KR101363327B1 - 박막형 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상면 및 하면을 구비한 기판; 상기 기판의 상면 위에 형성된 제1태양전지; 및 상기 기판의 하면 아래에 형성된 제2태양전지를 포함하여 이루어지며, 상기 제1태양전지에서 흡수하는 광 파장영역은 상기 제2태양전지에서 흡수하는 광 파장영역과 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지, 및 그 제조방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면, 제1태양전지의 제1반도체층과 제2태양전지의 제2반도체층 간에 터널링을 형성하지 않기 때문에 전류 매칭이 요하지 않게 되고, 따라서, 기판에 입사된 태양광은 제1태양전지 및 제2태양전지 각각에서 흡수되어 전체 박막형 태양전지의 효율에 기여하기 때문에 종래의 박막형 태양전지에 비하여 고효율을 얻을 수 있다.
박막형 태양전지, 전류 매칭

Description

박막형 태양전지 및 그 제조방법{Thin film type Solar Cell and Method for manufacturing the same}
본 발명은 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 박막형 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole)과 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 되는 원리이다.
이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있다.
기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다.
기판형 태양전지는 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다.
박막형 태양전지는 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다.
이하 도면을 참조로 종래의 박막형 태양전지에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판(10), 전면전극층(20), 반도체층(30), 및 후면전극층(40)으로 이루어진다.
상기 기판(10)은 유리 또는 투명한 플라스틱을 이용하여 형성된다.
상기 전면전극층(20)은 태양광이 입사되는 면이기 때문에 ZnO와 같은 투명한 도전물질을 이용하여 형성된다.
상기 반도체층(30)은 실리콘과 같은 반도체물질을 이용하여 형성하는데, P형(Positive) 반도체층(이하에서는, 'P층'으로 칭함), I형(Intrinsic) 반도체층(이하에서는 'I층'으로 칭함) 및 N형(Negative) 반도체층(이하에서는, 'N층'으로 칭함)으로 적층된 소위 PIN구조로 형성된다.
상기 후면전극층(40)은 Ag, Al과 같은 금속을 이용하여 형성되며, 상기 전면전극층(20) 및 반도체층(30)을 통과한 태양광은 상기 후면전극층(40)에서 반사되어 상기 반도체층(30)으로 재입사 된다.
그러나, 도 1에 따른 종래의 박막형 태양전지는 상기 반도체층(30)을 구성하는 실리콘과 같은 반도체물질 자체의 광흡수계수가 낮을 뿐만 아니라 상기 반도체층(30)이 수㎛이하의 박막으로 형성된 단일 PIN구조로 이루어져 있어 광흡수효율이 떨어지기 때문에 고효율의 태양전지를 구현하는데 한계가 있다.
따라서, 상기 반도체층(30)을 단일 PIN구조가 아닌 복수의 PIN구조로 적층한 태양전지가 고안되었다.
도 2는 종래의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도로서, PIN구조의 반도체층을 2층으로 적층한 구조이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 종래의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지는, 기판(10), 전면전극층(20), 제1반도체층(32), 버퍼층(34), 제2반도체층(36), 및 후면전극층(40)으로 이루어진다.
도 2에 따른 종래의 박막형 태양전지는 PIN구조의 제1반도체층(32) 및 PIN구조의 제2반도체층(36)을 형성함으로써 2개의 태양전지가 직렬로 연결된 구조를 가지게 되어 태양전지의 개방전압을 높일 수 있기 때문에, 도 1에 따른 종래의 박막형 태양전지에 비하여 보다 고효율을 달성할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 제1반도체층(32) 및 제2반도체층(36) 사이에서 터널접합을 통해 정공 및 전자의 이동을 원활히 하기 위해서, 상기 제1반도체층(32) 및 제2반도체 층(36) 사이에 ZnO와 같은 물질로 버퍼층(34)을 형성하고 있다.
그러나, 도 2에 따른 종래의 박막형 태양전지는 상기 제1반도체층(32) 및 제2반도체층(36) 사이에서 전류 매칭(Current matching)을 위한 공정이 추가로 요구되는데, 상기 전류 매칭을 위한 공정이 매우 까다로운 공정이며 만약 상기 전류 매칭이 정확히 이루어지지 않을 경우에는 고효율을 달성할 수 없는 문제가 있다.
이에 대해서 보다 구체적으로 설명하면, 도 2에서와 같이 2개의 태양전지가 직렬로 연결된 구조에서는, 상기 제1반도체층(32)에서 생성된 전자가 상기 제2반도체층(36)으로 이동하기 위해서 상기 제1반도체층(32) 및 제2반도체층(36) 사이에서 터널링 과정을 거처야 하고, 이와 같은 터널링이 최대화되면 전류 매칭이 이루어지게 되는 것이다.
여기서, 상기 터널링을 최대화하기 위해서는 상기 버퍼층(34)의 두께, 상기 제2반도체층(36)의 P층의 두께 등을 최적화해야 하는데, 이와 같은 상기 버퍼층(34)의 두께, 및 상기 제2반도체층(36)의 P층의 두께 등의 최적화를 위해서는 작업자가 많은 시간을 투여하면서 반복적인 실험을 수행해야 하는 문제가 있다. 또한, 만약 상기 버퍼층(34)의 두께 및 상기 제2반도체층(36)의 P층의 두께 등에 대한 최적화된 치수를 얻지 못할 경우에는 전류 매칭이 정확히 이루어지지 않게 되어 고효율의 태양전지를 구현할 수 없게 된다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 전류 매칭을 위한 공정을 수행하지 않으면서도 고효율을 얻을 수 있는 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 상면 및 하면을 구비한 기판; 상기 기판의 상면 위에 형성된 제1태양전지; 및 상기 기판의 하면 아래에 형성된 제2태양전지를 포함하여 이루어지며, 상기 제1태양전지에서 흡수하는 광 파장영역은 상기 제2태양전지에서 흡수하는 광 파장영역과 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지를 제공한다.
상기 제1태양전지는 상기 기판의 상면 상에 형성되며, 그 일면이 요철구조로 이루어진 제1투명전극층; 상기 제1투명전극층 위에 형성된 제1반도체층; 상기 제1반도체층 위에 형성된 제1투명도전층; 및 상기 제1투명도전층 위에 형성된 제1금속전극층을 포함하여 이루어지며, 상기 제1반도체층은 미세결정 반도체로 구성된 광흡수층을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제1반도체층은 PIN구조의 미세결정 반도체층으로 이루어질 수 있다.
상기 PIN구조의 미세결정반도체층은 상기 제1투명전극층 위에 P층이 형성되고, 상기 P층 위에 I층이 형성되고, 상기 I층 위에 N층이 형성될 수 있다.
상기 제2태양전지는 상기 기판의 하면 상에 형성되며, 그 일면이 요철구조로 이루어진 제2투명전극층; 상기 제2투명전극층 아래에 형성된 제2반도체층; 상기 제2반도체층 아래에 형성된 제2투명도전층; 및 상기 제2투명도전층 아래에 형성된 제2금속전극층을 포함하여 이루어지며, 상기 제2반도체층은 비정질 반도체로 구성된 광흡수층을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제2반도체층은 PIN구조의 비정질 반도체층으로 이루어질 수 있다.
상기 PIN구조의 비정질반도체층은 상기 제2투명전극층 아래에 N층이 형성되고, 상기 N층 아래에 I층이 형성되고, 상기 I층 아래에 P층이 형성될 수 있다.
상기 제2금속전극층의 단면적이 상기 제1금속전극층의 단면적 보다 작게 형성될 수 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판; 상기 기판의 일면에 형성되며, 제1투명전극층, 제1반도체층 및 제1금속전극층이 순차적으로 형성되어 이루어진 제1태양전지; 및 상기 기판의 타면에 형성되며, 제2투명전극층, 제2반도체층 및 제2금속전극층이 순차적으로 형성되어 이루어진 제2태양전지를 포함하여 이루어지며, 상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층은 PIN구조로 이루어지고, 상기 제1반도체층의 I층은 상기 제2반도체층의 I층보다 작은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지를 제공한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판; 상기 기판의 일면에 형성되며, 제1투명전극층, 제1반도체층 및 제1금속전극층이 순차적으로 형성되어 이루어진 제1태양전지; 및 상기 기판의 타면에 형성되며, 제2투명전극층, 제2반도체층 및 제2금속전극층이 순차적으로 형성되어 이루어진 제2태양전지를 포함하여 이루어지 며, 상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층은 PIN구조로 이루어지고, 상기 제1반도체층의 I층은 상기 제2반도체층의 I층보다 결정화도가 높은 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지를 제공한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판; 상기 기판의 일면에 형성되며, 제1투명전극층, 제1반도체층 및 제1금속전극층이 순차적으로 형성되어 이루어진 제1태양전지; 및 상기 기판의 타면에 형성되며, 제2투명전극층, 제2반도체층 및 제2금속전극층이 순차적으로 형성되어 이루어진 제2태양전지를 포함하여 이루어지며, 상기 제1반도체층은 PIN구조의 미세결정 반도체층으로 이루어지고, 상기 제2반도체층은 PIN구조의 비정질 반도체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지를 제공한다.
상기 PIN구조의 제1반도체층은 상기 제1투명전극층의 일면에 P층이 형성되고, 상기 P층 상에 I층이 형성되고, 상기 I층 상에 N층이 형성되고, 상기 PIN구조의 제2반도체층은 상기 제2투명전극층의 일면에 N층이 형성되고, 상기 N층 상에 I층이 형성되고, 상기 I층 상에 P층이 형성될 수 있다.
상기 제1투명전극층 및 제2투명전극층은 그 일면이 요철구조로 이루어지고, 상기 제1반도체층 및 제1금속전극층 사이에 제1투명도전층이 추가로 형성되고, 상기 제2반도체층 및 제2금속전극층 사이에 제2투명도전층이 추가로 형성될 수 있다.
상기 제2금속전극층의 단면적이 상기 제1금속전극층의 단면적 보다 작게 형성될 수 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 일면 및 타면을 구비한 기판을 준 비하는 공정; 상기 기판의 일면에 제1투명전극층을 형성하는 공정; 상기 제1투명전극층 상에 제1반도체층을 형성하는 공정; 상기 제1반도체층 상에 제1금속전극층을 형성하는 공정; 상기 기판의 타면에 제2투명전극층을 형성하는 공정; 상기 제2투명전극층 상에 제2반도체층을 형성하는 공정; 및 상기 제2반도체층 상에 제2금속전극층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 일면 및 타면을 구비한 기판을 준비하는 공정; 상기 기판의 일면에 제1투명전극층을 형성하고 상기 기판의 타면에 제2투명전극층을 형성하는 공정; 상기 제1투명전극층 상에 제1반도체층을 형성하는 공정; 상기 제1반도체층 상에 제1금속전극층을 형성하는 공정; 상기 제2투명전극층 상에 제2반도체층을 형성하는 공정; 및 상기 제2반도체층 상에 제2금속전극층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 일면 및 타면을 구비한 기판을 준비하는 공정; 상기 기판의 일면에 제1투명전극층을 형성하고 상기 기판의 타면에 제2투명전극층을 형성하는 공정; 상기 제1투명전극층 상에 제1반도체층을 형성하고 상기 제2투명전극층 상에 제2반도체층을 형성하는 공정; 및 상기 제1반도체층 상에 제1금속전극층을 형성하고 상기 제2반도체층 상에 제2금속전극층을 형성하는 공정을 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
상기 제1반도체층과 상기 제1금속전극층 사이에 제1투명도전층을 형성하는 공정 및 상기 제2반도체층과 상기 제2금속전극층 사이에 제2투명도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 제1투명전극층을 형성하는 공정 및 상기 제2투명전 극층을 형성하는 공정은 전극층 표면에 대한 텍스처 가공공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제1반도체층을 형성하는 공정은 PIN구조의 미세결정 반도체층을 형성하는 공정으로 이루어지고, 상기 제2반도체층을 형성하는 공정은 PIN구조의 비정질반도체층을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 본 발명은 기판의 상면 위에 제1태양전지를 형성하고 기판의 하면 아래에 제2태양전지를 형성함으로써, 제1태양전지의 제1반도체층과 제2태양전지의 제2반도체층 간에 터널링을 형성하지 않기 때문에 전류 매칭이 요하지 않게 된다.
따라서, 기판에 입사된 태양광은 제1태양전지 및 제2태양전지 각각에서 흡수되어 전체 박막형 태양전지의 효율에 기여하기 때문에 종래의 박막형 태양전지에 비하여 고효율을 얻을 수 있게 되는 효과가 있다.
둘째, 본 발명은 제1태양전지의 제1투명전극층 및 제2서브 태양전지의 제2투명전극층 모두의 표면을 텍스처 가공 등을 통해 요철구조로 형성함으로써 종래에 비하여 빛의 산란 효과를 증대시켜 제1반도체층 및 제2반도체층에서의 광흡수효율을 증진시킬 수 있는 효과가 있다.
셋째, 본 발명은 제1태양전지에서 흡수하는 광 파장영역이 상기 제2태양전지에서 흡수하는 광 파장영역과 상이하도록 함으로써 흡수하는 태양광의 광 파장영역을 최대화하여 태양전지의 효율을 증진시킬 수 있다.
넷째, 본 발명은 태양광이 입사되는 기판의 하면에 비정질 반도체층을 구비한 제2태양전지를 형성하고 기판의 상면에 미세결정 반도체층을 구비한 제1태양전지를 형성함으로써 박막형 태양전지의 열화를 줄일 수 있는 효과가 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
<박막형 태양전지>
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판(100), 제1태양전지(200), 및 제2태양전지(300)로 이루어진다.
상기 기판(100)은 상면 및 하면을 구비하는데, 도 3은 태양광이 상기 기판(100)의 하면을 통해 입사되는 경우를 도시한 것이다.
상기 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱을 이용하여 형성한다.
상기 제1태양전지(200)는 상기 기판(100)의 상면에 형성되며, 제1투명전극층(210), 제1반도체층(220), 제1투명도전층(230), 및 제1금속전극층(240)으로 이루어진다.
상기 제1투명전극층(210)은 상기 기판(100)의 상면 상에 형성된다.
상기 제1투명전극층(210)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 제1투명전극층(210)은 입사되는 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 텍스처(texturing)가공공정 등을 통해 그 상부면을 요철구조로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 텍스처 가공공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 가공하는 공정으로서, 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)을 이용한 홈 형성 공정 등을 통해 수행할 수 있다. 이와 같은 텍스처 가공공정을 상기 제1투명전극층(210)에 수행할 경우 입사되는 태양광의 산란에 의해 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비율이 증가하게 되어, 태양전지의 효율이 증진되는 효과가 있다.
상기 제1반도체층(220)은 상기 제1투명전극층(210) 위에 형성된다.
상기 제1반도체층(220)은 실리콘계, CuInSe2계, CdTe계 등의 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반도체물질을 P층, I층, 및 N층으로 적층한 PIN구조로 형성하는 것이 바람직하다.
반도체층은 태양광에 의해 정공(hole) 및 전자(electron)를 생성하고 생성된 정공 및 전자가 각각 P층 및 N층에서 수집되는데, 이와 같은 정공 및 전자의 수집 효율을 증진시키기 위해서는 P층과 N층만으로 이루어진 PN구조에 비하여 PIN구조가 보다 바람직하다. 상기 제1반도체층(220)을 PIN구조로 형성하게 되면, I층이 P층과 N층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift)되어 각각 P층 및 N층에서 수집되게 된다.
상기 제1반도체층(220)을 PIN구조로 형성할 경우, 상기 제1투명전극층(210) 위에 P층을 형성하고, 상기 P층 위에 I층을 형성하고, 상기 I층 위에 N층을 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(drift mobility)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해서 P층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다.
상기 제1반도체층(220)에서 흡수하는 광 파장영역은 후술하는 제2반도체층(320)에서 흡수하는 광 파장영역과 상이하도록 각각의 반도체층을 형성하는 것이 박막 태양전지가 보다 넓은 영역에서 태양광을 흡수할 수 있어 바람직하며, 보다 바람직하게는 제1반도체층(220)에서는 장파장의 광을 흡수하고, 상기 제2반도체층(320)에서는 단파장의 광을 흡수하도록 형성하는 것이다. 이를 위해서, 상기 제1반도체층(220)은 미세결정 반도체로 이루어진 I층(광흡수층)을 포함하고, 제2반도체층(320)은 비정질 반도체로 이루어진 I층(광흡수층)을 포함하도록 구성할 수 있다. 상기 미세결정 반도체로 이루어진 광흡수층은 대략 500 내지 1100nm의 장파장 영역의 광을 흡수하고, 상기 비정질 반도체로 이루어진 광흡수층은 대략 300 내지 800nm의 단파장 영역의 광을 흡수한다.
상기 제1반도체층(220)의 I층은 후술하는 제2반도체층(320)의 I층보다 작은 밴드갭을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1반도체층(220)의 I층은 후술하는 제2반도체층(320)의 I층보다 결정화도가 높은 것이 바람직하며, 따라서, 상기 제1반도체층(220)은 미세결정 반도체층으로 이루어지고, 후술하는 제2반도체층(320)은 비정질 반도체층으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이상과 같이 제1반도체층(220) 및 제2반도체층(320)을 구성하는 이유에 대해서 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
우선, 상기 제1반도체층(220) 및 제2반도체층(320) 모두를 동일한 반도체물질로 형성하게 되면 태양전지 전체에서 동일한 밴드갭(band-gap)을 갖는 I층(광흡수층)이 형성되어 태양전지의 광흡수 효율 증진에 한계가 있는 반면에, 상기 제1반도체층(220) 및 제2반도체층(320)을 서로 다른 반도체물질로 형성하게 되면 태양전지 전체에서 서로 다른 밴드갭을 갖는 I층(광흡수층)이 형성되어 태양전지의 광흡수 효율이 보다 증진되는 효과가 있다.
따라서, 상기 제1반도체층(220)의 I층과 제2반도체층(320)의 I층은 서로 상이한 밴드갭을 갖도록 형성하는 것이 바람직하며, 이와 같이 서로 상이한 밴드갭을 갖도록 하기 위해서, 상기 제1반도체층(220)의 I층과 제2반도체층(320)의 I층의 결정화도를 상이하게 할 수 있고, 구체적으로 상기 제1반도체층(220)과 제2반도체층(320) 중 어느 하나는 미세결정 반도체층으로 형성하고 다른 하나는 비정질 반도체층으로 형성할 수 있다.
다음, 비정질 반도체물질은 장시간 빛에 노출될 경우 열화현상이 가속되는 문제가 있는데, 비정질 반도체물질을 태양광이 입사되는 면에 형성하고, 미세결정 반도체물질을 그 반대면에 형성할 경우 태양전지의 열화를 줄일 수 있는 효과가 있다. 따라서, 태양광이 입사되는 기판(100)의 하면에 형성되는 제2반도체층(320)은 비정질 반도체물질로 형성하고, 그 반대면인 기판(100)의 상면에 형성되는 제1반도체층(220)은 미세결정 반도체물질로 형성하는 것이 바람직하며, 결국 상기 제1반도체층(220)의 I층이 제2반도체층(320)의 I층보다 결정화도가 높은 것이 바람직하다.
또한, 미세결정 반도체물질은 밴드갭이 1.1eV이고 비정질 반도체물질은 밴드갭이 1.7~1.8eV이므로, 상기 제1반도체층(220)의 I층의 밴드갭이 제2반도체층(320)의 I층의 밴드갭 보다 작은 것이 바람직하다.
상기 제1투명도전층(230)은 상기 제1반도체층(220) 위에 형성된다.
상기 제1투명도전층(230)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al 또는 Ag와 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 그 두께는 500 내지 10000Å 범위가 바람직하다.
상기 제1투명도전층(230)은 형성하지 않을 수도 있지만, 제1투명도전층(230)을 형성할 경우 태양광이 다양한 각으로 산란을 하여 상기 제1금속전극층(240)에서 반사되어 태양전지 내로 재입사되는 광의 비율이 증가될 수 있기 때문에, 상기 제1투명도전층(230)을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제1금속전극층(240)은 상기 제1투명도전층(230) 위에 형성된다.
상기 제1금속전극층(240)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속을 스퍼터링법 또는 인쇄법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 제2태양전지(300)는 상기 기판(100)의 하면에 형성되며, 제2투명전극층(310), 제2반도체층(320), 제2투명도전층(330), 및 제2금속전극층(340)으로 이루어진다.
상기 제2투명전극층(310)은 상기 기판(100)의 하면 상에 형성된다.
상기 제2투명전극층(310)은 전술한 제1투명전극층(210)과 마찬가지로 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 텍스처(texturring) 가공공정 등을 통해 그 하부면을 요철구조로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제2반도체층(320)은 상기 제2투명전극층(310) 아래에 형성된다.
상기 제2반도체층(320)은 실리콘계, CuInSe2계, CdTe계 등의 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반도체물질을 P층, I층, 및 N층으로 적층한 PIN구조로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제2반도체층(320)을 PIN구조로 형성할 경우, P층을 수광면에 가깝게 형성하기 위해서, 상기 제2투명전극층(310) 아래에 N층을 형성하고, 상기 N층 아래에 I층을 형성하고, 상기 I층 아래에 P층을 형성하는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 상기 제2반도체층(320)에서는 단파장의 광을 흡수하도록 형성하는 것이 바람직하며, 이를 위해서, 상기 제2반도체층(320)은 비정질 반도체 로 이루어진 I층(광흡수층)을 포함하도록 구성할 수 있다.
또한, 상기 제2반도체층(320)의 I층은 상기 제1반도체층(220)의 I층보다 큰 밴드갭을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제2반도체층(320)의 I층은 상기 제1반도체층(220)의 I층보다 결정화도가 낮은 것이 바람직하며, 따라서, 상기 제2반도체층(320)은 비정질 반도체층으로 이루어지고 상기 제1반도체층(220)은 미세결정 반도체층으로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 제2투명도전층(330)은 상기 제2반도체층(320) 아래에 형성된다.
상기 제2투명도전층(330)은 전술한 제1투명도전층(230)과 마찬가지로 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al 또는 Ag와 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 그 두께는 500 내지 10000Å 범위가 바람직하다. 상기 제2투명도전층(330)은 경우에 따라서 생략이 가능하다.
상기 제2금속전극층(340)은 상기 제2투명도전층(330) 아래에 형성된다.
상기 제2금속전극층(340)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속을 이용하여 형성할 수 있다.
한편, 태양광이 상기 기판(100)의 하면을 통해서 입사되기 때문에, 상기 제2금속전극층(340)의 단면적을 최소화하는 것이 태양광의 입사량을 증가시킬 수 있어 바람직하다. 따라서, 상기 제2금속전극층(340)의 단면적이 전술한 제1금속전극층(240)의 단면적보다 작게 형성되며, 이를 위해서 스퍼터링법 등을 이용하여 박막을 형성한 후 식각공정을 통해 패터닝을 수행할 수도 있고, 또는 스크린 인쇄 법(screen printing), 잉크젯 인쇄법(inkjet printing), 그라비아 인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉 인쇄법(microcontact printing)과 같은 방법을 이용하여 소정의 패턴을 직접 형성하는 것도 가능하다.
상기 스크린 인쇄법은 스크린과 스퀴즈(squeeze)를 이용하여 대상물질을 작업물에 전이시켜 소정의 패턴을 형성하는 방법이고, 상기 잉크젯 인쇄법은 잉크젯을 이용하여 대상물질을 작업물에 분사하여 소정의 패턴을 형성하는 방법이고, 상기 그라비아 인쇄법은 오목판의 홈에 대상물질을 도포하고 그 대상물질을 다시 작업물에 전이시켜 소정의 패턴을 형성하는 방법이고, 상기 미세접촉 인쇄법은 소정의 금형을 이용하여 작업물에 대상물질 패턴을 형성하는 방법이다.
이상과 같은 본 발명에 따른 태양전지는 제1태양전지(200)와 제2태양전지(300)가 독립적으로 작동하면서, 제1태양전지(200)를 구성하는 미세결정 반도체로 이루어진 제1반도체층(220)에서 장파장의 태양광이 흡수되고, 제2태양전지(300)를 구성하는 비정질 반도체로 구성된 제2반도체층(320)에서 단파장의 태양광이 흡수되는 구조로서, 제1태양전지(200)의 제1반도체층(220)과 제2태양전지(300)의 제2반도체층(320) 간에 터널링을 형성하지 않기 때문에 전류 매칭이 요하지 않게 된다.
도 3에 따른 본 발명의 박막 태양전지는 태양광이 기판(100)의 후면을 통해 입사되는 경우를 도시한 것이며, 태양광이 기판(100)의 상면을 통해 입사되는 경우에는 도 3에서 제1태양전지(200) 및 제2태양전지(300)의 위치를 서로 반대로 형성하면 된다.
<박막형 태양전지의 제조방법>
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.
우선, 도 4a에서 알 수 있듯이, 일면(110) 및 상기 일면(110)과 반대방향의 타면(120)을 구비한 기판(100)을 준비한다.
상기 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어진다.
다음, 도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100)의 일면(110)에 제1태양전지(200)를 형성한다.
상기 제1태양전지(200)를 형성하는 공정은 상기 기판(100)의 일면(110)에 제1투명전극층(210)을 형성하고, 상기 제1투명전극층(210) 상에 제1반도체층(220)을 형성하고, 상기 제1반도체층(220) 상에 제1투명도전층(230)을 형성하고, 상기 제1투명도전층(230) 상에 제1금속전극층(240)을 형성하는 공정으로 이루어진다.
상기 제1투명전극층(210)을 형성하는 공정은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 제1투명전극층(210)을 형성하는 공정은 그 표면을 요철구조로 형성하기 위해서 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)을 이용한 홈 형성 공정 등을 이용한 텍스처(texturring)가공공정을 포함할 수 있다.
상기 제1반도체층(220)을 형성하는 공정은 실리콘계, CuInSe2계, CdTe계 등의 미세결정 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 P층, I층, 및 N층을 순서대로 적층한 PIN구조로 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 제1투명도전층(230)을 형성하는 공정은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al 또는 Ag와 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 500 내지 10000Å의 두께범위로 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 제1금속전극층(240)을 형성하는 공정은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속을 스퍼터링법 또는 인쇄법 등을 이용하여 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
다음, 상기 기판(100)의 타면(120)이 위를 향하도록 기판(100)을 뒤집은 후, 상기 기판(100)의 타면(120)에 제2태양전지(300)를 형성하여, 도 4c와 같은 박막형 태양전지를 완성한다.
상기 제2태양전지(300)를 형성하는 공정은 상기 기판(100)의 타면(120)에 제2투명전극층(310)을 형성하는 공정, 상기 제2투명전극층(310) 상에 제2반도체층(320)을 형성하는 공정, 상기 제2반도체층(320) 상에 제2투명도전층(330)을 형성하는 공정, 및 상기 제2투명도전층(330) 상에 제2금속전극층(340)을 형성하는 공정 으로 이루어진다.
상기 제2투명전극층(310)을 형성하는 공정은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성하는 공정으로 이루어질 수 있으며,
상기 제2투명전극층(310)을 형성하는 공정은 그 표면을 요철구조로 형성하기 위해서 텍스처(texturring) 가공공정을 포함할 수 있다.
상기 제2반도체층(320)을 형성하는 공정은 실리콘계, CuInSe2계, CdTe계 등의 비정질 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 N층, I층, 및 P층을 순서대로 적층한 PIN구조로 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 제2투명도전층(330)을 형성하는 공정은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al 또는 Ag와 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 500 내지 10000Å 범위의 두께로 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 제2금속전극층(340)을 형성하는 공정은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속을 스퍼터링법 또는 인쇄법 등을 이용하여 박막을 형성한 후 식각공정을 통해 패터닝을 수행하는 공정으로 이루어질 수도 있고, 또는 스크린 인쇄법(screen printing), 잉크젯 인쇄법(inkjet printing), 그라비아 인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉 인쇄법(microcontact printing)과 같은 방법을 이용하여 소정의 패턴을 직접 형성하는 공정으로 이루어질 수도 있다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도로서, 각각의 층의 재료 및 형성공정 등은 전술한 도 4a 내지 도 4c에 따른 실시예와 동일하므로 그에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 일면(110) 및 상기 일면(110)과 반대방향의 타면(120)을 구비한 기판(100)을 준비한다.
다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100)의 일면(110)에 제1투명전극층(210)을 형성하고 상기 기판(100)의 타면(120)에 제2투명전극층(310)을 형성한다.
이 공정은, 상기 기판(100)의 일면(110)에 제1투명전극층(210)을 형성하고, 상기 기판(100)의 타면(120)이 위를 향하도록 기판(100)을 뒤집은 후, 상기 기판(100)의 타면(120)에 제2투명전극층(310)을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 상기 제1투명전극층(210) 상에 제1반도체층(220)을 형성하고, 상기 제1반도체층(220) 상에 제1투명도전층(230)을 형성하고, 상기 제1투명도전층(230) 상에 제1금속전극층(240)을 형성하여 제1태양전지(200)를 완성한다.
다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 상기 제2투명전극층(310) 상에 제2반도체층(320)을 형성하고, 상기 제2반도체층(320) 상에 제2투명도전층(330)을 형성하고, 상기 제2투명도전층(330) 상에 제2금속전극층(340)을 형성하여 제2태양전지(300)를 완성한다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도로서, 각각의 층의 재료 및 형성공정 등은 전술한 도 4a 내지 도 4c에 따른 실시예와 동일하므로 그에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
우선, 도 6a에서 알 수 있듯이, 일면(110) 및 상기 일면(110)과 반대방향의 타면(120)을 구비한 기판(100)을 준비한다.
다음, 도 6b에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100)의 일면(110)에 제1투명전극층(210)을 형성하고 상기 기판(100)의 타면(120)에 제2투명전극층(310)을 형성한다.
이 공정은, 상기 기판(100)의 일면(110)에 제1투명전극층(210)을 형성하고, 상기 기판(100)의 타면(120)이 위를 향하도록 기판(100)을 뒤집은 후, 상기 기판(100)의 타면(120)에 제2투명전극층(310)을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
다음, 도 6c에서 알 수 있듯이, 상기 제1투명전극층(210) 상에 제1반도체층(220)을 형성하고, 상기 제2투명전극층(310) 상에 제2반도체층(320)을 형성한다.
이 공정은, 상기 제1투명전극층(210) 상에 제1반도체층(220)을 형성하고, 상기 기판(100)의 타면(120)이 위를 향하도록 기판(100)을 뒤집은 후, 상기 제2투명전극층(310) 상에 제2반도체층(320)을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
다음, 도 6d에서 알 수 있듯이, 상기 제1반도체층(220) 상에 제1투명도전 층(230)을 형성하고, 상기 제2반도체층(320) 상에 제2투명도전층(330)을 형성한다.
이 공정은, 상기 제1반도체층(220) 상에 제1투명도전층(230)을 형성하고, 상기 기판(100)의 타면(120)이 위를 향하도록 기판(100)을 뒤집은 후, 상기 제2반도체층(320) 상에 제2투명도전층(330)을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
다음, 도 6e에서 알 수 있듯이, 상기 제1투명도전층(230) 상에 제1금속전극층(240)을 형성하고, 상기 제2투명도전층(330) 상에 제2금속전극층(340)을 형성하여, 제1태양전지(200) 및 제2태양전지(300)를 완성한다.
이 공정은, 상기 제1투명도전층(230) 상에 제1금속전극층(240)을 형성하고, 상기 기판(100)의 타면(120)이 위를 향하도록 기판(100)을 뒤집은 후, 상기 제2투명도전층(330) 상에 제2금속전극층(340)을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
도 1은 종래의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부에 대한 부호의 설명>
100: 기판 200: 제1태양전지
210: 제1투명전극층 220: 제1반도체층
230: 제1투명도전층 240: 제1금속전극층
300: 제2태양전지 310: 제2투명전극층
320: 제2반도체층 330: 제2투명도전층
340: 제2금속전극층

Claims (22)

  1. 상면 및 하면을 구비한 기판;
    상기 기판의 상면 위에 형성되며, 실리콘계 물질의 미세결정 반도체층을 포함하여 이루어진 제1태양전지; 및
    상기 기판의 하면 아래에 형성되며, 실리콘계 물질의 비정질 반도체층을 포함하여 이루어진 제2태양전지를 포함하여 이루어지며,
    상기 제1태양전지에서 흡수하는 광 파장영역은 상기 제2태양전지에서 흡수하는 광 파장영역과 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1태양전지는
    상기 기판의 상면 상에 형성된 제1투명전극층;
    상기 제1투명전극층 위에 형성된 제1반도체층;
    상기 제1반도체층 위에 형성된 제1투명도전층; 및
    상기 제1투명도전층 위에 형성된 제1금속전극층을 포함하여 이루어지며,
    상기 제1반도체층은 미세결정 반도체로 구성된 광흡수층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1투명전극층은 그 일면이 요철구조로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1투명전극층 및 제1투명도전층은 ZnO 또는 3족 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1반도체층은 미세결정의 P형 반도체층 및 미세결정의 N형 반도체층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1반도체층은 상기 제1투명전극층 위에 형성된 상기 P형 반도체층, 상기 P형 반도체층 위에 형성된 I형 반도체층, 상기 I형 반도체층 위에 형성된 N형 반도체층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2태양전지는
    상기 기판의 하면 상에 형성된 제2투명전극층;
    상기 제2투명전극층 아래에 형성된 제2반도체층;
    상기 제2반도체층 아래에 형성된 제2투명도전층; 및
    상기 제2투명도전층 아래에 형성된 제2금속전극층을 포함하여 이루어지며,
    상기 제2반도체층은 비정질 반도체로 구성된 광흡수층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는진 박막형 태양전지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2투명전극층은 그 일면이 요철구조로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2투명전극층 및 제2투명도전층은 ZnO 또는 3족 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제2반도체층은 비정질의 P형 반도체층 및 비정질의 N형 반도체층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2반도체층은 상기 제2투명전극층 아래에 형성된 상기 N형 반도체층, 상기 N형 반도체층 아래에 형성된 I형 반도체층, 상기 I형 반도체층 아래에 형성된 P형 반도체층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  12. 기판;
    상기 기판의 일면에 형성되며, 제1투명전극층, 미세결정질의 제1반도체층 및 제1금속전극층이 순차적으로 형성되어 이루어진 제1태양전지; 및
    상기 기판의 타면에 형성되며, 제2투명전극층, 비정질의 제2반도체층 및 제2금속전극층이 순차적으로 형성되어 이루어진 제2태양전지를 포함하여 이루어지며,
    상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층은 각각 실리콘계 물질의 P형 반도체층 및 실리콘계 물질의 N형 반도체층을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1투명전극층 및 제2투명전극층은 각각 ZnO 또는 3족 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  13. 삭제
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층은 각각 I형 반도체층을 포함하고,
    상기 제1반도체층의 I형 반도체층은 상기 제2반도체층의 I형 반도체층보다 결정화도가 높은 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층은 각각 I형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1반도체층은 상기 제1투명전극층의 일면에 형성된 P형 반도체층, 상기 P형 반도체층 상에 형성된 I형 반도체층, 상기 I형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층을 포함하여 이루어지고,
    상기 제2반도체층은 상기 제2투명전극층의 일면에 형성된 N형 반도체층, 상기 N형 반도체층 상에 형성된 I형 반도체층, 상기 I형 반도체층 상에 형성된 P형 반도체층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 제1투명전극층 및 제2투명전극층은 그 일면이 요철구조로 이루어지고,
    상기 제1반도체층 및 제1금속전극층 사이에 제1투명도전층이 추가로 형성되고, 상기 제2반도체층 및 제2금속전극층 사이에 제2투명도전층이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 제2금속전극층의 단면적이 상기 제1금속전극층 보다 작은 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  19. 일면 및 타면을 구비한 기판을 준비하는 공정;
    상기 기판의 일면에 제1투명전극층을 형성하는 공정;
    상기 제1투명전극층 상에 미세결정질의 제1반도체층을 형성하는 공정;
    상기 제1반도체층 상에 제1금속전극층을 형성하는 공정;
    상기 기판의 타면에 제2투명전극층을 형성하는 공정;
    상기 제2투명전극층 상에 비정질의 제2반도체층을 형성하는 공정; 및
    상기 제2반도체층 상에 제2금속전극층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층은 각각 실리콘계 물질의 P형 반도체층 및 실리콘계 물질의 N형 반도체층을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1투명전극층 및 제2투명전극층은 각각 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 ZnO 또는 3족 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO을 포함하는 도전물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1반도체층과 상기 제1금속전극층 사이에 제1투명도전층을 형성하는 공정 및 상기 제2반도체층과 상기 제2금속전극층 사이에 제2투명도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함하고,
    상기 제1투명전극층을 형성하는 공정 및 상기 제2투명전극층을 형성하는 공정은 전극층 표면에 대한 텍스처 가공공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1투명도전층 및 제2투명도전층은 각각 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 ZnO 또는 3족 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO을 포함하는 도전물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 제1반도체층을 형성하는 공정은 PIN구조의 미세결정 반도체층을 형성하는 공정으로 이루어지고, 상기 제2반도체층을 형성하는 공정은 PIN구조의 비정질반도체층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
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