に耐ふっ酸性とした配線層であっても良い
ことは、本発明の主旨から明らかである。絶縁膜として
も酸化シリコン膜だけでなく、窒化シリコン膜でもよい
しその混合物であってもよい。
基板としてｐ型基板を用いたが、ｎ型基板であってもよ
く、また、耐ふっ酸性の金属としてはクロムを示した
が、その他、モリブデン、タングステン、白金などであ
ってもよいし、アルミニウム表面を陽極酸化でアルミナ
とし、実質的に耐ふっ酸性とした配線層であっても良い
ことは、本発明の主旨から明らかである。絶縁膜として
も酸化シリコン膜だけでなく、窒化シリコン膜でもよい
しその混合物であってもよい。
【００２０】また、太陽電池の例としては単結晶シリコ
ン太陽電池についてのみ示したが、多結晶シリコン太陽
電池に用いてもよいし、適切な絶縁膜が形成できればＧ
ａＡｓなどの化合物系太陽電池でも有効であることはい
うまでもない。
ン太陽電池についてのみ示したが、多結晶シリコン太陽
電池に用いてもよいし、適切な絶縁膜が形成できればＧ
ａＡｓなどの化合物系太陽電池でも有効であることはい
うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】上記のように本発明による電界効果型太
陽電池は、第１の半導体層と第２の半導体層からなる接
合を有する太陽電池において、光入射側（表面側）およ
び反対側（裏面側）の両面または片面に、電流取り出し
電極とは別に、絶縁性薄膜を介して電圧印加用電極を有
し、上記絶縁性薄膜は、ピンホールの確率が１００ｃｍ
2に１個以下のレベルにあることにより、電界効果型太
陽電池を歩留りよく製造することが可能になった。
陽電池は、第１の半導体層と第２の半導体層からなる接
合を有する太陽電池において、光入射側（表面側）およ
び反対側（裏面側）の両面または片面に、電流取り出し
電極とは別に、絶縁性薄膜を介して電圧印加用電極を有
し、上記絶縁性薄膜は、ピンホールの確率が１００ｃｍ
2に１個以下のレベルにあることにより、電界効果型太
陽電池を歩留りよく製造することが可能になった。
【図１】本発明による電界効果型太陽電池の構造を説明
する概念図である。
する概念図である。
【図２】本発明の第１実施例を説明する概念図で、
（ａ）〜（ｅ）はそれぞれの形成工程を示す図である。
（ａ）〜（ｅ）はそれぞれの形成工程を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例を説明する概念図で、
（ａ）〜（ｃ）はそれぞれの形成工程を示す図である。
（ａ）〜（ｃ）はそれぞれの形成工程を示す図である。
【図４】本発明の第３実施例を説明する概念図で、
（ａ）および（ｂ）はその形成工程を示す図である。
（ａ）および（ｂ）はその形成工程を示す図である。
【図５】本発明の第４実施例を説明する概念図である。
１ 第１半導体層 ２、１５、２６、３５ 第２半導体層 ６、２４、３４、３７ 電流取出し電極 １０、２５、３３、３６ 裏面電極 １９、２６、３５、４２ 絶縁性薄膜 ２３、３０、３７ 電圧印加用電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 蕨迫 光紀 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 永田 寧 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 坂本 雅彦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】第１の半導体層と第２の半導体層からなる
接合を有する太陽電池において、光入射側（表面側）お
よび反対側（裏面側）の両面または片面に、電流取り出
し電極とは別に、絶縁性薄膜を介して電圧印加用電極を
有し、上記絶縁性薄膜は、ピンホールの確率が１００ｃ
ｍ2に１個以下のレベルにあることを特徴とする電界効
果型太陽電池。 - 【請求項２】上記電圧印加用電極は、ふっ酸により実質
的にエッチングされない材料からなるか、または該材料
により被覆されていることを特徴とする請求項１記載の
電界効果型太陽電池。 - 【請求項３】上記電流取り出し電極は、上記電圧印加用
電極と同一絶縁膜上にないことを特徴とする請求項１記
載の電界効果型太陽電池。 - 【請求項４】第１のシリコン半導体層と第２のシリコン
半導体層からなる接合を有する太陽電池において、光入
射側（表面側）とは反対側（裏面側）の面に、裏面電極
および電圧印加用電極を有し、上記裏面電極と上記電圧
印加用電極とが同一絶縁膜上にないことを特徴とする電
界効果型太陽電池。 - 【請求項５】上記裏面電極は、上記電圧印加用電極と異
なる種類の導電性材料からなることを特徴とする請求項
１から請求項４のいずれかに記載の電界効果型太陽電
池。 - 【請求項６】上記裏面電極は、基板に近い第１絶縁膜上
に形成され、上記電圧印加用電極が基板から遠い第２絶
縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１から
請求項４のいずれかに記載の電界効果型太陽電池。 - 【請求項７】上記電圧印加用電極は、基板に近い第１絶
縁膜上に形成され、上記裏面電極が基板から遠い第２絶
縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１から
請求項４のいずれかに記載の電界効果型太陽電池。 - 【請求項８】上記電圧印加用電極は、膜厚方向に見て上
記裏面電極と実質的に重なり合う部分がないことを特徴
とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電界効
果型太陽電池。 - 【請求項９】上記電圧印加用電極は、上記裏面電極に部
分的に重なり合っており、その重なりは３μｍ以上で、
電圧印加用電極面積の１０％以下であることを特徴とす
る請求項１から請求項４のいずれかに記載の電界効果型
太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08007227A JP3085180B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 電界効果型太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08007227A JP3085180B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 電界効果型太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199742A true JPH09199742A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3085180B2 JP3085180B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=11660116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08007227A Expired - Fee Related JP3085180B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 電界効果型太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3085180B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117201A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-01-22 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
| US20130180564A1 (en) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | International Business Machines Corporation | Field-effect photovoltaic elements |
| EP2622644A1 (en) * | 2010-09-27 | 2013-08-07 | LG Electronics Inc. | Semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
| WO2015182525A1 (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-03 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
| CN111916505A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-10 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池、制备方法及电池模组 |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP08007227A patent/JP3085180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117201A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-01-22 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
| EP2622644A1 (en) * | 2010-09-27 | 2013-08-07 | LG Electronics Inc. | Semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
| EP2622644A4 (en) * | 2010-09-27 | 2014-09-10 | Lg Electronics Inc | SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| US9076905B2 (en) | 2010-09-27 | 2015-07-07 | Lg Electronics Inc. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9356165B2 (en) | 2010-09-27 | 2016-05-31 | Lg Electronics Inc. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP3349253A1 (en) * | 2010-09-27 | 2018-07-18 | LG Electronics Inc. | Semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
| US20130180564A1 (en) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | International Business Machines Corporation | Field-effect photovoltaic elements |
| US10199524B2 (en) * | 2012-01-13 | 2019-02-05 | International Business Machines Corporation | Field-effect photovoltaic elements |
| US11011662B2 (en) | 2012-01-13 | 2021-05-18 | International Business Machines Corporation | Field-effect photovoltaic elements |
| WO2015182525A1 (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-03 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
| JP6075667B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2017-02-08 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
| CN111916505A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-10 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池、制备方法及电池模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3085180B2 (ja) | 2000-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6351601B2 (ja) | 電気めっき金属グリッドを用いた光起電力装置 | |
| US7935966B2 (en) | Semiconductor device with heterojunctions and an inter-finger structure | |
| US4824488A (en) | Photovoltaic device | |
| US7388147B2 (en) | Metal contact structure for solar cell and method of manufacture | |
| US4623751A (en) | Photovoltaic device and its manufacturing method | |
| EP2171762B1 (en) | Method for producing a silicon solar cell with a back-etched emitter as well as a corresponding solar cell | |
| EP2212920B1 (en) | Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module | |
| US20200091362A1 (en) | Solar cell module and method for producing same | |
| JP2006303230A (ja) | 太陽電池 | |
| US20230378378A1 (en) | Metallization structures for solar cells | |
| JP6300712B2 (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
| CN114038922A (zh) | 一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| EP3223318A1 (en) | Hetero junction photovoltaic cell and method of manufacturing same | |
| JP3085180B2 (ja) | 電界効果型太陽電池 | |
| JP2000133828A (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2999867B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JP4322199B2 (ja) | 太陽電池セル、太陽電池セルユニットの製造方法および太陽電池モジュール | |
| JP2001257371A (ja) | 太陽電池作製方法及び太陽電池並びに集光型太陽電池モジュール | |
| JP2000114555A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| EP4213226A1 (en) | Solar cell and manufacturing method therefor | |
| JP3746410B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP7183245B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| TWI532205B (zh) | 一種背表面具有分散式接觸電極之矽晶太陽能電池之製造方法及其元件 | |
| CN109155341B (zh) | 太阳能电池制造方法、用该方法制造的太阳能电池和衬底座 | |
| JP2001068709A (ja) | 薄膜太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080707 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080707 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |