KR101460619B1 - 박막형 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 위에서, 단위셀 간의 분리부에 의해 이격 형성되는 전면전극; 상기 전면전극 위에서, 상기 분리부에 의해 이격 형성되며 소정 부분에 콘택부를 구비하면서 차례로 형성되는 광전변환부 및 후면전극; 및 상기 콘택부를 통해 상기 전면전극과 후면전극을 전기적으로 연결시키는 연결선을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지, 및 그 제조방법에 관한 것으로서,

본 발명에 따르면, 첫째, 적층 공정을 수행한 후에 레이저 스크라이빙 공정을 수행하기 때문에 종래와 같이 진공 증착 장비와 레이저 스크라이빙 장비를 교대로 반복 이용할 필요가 없어 제조 장비 구성이 단순하게 되고, 제조 공정 시간도 단축되어 생산성이 향상되며, 둘째, 레이저 스크라이빙 공정을 1회 또는 2회만 수행하기 때문에 종래 3회의 레이저 스크라이빙 공정을 수행하는 것과 비교하여 잔유물로 인한 기판 오염 문제가 감소된다.

박막형 태양전지, 레이저 스크라이빙

Description

박막형 태양전지 및 그 제조방법{Thin film type Solar Cell, and Method for manufacturing the same}

본 발명은 박막형 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지에 관한 것이다.

태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.

태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 되는 원리이다.

이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있 다.

상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다.

상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다.

상기 박막형 태양전지는 상기 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다.

상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 전면전극을 형성하고, 상기 전면전극 위에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 위에 후면전극을 형성하여 제조된다. 여기서, 상기 전면전극은 광이 입사되는 수광면을 형성하기 때문에 상기 전면전극으로는 ZnO와 같은 투명도전물이 이용되는데, 기판이 대면적화됨에 따라 상기 투명도전물의 저항으로 인해서 전력손실이 크게 되는 문제가 발생하게 된다.

따라서, 박막형 태양전지를 복수 개의 단위셀로 나누고 복수 개의 단위셀을 직렬로 연결하는 구조로 형성함으로써 투명도전물의 저항으로 의한 전력손실을 최소화하는 방법이 고안되었다.

이하, 도면을 참조로 종래 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조방법에 대해서 설명하기로 한다.

도 1a 내지 도 1f는 종래 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.

우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 ZnO와 같은 투명도전물을 이용하여 전면전극층(20a)을 형성한다.

다음, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(20a)의 소정 영역을 제거하여 제1분리부(25)를 형성한다. 그리하면, 상기 제1분리부(21)에 의해 이격되는 복수 개의 전면전극(20)이 형성된다.

다음, 도 1c에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극(20)을 포함한 기판(10) 전면에 반도체층(30a)을 형성한다.

다음, 도 1d에서 알 수 있듯이, 상기 반도체층(30a)의 소정 영역을 제거하여 콘택부(35)를 형성한다.

다음, 도 1e에서 알 수 있듯이, 상기 기판(10) 전면에 후면전극층(50a)을 형성한다.

다음, 도 1f에서 알 수 있듯이, 상기 후면전극층(50a) 및 반도체층(30)의 소정 영역을 제거하여 제2분리부(55)를 형성한다. 그리하면, 상기 제2분리부(55)에 의해 이격되며, 상기 콘택부(35)를 통해 전면전극(20)과 연결되는 복수 개의 후면전극(50)이 형성된다. 이와 같이 콘택부(35)를 통해 전면전극(20)과 후면전극(50)이 연결됨으로써 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결되는 구조를 갖게 된다.

그러나, 이와 같은 종래의 박막형 태양전지의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.

첫째, 종래의 방식은 진공상태에서의 공정과 대기상태에서의 공정을 교대로 반복수행하기 때문에 제조 장비 구성이 복잡하게 되고 제조 공정 시간이 오래 걸려 생산성이 떨어지는 문제점이 있다. 구체적으로 설명하면 하기와 같다.

종래의 제조방법을 간략히 요약하면, 종래의 제조방법은 전면전극층(20a)을 형성하는 공정(도 1a 참조), 제1분리부(25)를 형성하는 공정(도 1b 참조), 반도체층(30a)을 형성하는 공정(도 1c 참조), 콘택부(35)를 형성하는 공정(도 1d 참조), 후면전극층(50a)을 형성하는 공정(도 1e 참조), 및 제2분리부(55)를 형성하는 공정(도 1f 참조)으로 이루어진다.

이때, 상기 전면전극층(20a)을 형성하는 공정(도 1a 참조), 반도체층(30a)을 형성하는 공정(도 1c 참조), 및 후면전극층(50a)을 형성하는 공정(도 1e 참조)은 일반적으로 진공 증착 장비를 이용하여 수행하는 반면에, 상기 제1분리부(25)를 형성하는 공정(도 1b 참조), 콘택부(35)를 형성하는 공정(도 1d 참조), 및 제2분리부(55)를 형성하는 공정(도 1f 참조)은 대기압하에서 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 장비를 이용하여 수행하게 된다. 따라서, 종래의 경우 박막형 태양전지를 완성하기 위해서는 기판(10)을 진공 증착 장비와 레이저 스크라이빙 장비에 교대로 반복 투입해야 한다.

한편, 기판을 대기압하에서 진공 증착 장비 내로 투입하는 공정 시에는 외부의 공기가 진공 증착 장비 내부로 유입되는 것을 차단하기 위한 방안이 요구되는데, 일반적으로는 기판을 진공 증착 장비 내부로 직접 투입하지 않고 로드락 챔버(Load Rock Chamber)를 경유하도록 함으로써 외부의 공기가 진공 증착 장비 내부 로 유입되지 않도록 하면서 기판을 진공 증착 장비 내부로 유입하게 된다. 따라서, 종래와 같이 기판(10)을 진공 증착 장비와 레이저 스크라이빙 장비에 교대로 반복 투입하게 되면, 그만큼 로드락 챔버 등으로 인해 장비 구성이 복잡하게 되고, 또한 로드락 챔버를 경유하는 만큼 제조 공정 시간이 오래 걸리게 되는 문제점이 있다.

둘째, 종래의 방식은 제1분리부(25), 콘택부(35), 및 제2분리부(55)를 형성하기 위해서 총 3차례에 걸친 레이저 스크라이빙 공정을 수행하기 때문에, 레이저 스크라이빙 공정 중에 발생하는 잔유물이 기판에 잔존하여 기판이 오염될 우려가 커지고, 기판의 오염을 방지하기 위해 세정공정을 추가할 경우 그만큼 공정이 복잡해지고 생산성이 떨어지게 되는 문제점이 있다.

본 발명은 전술한 종래의 박막형 태양전지의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서,

본 발명은 기판을 진공 증착 장비와 레이저 스크라이빙 장비에 교대로 반복 투입하는 회수를 감소시켜 제조 장비 구성이 단순하게 되고, 제조 공정 시간도 단축될 수 있는 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 레이저 스크라이빙 공정 회수를 감소시켜 레이저 스크라이빙 공정으로 인해 발생하는 기판 오염 문제를 감소할 수 있는 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판 위에서, 단위셀 간의 분리부에 의해 이격 형성되는 전면전극; 상기 전면전극 위에서, 상기 분리부에 의해 이격 형성되며 소정 부분에 콘택부를 구비하면서 차례로 형성되는 광전변환부 및 후면전극; 및 상기 콘택부를 통해 상기 전면전극과 후면전극을 전기적으로 연결시키는 연결선을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지를 제공한다.

상기 광전변환부는 PIN구조의 반도체층으로 이루어질 수 있다.

상기 광전변환부는 PIN구조의 제1반도체층, 상기 제1반도체층 상에 형성된 버퍼층, 및 상기 버퍼층 상에 형성된 PIN구조의 제2반도체층으로 이루어질 수 있으며, 이때, 상기 제1반도체층은 비정질 반도체물질로 이루어지고, 상기 버퍼층은 투 명도전물로 이루어지고, 상기 제2반도체층은 미세결정질 반도체물질로 이루어질 수 있다.

상기 분리부에는 절연층이 형성될 수 있고, 이때, 상기 연결선은 상기 절연층 상에 형성될 수 있다.

상기 콘택부는 상기 분리부와 접촉하면서 상기 단위셀의 일 모서리부에 형성될 수 있다.

상기 광전변환부와 후면전극 사이에 투명도전층이 추가로 형성될 수 있다.

상기 분리부는 제1방향으로 배열된 제1분리부 및 상기 제1방향과 수직방향으로 배열된 제2분리부로 이루어질 수 있다.

본 발명은 또한, 기판 위에 전면전극층, 광전변환부 및 후면전극층을 차례로 적층하는 공정; 상기 전면전극층, 광전변환부 및 후면전극층의 소정 영역을 제거하여 단위셀 간의 분리부를 형성하는 공정; 상기 광전변환부 및 후면전극층의 소정 영역을 제거하여 콘택부를 형성하는 공정; 및 상기 콘택부를 통해 상기 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하는 연결선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.

본 발명은 또한, 기판 위에 전면전극층을 적층하는 공정; 상기 전면전극층 위에, 소정의 콘택부를 구비한 광전변환부 및 후면전극층을 차례로 적층하는 공정; 상기 전면전극층, 광전변환부 및 후면전극층의 소정 영역을 제거하여 단위셀 간의 분리부를 형성하는 공정; 및 상기 콘택부를 통해 상기 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하는 연결선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.

본 발명은 또한, 기판 위에 전면전극층을 적층하는 공정; 상기 전면전극층 위의 소정 영역에 마스크층을 형성하는 공정; 상기 마스크층을 포함한 전면전극층 위에 광전변환부 및 후면전극층을 차례로 적층하는 공정; 상기 전면전극층, 광전변환부 및 후면전극층의 소정 영역을 제거하여 단위셀 간의 분리부를 형성하는 공정; 상기 마스크층 및 상기 마스크층 위에 형성된 광전변환부 및 후면전극층을 제거하여 콘택부를 형성하는 공정; 및 상기 콘택부를 통해 상기 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하는 연결선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.

상기 마스크층은 기판의 외부까지 연장되도록 형성할 수 있다.

상기 광전변환부는PIN구조의 반도체층으로 형성할 수 있다.

상기 광전변환부는 PIN구조의 제1반도체층, 상기 제1반도체층 상에 형성된 버퍼층, 및 상기 버퍼층 상에 형성된 PIN구조의 제2반도체층으로 형성할 수 있으며, 이때, 상기 제1반도체층은 비정질 반도체물질로 형성하고, 상기 버퍼층은 투명도전물로 형성하고, 상기 제2반도체층은 미세결정질 반도체물질로 형성할 수 있다.

상기 분리부에 절연층을 형성하는 공정을 추가로 포함할 수 있고, 이때, 상기 연결선을 형성하는 공정은 상기 절연층을 형성하는 공정 이후에 수행하여 상기 절연층 위에 연결선을 형성할 수 있다.

상기 콘택부는 상기 분리부와 접촉하면서 상기 단위셀의 일변 모서리부에 형성할 수 있다.

상기 분리부를 형성하는 공정은 제1방향으로 배열된 제1분리부 및 상기 제1방향과 수직방향으로 배열된 제2분리부를 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.

상기 광전변환부 적층 공정과 상기 후면전극층 적층 공정 사이에 투명도전층 적층 공정을 추가로 수행할 수 있다.

상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 본 발명은 전면전극층, 광전변환부 및 후면전극층의 적층 공정을 수행한 후에 분리부 또는 콘택부 형성을 위한 레이저 스크라이빙 공정을 수행하기 때문에, 종래와 같이 진공 증착 장비와 레이저 스크라이빙 장비를 교대로 반복 이용할 필요가 없어 제조 장비 구성이 단순하게 되고, 제조 공정 시간도 단축되어 생산성이 향상된다.

둘째, 본 발명은 전면전극과 후면전극을 하나의 분리부를 통해 이격시키기 때문에, 종래와 같이 전면전극은 제1분리부를 통해 이격시키고 후면전극은 제2분리부를 통해 이격시키는 경우와 비교할 때 레이저 스크라이빙 공정 회수가 1회 감소된다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서는 콘택부 형성을 위해 레이저 스크라이빙 공정을 이용하지 않기 때문에 종래와 비교할 때 레이저 스크라이빙 공정 회수가 1회 감소될 수 있다. 결국, 본 발명은 레이저 스크라이빙 공정을 1회 또는 2회만 수행하기 때문에, 종래 3회의 레이저 스크라이빙 공정을 수행하는 것과 비교하여 잔유물로 인한 기판 오염 문제가 감소된다.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.

<박막형 태양전지>

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 평면도이다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 단면도로서, 도 3a는 도 2의 A-A라인의 단면에 해당하고, 도 3b는 도 2의 B-B라인의 단면에 해당한다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판(100) 상에 전면전극(200), 광전변환부(300), 투명도전층(400) 및 후면전극(500)이 차례로 적층되어 있다.

상기 전면전극(200), 광전변환부(300), 투명도전층(400) 및 후면전극(500) 각각은 제1방향으로 배열된 분리부(610)에 의해 이격 형성되며, 이와 같은 분리부(610)에 의해 박막형 태양전지가 복수 개의 단위셀을 구성하게 된다.

상기 복수 개의 단위셀 각각의 일 모서리부에는 콘택부(630)가 형성되며 상기 콘택부(630)에는 광전변환부(300), 투명도전층(400) 및 후면전극(500)이 형성되지 않고 그에 따라 전면전극(200)의 소정부분이 노출되게 된다.

상기 콘택부(630)에 의해 노출된 전면전극(200)은 연결선(800)에 의해 이웃하는 단위셀의 후면전극(500)과 전기적으로 연결되어 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결되게 된다. 연결선(800)에 의한 전면전극(200)과 후면전극(500)의 전기적 연결을 용이하게 하기 위해서, 상기 콘택부(630)는 상기 분리부(610)와 접촉하도록 형 성된다.

상기 연결선(800)에 의해 전면전극(200)과 후면전극(500)을 연결할 때 상기 연결선(800)은 상기 분리부(610)를 경유하게 되는데, 이때 상기 연결선(800)에 의해 전면전극(200)과 이웃하는 단위셀의 전면전극(200)이 연결되면 쇼트가 발생하기 때문에, 이를 방지하기 위해서 상기 분리부(610) 내에 절연층(700)을 형성할 수 있고, 상기 연결선(800)이 상기 절연층(700) 윗면을 경유하도록 형성할 수 있다. 상기 절연층(700)은 제1방향으로 배열된 분리부(610) 중에서 상기 연결선(800) 아래 부분에만 형성될 수도 있지만, 상기 분리부(610) 전체에 형성되어도 무방하다.

이하에서는 도 2, 도 3a, 및 도 3b를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지를 구성하는 각각의 구성에 대해서 보다 상세히 설명하기로 한다.

상기 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어질 수 있다.

상기 전면전극(200)은 상기 기판(100) 위에 형성되며, 단위셀 간의 분리부(610)에 의해 이격 형성된다. 상기 전면전극(200)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO₂, SnO₂:F, ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있으며, 태양광의 흡수율을 증진시키기 위해서 그 표면이 요철구조로 형성될 수 있다. 즉, 상기 전면전극(200)은 태양광이 입사되는 면이기 때문에 입사되는 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 하는 것이 중요한데, 그 표면을 요철구조로 형성할 경우 입사되는 태양광이 태양전지 외부로 반사되는 비율은 감소하게 되며, 그와 더불어 입사되는 태양광의 산란에 의해 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비 율은 증가하게 되어 태양전지의 효율이 증진되는 효과가 있다.

상기 광전변환부(300), 투명도전층(400) 및 후면전극(500)은 상기 전면전극(200) 위에 차례로 형성되고, 각각은 단위셀 간의 분리부(610)에 의해 이격 형성되며 단위셀의 일 모서리부에 콘택부(630)를 구비한다. 즉, 단위셀의 일 모서리부에는 상기 광전변환부(300), 투명도전층(400) 및 후면전극(500)이 형성되지 않아 그 하부의 전면전극(200)이 노출되게 된다.

상기 광전변환부(300)은 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조의 실리콘계 반도체물질로 이루어질 수 있다. 상기 광전변환부(300)가 PIN구조로 형성되면, I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift)되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집되게 된다. 한편, 상기 광전변환부(300)를 PIN구조로 형성할 경우에는 P형 반도체층을 먼저 형성하고, 그 후에 I형 반도체층 및 N형 반도체층을 순서대로 형성하는 것이 바람직한데, 그 이유는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(drift mobility)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해서 P형 반도체층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다.

상기 투명도전층(400)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag와 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있으며, 경우에 따라서 생략할 수도 있다. 다만, 태양전지의 효율증진을 위해서는 상기 투명도전층(400)을 형성하는 것이 바람직한데, 그 이유는, 상기 투명도전층(400)을 형성하게 되면 상기 광전변환부(300)를 투과한 태양광이 투명도전층(400)을 통과하면서 산란을 통해 다양한 각으로 진행하게 되어 상기 후면전극층(500)에서 반사되어 광전변환부(300)로 재입사되는 광의 비율이 증가될 수 있기 때문이다.

상기 후면전극(500)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.

상기 분리부(610)에는 절연층(700)이 형성되고, 상기 콘택부(630)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결시키기 위해서 연결선(800)이 형성된다. 상기 절연층(700)은 연결선(800)에 의해 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결시킬 때에 전면전극(200)들 사이에서 쇼트가 발생하는 것을 차단하기 위한 것이므로, 상기 절연층(700)은 상기 전면전극(200)과 동일한 높이 이상으로 형성하면 된다. 다만, 단차 발생을 최소화하기 위해서는 도시한 바와 같이 상기 절연층(700)을 상기 후면전극(500)의 상면의 높이까지 형성하는 것이 바람직하다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 단면도로서, 도 4a는 도 2의 A-A라인의 단면에 해당하고, 도 4b는 도 2의 B-B라인의 단면에 해당한다.

도 4a 및 도 4b에 따른 박막형 태양전지는 탠덤(Tandem)구조의 박막형 태양전지에 관한 것으로서 광전변환부(300)의 구성을 제외하고 전술한 도 3a 및 도 3b에 따른 박막형 태양전지와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도 면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 하며, 이하에서는 광전변환부(300)에 대해서만 설명하기로 한다.

도 4a 및 도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 광전변환부(300)는 제1반도체층(310), 상기 제1반도체층(310) 상에 형성된 버퍼층(330), 및 상기 버퍼층(330) 상에 형성된 제2반도체층(350)으로 이루어진다.

상기 제1반도체층(310)은 PIN구조의 비정질 반도체물질로 이루어지고, 상기 제2반도체층(350)은 미세결정질 반도체물질로 이루어질 수 있다.

상기 비정질 반도체물질은 단파장의 광을 잘 흡수하고 상기 미세결정질 반도체물질은 장파장의 광을 잘 흡수하는 특성이 있기 때문에, 비정질 반도체물질과 미세결정질 반도체물질을 조합하여 광전변환부(300)를 형성함으로써 광흡수효율이 증진될 수 있다. 또한, 비정질 반도체물질은 장시간 빛에 노출될 경우 열화현상이 가속되는 문제가 있는데, 비정질 반도체물질을 태양광이 입사되는 면에 형성하고 미세결정질 반도체물질을 그 반대면에 형성할 경우 태양전지의 열화를 줄일 수 있는 효과가 있다. 따라서, 태양광이 입사되는 면에서 가까운 제1반도체층(310)을 비정질 반도체물질로 형성하고, 태양광이 입사되는 면에서 먼 제2반도체층(350)을 미세결정질 반도체물질로 형성할 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제2반도체층(350)으로서 비정질 반도체물질, 비정질실리콘/게르마늄 물질 등 다양하게 변경 이용할 수도 있다.

상기 버퍼층(330)은 상기 제1반도체층(310)과 제2반도체층(350) 사이에 형성되어, 상기 제1반도체층(310)과 제2반도체층(350) 사이에서 터널접합을 통해 정공 및 전자의 이동을 원활히 하는 역할을 한다. 즉, 상기 제1반도체층(310)에서 생성된 전자가 상기 제2반도체층(350)으로 이동하기 위해서는 상기 제1반도체층(310) 및 제2반도체층(350) 사이에서 터널링 과정을 거처야 하며, 이를 위해서 버퍼층(330)을 형성하는 것이다. 상기 버퍼층(330)은 ZnO와 같은 투명한 도전물질을 이용하여 형성한다.

한편, 도 4b를 참조하면, 연결선(800)이 전면전극(200)과 이웃하는 후면전극(500)을 전기적으로 연결시킬 때, 상기 연결선(800)이 상기 광전변환부(300) 내의 투명한 도전물질로 이루어진 버퍼층(330)과 접촉하게 되면 쇼트가 발생하게 되지만, 본 발명에서는 분리부(610)에 형성된 절연층(700)으로 인해서 연결선(800)과 버퍼층(330)이 접촉하는 것이 차단된다. 따라서, 상기 절연층(700)은 전술한 바와 같이 연결선(800)에 의해 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결시킬 때에 전면전극(200)들 사이에서 쇼트가 발생하는 것을 차단하는 역할을 함과 더불어 연결선(800)과 버퍼층(330) 사이에서 쇼트가 발생하는 것도 차단한다.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 평면도이다.

도 5에 따른 박막형 태양전지는 도 2에 따른 박막형 태양전지를 보다 세분화하여 단위셀을 구성하도록 한 것이며, 각각의 단위셀의 구성 및 단위셀 간의 직렬연결방법은 전술한 도 3a 및 도 3b, 또는 도 4a 및 도 4b에서 설명한 바와 동일하므로 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였다.

도 5에 따른 박막형 태양전지는 태양전지를 단위셀로 분리하는 분리부(610) 가 제1방향으로 배열된 제1분리부(610a) 및 상기 제1방향과 수직방향인 제2방향으로 배열된 제2분리부(610b)로 구성되어 있다. 따라서, 도 2에 따른 박막형 태양전지의 경우 복수 개의 단위셀이 열로만 배열되어 있는 반면에, 도 5에 따른 박막형 태양전지의 경우 복수 개의 단위셀이 행과 열로 배열되어 있고, 그에 따라 행과 행 사이의 단위셀을 직렬로 연결하기 위해서 행의 마지막 단위셀의 일 모서리에도 연결선(800)이 형성된다. 한편, 도 5에는 제2방향으로 배열된 제2분리부(610b)가 하나만 형성된 모습을 도시하였지만, 복수 개의 제2분리부(610b)를 형성하여 단위셀을 보다 더 세분화할 수도 있다.

<박막형 태양전지의 제조방법>

이하에서 참조하는 도면은 전술한 도 2에 따른 박막형 태양전지의 B-B라인의 단면을 도시한 것이다.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.

우선, 도 6a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 위에 전면전극층(200a), 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)을 차례로 적층한다.

상기 기판(100)으로는 유리 또는 투명한 플라스틱을 이용할 수 있다.

상기 전면전극층(200a)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO₂, SnO₂:F, ITO(Indium Tin Oxide), 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 적층할 수 있 다. 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 하기 위해서 상기 전면전극층(200a)에 텍스처(texturing) 가공공정을 추가로 수행할 수 있다. 상기 텍스처 가공공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 가공하는 공정으로서, 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)을 이용한 홈 형성 공정 등을 통해 수행할 수 있다.

상기 광전변환부(300a)는 실리콘계 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 적층할 수 있으며, P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 형성할 수 있다.

상기 투명도전층(400a)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag와 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 적층할 수 있다. 상기 투명도전층(400a)은 생략할 수도 있다.

상기 후면전극층(500a)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속을 스퍼터링(Sputtering)법 등을 이용하여 적층할 수 있으며, 경우에 따라서 스크린 인쇄법을 이용하여 적층할 수도 있다.

다음, 도 6b에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(200a), 광전변환부(300a), 투명도전층(400a), 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 단위셀 간의 분리부(610)를 형성한다.

상기 분리부(610)는 레이저 스크라이빙 공정을 이용하여 형성하는데, 도 2와 같이 제1방향으로만 형성할 수도 있고, 도 5에서와 같이 제1방향 및 제1방향과 수직인 제2방향으로 형성할 수도 있다.

다음, 도 6c에서 알 수 있듯이, 상기 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 콘택부(630)를 형성한다. 그에 따라, 콘택부(630)를 통해 전면전극층(200a)이 노출된다.

상기 콘택부(630)는 레이저 스크라이빙 공정을 이용하여 형성하는데, 상기 분리부(610)와 접촉하면서 단위셀의 일 모서리부에 형성한다. 한편, 분리부(610)를 먼저 형성하고 그 후에 콘택부(630)를 형성할 수도 있지만, 콘택부(630)를 먼저 형성하고 그 후에 분리부(610)를 형성할 수도 있다. 이와 같이 분리부(610) 및 콘택부(630)가 형성됨으로써 소정의 전면전극(200) 패턴, 광전변환부(300) 패턴, 투명도전층(400) 패턴, 및 후면전극(500) 패턴이 완성된다.

다음, 도 6d에서 알 수 있듯이, 상기 분리부(610)에 절연층(700)을 형성한다. 상기 절연층(700)은 상기 콘택부(630) 근방의 분리부(610) 내에만 형성할 수도 있고, 분리부(610) 전체에 형성할 수도 있다. 또한, 상기 절연층(700)은 상기 전면전극(200)과 동일한 높이 이상으로 형성하면 되지만, 상기 후면전극(500)의 상면의 높이까지 형성하는 것이 바람직하다. 한편, 콘택부(630)를 먼저 형성하고 그 후에 절연층(700)을 형성할 수도 있지만, 절연층(700)을 먼저 형성하고 그 후에 콘택부(630)를 형성할 수도 있다.

다음, 도 6e에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(630)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 연결선(800)을 형성하여, 본 발명 의 일 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조를 완성한다.

상기 연결선(800)은 상기 콘택부(630)를 통해 노출된 전면전극(200)에서부터 상기 절연층(700) 위를 경유하여 상기 후면전극(500)까지 연장형성한다.

도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.

도 7a 내지 도 7e는 탠덤(Tandem)구조의 박막형 태양전지의 제조공정에 관한 것으로서, 광전변환부(300) 형성공정을 제외하고 전술한 도 6a 내지 도 6e에 따른 박막형 태양전지와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.

즉, 도 7a에서 알 수 있듯이, 광전변환부(300a)를 형성하기 위해서, 제1반도체층(310a)을 형성하고, 상기 제1반도체층(310a) 상에 버퍼층(330a)을 형성하고, 그리고 상기 버퍼층(330a) 상에 제2반도체층(350a)을 형성한 것이며, 그 외에 도 7b 내지 도 7e에 따른 공정은 전술한 도 6b 내지 도 6e에 따른 공정과 동일하다.

상기 제1반도체층(310a)은 PIN구조의 비정질 반도체물질로 형성하고, 상기 버퍼층(330a)은 ZnO와 같은 투명한 도전물질로 형성하고, 상기 제2반도체층(350a)은 미세결정질 반도체물질로 형성할 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제2반도체층(350a)으로서 비정질 반도체물질, 비정질실리콘/게르마늄 물질 등 다양하게 변경 이용할 수도 있다.

도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도로서, 전술한 실시예와 동일한 구성에 대한 구체적인 설명 은 생략하기로 한다.

우선, 도 8a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 위에 전면전극층(200a)을 적층한다.

다음, 도 8b에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(200a) 위에, 소정의 콘택부(630)를 구비한 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)을 차례로 적층한다.

이 공정은 소정의 영역을 마스크로 가린 상태에서 상기 전면전극층(200a) 위에 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)을 차례로 적층하는 공정으로 이루어지는데, 이 경우 마스크로 가린 영역에는 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)이 적층되지 않아 전면전극층(200a)이 노출되면서 콘택부(630)를 구성하게 된다.

다음, 도 8c에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(200a), 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 단위셀 간의 분리부(610)를 형성한다. 이와 같이 분리부(610) 및 콘택부(630)가 형성됨으로써 소정의 전면전극(200) 패턴, 광전변환부(300) 패턴, 투명도전층(400) 패턴, 및 후면전극(500) 패턴이 완성된다.

다음, 도 8d에서 알 수 있듯이, 상기 분리부(610)에 절연층(700)을 형성한다.

다음, 도 8e에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(630)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 연결선(800)을 형성하여, 본 발명 의 다른 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조를 완성한다.

도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.

도 9a 내지 도 9e는 탠덤(Tandem)구조의 박막형 태양전지의 제조공정에 관한 것으로서, 광전변환부(300) 형성공정을 제외하고 전술한 도 8a 내지 도 8e에 따른 박막형 태양전지와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.

즉, 도 9b에서 알 수 있듯이, 광전변환부(300a)를 형성하기 위해서, 제1반도체층(310a)을 형성하고, 상기 제1반도체층(310a) 상에 버퍼층(330a)을 형성하고, 그리고 상기 버퍼층(330a) 상에 제2반도체층(350a)을 형성한 것이며, 그 외에 도 9a, 9c 내지 도 9e에 따른 공정은 전술한 도 8a, 8c 내지 도 8e에 따른 공정과 동일하다.

도 10a 내지 도 10g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도로서, 전술한 실시예와 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.

우선, 도 10a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 위에 전면전극층(200a)을 적층한다.

다음, 도 10b에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(200a) 위의 소정 영역에 마스크층(900)을 형성한다.

상기 마스크층(900)은 추후에 제거되게 되며, 상기 마스크층(900)이 제거되 는 영역이 콘택부를 구성하게 된다. 따라서, 추후에 마스크층(900) 제거를 용이하게 하기 위해서 상기 마스크층(900)은 기판(100)의 외부까지 연장되도록 형성한다(화살표로 도시한 평면도 참조). 상기 마스크층(900)은 테이핑과 같은 방법으로 형성할 수 있다.

다음, 도 10c에서 알 수 있듯이, 상기 마스크층(900)을 포함한 전면전극층(200a) 위에 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)을 차례로 적층한다.

다음, 도 10d에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(200a), 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 단위셀 간의 분리부(610)를 형성한다.

다음, 도 10e에서 알 수 있듯이, 상기 마스크층(900) 및 상기 마스크층(900) 위에 형성된 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)을 제거하여 콘택부(630)를 형성한다. 전술한 도 10b공정에서 상기 마스크층(900)을 기판(100)의 외부까지 연장되도록 형성하였기 때문에, 기판(100) 외부로 연장된 마스크층(900)을 잡고 위쪽 방향으로 마스크층(900)을 벗겨내면 상기 마스크층(900) 및 그 위에 형성된 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)이 함께 제거되어, 결국 전면전극층(200a)이 노출되면서 콘택부(630)가 형성되게 된다.

이와 같이 분리부(610) 및 콘택부(630)가 형성됨으로써 소정의 전면전극(200) 패턴, 광전변환부(300) 패턴, 투명도전층(400) 패턴, 및 후면전극(500) 패턴이 완성된다.

한편, 분리부(610)를 먼저 형성하고 그 후에 콘택부(630)를 형성할 수도 있지만, 콘택부(630)를 먼저 형성하고 그 후에 분리부(610)를 형성할 수도 있다.

다음, 도 10f에서 알 수 있듯이, 상기 분리부(610)에 절연층(700)을 형성한다. 한편, 콘택부(630)를 먼저 형성하고 그 후에 절연층(700)을 형성할 수도 있지만, 절연층(700)을 먼저 형성하고 그 후에 콘택부(630)를 형성할 수도 있다.

다음, 도 10g에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(630)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 연결선(800)을 형성하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조를 완성한다.

도 11a 내지 도 11g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.

도 11a 내지 도 11e는 탠덤(Tandem)구조의 박막형 태양전지의 제조공정에 관한 것으로서, 광전변환부(300) 형성공정을 제외하고 전술한 도 10a 내지 도 10g에 따른 박막형 태양전지와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.

즉, 도 11c에서 알 수 있듯이, 광전변환부(300a)를 형성하기 위해서, 제1반도체층(310a)을 형성하고, 상기 제1반도체층(310a) 상에 버퍼층(330a)을 형성하고, 그리고 상기 버퍼층(330a) 상에 제2반도체층(350a)을 형성한 것이며, 그 외에 도 11a, 도 11b, 도 11d 내지 도 11g에 따른 공정은 전술한 도 10a, 도 10b, 도 10d 내지 도 10g에 따른 공정과 동일하다.

도 1a 내지 도 1f는 종래 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 평면도.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도로서, 도 3a는 도 2의 A-A라인의 단면도이고, 도 3b는 도 2의 B-B라인의 단면도.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 단면도로서, 도 4a는 도 2의 A-A라인의 단면도이고, 도 4b는 도 2의 B-B라인의 단면도.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 평면도.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도.

도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도.

도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도.

도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도.

도 10a 내지 도 10g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도.

도 11a 내지 도 11g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도.

<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>

100: 기판 200: 전면전극

300: 광전변환부 310: 제1반도체층

330: 버퍼층 350: 제2반도체층

400: 투명도전층 500: 후면전극

610: 분리부 630: 콘택부

700: 절연층 800: 연결선

900: 마스크층

Claims (24)

1. 기판 위에서, 단위셀 간의 분리부에 의해 이격 형성되는 전면전극;

   상기 전면전극 위에서, 상기 분리부에 의해 이격 형성되며 콘택부를 구비하면서 차례로 형성되는 광전변환부 및 후면전극; 및

   상기 콘택부를 통해 상기 전면전극과 후면전극을 전기적으로 연결시키는 연결선을 포함하며,

   상기 분리부에는 절연층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 제1항에 있어서,

   상기 연결선은 상기 절연층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
7. 제1항에 있어서,

   상기 콘택부는 상기 분리부와 접촉하면서 상기 단위셀의 일 모서리부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
8. 삭제
9. 제1항에 있어서,

   상기 분리부는 제1방향으로 배열된 제1분리부 및 상기 제1방향과 수직방향으 로 배열된 제2분리부로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
10. 기판 위에 전면전극층, 광전변화층 및 후면전극층을 차례로 적층하는 공정;

    상기 전면전극층, 광전변환부 및 후면전극층에 단위셀 간의 분리부를 형성하는 공정;

    상기 광전변환부 및 후면전극층에 콘택부를 형성하는 공정; 및

    상기 콘택부를 통해 상기 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하는 연결선을 형성하는 공정을 포함하고,

    상기 분리부에 절연층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
11. 기판 위에 전면전극층을 적층하는 공정;

    상기 전면전극층 위에, 콘택부를 구비한 광전변환부 및 후면전극층을 차례로 적층하는 공정;

    상기 전면전극층, 광전변환부 및 후면전극층에 단위셀 간의 분리부를 형성하는 공정; 및

    상기 콘택부를 통해 상기 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하는 연결선을 형성하는 공정을 포함하고,

    상기 분리부에 절연층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
12. 기판 위에 전면전극층을 적층하는 공정;

    상기 전면전극층 위에 마스크층을 형성하는 공정;

    상기 마스크층을 포함한 전면전극층 위에 광전변환부 및 후면전극층을 차례로 적층하는 공정;

    상기 전면전극층, 광전변환부 및 후면전극층에 단위셀 간의 분리부를 형성하는 공정;

    상기 마스크층 및 상기 마스크층 위에 형성된 광전변환부 및 후면전극층을 제거하여 콘택부를 형성하는 공정; 및

    상기 콘택부를 통해 상기 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하는 연결선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
13. 제12항에 있어서,

    상기 마스크층을 형성하는 공정은 상기 마스크층을 기판의 외부까지 연장되도록 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
14. 삭제
15. 삭제
16. 삭제
17. 제12항에 있어서,

    상기 분리부에 절연층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
18. 제10항, 제11항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 연결선을 형성하는 공정은 상기 절연층을 형성하는 공정 이후에 수행하여 상기 절연층 상에 연결선을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
19. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 콘택부는 상기 분리부와 접촉하면서 상기 단위셀의 일변 모서리부에 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
20. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 분리부를 형성하는 공정은 제1방향으로 배열된 제1분리부 및 상기 제1방향과 수직방향으로 배열된 제2분리부를 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
21. 삭제
22. 기판 위에 차례로 형성된 전면전극, 광전변환부, 투명도전층, 및 후면전극을 포함하여 이루어지고,

    상기 전면전극, 광전변환부, 투명도전층, 및 후면전극 각각은 단위셀 간의 분리부에 의해서 이격 형성되어 있고,

    상기 광전변환부, 투명도전층, 및 후면전극 각각은 상기 단위셀의 일 모서리부에 콘택부를 추가로 구비하고 있어, 상기 콘택부에서 상기 전면전극이 노출되고,

    상기 노출된 전면전극은 연결선에 의해서 상기 후면전극과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
23. 제22항에 있어서,

    상기 단위셀의 일 모서리부에 형성된 콘택부는 상기 분리부와 연결되어 있고, 상기 분리부 내에는 단위셀 간의 쇼트를 방지하기 위한 절연층이 추가로 형성되어 있고, 상기 연결선은 상기 절연층의 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
24. 제23항에 있어서,

    상기 절연층은 상기 전면전극의 상면 높이 이상이면서 상기 후면전극의 상면 높이 이하로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.

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