JP4379560B2

JP4379560B2 - 薄膜太陽電池とその製造方法

Info

Publication number: JP4379560B2
Application number: JP2001000637A
Authority: JP
Inventors: 清雄 ▲斎▼藤
Original assignee: Fuji Electric Systems Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2001-01-05
Filing date: 2001-01-05
Publication date: 2009-12-09
Anticipated expiration: 2021-01-05
Also published as: JP2002203976A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、透光性を有する基板の片側主面に、薄膜太陽電池ユニット（ユニットセル）を複数個形成し、これらを電気的に直列に接続してなる薄膜太陽電池とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、環境保護の立場から、クリーンなエネルギーの研究開発が進められている。中でも、太陽電池はその資源（太陽光）が無限であること、無公害であることから注目を集めている。
【０００３】
薄膜太陽電池は、薄型で軽量、製造コストの安さ、大面積化が容易であることなどから、今後の太陽電池の主流となると考えられ、電力供給用以外に、建物の屋根や窓などにとりつけて利用される業務用，一般住宅用にも需要が広がってきている。
【０００４】
近年、軽量化、施工性、量産性においてプラスチックフィルムを用いたフレキシブルタイプの太陽電池の研究開発が進められ実用化されているが、薄膜太陽電池を高温処理で製作する場合には、ガラス基板などの耐熱性を備えた基板の上に形成されることが多い。この場合には、ガラス基板の片側主面に太陽電池薄膜を形成して直列接続し、太陽電池薄膜のガラス基板と反対側（受光面側）を透光性の保護層（ガラス板また透光性樹脂）で覆って、太陽電池モジュールを構成する。
【０００５】
上記のように基板の片側主面に太陽電池薄膜を形成して直列接続する形式の薄膜太陽電池（以下、基板片面形成型太陽電池ともいう。）は、透光性を有する基板の片側主面に、金属電極層，薄膜半導体層および透明電極層を順次積層して薄膜太陽電池ユニット（ユニットセル）を複数個形成し、これらのユニットセルにおける前記各層のパターニングと層形成によって隣接するユニットセルの金属電極層と透明電極層とを電気的に接続して、前記複数のユニットセルを電気的に直列に接続し、必要な電圧を出力させる構成を備える。例えばインバータにより交流化し商用電力源として交流１００Ｖを得るためには、太陽電池の出力は１００Ｖ以上が望ましく、この場合には、数１０個以上の素子が直列接続される。
【０００６】
図４は、従来の前記基板片面形成型太陽電池の構成を模式的に示す図であって、図４（ａ）は薄膜太陽電池の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＰ−Ｐに沿った側断面図である。図４の薄膜太陽電池においては、透光性絶縁材料からなる基板Ｓの片面に、金属電極層ｅ、薄膜半導体層ａおよび透明電極層ｕが順次積層され、太陽光線は透明電極層側から入射する。
【０００７】
上記薄膜太陽電池の製造方法について、以下に説明する。先ず、基板Ｓに金属電極層ｅをスパッタ法を用いて成膜し、所定の形状にレーザ加工してパターニングし、金属電極層ｅ１〜ｅ６を形成する。次いで、ａ−Ｓｉからなる薄膜半導体層ａをプラズマＣＶＤ法を用いて形成し、金属電極層ｅのパターニングラインと平行にレーザ加工を用いてａ−Ｓｉ膜をパターニングし、薄膜半導体層ａ１〜ａ６を形成する。次に、透明電極層ｕを薄膜半導体層上にマスク形成する。透明電極層ｕは、マスク形成により直列接続方向に複数個に分割され、それぞれ透明電極層ｕ１〜ｕ６となる。
【０００８】
このときのパターニングライン（透明電極層分離部ｇ）は、金属電極層および薄膜半導体層のパターニングラインと平行であり、基板Ｓ上に金属電極層ｅ、薄膜半導体層ａ、透明電極層ｕがパターニングされて順に積層された状態となる。金属電極層ｅ上の薄膜半導体層ａの除去部分には、透明電極層ｕが形成され、一方のユニットセルの金属電極層ｅと隣接するユニットセルの透明電極層ｕが電気的に接続される。これを繰り返すことにより、複数個の薄膜太陽電池ユニットの直列接続が行なわれる。
【０００９】
以上の工程の結果、透明電極層ｕ１、薄膜半導体層ａ１、金属電極層ｅ１−透明電極層ｕ２、薄膜半導体層ａ２、金属電極層ｅ２−・・・・−透明電極層ｕ６、薄膜半導体層ａ６、金属電極層ｅ６の順に電気的に接続され、薄膜太陽電池の直列接続が完成する。
【００１０】
なお、前記薄膜半導体層は、ａ−Ｓｉ膜以外に、ａ−Ｓｉおよびａ−ＳｉＧｅ膜を用いる場合もある。さらに、近年では、微結晶シリコンなどの適用も研究されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の薄膜太陽電池の製造方法においては、下記のような問題があった。前記図４に示す薄膜太陽電池の製造工程においては、透明電極層のパターニングプロセスをマスク形成（通常はリフトオフマスクを使用する方法）により行なっていた。
【００１２】
その理由は、薄膜半導体層上の透明電極層のレーザパターニングが困難であるからである。なぜならば、薄膜半導体層上の透明電極層をレーザパターニングする場合には、透明電極層側からレーザ光を入射させる必要があるが、この場合、透明電極層パターニング時に下地の薄膜半導体層がレーザ光を受けて低抵抗化し、これを介して、透明電極層と金属電極層間に漏れ電流が発生するからである。
【００１３】
漏れ電流発生を防止するためには、レーザ加工後に、プラズマエッチ工程を加えて、低抵抗化した薄膜半導体層を除去する必要があった。また、レーザパターニング工程の代りに、マスク形成の必要なケミカルエツチング法やサンドブラスト法を用いる方法も試行された。しかしながら、ケミカルエッチング法やサンドブラスト法は、その方法自体マスク形成を必要とするために、レーザパターニング法に比べ、工程が複雑になってしまう問題や、製造コストが高くなってしまう問題があつた。
【００１４】
また、前記リフトオフマスクを使用するマスク形成方法においては、パターニングラインの分離線幅が広くなり太陽電池の有効面積が低下する問題があり、また、位置合わせ精度を高くすることが困難などの問題もあった。
【００１５】
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、この発明の課題は、基板片面形成型太陽電池の透明電極層のレーザパターニングを薄膜半導体層の損傷なしに可能とし、太陽電池の面積効率の向上および製造プロセスの低コスト化を図った薄膜太陽電池とその製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するため、請求項１の発明は、透光性を有する基板の片側主面に、金属電極層，薄膜半導体層および透明電極層を順次積層して薄膜太陽電池ユニット（ユニットセル）を複数個形成し、これらのユニットセルにおける前記各層のパターニングと層形成によって隣接するユニットセルの金属電極層と透明電極層とを電気的に接続して、前記複数のユニットセルを電気的に直列に接続し、前記薄膜半導体層および透明電極層は、前記パターニングによって形成される分離溝を有してなる薄膜太陽電池において、前記金属電極層の一部をパターニングして、前記各層のパターニングラインと平行な分離部を、前記分離溝の真下の位置となるように別途設け、前記金属電極層と薄膜半導体層との間ならびに前記分離部に透明導電部材層（Ａ層）を形成してなり、隣接するユニットセルの前記Ａ層と透明電極層とを電気的に接続することにより、金属電極層と透明電極層とを電気的に接続して、前記複数のユニットセルを電気的に直列に接続してなるものとする。
【００１７】
また、上記構成の薄膜太陽電池を製造する方法としては、請求項６または７の発明が好適である。即ち、請求項１記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、以下の１）ないし８）の工程を含むこととする（請求項６の発明）。
１）透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて金属電極層を形成する工程。
２）金属電極層上にマスクを形成し、薬液によるエッチングまたはサンドブラスト法を用いて、またはマスクレスのレーザ加工法を用いて金属電極層をパターニングして分離部（ｇ１）を形成する工程。
３）金属電極層上および透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明導電部材層（Ａ層）を形成する工程。
４）透明導電部材層（Ａ層）上にマスクを形成し、サンドブラスト法またはマスクレスのレーザ加工法を用いて透明導電部材層（Ａ層）および金属電極層をパターニングする工程。
５）透明導電部材層（Ａ層）上および透光性基板上にＣＶＤ法を用いて薄膜半導体層を形成する工程。
６）薄膜半導体層上にマスクを形成しサンドブラスト法を用いて、またはマスクレスのレーザ加工法を用いて薄膜半導体層をパターニングする工程。
７）薄膜半導体層および透明導電部材層（Ａ層）上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
８）前記分離部（ｇ１）に、透光性基板側からレーザ光を入射し、薄膜半導体層および透明電極層をパターニングする工程。
【００１８】
前述の請求項１および６の発明のように、透明導電部材層（Ａ層）を設けることにより、低いレーザ出力で薄膜半導体層および透明電極層を、透光性基板側からパターニングすることが可能となるため、薄膜半導体の低抵抗化が原因で発生するリーク電流の発生が少なくなり、高品質な透明電極層のレーザパターニングが行える。
【００１９】
また、前記請求項６記載の製造方法における前記６）の工程において、レーザ加工法により薄膜半導体層をパターニングする場合には、レーザ加工による発塵により、後段の工程で形成する透明電極層の電気的信頼性が損なわれることがあるが、これを防止する観点から、下記請求項７）の発明が好ましい。
【００２０】
即ち、前記請求項６記載の製造方法において、前記６）および７）に記載の工程に代えて、下記６）および７）の工程とする（請求項７の発明）。
６）薄膜半導体層上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
７）透明電極層側からレーザ光を照射し、透明電極層と薄膜半導体層を溶融低抵抗化させ、透明電極層と透明導電部材層（Ａ層）を電気的に接続する工程。
【００２１】
さらに、透光性基板と金属電極層との間に第２の透明導電部材層（Ｂ層）を形成し、透光性基板側から金属電極層をレーザ加工することにより、反射率が金属電極層よりは低い前記Ｂ層がレーザ光を取り込んで効率のよい金属電極層の加工を可能とする作用をなし、低いレーザ出力で金属電極層がパターニングできることを見出した。この点に着眼し、低いレーザ出力でパターニングを可能とするためには、下記請求項２の発明が好ましく、その製造方法としては、下記請求項８ないし９の発明が好ましい。
【００２２】
即ち、前記請求項１記載の薄膜太陽電池において、前記透光性を有する基板と前記金属電極層との間に、第２の透明導電部材層（Ｂ層）を設けるものとする（請求項２の発明）。
【００２３】
また、請求項２記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、以下の１）ないし８）の工程を含むこととする（請求項８の発明）。
１）透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて第２の透明導電部材層（Ｂ層）および金属電極層を形成する工程。
２）レーザ加工法を用いて、透光性基板側からレーザ光を入射し、第２の透明導電部材層（Ｂ層）および金属電極層をパターニングして分離部（ｇ２）を形成する工程。
３）金属電極層上および透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明導電部材層（Ａ層）を形成する工程。
４）透明導電部材層（Ａ層）上にマスクを形成し、サンドブラスト法またはマスクレスのレーザ加工法を用いて透明導電部材層（Ａ層）および金属電極層ならびに第２の透明導電部材層（Ｂ層）をパターニングする工程。
５）透明導電部材層（Ａ層）上および透光性基板上にＣＶＤ法を用いて薄膜半導体層を形成する工程。
６）薄膜半導体層上にマスクを形成しサンドブラスト法を用いて、またはマスクレスのレーザ加工法を用いて薄膜半導体層をパターニングする工程。
７）薄膜半導体層および透明導電部材層（Ａ層）上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
８）前記分離部（ｇ２）に、透光性基板側からレーザ光を入射し、薄膜半導体層および透明電極層をパターニングする工程。
【００２４】
さらに、請求項８記載の製造方法において、前記６）および７）に記載の工程に代えて、下記６）および７）の工程とする（請求項９の発明）。
６）薄膜半導体層上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
７）透明電極層側からレーザ光を照射し、透明電極層と薄膜半導体層を溶融低抵抗化させ、透明電極層と透明導電部材層（Ａ層）を電気的に接続する工程。
【００２５】
また、前記請求項８または９における工程２）４）の工程を、レーザ加工法によりパターニングする場合には、２つのレーザ加工工程の間に透明導電部材層（Ａ層）の形成工程があって、手順が煩雑であり、また発塵により、後段の工程で形成する透明導電部材層（Ａ層）の電気的信頼性が損なわれる懸念もある。そこで、手順を簡素化し、発塵の悪影響を防止する観点から、下記請求項３）１０）１１）の発明が好ましい。
【００２６】
即ち、請求項２記載の薄膜太陽電池において、前記金属電極層の分離部に対応して、前記Ａ層の一部にも分離部を設け、前記両分離部に薄膜半導体層を形成してなるものとする（請求項３の発明）。
【００２７】
また、請求項３記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、以下の１）ないし７）の工程を含むこととする（請求項１０の発明）。
１）透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて第２の透明導電部材層（Ｂ層）、金属電極層および透明導電部材層（Ａ層）を形成する工程。
２）レ−ザ加工法を用いて透明導電部材層（Ａ層）および金属電極層をパターニングして分離部（ｇ３）を形成する工程。
３）レーザ加工法を用いて透明導電部材層（Ａ層），金属電極層および第２の透明導電部材層（Ｂ層）をパターニングする工程。
４）透明導電部材層（Ａ層）上，第２の透明導電部材層（Ｂ層）上および透光性基板上にＣＶＤ法を用いて薄膜半導体層を形成する工程。
５）薄膜半導体層上にマスクを形成しサンドブラスト法を用いて、またはマスクレスのレーザ加工法を用いて薄膜半導体層をパターニングする工程。
６）薄膜半導体層および透明導電部材層（Ａ層）上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
７）前記分離部（ｇ３）に、透光性基板側からレーザ光を入射し、薄膜半導体層および透明電極層をパターニングする工程。
【００２８】
さらに、請求項１０記載の製造方法において、前記５）および６）に記載の工程に代えて、下記５）および６）の工程とする（請求項１１の発明）。
５）薄膜半導体層上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
６）透明電極層側からレーザ光を照射し、透明電極層と薄膜半導体層を溶融低抵抗化させ、透明電極層と透明導電部材層（Ａ層）を電気的に接続する工程。
【００２９】
また、後述するように、前記分離部（ｇ３）の加工を容易にする観点から、下記請求項４の発明が好適である。即ち、請求項３記載の薄膜太陽電池において、前記Ｂ層の厚さを前記Ａ層の厚さより大とする。
【００３０】
さらに、前記薄膜太陽電池の発明の実施態様として、下記請求項５の発明が好ましい。即ち、請求項２ないし４のいずれかに記載の薄膜太陽電池において、前記透明電極層，Ａ層およびＢ層の材質は、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯなどの透明導電性の金属酸化物とする。
【００３１】
【発明の実施の形態】
図面に基づき、本発明の実施の形態について以下に述べる。
【００３２】
（実施例１）
図１（ａ）〜（ｆ）は、請求項１，６および７の発明に関わる実施例の薄膜太陽電池の製造工程を示す。
【００３３】
まず、厚さ２ｍｍのガラス基板Ｓ上にスパッタ法を用いて、金属電極層ｅとして、製膜温度３００℃で、厚さ１００ｎｍのアルミ電極層を形成した。そして、アルミ非形成面側からＹＡＧ第２高調波レーザ（波長５３２ｎｍ）を照射して、アルミ電極を複数個の帯状に分割した。このときのレーザ加工出力は６．０Ｗ、分離部（ｇ１）の分離溝幅は０．４ｍｍに設定した（図１（ａ））。
【００３４】
上記したアルミ電極層上および分離部（ｇ１）溝内に、スパッタ法を用いて、透明導電部材層（Ａ層）である酸化亜鉛を形成した。このときの膜形成温度は３００℃であり、酸化亜鉛形成膜厚は２００ｎｍとした（図１（ｂ））。
【００３５】
そして、透明導電部材層（Ａ層）（酸化亜鉛）側からＹＡＧ第２高調波レーザ光を入射し、透明導電部材層（Ａ層）および金属電極層をパターニングした。このときのレーザ加工出力は３．０Ｗ、パターニング溝幅は０．１ｍｍとした（図１（ｃ））。
【００３６】
ここで、レーザ光を透明導電部材層（Ａ層）側から照射する理由は、透明導電部材層（Ａ層）側の方が表面反射率が低く、アルミ電極を低いレーザエネルギーで除去出来るからである。
【００３７】
次に、このＡ層上に、ａ−Ｓｉおよびａ−ＳｉＧｅ膜からなる薄膜半導体層ａをプラズマＣＶＤ法を用いて形成した（図１（ｄ））。
【００３８】
本実施例では、薄膜半導体層ａの層構成をnip/nip構造から成る２層タンデム構造とした。そして、ガラス基板側のｉ層にはａ−ＳｉＧｅ膜を、光入射側のｉ層にはａ−Ｓｉ膜を用いた。この薄膜半導体層の総合膜厚は約０．６μｍである。
【００３９】
続いて、ＹＡＧ第２高調波レーザを用いて薄膜半導体層ａをパターニングした。薄膜半導体層ａのレーザ加工出力は４．６Ｗ、パターニング溝幅は０．２ｍｍとした。この状態で、薄膜半導体層ａ上および薄膜半導体層のパターニング溝部に酸化インジウムからなる透明電極層ｕ（厚さ７０ｎｍ）を、製膜温度２００℃でスパッタ法を用いて形成した（図１（ｅ））。
【００４０】
前記薄膜半導体層のパターニング溝部に透明電極層ｕを形成することにより、図１（ｅ）のｍ１で示す部分を介して、隣接する太陽電池ユニット間の直列接続が可能となるが、請求項７の発明のように、薄膜半導体層のパターニング溝を形成せずに、このｍ１で示す部分を後から溶融低抵抗化させ、透明電極層と透明導電部材層（Ａ層）を電気的に接続することもできる。なお、前記溶融低抵抗化のイメージ図は、後述する図３（ｆ）のｍ３に示す。
【００４１】
最後に、分離部（ｇ１）において、ガラス基板Ｓ側からＹＡＧ第２高調波レーザを入射し、薄膜半導体層ａとその上の透明電極層ｕをパターニングし、分離溝ｋ１を形成した。このときの薄膜半導体層ａおよび透明電極層ｕのレーザ加工出力は４．６Ｗ、パターニング溝幅は０．１ｍｍとした（図１（ｆ））。
【００４２】
この透明電極層ｕのパターニングにおいて、ガラス基板側からレーザ光を入射することにより、透明電極層を直接レーザ光により加工することなく透明電極層の分離が可能となるので、レーザ加工時の熱影響による、透明電極層−透明電極層間の短絡や、透明電極層−アルミ電極層間の短絡が低減できた。
【００４３】
上記工程により基板片面形成型直列構造の太陽電池を作製することにより、従来困難であった透明電極層のレーザパターニングが容易に行うことができ、完全なドライプロセスでのパターニングが可能となった。
【００４４】
（実施例２）
図２（ａ）〜（ｆ）は、請求項２，８および９の発明に関わる実施例の薄膜太陽電池の製造工程を示す。
【００４５】
まず、板厚３ｍｍのガラス基板にスパッタ法を用いて製膜温度２５０℃で、透明導電部材層（Ｂ層）としての酸化亜鉛を６０ｎｍ，金属電極層ｅとしての銀を１００ｎｍ連続形成した。そして、ガラス基板Ｓ側からＹＡＧ第２高調波レーザ（波長５３２ｎｍ）を用いて、酸化亜鉛層および銀層を複数個の帯状に分割し、分離部（ｇ２）を形成した（図２（ａ））。
【００４６】
このときのレーザ加工出力は６．０Ｗ、パターニング溝幅は０．４ｍｍとした。
【００４７】
通常、銀は高い光反射率を有しているため加工が困難である。しかし、本実施例では、透光性基板Ｓ上に酸化亜鉛の層Ｂを形成することにより、表面での反射率を低減することができ、銀を低いレーザ出力で透光性基板側から加工できる。ガラス基板上に、前記Ｂに代えて、ａ−Ｓｉからなる光吸収層を形成しても、同様の効果が得られる。
【００４８】
次に、スパッタ法を用いて、透明導電部材層（Ａ層）である酸化亜鉛の層Ａを形成した。このときの膜形成温度は２５０℃、酸化亜鉛形成膜厚は２００ｎｍとした（図２（ｂ））。
【００４９】
そして、透光性基板側からＹＡＧ第２高調波レーザを入射し酸化亜鉛の層（反射率低減膜）Ｂおよび金属電極層ａ、透明導電部材層（Ａ層）Ａをパターニングした。このときも、酸化亜鉛の層が存在することにより反射率が低減し、低いレ−ザ出力で加工が行えるようになった。このときのレーザ加工出力は３．０Ｗ、パターニング溝幅は０．１ｍｍとした（図２（ｃ））。
【００５０】
次に、ａ−Ｓｉおよびａ−ＳｉＧｅ膜からなる薄膜半導体層ａをプラズマＣＶＤ法を用いて形成した（図２（ｄ））。
【００５１】
本実施例では、薄膜半導体層ａの層構成をnip/nip/nip構造から成るトリプル構造とした。そして、ガラス基板側と中間のｉ層にはａ−ＳｉＧｅ膜を、光入射側のｉ層にはａ−Ｓｉ膜を用いた。この薄膜半導体層の総合膜厚は約０．６μｍである。
【００５２】
続いて、レーザ加工法により薄膜半導体層ａをパターニングした。薄膜半導体層のレーザ加工出力は５．０Ｗ、パターニング溝幅は０．２ｍｍとした。この状態で、薄膜半導体層ａ上および薄膜半導体層のパターニング部に酸化インジウムからなる透明電極層ｕを製膜温度２００℃でスパッタ形成した（図２（ｅ））。
【００５３】
最後に、分離部（ｇ２）において、ガラス基板側からＹＡＧ第２高調波レーザを入射し、薄膜半導体層ａとその上の透明電極層ｕをパターニングし分離溝ｋ２を形成した。このときの薄膜半導体層および透明電極層のレーザ加工出力は５．０Ｗ、パターニング溝幅は０．１ｍｍとした（図２（ｆ））。
【００５４】
上記実施例により、実施例１と同様にレーザパターニングを容易とし、かつ、透明導電部材層（Ｂ層）を設けたことにより、レーザ加工出力を低減することができる。なお、図２（ｅ）におけるｍ２部は、前述のように、後から溶融低抵抗化させ、透明電極層と透明導電部材層（Ａ層）を電気的に接続することもできる。
【００５５】
（実施例３）
図３（ａ）〜（ｆ）は、請求項３，４，１０および１１の発明に関わる実施例の薄膜太陽電池の製造工程を示す。なお、図３は、図３（ｆ）に示すように、後から図３（ｆ）ｍ３部を溶融低抵抗化させる請求項１１の発明に係わる製造方法の実施例を示す。
【００５６】
まず、板厚０．２５ｍｍのアラミド基板Ｓにスパッタ法を用いて製膜温度３５０℃で、透明導電部材層（Ｂ層）としての酸化亜鉛の層Ｂを２００ｎｍ、金属電極層ｅとしての銀を１００ｎｍ、透明導電部材層（Ａ層）としての酸化亜鉛の層Ａを６０ｎｍ形成した（図３（ａ））。
【００５７】
次に、ＹＡＧ第２高調波レーザを用いて、透明導電部材層（Ａ層）と金属電極層を除去し、分離部（ｇ３）を形成した。このときのレーザ加工出力は７．０Ｗ、分割溝幅は０．４ｍｍとした（図３（ｂ））。
【００５８】
続いて、透明導電部材層（Ａ層）側からＹＡＧ第２高調波レーザを用いて、透明導電部材層（Ａ層）、金属電極層（銀）および第２の透明導電部材層（Ｂ層）をパターニングし、複数個の帯状に分割した。このときのレーザ加工出力は４．０Ｗ、分割溝幅は０．１ｍｍとした（図３（ｃ））。
【００５９】
前記２つのパターニングの違いは、一方は３層（透明導電部材層（Ａ層）、金属電極層、第２の透明導電部材層（Ｂ層））を一括して除去するのに対し、もう一方の分離部（ｇ３）の加工は、Ｂ層だけを残して加工する点である。こうした選択除去加工は、レーザ加工条件（特にレーザ加工出力）を最適化することにより制御できるが、本実施例では、それをより確実かつ容易にするために、２つの透明導電部材層に膜厚の差をつけた。即ち、請求項４の発明のように、一方（除去側）の膜（Ａ層）は加工が容易な膜厚に設定し、他方（残側）の膜（Ｂ層）は加工が困難な膜厚に設定した。
【００６０】
次に、ａ−Ｓｉおよびａ−ＳｉＧｅ膜からなる薄膜半導体層ａをプラズマＣＶＤ法を用いて形成した。本実施例においても、薄膜半導体層の層構成をnip/nip/nip構造から成るトリプル構造とした。そして、アラミド基板側と中間のｉ層にはａ−ＳｉＧｅ膜を、光入射側のｉ層にはａ−Ｓｉ膜を用いた。この薄膜半導体層の総合膜厚は約０．６μｍである（図３（ｄ））。
【００６１】
続いて、薄膜半導体層ａ上に酸化インジウムからなる透明電極層ｕを製膜温度２００℃で形成した（図３（ｅ））。
【００６２】
最後に、透明電極層ｕ側からＹＡＧ第２高調波レーザを照射し、薄膜半導体層ａを低抵抗化してｍ３部を形成し、透明電極層ｕと透明導電部材層（Ａ層）Ａとを電気的に接続した。このときのレーザ出力は８．０Ｗ、レーザスポット径は０．２ｍｍとした。
【００６３】
また、分離部（ｇ３）において、アラミド基板側からＹＡＧ第２高調波レーザを入射し、薄膜半導体層とその上の透明電極層をパターニングし、分離溝ｋ３を形成した（図３（ｆ））。
【００６４】
このときのレーザ加工出力は４．０Ｗ、パターニング溝幅は０．１ｍｍとした。
【００６５】
上記実施例によれば、実施例２と同様に、レーザパターニングを容易とし、かつ、透明導電部材層（Ｂ層）を設けたことにより、レーザ加工出力を低減することができる。さらに、前記図３（ｂ）と図３（ｃ）のレーザパターニングを継続して、略同時期に実施できるので、実施例２に比べて製造手順が簡素化し、また前述のように発塵の悪影響を防止することができる。
【００６６】
なお、前述の実施例１ないし３において、透明電極層，透明導電部材層（Ａ層およびＢ層）の材質としては、一部は各実施例に記載したが、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯなどの透明導電性の金属酸化物の中から選択することができる。
【００６７】
【発明の効果】
この発明によれば前述のように、透光性基板の片側主面に、金属電極層，薄膜半導体層および透明電極層を順次積層して薄膜太陽電池ユニット（ユニットセル）を複数個形成し、これらのユニットセルにおける前記各層のパターニングと層形成によって隣接するユニットセルの金属電極層と透明電極層とを電気的に接続して、前記複数のユニットセルを電気的に直列に接続し、前記薄膜半導体層および透明電極層は、前記パターニングによって形成される分離溝を有してなる薄膜太陽電池において、前記金属電極層の一部をパターニングして、前記各層のパターニングラインと平行な分離部を、前記分離溝の真下の位置となるように別途設け、図１ないし図３のように、その構成および工程の相違はあるものの、少なくとも、透光性基板と、レーザ加工によりパターニングする透明電極層および薄膜半導体層との間に、透明導電部材層（Ａ層またはＢ層）を介在させて、透光性基板側から、レーザ光を照射して、透明電極層をレーザパターニングすることを可能としたので、これにより、太陽電池の面積効率の向上および製造プロセスの低コスト化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例に関わる薄膜太陽電池の製造工程を示す図
【図２】この発明の図１とは異なる薄膜太陽電池の製造工程を示す図
【図３】この発明の図１とはさらに異なる薄膜太陽電池の製造工程を示す図
【図４】従来の薄膜太陽電池の製造工程を示す図
【符号の説明】
ａ：薄膜半導体層、ｅ：金属電極層、ｇ１，ｇ２，ｇ３：分離部、ｋ１，ｋ２，ｋ３：分離溝、ｕ：透明電極層、Ａ：透明導電部材層（Ａ層）、Ｂ：第２の透明導電部材層（Ｂ層）、Ｓ：透光性基板。

Claims

透光性を有する基板の片側主面に、金属電極層，薄膜半導体層および透明電極層を順次積層して薄膜太陽電池ユニット（ユニットセル）を複数個形成し、これらのユニットセルにおける前記各層のパターニングと層形成によって隣接するユニットセルの金属電極層と透明電極層とを電気的に接続して、前記複数のユニットセルを電気的に直列に接続し、前記薄膜半導体層および透明電極層は、前記パターニングによって形成される分離溝を有してなる薄膜太陽電池において、
前記金属電極層の一部をパターニングして、前記各層のパターニングラインと平行な分離部を、前記分離溝の真下の位置となるように別途設け、前記金属電極層と薄膜半導体層との間ならびに前記分離部に透明導電部材層（Ａ層）を形成してなり、隣接するユニットセルの前記Ａ層と透明電極層とを電気的に接続することにより、金属電極層と透明電極層とを電気的に接続して、前記複数のユニットセルを電気的に直列に接続してなることを特徴とする薄膜太陽電池。
請求項１記載の薄膜太陽電池において、前記透光性を有する基板と前記金属電極層との間に、第２の透明導電部材層（Ｂ層）を設けることを特徴とする薄膜太陽電池。
請求項２記載の薄膜太陽電池において、前記金属電極層の分離部に対応して、前記Ａ層の一部にも分離部を設け、前記両分離部に薄膜半導体層を形成してなることを特徴とする薄膜太陽電池。
請求項３記載の薄膜太陽電池において、前記Ｂ層の厚さを前記Ａ層の厚さより大とすることを特徴とする薄膜太陽電池。
請求項２ないし４のいずれかに記載の薄膜太陽電池において、前記透明電極層，Ａ層およびＢ層の材質は、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯなどの透明導電性の金属酸化物とすることを特徴とする薄膜太陽電池。
請求項１記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、以下の１）ないし８）の工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
１）透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて金属電極層を形成する工程。
２）金属電極層上にマスクを形成し、薬液によるエッチングまたはサンドブラスト法を用いて、またはマスクレスのレーザ加工法を用いて金属電極層をパターニングして分離部（ｇ１）を形成する工程。
３）金属電極層上および透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明導電部材層（Ａ層）を形成する工程。
４）透明導電部材層（Ａ層）上にマスクを形成し、サンドブラスト法またはマスクレスのレーザ加工法を用いて透明導電部材層（Ａ層）および金属電極層をパターニングする工程。
５）透明導電部材層（Ａ層）上および透光性基板上にＣＶＤ法を用いて薄膜半導体層を形成する工程。
６）薄膜半導体層上にマスクを形成しサンドブラスト法を用いて、またはマスクレスのレーザ加工法を用いて薄膜半導体層をパターニングする工程。
７）薄膜半導体層および透明導電部材層（Ａ層）上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
８）前記分離部（ｇ１）に、透光性基板側からレーザ光を入射し、薄膜半導体層および透明電極層をパターニングする工程。
請求項６記載の製造方法において、前記６）および７）に記載の工程に代えて、下記６）および７）の工程とすることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
６）薄膜半導体層上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
７）透明電極層側からレーザ光を照射し、透明電極層と薄膜半導体層を溶融低抵抗化させ、透明電極層と透明導電部材層（Ａ層）を電気的に接続する工程。
請求項２記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、以下の１）ないし８）の工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
１）透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて第２の透明導電部材層（Ｂ層）および金属電極層を形成する工程。
２）レーザ加工法を用いて、透光性基板側からレーザ光を入射し、第２の透明導電部材層（Ｂ層）および金属電極層をパターニングして分離部（ｇ２）を形成する工程。
３）金属電極層上および透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明導電部材層（Ａ層）を形成する工程。
４）透明導電部材層（Ａ層）上にマスクを形成し、サンドブラスト法またはマスクレスのレーザ加工法を用いて透明導電部材層（Ａ層）および金属電極層ならびに第２の透明導電部材層（Ｂ層）をパターニングする工程。
５）透明導電部材層（Ａ層）上および透光性基板上にＣＶＤ法を用いて薄膜半導体層を形成する工程。
６）薄膜半導体層上にマスクを形成しサンドブラスト法を用いて、またはマスクレスのレーザ加工法を用いて薄膜半導体層をパターニングする工程。
７）薄膜半導体層および透明導電部材層（Ａ層）上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
８）前記分離部（ｇ２）に、透光性基板側からレーザ光を入射し、薄膜半導体層および透明電極層をパターニングする工程。
請求項８記載の製造方法において、前記６）および７）に記載の工程に代えて、下記６）および７）の工程とすることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
６）薄膜半導体層上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
７）透明電極層側からレーザ光を照射し、透明電極層と薄膜半導体層を溶融低抵抗化させ、透明電極層と透明導電部材層（Ａ層）を電気的に接続する工程。
請求項３記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、以下の１）ないし７）の工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
１）透光性基板上に蒸着またはスパッタ法を用いて第２の透明導電部材層（Ｂ層）、金属電極層および透明導電部材層（Ａ層）を形成する工程。
２）レ−ザ加工法を用いて透明導電部材層（Ａ層）および金属電極層をパターニングして分離部（ｇ３）を形成する工程。
３）レーザ加工法を用いて透明導電部材層（Ａ層），金属電極層および第２の透明導電部材層（Ｂ層）をパターニングする工程。
４）透明導電部材層（Ａ層）上，第２の透明導電部材層（Ｂ層）上および透光性基板上にＣＶＤ法を用いて薄膜半導体層を形成する工程。
５）薄膜半導体層上にマスクを形成しサンドブラスト法を用いて、またはマスクレスのレーザ加工法を用いて薄膜半導体層をパターニングする工程。
６）薄膜半導体層および透明導電部材層（Ａ層）上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
７）前記分離部（ｇ３）に、透光性基板側からレーザ光を入射し、薄膜半導体層および透明電極層をパターニングする工程。
請求項１０記載の製造方法において、前記５）および６）に記載の工程に代えて、下記５）および６）の工程とすることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
５）薄膜半導体層上に蒸着またはスパッタ法を用いて透明電極層を形成する工程。
６）透明電極層側からレーザ光を照射し、透明電極層と薄膜半導体層を溶融低抵抗化させ、透明電極層と透明導電部材層（Ａ層）を電気的に接続する工程。