KR101445041B1 - 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 210000002700 urine Anatomy 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- -1 Cu (In Chemical class 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 이러한 태양전지는 기판 상에 형성된 후면전극층과, 후면전극층 상에 형성되고 표면에 다수개의 철(凸)부위와 그 에 의해 형성되는 다수개의 요(凹)부위에 의해 제공되는 요철면을 가지는 광흡수층과, 광흡수층의 요철면에 p-n정션을 이루도록 배치되는 윈도우층과, 광흡수층과 윈도우층 사이에 개재되는 버퍼층을 포함한다. 광흡수층이 3차원 구조를 가지기 때문에 많은 전하전송자를 생성하게 되어 변환효율이 향상된다.
Description
본 발명은 박막형 화합물 태양전지 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 3차원 구조의 광흡수층을 가짐으로써 p-n 정션 영역이 대폭적으로 증가된 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
화석 에너지 고갈과 환경 문제로 인하여, 실질적으로 무한한 태양광을 이용할 뿐만 아니라 이산화탄소를 발생시키지 않는 태양전지에 대해 많은 연구개발이 이루어지고 있다. 특히, 최근에는 태양전지의 경제성을 높이기 위해 저가 고효율 태양전지에 연구가 집중되고 있다.
하지만, 현재 태양전지 시장의 주류를 이루고 있는 결정질 실리콘 태양전지는 200㎛ 내외 크기를 가지는 기판을 사용하기 때문에 생산 단가를 낮추는데 한계가 있으며, 특히 원소재로 이용되는 실리콘은 지속적인 대량 공급이 담보되지 못하는 실정이다.
이에 따라, 유리나 유연기판을 사용하거나, 실리콘을 대체하는 광흡수물질을 5㎛ 내외로 얇게 사용하는 박막형 태양전지 등이 새로운 대안으로 주목을 받고 있다. 최근 독일 신재생 에너지 연구소(ZSW)는 높은 광흡수계수와 화학적 안정성을 가지는 Cu(In,Ga)Se2(CIGS)등의 Se계 화합물 박막을 소재로 활용하여 20.3%라는 높은 변환 효율을 나타내는 태양전지를 발표한바 있고, 이는 향후 산업화 가능성이 높은 것으로 평가받고 있다.
그러나 비록 CIGS로 대표되는 박막형 화합물 태양전지가 높은 광전 변환 효율을 획득하고 있기는 하지만, 기존의 Si를 기반으로 하는 태양전지와 발전 단가 경쟁을 하기 위해서는 26% 이상의 광전 변환 효율을 확보하여야 할 것이다.
기존 문헌에 제시된 태양전지의 광전 변환 효율을 높이는 방법으로는 적층형 구조, 광흡수계수가 높은 새로운 흡수층의 개발, 밴드갭 에너지가 넓은 버퍼층과 투명전극물질의 개발 등이 있다. 그러나, 이와 같은 연구개발에도 불구하고 Si를 기반으로 하는 태양전지에 비해 여전히 광전 변환 효율이 미흡하다고 할 수 있다.
본 발명은 종래의 문제점을 감안한 것으로서, 3차원 구조의 p-n 정션 영역을 가지는 태양전지를 제공한다.
본 발명은 상술한 개선된 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 CZTS(Cu, Zn, Sn, 및 S 또는 Se)를 포함하는 태양전지를 제공하며, 이는: 광흡수층; 및 상기 광흡수층과 p-n 정션을 이루도록 배치된 윈도우층을 포함하고, 상기 광흡수층은 상기 p-n 정션의 계면이 다수개의 철(凸)부위를 가진다.
상기 광흡수층은 상기 다수개의 철부위에 의해 형성되는 다수개의 요(凹)부위를 가지게 되며, 요부위의 바닥면에는 후면전극층과 윈도우층이 직접 접촉되는 것을 방지하기 위하여 절연막이 배치될 수 있다.
다르게는, 광흡수층의 철부위에 의해 형성되는 다수개의 요부위 바닥면은 광흡수층과 동일한 물질로 이루어져서 후면전극층과 윈도우층의 직접 접촉을 방지할 수 있다.
본 발명은 또한 태양전지 제조방법을 제공하며, 이 방법은: (a) 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 후면전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계; (c) 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 버퍼층 상에 상기 광흡수층과 p-n 정션을 이루도록 윈도우층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 단계 (b)에서 상기 광흡수층이 다수개의 철부위를 가지도록 선택적으로 성장시킨다.
이는 상기 후면전극층의 표면을 노출시키는 다수개의 노출 구멍이 형성된 마스크를 상기 후면전극층 상에 위치시킨 후 상기 후면전극층 노출된 표면에 상기 광흡수층 물질을 증착하여 상기 다수개의 철부위를 형성한다. 이 경우, 절연막을 요부위의 바닥면에 형성하여 후면전극층과 윈도우층이 직접 접촉되는 것을 방지할 수 있다.
다르게는 후면전극층 전면에 광흡수층의 일부가 되는 하부 전구체층을 형성하고 나서, 하부 전구체층 상에 상술한 마스크를 이용하여 다수개의 철부위를 형성할 수 있다.
본 발명의 태양전지는 광흡수층이 3차원 구조를 가지기 때문에 p-n 정션 영역이 대폭적으로 확대될 수 있다. 그에 따라 기존의 평면적인 p-n 정션을 가지는 태양전지에 비해 상대적으로 많은 전하전송자를 생성하게 되고, 결과적으로 태양전지의 변환 효율이 향상된다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지의 주요 부위와 태양전지의 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 및 2b는 각각 본 발명에 따른 태양전지의 제1실시예와 제2실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 3f는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 제1실시예를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 4f는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 제2실시예를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 2a 및 2b는 각각 본 발명에 따른 태양전지의 제1실시예와 제2실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 3f는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 제1실시예를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 4f는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 제2실시예를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 개념을 설명하기 위해 도시한 도면이다. 도 1에서 우측은 본 발명에 따른 태양전지의 주요부분을 보여주는 도면이고, 좌측은 태양전지의 밴드 다이어그램을 나타낸다.
일반적으로 태양전지는 p형 반도체와 n형 반도체의 정션(접합)된 구조를 포함하는 간단한 소자라고 할 수 있다. 다른 유형의 반도체가 접합되면 도 1의 우측 도면에서와 같이 p형은 밴드가 위로 이동하고 n형은 밴드가 아래로 이동하여 결합하게 된다. 빛이 조사되면 p-n 정션 영역에서 전하나 전자(전하전송자)가 생성되어 양 극단으로 끌려가서 전기가 생성된다.
본 발명에 따른 태양전지는 도 1의 좌측도면에서 알 수 있는 바와 같이 3차원의 p-n 정션 구조를 포함한다. 이와 같은 3차원의 p-n 정션 구조는 기존의 평면 p-n 정션 구조에 비해 상대적으로 많은 전하전송자를 생성하게 되며, 그 결과 태양전지의 변환 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 태양전지를 개략적으로 도시한 단면도로서, 도 1a는 제1실시예이고, 도 2b는 제2실시예이다.
도 1, 도 2a, 및 도 2b에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명에 따른 태양전지는 p형 반도체인 광흡수층 및 그와 p-n 정션을 이루도록 배치된 n형 반도체인 윈도우층을 포함한다. 본 발명의 태양전지에서 이러한 광흡수층과 윈도우층은 p-n 정션의 계면이 요철면이다. 이는 광흡수층의 표면에 다수개의 철(凸)부위를 형성함으로써 구현될 수 있다. 이와 같이 광흡수층의 다수개의 철부위는 그 외 부위에 요(凹)부위를 형성하게 되고, 나아가 광흡수층과 p-n 정션을 이루는 윈도우층 역시 그와 대응하도록 요철면을 가지게 된다.
결과적으로 본 발명의 태양전지는 p-n 정션의 계면이 3차원 구조를 갖기 때문에 기존의 평면 계면보다 훨씬 확장된 p-n 정션의 영역을 가진다. 이는 빛에 의해 만들어지는 전하 전송자량을 늘려서 전지의 변환효율을 향상시키게 된다.
다시 도 1a를 참조하여 구체적으로 설명하면, 본 발명에 따른 태양전지의 제1실시예는 기판(11) 상에 형성된 후면전극층(12)과, 후면전극층(12) 상에 형성된 다수개의 철(凸)부위를 가지는 광흡수층(13)을 포함한다. 이러한 광흡수층(13)은 p형 반도체로서 바람직하게는 CZTS 기반으로 하는 물질로 형성된다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이 광흡수층(13)의 돌출된 철부위에 의해 그들 사이에는 오목한 요(凹)부위가 제공된다.
광흡수층(13) 상에는 버퍼층(15)이 형성되고, 그 위에 윈도우층(14)이 형성되어 광흡수층(13)과 p-n 정션을 이룬다. 버퍼층(15)과 윈도우층(14)의 일부분은 도시한 바와 같이 광흡수층(13) 요부위 내부에 배치되며, 적어도 광흡수층(13) 철부위의 측면과 상면에 p-n 정션 영역을 형성한다. 따라서, 본 발명에 따른 태양전지의 제1실시예는 확대된 p-n 정션 영역을 갖게 된다.
도 2a에 도시한 제1실시예의 경우에 후술되는 바와 같이 광흡수층(13)의 철부위가 후면전극층(12)에서 선택적으로 성장되기 때문에, 요부위의 바닥면에는 절연막(17)이 배치될 수 있다. 이러한 절연막(17)은 윈도우층(14)과 후면전극층(12)이 직접적으로 접촉하는 것을 방지한다. 절연막(17)은 예를 들어 Al2O3, TiN 등이 적용될 수 있다.
이제 도 2b를 참조하여, 본 발명에 따른 태양전지의 제2실시예는 상술한 제1실시예와 유사하지만, 광흡수층(23)의 철부위와 요부위가 제1실시예에 비해 높이(또는 깊이)가 작다. 이는 아래 제조방법에서 상세하게 설명되는 바와 같이 광흡수층(23)을 하부 광흡수층(23-1)을 먼저 형성한 후, 하부 광흡수층(23-1)에서 상부 광흡수층(23)인 철부위를 선택적으로 형성하기 때문에 철부위와 요부위의 높이(깊이)가 제1실시예보다 작다. 이는 결과적으로 제2실시예에서는 하부 광흡수층(23-1)에 의해서 윈도우층(24)과 후면전극층(22)이 직접적으로 접촉하는 것이 방지된다. 나아가, 제2실시예에서는 p-n정션 영역이 철부위의 측면과 상면뿐만 아니라, 요부위의 바닥면도 포함하게 된다.
제2실시예에서도 하부 광흡수층(23-1) 및 상부 광흡수층(23)에 CZTS 기반으로 하는 물질을 적용할 수 있다.
제1실시예 및 제2실시예서, 기판(11, 21)에는 예를 들어 유리 기판이 적용될 수 있고, 후면전극층(12, 22)으로는 예를 들어 Mo이 적용될 수 있다. 또한 제1실시예 및 제2실시예에서 버퍼층(15, 25)으로 예를 들어 CdS를 적용할 수 있다.
제1실시예 및 제2실시예에서, 윈도우층(14, 24)은 각각 하부 윈도우층(14-1, 24-1)과 상부 윈도우층(14-2, 24-2)로 이루어질 수 있다. 하부 윈도우층(14-1, 24-1)에는 예를 들어 인트린직 ZnO(i-ZnO)을 적용할 수 있고, 상부 윈도우층(14-2, 24-2)에는 Al이 도핑된 ZnO(AZO)를 적용할 수 있다.
제1실시예 및 제2실시예에서, 윈도우층(14, 24)에는 Al 전극(16)이 형성된다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 태양전지의 제1 및 제2실시예는 광흡수층(13)과 윈도우층(14)이 요철 결합 형태로 접합되기 때문에 3차원 구조의 p-n정션 영역이 형성되어 기존의 평면형 p-n 정션에 비해 영역이 대폭적으로 확대될 수 있다. 이에 따라 기존보다 훨씬 더 많은 전하전송자를 생성할 수 있고 결과적으로 태양전지의 변환 효율이 크게 향상된다.
또한 위에서 설명한 본 발명에 따른 태양전지의 제1실시예 및 제2실시예에서 철부위의 형태 및 철부위에 의해 형성되는 요부위의 형태에 특별한 제약이 있는 것이 아니다. 예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이, 철부위가 원통형이나 육각 기둥의 형태를 가질 수 있고, 요부위는 철부위에 의해서 상대적으로 오목해지는 부위를 칭한다고 할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양전지 제조방법을 설명한다. 도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제조방법의 제1실시예를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 제1실시예는, 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(11) 상에 후면전극층(12)을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서 기판(11)으로는 유리 기판이 이용될 수 있고, 후면전극층(12)은 Mo을 기판(11) 상에 대략 1,000nm로 증착하여 형성할 수 있다.
다음에, 도 3b에 도시한 바와 같이, 마스크(M)를 후면전극층(12)이 형성된 기판(11) 위에 위치시킨 후 광흡수층(13)을 후면전극층(12)에 선택적으로 성장시킨다.
마스크(M)는 도면에서 알 수 있는 바와 같이 후면전극층(12)의 상면을 부분적으로 노출시키는 홀 형태의 노출부(h)를 다수개 포함한다. 이와 같은 마스크(M)를 이용하여, 먼저 Cu-Zn-Sn-S가 포함되어 있는 전구체층(130)을 스퍼터링이나 PLD 등의 물리적 증착 방법을 이용하여 후면전극층(12)에 증착한다. 이와 같이, 후면전극층(12) 상에 바로 광흡수층(13)의 철부위를 형성하게 되면 요부위의 바닥면에 후면전극층(12)이 노출될 수 있다.
따라서 바람직하게 본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 제1실시예에서는, 도 3c에 도시한 바와 같이, 전구체층(130)의 요부위(b)에 절연막(17)을 형성한다. 절연막(17)을 요부위의 바닥면에 선택적으로 형성하기 위해, 광흡수층(13)의 형성에 이용된 마스크(M)를 그대로 이용할 수 있다. 예를 들어, 마스크(M)를 대략 90도 정도의 방향을 회전시켜서 요부위의 바닥면을 노출시킨 후 그 부위에 Al2O3나 TiN과 같은 절연체를 선택적으로 증착시킬 수 있다.
다음에 도 3d에 도시한 바와 같이, 마스크(M)를 제거한 후 황화 및 셀렌화 열처리를 수행함으로써 광흡수층(13)을 합성한다.
도 3e에 도시한 바와 같이, 광흡수층(13) 상에 버퍼층(15) 및 윈도우층(14)을 순차로 증착한다. 버퍼층(15)으로는 화학 수조 증착법으로 대략 50nm로 증착되는 CdS층을 적용할 수 있다. 윈도우층(14)은 하부 윈도우층(14-1)과 상부 윈도우층(14-2)을 순차로 적층하며, 하부 윈도우층(14-1)으로는 예를 들어 스퍼터링으로 i-ZnO, 상부 윈도우층(14-2)으로는 예를 들어 AZO를 적용할 수 있다.
이후, 도 3f에 도시한 바와 같이, 윈도우층(14) 상에 Al 전극(16)을 형성한다.
도 4a 내지 4f는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 제2실시예를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
제2실시예와 제1실시예가 다른 점은 광흡수층(23)의 요부위 바닥면에 후면전극층(22)이 노출되지 않도록 한다는 점이다. 이를 위해서 제2실시예에서는 광흡수층(23)은 후면전극층(22)의 전면에 하부 광흡수층(23-1)을 소정 두께로 형성한 후, 마스크(M)를 이용하여 하부 광흡수층(23-1) 상에 철부위로 이루어진 상부 광흡수층(23-2)을 형성한다.
도면을 참조하여 제2실시예를 구체적으로 설명하면, 도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(21) 상에 후면전극층(22)을 형성한다. 제1실시예와 마찬가지로 기판(21)으로는 유리 기판이 이용될 수 있고, 후면전극층(22)은 Mo을 기판(21) 상에 대략 1,000nm로 증착하여 형성할 수 있다.
이어서, 도 4b에 도시한 바와 같이, 후면전극층(22)의 전면에 광흡수층(23)의 일부가 될 하부 전구체층(230-1)을 증착한 후, 마스크(M)를 하부 전구체층(230-1)의 위에 위치시킨 후 철부위로 이루어지는 상부 전구체층(230-2)을 형성한다. 하부 전구체층(230-1)과 상부 전구체층(230-2)은 예를 들어 CZTS 기반으로 하는 물질로 형성할 수 있으며, 하부 전구체층(230-1)의 두께는 대략 광흡수층(23)의 절반 정도가 되도록 스퍼터링이나 PLD를 통해 증착한다.
이어, 도 4d에 도시한 바와 같이, 마스크(M)를 제거한 후 황화 및 셀렌화 열처리를 수행함으로써 광흡수층(23)을 합성한다. 여기서, 하부 전구체층(230-1)으로부터 형성되는 광흡수층(23) 부분이 후면전극층(22)과 윈도우층(24)이 직접 접촉되는 것을 방지한다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 광흡수층(23) 상에 버퍼층(25), 하부 윈도우층(24-1) 및 상부 윈도우층(24-2)을 순차로 적층한다.
여기서, 버퍼층(25)으로는 화학 수조 증착법으로 대략 50nm로 증착되는 CdS층을 적용할 수 있다. 또한 하부 윈도우층(14-1)과 상부 윈도우층(14-2)을 순차로 적층하여 윈도우층(24)을 완성하며, 하부 윈도우층(14-1)으로는 예를 들어 스퍼터링으로 i-ZnO, 상부 윈도우층(14-2)으로는 예를 들어 AZO를 적용할 수 있다.
이후, 도 4f에 도시한 바와 같이, 윈도우층(24) 상에 Al 전극(26)을 형성한다.
이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
11, 21: 기판 12, 22: 후면전극층
13, 23: 광흡수층 23-1: 하부 광흡수층
23-2: 상부 광흡수층 130: 전구체층
230-1: 하부 전구체층 230-2: 상부 전구체층
14, 24: 윈도우층 14-1, 24-1: 하부 윈도우층
14-2, 24-2: 상부 윈도우층 15, 25: 버퍼층
16, 26: Al 전극 17: 절연막
M: 마스크 h: 노출부
13, 23: 광흡수층 23-1: 하부 광흡수층
23-2: 상부 광흡수층 130: 전구체층
230-1: 하부 전구체층 230-2: 상부 전구체층
14, 24: 윈도우층 14-1, 24-1: 하부 윈도우층
14-2, 24-2: 상부 윈도우층 15, 25: 버퍼층
16, 26: Al 전극 17: 절연막
M: 마스크 h: 노출부
Claims (16)
- 태양전지로서:
광흡수층; 및
상기 광흡수층과 p-n 정션을 이루도록 배치된 윈도우층을 포함하고,
상기 광흡수층은 상기 p-n 정션의 계면이 다수개의 철(凸)부위를 가지는 것인,
태양전지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 광흡수층은 CZTS(Cu, Zn, Sn, 및 S 또는 Se) 기반으로 하는 물질로 형성된,
태양전지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 광흡수층은 상기 다수개의 철부위에 의해 형성되는 다수개의 요(凹)부위를 가지는 것인,
태양전지.
- 청구항 3에 있어서,
상기 광흡수층에 있어서, 상기 p-n 정션 계면의 반대면에 배치되는 후면전극층을 더 포함하고,
상기 광흡수층의 상기 다수개의 철부위는 상기 후면전극층에서 성장된 것인,
태양전지.
- 청구항 4에 있어서,
상기 광흡수층의 요부위의 바닥면에는 절연막이 배치되고,
상기 p-n 정션 계면의 영역은 적어도 상기 광흡수층 철부위의 측면과 상면을 포함하는 것인,
태양전지.
- 청구항 3에 있어서,
상기 광흡수층의 상기 요부위의 바닥면은 상기 철부위와 동일한 재질이어서,
상기 p-n 정션 계면의 영역은 상기 광흡수층 요부위의 바닥면을 포함하는 것인,
태양전지.
- 태양전지로서:
기판 상에 형성된 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 형성되고, 표면에 다수개의 철(凸)부위와 상기 다수개의 철부위에 의해 형성되는 다수개의 요(凹)부위에 의해 제공되는 요철면을 가지는 광흡수층;
상기 광흡수층의 상기 요철면에 p-n정션을 이루도록 배치되는 윈도우층과,
상기 광흡수층과 상기 윈도우층 사이에 개재되는 버퍼층을 포함하는,
태양전지.
- 청구항 7에 있어서,
상기 광흡수층은 CZTS 기반으로 하는 물질로 형성된 것인,
태양전지.
- 청구항 7에 있어서,
상기 버퍼층은 CdS인,
태양전지.
- 청구항 7에 있어서,
상기 윈도우층은 상기 버퍼층 상에 순차로 형성된 i-ZnO 및 Al이 도핑된 ZnO를 포함하는 것인,
태양전지.
- 청구항 7에 있어서,
상기 광흡수층의 상기 요부위의 바닥면에 있어서 상기 윈도우층 아래에는 절연막이 배치되어 상기 윈도우층과 상기 후면전극층 간의 접촉을 방지하는 것인,
태양전지.
- 태양전지 제조방법으로서:
(a) 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
(b) 상기 후면전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계;
(c) 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
(d) 상기 버퍼층 상에 상기 광흡수층과 p-n 정션을 이루도록 윈도우층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 단계 (b)에서 상기 광흡수층이 다수개의 철부위를 가지도록 선택적으로 성장시키는 것인,
태양전지 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 상기 단계 (b)는:
상기 후면전극층의 표면을 노출시키는 다수개의 노출 구멍이 형성된 마스크를 상기 후면전극층 상에 위치시킨 후 상기 후면전극층 노출된 표면에 상기 광흡수층 물질을 증착하여 상기 다수개의 철부위를 형성하는 것인,
태양전지 제조방법.
- 청구항 13에 있어서,
상기 후면전극층 표면에 형성된 상기 다수개의 철부위에 의해 다수개의 요부위가 형성되고,
상기 단계 (b)와 단계 (c) 사이에, 상기 요부위의 바닥면에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인,
태양전지 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 상기 단계 (b)는:
상기 후면전극층 전면에 상기 광흡수층의 일부가 될 하부 전구체층을 형성하는 과정과,
상기 하부 전구체층의 표면을 노출시키는 다수개의 노출구멍을 가지는 마스크를 상기 하부 전구체층 상에 위치시킨 후 상기 하부 전구체층 표면에 다수개의 철부위가 될 상부 전구체층을 형성하는 과정을 포함하는 것인,
태양전지 제조방법.
- 청구항 12 내지 15 중 어느 하나에 있어서,
상기 광흡수층은 CZTS 기반으로 하는 물질로 형성된 것인,
태양전지 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130102641A KR101445041B1 (ko) | 2013-08-28 | 2013-08-28 | 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130102641A KR101445041B1 (ko) | 2013-08-28 | 2013-08-28 | 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101445041B1 true KR101445041B1 (ko) | 2014-10-02 |
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ID=51995988
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020130102641A KR101445041B1 (ko) | 2013-08-28 | 2013-08-28 | 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101445041B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108649080A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-10-12 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005310388A (ja) | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Ebara Corp | 光電変換素子 |
| KR20100030137A (ko) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | 영남대학교 산학협력단 | 3차원 접합형 태양전지 및 그 제조방법 |
| KR20100122000A (ko) * | 2009-05-11 | 2010-11-19 | 한양대학교 산학협력단 | 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 |
| KR20120003732A (ko) * | 2010-07-05 | 2012-01-11 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
-
2013
- 2013-08-28 KR KR1020130102641A patent/KR101445041B1/ko active IP Right Grant
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