KR101031246B1 - 박막형 태양전지 및 그 제조방법, 및 그를 이용한 박막형 태양전지 모듈 및 태양광 발전 시스템 - Google Patents

박막형 태양전지 및 그 제조방법, 및 그를 이용한 박막형 태양전지 모듈 및 태양광 발전 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 단위셀을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지에 있어서, 상기 박막형 태양전지는 제1 셀 폭으로 형성된 적어도 하나의 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 적어도 하나의 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하여 이루어지며, 상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지에 관한 것으로서,
본 발명은 에너지변환효율이 상대적으로 낮은 단위셀의 셀 폭을 에너지변환 효율이 상대적으로 큰 단위셀의 셀 폭에 비하여 크게 형성함으로써, 에너지변환효율이 상대적으로 낮은 단위셀의 단락전류를 증진시켜 전체 단위셀에서 균일한 에너지변환효율을 구현하고, 그에 따라 박막태양전지의 에너지 변화효율을 증진시키는 효과가 있다.
박막형 태양전지, 변환효율, 셀 폭

Description

박막형 태양전지 및 그 제조방법, 및 그를 이용한 박막형 태양전지 모듈 및 태양광 발전 시스템{Thin film type Solar Cell and method of manufacturing the smae, and Thin film type solar cell module and Power generation system using the same}
본 발명은 박막형 태양전지(Thin film type Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조의 박막형 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전 력을 생산할 수 있게 되는 원리이다.
이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있다.
상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다.
상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다.
상기 박막형 태양전지는 상기 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다.
상기 박막형 태양전지는 기판 상에 전면전극을 형성하고, 상기 전면전극 위에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 위에 후면전극을 형성하여 제조된다. 한편, 기판이 대형화될 경우 전극의 저항이 증가하여 태양전지의 변환효율이 떨어지기 때문에, 태양전지를 복수 개의 단위셀로 나누고 각각의 단위셀을 직렬로 연결한 박막형 태양전지가 제안되었다.
이하, 도면을 참조로 종래의 박막형 태양전지에 대해서 설명하기로 한다.
도 1a는 종래의 박막형 태양전지의 개략적인 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I라인의 개략적인 단면도이다.
도 1a에서 알 수 있듯이, 종래의 박막형 태양전지는 기판(10) 상에 제1 단위셀부터 제n 단위셀까지 복수 개의 단위셀 들이 형성되어 있고, 복수 개의 단위셀 들은 분리부(50)를 사이에 두고 서로 직렬로 연결되어 있다.
보다 구체적으로는, 도 1b에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 전면전극(20) 이 이격 형성되어 있고, 상기 전면전극(20) 상에 반도체층(30)이 형성되어 있으며, 상기 반도체층(30) 상에 후면전극(40)이 이격 형성되어 있다. 상기 후면전극(40)은 상기 분리부(50)에 의해 이격 형성되며, 상기 반도체층(30) 내에 구비된 콘택부(35)를 통해 상기 전면전극(20)과 전기적으로 연결되어 있다.
이와 같이, 상기 전면전극(20), 반도체층(30) 및 후면전극(40)이 차례로 적층되어 하나의 단위셀을 구성하게 되고, 하나의 단위셀을 구성하는 후면전극이 이웃하는 단위셀을 구성하는 전면전극과 전기적으로 연결됨으로써 복수 개의 단위셀 들이 서로 직렬로 연결되어 있다.
이와 같은 종래의 박막형 태양전지는 상기 제1 단위셀부터 제n 단위셀까지 모두 동일한 패턴으로 형성되며, 예로서, 상기 제1 단위셀의 셀 폭부터 제n 단위셀의 셀 폭까지 모든 단위셀 들의 셀 폭(W)이 동일하게 설정되게 된다.
그러나, 이상과 같이 종래의 박막형 태양전지는 서로 직렬로 연결된 복수 개의 단위셀 들로 구성되기 때문에 기판이 대형화될 경우 전극저항의 증가를 줄여 태양전지의 변환효율 저하를 방지할 수 있기는 하지만, 제1 단위셀부터 제n 단위셀까지 균일한 에너지 변환효율을 보이지 못하는 한계를 갖고 있다.
도 2는 종래 제1 단위셀부터 제n 단위셀까지의 에너지 변환효율을 보여주는 그래프로서, 도 2에서 알 수 있듯이, 중앙부의 단위셀에서의 에너지 변환효율에 비하여 가장자리부의 단위셀에서의 에너지 변환효율이 떨어짐을 알 수 있고, 그에 따라 태양전지 전체의 에너지 변환효율이 떨어짐을 알 수 있다.
이와 같이 복수 개의 단위셀 들을 직렬로 연결한 종래의 박막형 태양전지는 전체 단위셀에서 균일한 에너지 변환효율을 보여주지 못하고, 일부 단위셀에서 에너지 변환효율이 떨어짐으로 인해서 전체 에너지 변환효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 종래의 박막형 태양전지의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서,
본 발명은 복수 개의 단위셀 들을 직렬로 연결한 박막형 태양전지에서, 상대적으로 낮은 에너지 변환효율을 나타내는 단위셀의 에너지 변환효율을 증진시키는 방안을 제시함으로써, 단위셀들 전체에서 균일한 에너지 변환효율을 통해 에너지 변환효율이 증진될 수 있는 박막형 태양전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 단위셀을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지에 있어서, 상기 박막형 태양전지는 제1 셀 폭으로 형성된 적어도 하나의 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 적어도 하나의 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하여 이루어지며, 상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지를 제공한다.
상기 제1 단위셀 세트는 상기 기판의 중앙부에 형성되고, 상기 제2 단위셀 세트는 상기 기판의 양 측부에 형성되며, 상기 제2 단위셀 들의 제2 셀 폭은 상기 기판의 측부 말단으로 갈수록 점차로 커질 수 있다.
상기 제1 단위셀 세트는 상기 기판의 일 측부에 형성되고, 상기 제2 단위셀 세트는 상기 기판의 타 측부에 형성될 수 있다.
상기 반도체층은 버퍼층을 사이에 두고 형성된 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명은 또한, 기판 상에 형성된 제1 태양전지 및 제2 태양전지를 포함하여 이루어진 박막형 태양전지에 있어서, 상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지는 절단시 각각 태양전지로 구동될 수 있도록 소정 간격으로 이격 형성되어 있고, 상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지는 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 복수 개의 단위셀을 포함하여 이루어지고, 상기 복수 개의 단위셀은 제1 셀 폭으로 형성된 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하며, 상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지를 제공한다.
상기 제1 단위셀 세트는 상기 기판의 중앙부에 형성되고, 상기 제2 단위셀 세트는 상기 기판의 양 측부에 형성될 수 있으며, 이때, 상기 제2 단위셀 들의 제2 셀 폭은 상기 기판의 측부 말단으로 갈수록 점차로 커질 수 있다.
상기 기판의 중앙부에서 상기 기판의 양 측부 방향으로 제2 단위셀 세트, 제1 단위셀 세트, 및 제2 단위셀 세트가 차례로 형성될 수 있다.
상기 제1 태양전지 및 상기 제2 태양전지는 제1 단위셀 세트를 중심으로 좌 우에 제2 단위셀 세트가 형성될 수 있다.
상기 제1 태양전지 및 상기 제2 태양전지는 서로 인접하는 부분에 동일한 단위셀 세트가 형성될 수 있다.
본 발명은 또한, 기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 복수 개의 단위셀을 포함하여 이루어지고, 상기 복수 개의 단위셀은 제1 셀 폭으로 형성된 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하며, 상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지; 상기 기판의 일측에 형성된 단위셀의 전면전극을 외부로 연결하기 위한 제1 인출선 및 상기 기판의 타측에 형성된 단위셀의 후면전극을 외부로 연결하기 위한 제2 인출선; 및 상기 박막형 태양전지를 지지하기 위한 지지 플레임을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지 모듈을 제공한다.
본 발명은 또한, 박막형 태양전지 모듈 및 상기 박막형 태양전지 모듈로부터의 출력을 변환하는 전력변환장치를 포함하여 이루어지며, 상기 박막형 태양전지 모듈은, 기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 복수 개의 단위셀을 포함하여 이루어지고, 상기 복수 개의 단위셀은 제1 셀 폭으로 형성된 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하며, 상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지; 상기 기판의 일측에 형성된 단위셀의 전면전극을 외부로 연결하기 위한 제1 인출선 및 상기 기판의 타측에 형성된 단위셀의 후면전극을 외부로 연결하기 위한 제2 인출선; 및 상기 박막형 태양전지를 지지하기 위한 지지 플레임을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양광 발전 시스템을 제공한다.
본 발명은 또한, 기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 단위셀을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은 제1 셀 폭으로 이루어진 적어도 하나의 제1 단위셀 들을 포함하는 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정; 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 이루어진 적어도 하나의 제2 단위셀 들을 포함하는 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정을 포함하며, 상기 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정 및 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정은, 분리부를 형성하기 위해서 적어도 하나의 레이저를 이용한 레이저 스크라이빙 공정을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
상기 레이저 스크라이빙 공정은, 상기 제1 단위셀 세트 및 상기 제2 단위셀 세트 중 어느 하나의 세트를 형성하고, 그 후에 나머지 세트를 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
이때, 상기 레이저 스크라이빙 공정은, 상기 레이저의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 일측부에 상기 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정; 상기 레이저의 간격을 상기 제1 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 중앙부에 상기 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정; 및 상기 레이저의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 타측부에 상기 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 또는, 상기 레이저 스크라이빙 공정은, 상기 레이저의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 일측부 및 타측부에 동시에 상기 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정; 및 상기 레이저의 간격을 상기 제1 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 중앙부에 상기 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 레이저 스크라이빙 공정은, 상기 제1 단위셀 세트 형성 공정 및 상기 제2 단위셀 세트 형성 공정을 동시에 시작할 수 있고, 이때, 상기 레이저 스크라이빙 공정은, 상기 레이저의 일부의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절하고 상기 레이저의 나머지의 간격을 상기 제1 셀 폭으로 조절한 후, 상기 기판의 일측부에 제2 단위셀 세트를 형성함과 동시에 상기 기판의 중앙부에 제1 단위셀 세트의 일부를 형성하는 공정; 및 상기 레이저의 일부의 간격을 상기 제1 셀 폭으로 조절하고 상기 레이저의 나머지의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절한 후, 상기 기판의 중앙부에 제1 단위셀의 잔부를 형성함과 동시에 기판의 타측부에 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지할 수 있다.
본 발명은 에너지변환효율이 상대적으로 낮은 단위셀의 셀 폭을 에너지변환 효율이 상대적으로 큰 단위셀의 셀 폭에 비하여 크게 형성함으로써, 에너지변환효율이 상대적으로 낮은 단위셀의 단락전류를 증진시켜 전체 단위셀에서 균일한 에너 지변환효율을 구현하고, 그에 따라 박막태양전지의 에너지 변화효율을 증진시키는 효과가 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 평면도이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는, 기판(100) 상에 소정 간격으로, 구체적으로 분리부(600)를 사이에 두고 이격되며 서로 직렬로 연결되어 있는 복수 개의 단위셀 들을 포함하여 이루어진다.
상기 복수 개의 단위셀 들은 제1 셀 폭(W1)으로 형성된 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제2 셀 폭(W2)으로 형성된 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함한다. 상기 제1 단위셀 세트는 기판(100)의 중앙부에 형성되고, 상기 제2 단위셀 세트는 기판(100)의 양 측부에 형성된다.
상기 제2 단위셀 들의 셀 폭인 제2 셀 폭(W2)은 상기 제1 단위셀 들의 셀 폭인 제1 셀 폭(W1) 보다 크게 형성된다. 이와 같이, 기판(100)의 양 측부에 형성된 제2 단위셀 들의 셀 폭(W2)을 기판(100)의 중앙부에 형성된 제1 단위셀 들의 셀 폭(W1)보다 크게 형성함으로써, 기판(100)의 양 측부에서 단락전류를 증가시켜 에너지변환효율을 증가시킬 수 있게 된다.
상기 제1 단위셀 세트는 복수 개의 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 복수 개의 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하도록 설정한다. 이는, 상기 제1 단위셀 세트의 영역이 80% 미만일 경우 전극 저항이 증가됨과 더불어 전체 단위셀 들 사이에 균일한 에너지 변환효율을 얻지 못할 수 있고, 상기 제1 단위셀 세트의 영역이 95%를 초과할 경우 단란전류가 증가되는 제2 단위셀 영역이 감소되어 실질적인 에너지 변환효율 증진효과를 얻지 못할 수 있기 때문이다.
상기 제2 단위셀 들의 제2 셀 폭(W2)은 상기 제1 단위셀 들의 제1 셀 폭(W1) 보다 5 ~ 20% 더 크게 형성할 수 있다. 이는, 상기 제2 셀 폭(W2)과 상기 제1 셀 폭(W1) 사이의 크기 차이가 5% 미만일 경우에는 단락전류 증진을 통한 에너지 변환효율 증진효과를 얻지 못할 수 있고, 상기 제2 셀 폭(W2)과 상기 제1 셀 폭(W1) 사이의 크기 차이가 20%를 초과할 경우에는 전극의 저항이 증가되어 태양전지의 변환효율이 떨어질 수 있기 때문이다.
또한, 상기 제2 셀 폭(W2)은 상기 제2 단위셀 들 모두에서 동일하게 설정될 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 제2 단위셀 들 사이에서 제2 셀 폭(W2)을 상이하게 설정할 수도 있다. 구체적으로는, 상기 제2 단위셀 들 중에서 상기 기판(100)의 양 측부 말단으로 갈수록 상기 제2 셀 폭(W2)을 크게 형성할 수 있다. 즉, 전술한 도 2에서 알 수 있듯이, 기판(100)의 양 측부 말단으로 갈수 록 에너지변환효율이 줄어드는 경향을 나타내기 때문에, 기판(100)의 양 측부 말단으로 갈수록 셀 폭을 점차로 크게 형성함으로써 에너지변환효율이 줄어드는 문제를 해결할 수 있다.
이하에서는, 도 3에 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 구체적인 구성에 대해서 상세히 설명하기로 하며, 앞에서 설명한 사항에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도로서, 도 3의 I-I라인의 단면에 해당하는 것이다.
도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는, 기판(100), 전면전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 후면전극(500)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어질 수 있다.
상기 전면전극(200)은 상기 기판(100) 상에서 소정 간격으로 이격 형성되며, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
상기 전면전극(200)은 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 상기 기판(100) 전면에 투명한 도전물질층을 적층한 후 레이저 스크라이빙법을 이용하여 상기 도전물질층의 소정영역을 제거하는 공정을 통해 소정 간격으로 이격 형성될 수 있다.
상기 전면전극(200)은 태양광이 입사되는 면이기 때문에 입사되는 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 하는 것이 중요하며, 이를 위해서 텍스처(texturing) 가공공정을 통해 상기 전면전극(200)의 표면을 요철구조로 형성할 수 있다. 상기 텍스처 가공공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 가공하는 공정으로서, 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)을 이용한 홈 형성 공정 등을 통해 수행할 수 있다. 이와 같이, 상기 전면전극(200)이 요철구조로 형성될 경우 입사되는 태양광이 태양전지 외부로 반사되는 비율은 감소하게 되며, 그와 더불어 입사되는 태양광의 산란에 의해 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비율은 증가하게 되어, 태양전지의 효율이 증진되는 효과가 있다.
상기 반도체층(300)은 상기 전면전극(200) 위에서 콘택부(350) 또는 분리부(600)를 사이에 두고 이격 형성된다. 상기 반도체층(300)은 비정질 실리콘과 같은 실리콘계 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 적층한 후, 레이저 스크라이빙법을 이용하여 상기 실리콘계 반도체물질의 소정영역을 제거하는 공정을 통해 소정 간격으로 이격 형성될 수 있다.
상기 반도체층(300)은 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 형성될 수 있다. 이와 같이 상기 반도체층(300)이 PIN구조로 형성되면, I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정 공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift)되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집되게 된다. 한편, 상기 반도체층(300)이 PIN구조로 형성될 경우에는 상기 전면전극(200) 상부에 P형 반도체층을 형성하고 이어서 I형 반도체층 및 N형 반도체층을 형성하는 것이 바람직한데, 그 이유는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(drift mobility)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해서 P형 반도체층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다.
상기 투명도전층(400)은 상기 반도체층(300) 위에서 상기 반도체층(300)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 투명도전층(400)도 콘택부(350) 또는 분리부(600)를 사이에 두고 이격 형성될 수 있다.
상기 투명도전층(400)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, Ag와 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 적층한 후, 레이저 스크라이빙법을 이용하여 상기 투명한 도전물질의 소정영역을 제거하는 공정을 통해 소정 간격으로 이격 형성될 수 있다.
이와 같은 투명도전층(400)은 생략하는 것도 가능하지만, 태양전지의 효율증진을 위해서는 상기 투명도전층(400)을 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 투명도전층(400)을 형성하게 되면 상기 반도체층(300)을 투과한 태양광이 상기 투명도전층(400)을 통과하면서 산란을 통해 다양한 각으로 진행하게 되어, 상기 후면전극(500)에서 반사되어 상기 반도체층(300)으로 재입사되는 광의 비율이 증가될 수 있기 때문이다.
상기 반도체층(300) 및 투명도전층(400)에 형성되는 콘택부(350)는, 상기 반도체층(300)을 위한 실리콘계 반도체물질을 적층하고 상기 투명도전층(400)을 위한 투명한 도전물질을 적층한 후, 레이저 스크라이빙법을 이용하여 1회의 레이저스크라빙 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 반도체층(300) 및 투명도전층(400)에 형성되는 분리부(600)는, 상기 반도체층(300)을 위한 실리콘계 반도체물질을 적층하고 상기 투명도전층(400)을 위한 투명한 도전물질을 적층하고 상기 후면전극(500)을 위한 도전물질을 적층한 후, 레이저 스크라이빙법을 이용하여 1회의 레이저스크라빙 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 후면전극(500)은 상기 분리부(600)를 사이에 두고 이격 형성되며, 상기 콘택부(350)를 통해 이웃하는 전면전극(200)과 연결된다. 이와 같이, 상기 후면전극(500)이 이웃하는 전면전극(200)과 연결됨으로써, 복수 개의 단위셀이 직렬로 연되게 된다.
여기서, 상기 후면전극(500)의 폭이 각각의 단위셀에서의 셀 폭이 되는 것이고, 본 명세서에서 셀 폭이라 함은 단위셀 내의 후면전극의 폭을 의미한다.
따라서, 상기 분리부(600)의 간격에 의해 상기 후면전극(500)의 폭이 결정되고 그에 따라 단위셀의 셀 폭이 결정되므로, 설정된 단위셀의 셀 폭을 감안하여 상기 분리부(600)의 간격을 적절히 조절해야 한다.
상기 후면전극(500)은 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질을 스퍼터링(Sputtering)법 등을 이용 하여 적층한 후, 레이저 스크라이빙법을 이용하여 상기 금속물질의 소정영역을 제거하는 공정을 통해 소정 간격으로 이격 형성될 수 있다.
한편, 상기 후면전극(500)은 상기 금속물질의 페이스트(Paste)를 스크린인쇄법(screen printing), 잉크젯인쇄법(inkjet printing), 그라비아인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉인쇄법(microcontact printing) 등과 같은 인쇄법을 이용하여 패턴 형성함으로써 별도의 레이저 스크라이빙법을 적용하지 않고 소정 간격으로 이격 형성될 수도 있다. 이 경우는, 레이저 스크라이빙법에 의해 상기 반도체층(300)을 위한 실리콘계 반도체물질 및 상기 투명도전층(400)을 위한 투명한 도전물질의 소정영역을 제거한 상태에서, 상술한 인쇄법을 이용하여 후면전극(500) 패턴을 형성함으로써 분리부(600)가 완성되는 경우이다.
본 발명은 또한, 전술한 도 4에 따른 박막형 태양전지를 포함하는 박막형 태양전지 모듈을 제공한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 모듈의 개략적인 단면도로서, 박막형 태양전지는 전술한 도 4와 동일하므로 동일한 도면부호를 부여하였고, 그에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 모듈은, 전술한 도 4에 따른 박막형 태양전지를 포함하며, 상기 박막형 태양전지의 전극을 외부로 연결하기 위한 인출선(710, 730)을 포함하고, 상기 박막형 태양전지를 지지하기 위한 지지 프레임(800)을 포함한다.
상기 인출선(710, 730)은 기판(100)의 일측에 형성된 단위셀의 전면전극(200)을 외부로 연결하기 위한 제1 인출선(710) 및 상기 기판(100)의 타측에 형 성된 단위셀의 후면전극(500)을 외부로 연결하기 위한 제2 인출선(730)을 포함한다. 상기 제1 인출선(710)은 콘택홀(715)을 통해 상기 전면전극(200)과 연결될 수 있다.
본 발명은 또한, 전술한 도 5에 따른 박막형 태양전지 모듈을 포함하는 태양광 발전 시스템을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 태양광 발전 시스템은 도 5에 따른 박막형 태양전지 모듈 및 상기 박막형 태양전지 모듈로부터의 출력을 변환하는 인버터와 같은 전력변환장치를 포함하여 이루어진다.
이상과 같이, 본 발명은 박막형 태양전지, 그를 이용한 박막형 태양전지 모듈 및 태양광 발전시스템을 제공하는 것으로서, 이하에서 설명하는 박막형 태양전지도 마찬가지로 박막형 태양전지 모듈 및 태양광 발전시스템에 이용될 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도로서, 도 4의 I-I라인의 단면에 해당하는 것이다. 도 6에 따른 박막형 태양전지는 반도체층의 구성을 제외하고, 전술한 도 5에 따른 박막형 태양전지와 동일하며, 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 6에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전면전극(200)과 투명도전층(400) 사이에 반도체층을 형성하되, 버퍼층(320)을 사이에 두고 제1 반도체층(310) 및 제2 반도체층(330)으로 이루어진 반도체층을 형성함으로써, 소위 탠덤(tandem)구조의 박막형 태양전지를 구성하게 된다.
상기 제1 반도체층(310) 및 제2 반도체층(330)은 모두 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 형성될 수 있다.
상기 제1 반도체층(310)은 PIN구조의 비정질 반도체물질로 이루어지고, 상기 제2 반도체층(330)은 PIN구조의 미세결정질 반도체물질로 이루어질 수 있다.
상기 비정질 반도체물질은 단파장의 광을 잘 흡수하고 상기 미세결정질 반도체물질은 장파장의 광을 잘 흡수하는 특성이 있기 때문에, 비정질 반도체물질과 미세결정질 반도체물질을 조합할 경우 광흡수효율이 증진될 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제1 반도체층(310)으로서 비정질반도체/게르마늄, 미세결정질 반도체 물질 등 다양하게 변경 이용할 수 있고, 상기 제2 반도체층(330)으로서 비정질 반도체물질, 비정질반도체/게르마늄 등 다양하게 변경 이용할 수 있다.
상기 버퍼층(320)은 상기 제1 반도체층(310) 및 제2 반도체층(330)의 사이에서 터널접합을 통해 정공 및 전자의 이동을 원활히 하는 역할을 하는 것으로서, ZnO와 같은 투명한 물질로 이루어진다.
한편, 본 발명에 따른 박막형 태양전지는, 도 6에 도시한 탠덤(tandem)구조이외에, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 제3 반도체층, 상기 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이 및 상기 제2 반도체층 및 제3 반도체층 사이에 각각 형성된 버퍼층을 포함하여 이루어지는 트리플(triple) 구조도 포함할 수 있다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 평면도로서, 이는 기판의 사이즈가 커짐에 따라 기판 상에 복수 개의 태양전 지를 형성하고, 이후 절단공정을 수행함으로써 개별적으로 구동하는 복수 개의 태양전지를 얻는 방법에 관한 것이다. 이하, 각각에 대해서 설명하기로 한다.
도 7에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지는, 기판(100) 상에 절단선을 중심으로 좌우에 각각 제1 태양전지 및 제2 태양전지가 형성된다.
상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지는 절단된 이후 각각 태양전지로 구동될 수 있도록 소정 간격으로 이격 형성되어 있고, 절단된 이후의 제1 태양전지 및 제2 태양전지 각각은 전술한 도 3에 따른 박막형 태양전지와 동일하다.
즉, 상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지 각각은, 전면전극, 반도체층 및 후면전극을 구비된 복수 개의 단위셀을 포함하여 이루어지며, 상기 복수 개의 단위셀은 제1 셀 폭(W1)으로 형성된 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭(W1)보다 큰 제2 셀 폭(W2)으로 형성된 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함한다.
상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지로 절단되기 전에는, 기판(100)의 중앙부에서 기판(100)의 양 측부 방향으로 제2 단위셀 세트, 제1 단위셀 세트, 및 제2 단위셀 세트가 차례로 형성된다. 즉, 상기 제1 태양전지 및 상기 제2 태양전지는 제1 단위셀 세트를 중심으로 좌우에 제2 단위셀 세트가 형성된다. 그러나, 상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지로 절단된 이후에는, 제1 태양전지 및 제2 태양전지 각각은 전술한 도 3에서와 동일하게 기판(100)의 중앙부에 제1 단위셀 세트가 형성되고, 기판(100)의 양 측부에 제2 단위셀 세트가 형성되게 된다.
상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지로 절단되기 전의 경우 및 절단된 이후의 경우 모두, 상기 제1 단위셀 세트는 복수 개의 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 복수 개의 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하도록 설정한다.
또한, 상기 제2 단위셀 들의 셀 폭인 제2 셀 폭(W2)은 상기 제1 단위셀 들의 제1 셀 폭(W1) 보다 5 ~ 20% 더 크게 형성될 수 있고, 상기 제2 셀 폭(W2)은 소정 방향으로 갈수록 점차로 커지게 형성할 수 있다.
도 8에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지는, 도 7에서와 유사하게 기판(100) 상에 절단선을 중심으로 좌우에 각각 제1 태양전지 및 제2 태양전지가 형성되지만, 절단된 이후의 제1 태양전지 및 제2 태양전지 각각은 전술한 도 7에서와 상이하다.
상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지로 절단되기 전에는, 기판(100)의 중앙부에 제1 단위셀 세트가 형성되고 기판(100)의 양 측부에 제2 단위셀 세트가 형성된다. 즉, 상기 제1 태양전지 및 상기 제2 태양전지는 서로 인접하는 부분에 동일한 제1 단위셀 세트가 형성된다. 그러나, 상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지로 절단된 이후에는, 제1 태양전지 및 제2 태양전지 각각은 기판(100)의 일측부에 제1 단위셀 세트가 형성되고, 기판(100)의 타측부에 제2 단위셀 세트가 형성되게 된다.
상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지로 절단되기 전의 경우 및 절단된 이후의 경우 모두, 상기 제1 단위셀 세트는 복수 개의 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 복수 개의 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하도록 설정한다.
또한, 상기 제2 단위셀 들의 셀 폭인 제2 셀 폭(W2)은 상기 제1 단위셀 들의 제1 셀 폭(W1) 보다 5 ~ 20% 더 크게 형성될 수 있고, 상기 제2 셀 폭(W2)은 소정 방향으로 갈수록 점차로 커지게 형성할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에 대해서 설명하기로 한다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법의 개략적인 평면도로서, 이는 전술한 도 3에 다른 박막형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
우선, 도 9a에서 알 수 있듯이, 기판(100)의 일측부 및 타측부에 동시에 제2 단위셀 세트를 형성한다.
상기 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정은 레이저 스크라이빙 공정을 이용하여 기판(100) 상에 적층된 전면전극, 반도체층, 및 후면전극의 소정 영역에 분리부(600)를 형성하는 공정을 통해 수행할 수 있다.
상기 레이저 스크라이빙 공정은 도 12에 도시한 레이저 장치를 이용할 수 있다. 즉, 도 12에 도시한 바와 같이, 복수 개의 레이저를 포함하는 제1 레이저 세트(900a) 및 제 2 레이저 세트(900b) 각각을 소정 간격으로 이격되게 위치시키고, 제1 및 제2 레이저 세트(900b) 각각의 레이저의 간격을 제2 셀 폭(W2)으로 조절한 후, 이와 같은 제1 레이저 세트(900a) 및 제 2 레이저 세트(900b)를 포함하는 레이저 장치를 이용함으로써 기판(100)의 일측부 및 타측부에 동시에 제2 셀 폭(W2)의 제2 단위셀 세트를 형성할 수 있다. 도 12에 도시된 레이저의 개수는 적절히 변경할 수 있고, 경우에 따라서는 일부 레이저의 작동을 정지함으로써 조사되는 레이저의 수를 변경할 수도 있으며, 이는 이하 실시예에 모두 적용된다.
다음, 도 9b에서 알 수 있듯이, 기판(100)의 중앙부에 제1 단위셀 세트를 형성한다.
상기 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정도 도 12에 도시한 레이저 장치를 이용하여 수행할 수 있다. 즉, 도 12에서, 복수 개의 레이저를 포함하는 제1 레이저 세트(900a) 및 제 2 레이저 세트(900b) 각각을 근접하게 위치시켜 모든 레이저의 간격을 제1 셀 폭(W1)으로 조절한 후, 이와 같은 레이저 장치를 이용함으로써 기판(100)의 중앙부에 제1 셀 폭(W1)의 제1 단위셀 세트를 형성할 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법의 개략적인 평면도로서, 이는 전술한 도 3에 다른 박막형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
우선, 도 10a에서 알 수 있듯이, 기판(100)의 일측부에 제2 단위셀 세트를 형성한다.
상기 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정은 도 12에 도시한 레이저 장치를 이 용한 레이저 스크라이빙 공정을 통해 소정 영역에 분리부(600)를 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다. 즉, 도 12에서, 복수 개의 레이저를 포함하는 제1 레이저 세트(900a) 및 제 2 레이저 세트(900b) 각각을 근접하게 위치시켜 모든 레이저의 간격을 제2 셀 폭(W2)으로 조절한 후, 이와 같은 레이저 장치를 이용함으로써 기판(100)의 일측부에 제2 셀 폭(W2)의 제2 단위셀 세트를 형성할 수 있다.
다음, 도 10b에서 알 수 있듯이, 기판(100)의 중앙부에 제1 단위셀 세트를 형성한다.
상기 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정도 도 12에 도시한 레이저 장치를 이용하여 수행하며, 구체적으로는, 근접하게 위치한 제1 레이저 세트(900a) 및 제 2 레이저 세트(900b)의 모든 레이저의 간격을 제1 셀 폭(W1)으로 조절한 후, 이와 같은 레이저 장치를 이용함으로써 기판(100)의 중앙부에 제1 셀 폭(W1)의 제1 단위셀 세트를 형성할 수 있다.
다음, 도 10c에서 알 수 있듯이, 기판(100)의 타측부에 제2 단위셀 세트를 형성한다. 이는, 전술한 도 10a에서와 동일하게 수행하므로 구체적인 설명은 생략한다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법의 개략적인 평면도로서, 이는 전술한 도 3에 다른 박막형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
우선, 도 11a에서 알 수 있듯이, 기판(100)의 일측부에 제2 단위셀 세트를 형성함과 동시에 기판(100)의 중앙부에 제1 단위셀 세트의 일부를 형성한다.
상기 제2 단위셀 세트 및 제1 단위셀 세트의 일부의 형성 공정은 도 12에 도시한 레이저 장치에서, 복수 개의 레이저를 포함하는 제1 레이저 세트(900a) 및 제 2 레이저 세트(900b) 각각을 근접하게 위치시키거나 경우에 따라서 이격되게 위치시킨 후, 제1 레이저 세트(900a)의 레이저의 간격은 제2 셀 폭(W2)으로 조절하고 제2 레이저 세트(900b)의 레이저 간격은 제1 셀 폭(W1)으로 조절한 후 레이저를 조사하여 수행할 수 있다.
다음, 도 11b에서 알 수 있듯이, 기판(100)의 타측부에 제2 단위셀 세트를 형성함과 동시에 기판(100)의 중앙부에 제1 단위셀 세트의 잔부를 형성한다.
상기 제2 단위셀 세트 및 제1 단위셀 세트의 잔부의 형성 공정은 도 12에 도시한 레이저 장치에서, 복수 개의 레이저를 포함하는 제1 레이저 세트(900a) 및 제 2 레이저 세트(900b) 각각을 근접하게 위치시키거나 경우에 따라서 이격되게 위치시킨 후, 제1 레이저 세트(900a)의 레이저의 간격은 제1 셀 폭(W1)으로 조절하고 제2 레이저 세트(900b)의 레이저 간격은 제2 셀 폭(W2)으로 조절한 후 레이저를 조사하여 수행할 수 있다.
이상에서와 같이, 레이저 스크라이빙 공정을 이용하여 제1 단위셀 세트 및 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정은, 도 9a 내지 도 9b, 및 도 10a 내지 도 10c에서와 같이, 제1 단위셀 세트 및 제2 단위셀 세트 중 어느 하나의 세트를 형성하고, 그 후에 나머지 세트를 형성하는 공정을 포함할 수도 있고, 도 11a 내지 도 11b에 서와 같이, 제1 단위셀 세트 형성 공정 및 제2 단위셀 세트 형성 공정을 동시에 시작하여 수행할 수도 있다.
이상의 방법에서, 상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하도록 형성한다.
이상은 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에 대해서 설명하였지만, 각각의 방법을 용이하게 변경 적용함으로써, 도 7 및 도 8에 따른 박막형 태양전지의 제조도 가능하다.
도 1a는 종래의 박막형 태양전지의 개략적인 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I라인의 개략적인 단면도.
도 2는 종래 제1 단위셀부터 제n 단위셀까지의 에너지 변환효율을 보여주는 그래프.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 평면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 모듈의 개략적인 단면도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 평면도.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법의 개략적인 평면도.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법의 개략적인 평면도.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법의 개략적인 평면도.
<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>
100: 기판 200: 전면전극
300: 반도체층 350: 콘택부
400: 투명도전층 500: 후면전극
600: 분리부

Claims (19)

  1. 기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 단위셀을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지에 있어서,
    상기 박막형 태양전지는 제1 셀 폭으로 형성된 적어도 하나의 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 적어도 하나의 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하여 이루어지며,
    상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단위셀 세트는 상기 기판의 중앙부에 형성되고, 상기 제2 단위셀 세트는 상기 기판의 양 측부에 형성되며, 상기 제2 단위셀 들의 제2 셀 폭은 상기 기판의 측부 말단으로 갈수록 점차로 커지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단위셀 세트는 상기 기판의 일 측부에 형성되고, 상기 제2 단위셀 세트는 상기 기판의 타 측부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반도체층은 버퍼층을 사이에 두고 형성된 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  5. 기판 상에 형성된 제1 태양전지 및 제2 태양전지를 포함하여 이루어진 박막형 태양전지에 있어서, 상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지는 절단시 각각 태양전지로 구동될 수 있도록 소정 간격으로 이격 형성되어 있고,
    상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지는 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 복수 개의 단위셀을 포함하여 이루어지고,
    상기 복수 개의 단위셀은 제1 셀 폭으로 형성된 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하며,
    상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 단위셀 세트는 상기 기판의 중앙부에 형성되고, 상기 제2 단위셀 세트는 상기 기판의 양 측부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 단위셀 들의 제2 셀 폭은 상기 기판의 측부 말단으로 갈수록 점차로 커지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 기판의 중앙부에서 상기 기판의 양 측부 방향으로 제2 단위셀 세트, 제1 단위셀 세트, 및 제2 단위셀 세트가 차례로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 태양전지 및 상기 제2 태양전지는 제1 단위셀 세트를 중심으로 좌우에 제2 단위셀 세트가 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제1 태양전지 및 상기 제2 태양전지는 서로 인접하는 부분에 동일한 단위셀 세트가 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  11. 기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 복수 개의 단위셀을 포함하여 이루어지고, 상기 복수 개의 단위셀은 제1 셀 폭으로 형성된 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하며, 상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지;
    상기 기판의 일측에 형성된 단위셀의 전면전극을 외부로 연결하기 위한 제1 인출선 및 상기 기판의 타측에 형성된 단위셀의 후면전극을 외부로 연결하기 위한 제2 인출선; 및
    상기 박막형 태양전지를 지지하기 위한 지지 플레임을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지 모듈.
  12. 박막형 태양전지 모듈 및 상기 박막형 태양전지 모듈로부터의 출력을 변환하는 전력변환장치를 포함하여 이루어지며,
    상기 박막형 태양전지 모듈은,
    기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 복수 개의 단위셀을 포함하여 이루어지고, 상기 복수 개의 단위셀은 제1 셀 폭으로 형성된 제1 단위셀 들로 구성된 제1 단위셀 세트 및 상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 형성된 제2 단위셀 들로 구성된 제2 단위셀 세트를 포함하며, 상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지;
    상기 기판의 일측에 형성된 단위셀의 전면전극을 외부로 연결하기 위한 제1 인출선 및 상기 기판의 타측에 형성된 단위셀의 후면전극을 외부로 연결하기 위한 제2 인출선; 및
    상기 박막형 태양전지를 지지하기 위한 지지 플레임을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양광 발전 시스템.
  13. 기판 상에 전면전극, 반도체층 및 후면전극이 구비된 단위셀을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은
    제1 셀 폭으로 이루어진 적어도 하나의 제1 단위셀 들을 포함하는 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정; 및
    상기 제1 셀 폭과 상이한 제2 셀 폭으로 이루어진 적어도 하나의 제2 단위셀 들을 포함하는 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정을 포함하며,
    상기 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정 및 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정은, 분리부를 형성하기 위해서 적어도 하나의 레이저를 이용한 레이저 스크라이빙 공정을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙 공정은, 상기 제1 단위셀 세트 및 상기 제2 단위셀 세트 중 어느 하나의 세트를 형성하고, 그 후에 나머지 세트를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙 공정은,
    상기 레이저의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 일측부에 상기 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정;
    상기 레이저의 간격을 상기 제1 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 중앙부에 상기 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정; 및
    상기 레이저의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 타측부에 상기 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙 공정은,
    상기 레이저의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 일측부 및 타측부에 동시에 상기 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정; 및
    상기 레이저의 간격을 상기 제1 셀 폭으로 조절한 후 상기 기판의 중앙부에 상기 제1 단위셀 세트를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙 공정은, 상기 제1 단위셀 세트 형성 공정 및 상기 제2 단위셀 세트 형성 공정을 동시에 시작하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전 지의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙 공정은,
    상기 레이저의 일부의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절하고 상기 레이저의 나머지의 간격을 상기 제1 셀 폭으로 조절한 후, 상기 기판의 일측부에 제2 단위셀 세트를 형성함과 동시에 상기 기판의 중앙부에 제1 단위셀 세트의 일부를 형성하는 공정; 및
    상기 레이저의 일부의 간격을 상기 제1 셀 폭으로 조절하고 상기 레이저의 나머지의 간격을 상기 제2 셀 폭으로 조절한 후, 상기 기판의 중앙부에 제1 단위셀의 잔부를 형성함과 동시에 기판의 타측부에 제2 단위셀 세트를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 제1 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 80 ~ 95%를 차지하고, 상기 제2 단위셀 세트는 단위셀 들의 전체면적의 5 ~ 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
KR1020090087329A 2009-09-16 2009-09-16 박막형 태양전지 및 그 제조방법, 및 그를 이용한 박막형 태양전지 모듈 및 태양광 발전 시스템 KR101031246B1 (ko)

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TW098138321A TW201112426A (en) 2009-09-16 2009-11-11 Thin film type solar cell and method for manufacturing the same, and thin film type solar cell module and power generation system using the same
US12/618,756 US20110061706A1 (en) 2009-09-16 2009-11-15 Thin film type solar cell and method for manufacturing the same, and thin film type solar cell module and power generation system using the same
DE102009058794A DE102009058794A1 (de) 2009-09-16 2009-12-18 Dünnschichttyp-Solarzelle und Verfahren zum Herstellen derselben, sowie Dünnschichttyp-Solarzellenmodul und Stromerzeugungssystem, welche die Dünnschichttyp-Solarzelle verwenden
CN2009102660217A CN102024826A (zh) 2009-09-16 2009-12-31 薄膜型太阳能电池及其制造方法和组件、利用该组件的发电系统

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8563351B2 (en) * 2010-06-25 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic device
KR101770267B1 (ko) * 2011-10-04 2017-08-22 엘지전자 주식회사 박막 태양전지 모듈
US9911881B2 (en) 2012-04-03 2018-03-06 Flisom Ag Thin-film photovoltaic device with wavy monolithic interconnects
KR20150057853A (ko) * 2013-11-20 2015-05-28 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
TWI677105B (zh) 2014-05-23 2019-11-11 瑞士商弗里松股份有限公司 製造薄膜光電子裝置之方法及可藉由該方法獲得的薄膜光電子裝置
USD769808S1 (en) 2014-07-29 2016-10-25 Solaero Technologies Corp. Solar cell
TWI661991B (zh) 2014-09-18 2019-06-11 瑞士商弗里松股份有限公司 用於製造薄膜裝置之自組裝圖案化
EP3414779B1 (en) 2016-02-11 2021-01-13 Flisom AG Self-assembly patterning for fabricating thin-film devices
US10658532B2 (en) 2016-02-11 2020-05-19 Flisom Ag Fabricating thin-film optoelectronic devices with added rubidium and/or cesium
USD784253S1 (en) 2016-02-16 2017-04-18 Solaero Technologies Corp. Solar cell
USD785560S1 (en) 2016-07-06 2017-05-02 Solaero Technologies Corp. Mosaic solar cell
USD784919S1 (en) 2016-07-06 2017-04-25 Solaero Technologies Corp. Mosaic solar cell
USD784256S1 (en) 2016-07-18 2017-04-18 Solaero Technologies Corp. Mosaic solar cell
USD784255S1 (en) 2016-07-18 2017-04-18 Solaero Technologies Corp. Mosaic solar cell
WO2019044810A1 (ja) * 2017-08-30 2019-03-07 京セラ株式会社 太陽電池モジュール

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003054967A1 (en) 2001-12-21 2003-07-03 Akzo Nobel N.V. Profiled photovoltaic roofing panel
JP2005302819A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Toyota Motor Corp 熱光発電装置
KR20090045839A (ko) * 2007-11-02 2009-05-08 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR20100133623A (ko) * 2009-06-12 2010-12-22 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065782B2 (ja) * 1986-06-19 1994-01-19 帝人株式会社 太陽電池モジユ−ル
JPH1072910A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Canon Inc 横葺き屋根板、屋根材一体型太陽電池、横葺き屋根用継ぎ手及び横葺き屋根の施工方法
CN1180125A (zh) * 1996-08-30 1998-04-29 佳能株式会社 横向铺设的屋顶及其安装方法
JP4662616B2 (ja) * 2000-10-18 2011-03-30 パナソニック株式会社 太陽電池
US20080083448A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-10 Borden Peter G Interconnect for thin film photovoltaic modules

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003054967A1 (en) 2001-12-21 2003-07-03 Akzo Nobel N.V. Profiled photovoltaic roofing panel
JP2005302819A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Toyota Motor Corp 熱光発電装置
KR20090045839A (ko) * 2007-11-02 2009-05-08 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
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