CN108649080A - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108649080A CN108649080A CN201810797103.3A CN201810797103A CN108649080A CN 108649080 A CN108649080 A CN 108649080A CN 201810797103 A CN201810797103 A CN 201810797103A CN 108649080 A CN108649080 A CN 108649080A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- layer
- back electrode
- electrode layer
- dimensional structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical group OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006727 cell loss Effects 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002508 compound effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ti+4].[In+3] BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，为提高太阳能电池的光电转换效率而设计。所述太阳能电池包括基层衬底；在所述基层衬底上且沿背离所述基层衬底方向层叠设置的背电极层、光吸收层、缓冲层和窗口层；其中，所述背电极层与所述光吸收层相接触的表面为三维结构。本发明提供的太阳能电池及其制备方法可提高太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
薄膜太阳能电池相比一般晶硅太阳能电池具有柔性好、发电量高，弱光性能和高温性能优异，以及轻量化等优点，已被广泛的应用。其中，CIS(铜铟锡)基薄膜太阳能电池的应用范围更广。
目前现有的CIS基薄膜太阳能电池的典型制备方法为：首先在基层衬底上通过磁控溅射工艺制备一层均匀的Mo薄膜作为背电极层；再在背电极层上通过共蒸发法或者溅射硒化法等工艺制备一层均匀的CIS基吸收层；在CIS基吸收层之上再依次用化学水浴法或溅射法制备缓冲层、用磁控溅射法制备n型层和TCO窗口层，最后制备栅线电极。
通过该方法制备的CIS基薄膜太阳能电池，光吸收量少和载流子复合多是影响该CIS基薄膜太阳能电池效率损失的主要来源，若通过增加CIS基吸收层的厚度提高光吸收量，造成的结果是不仅提高了制造成本，还导致载流子复合增加，这样与减少载流子复合相悖；若通过减小CIS基吸收层的厚度减少载流子复合，但是又将降低光吸收量，所以研发一种既能提高光吸收量，又可减小载流子复合的太阳能电池是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种太阳能电池及其制备方法，主要目的是提高光吸收层的光吸收量、减少光吸收层内的载流子复合，以提高太阳能电池的性能。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种太阳能电池，包括：
基层衬底；和
在所述基层衬底上且沿背离所述基层衬底方向层叠设置的背电极层、光吸收层、缓冲层和窗口层；
其中，所述背电极层与所述光吸收层相接触的表面为三维结构。
本发明实施例提供的太阳能电池通过背电极层与光吸收层之间设置的三维结构接触面，不仅增强了背电极层与光吸收层界面的光反射和光散射，增大了光吸收层的光吸收量，从而在不增加光吸收层厚度的前提下，提高光电效率，且可以使光生载流子能够在三维结构接触面上被背电极层有效收集，减少光吸收层内的光生载流子复合，进而提高光生载流子收集效率，提高太阳能电池的性能。
可选的，所述背电极层与所述光吸收层相接触的表面上具有凸出部和/或凹陷部，所述凸出部和/或凹陷部形成所述三维结构。
进一步的，所述凸出部的高度为10nm～500nm。
可选的，所述凹陷部的深度为10nm～500nm。
可选的，所述凸出部包括多个条状结构和/或多个点状结构。
可选的，所述凹陷部包括多个条状结构和/或多个点状结构。
进一步的，相邻两个所述条状结构之间的间距为10nm～1000nm。
可选的，多个所述点状结构分成多个点状结构组，每个所述点状结构组由位于同一条直线上的点状结构组成，且相邻两个所述点状结构组之间的间距为10nm～1000nm。
本发明另一方面还提供了一种太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括：
提供基层衬底；
在所述基层衬底上沉积所述背电极层；
在所述背电极层背离所述基层衬底的一侧的表面上制备所述三维结构；
在具有三维结构的所述背电极层上制备所述光吸收层，所述光吸收层嵌入在具有所述三维结构的所述背电极层上形成陷光结构；
在光吸收层上制备缓冲层和窗口层，以制得太阳能电池。
本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法，该制备方法在完成背电极层的沉积后在背电极层的表面制备三维结构，以使光吸收层与背电极层之间的界面为三维结构界面，通过形成的三维结构界面增强了光吸收层的光吸收量和减少了光吸收层内的光生载流子复合。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种三维结构接触面的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种三维结构接触面的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种三维结构接触面的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种三维结构接触面的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种太阳能电池的制备方法的流程框图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例太阳能电池及其制备方法进行详细描述。
在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内段的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本发明实施例提供了一种太阳能电池，参照图1至图5，所述太阳能电池包括：基层衬底1，在所述基层衬底1上且沿背离所述基层衬底1方向层叠设置的背电极层2、光吸收层3、缓冲层4和窗口层5，其中，所述背电极层2与所述光吸收层3相接触的表面为三维结构201。
具体的，由于背电极层2与所述光吸收层3相接触的表面为三维结构201，这样使光吸收层3沉积在所述三维结构201上时就可形成陷光结构，通过陷光结构能够增强背电极层2和光吸收层3界面的光反射、散射和折射，相比二维结构的接触面能够有效增加光的吸收量，达到在不增加光吸收层厚度的前提下，有效提高光吸收量，提高太阳能电池的光电效率的效果，此外，相比于增加光吸收层3的厚度，本发明设置三维结构201的方法还降低了制造成本。同时，由于三维结构的存在，使光吸收层3内产生的光生载流子在被背电极层2收集时，能够缩短光生载流子的路径，减少光生载流子在光吸收层3内复合的几率，进而提高背电极层2对光生载流子的收集效率，改善太阳能电池的性能。
示例的，所述背电极层2与所述光吸收层3相接触的表面上具有凸出部和/或凹陷部，所述凸出部和/或凹陷部形成三维结构201。具体的，三维结构可以是由凸出部形成，也可以是由凹陷部形成，也可以是由凸出部和凹陷部组合形成。
当所述三维结构包括所述凸出部的情况下，所述凸出部的高度为10nm～500nm，当所述三维结构包括所述凹陷部的情况下，所述凹陷部的深度为10nm～500nm。采用高度为10nm～500nm的凸出部、深度为10nm～500nm的凹陷部，能够使光吸收量和光生载流子的收集效率达到最优；若尺寸过大，会减少光吸收层的厚度，则相比于三维结构增加的光吸收量，关吸收层厚度减少所降低的光吸收量更大，进而影响整个太阳能电池的光电效率；若尺寸较小，又不能有效起到增加光吸收量的效果，以及提高光生载流子收集效率的效果。优选的，所述凸出部的高度为100nm～300nm，所述凹陷部的深度为100nm～300nm。
具体的，所述凸出部具有各式各样的结构，示例的，所述凸出部包括多个条状结构和/或多个点状结构，其中，凸出部可以是由多个条状结构组成(参照图2)，也可以是由多个点状结构组成(参照图3)，也可以是由多个条状结构和多个点状结构以间隔布设或者其他布设方式组成。
示例的，所述条状结构的截面形状具有多种，例如：矩形、梯形、三角形、半圆形、扇形或者弧形，所述条状结构可以是上述各种形状中的一种，也可以是多种进行组合，具体不进行限定。
示例的，所述点状结构也具有多种，例如：柱体、梯形立方体、锥形立方体或者半球形，同样，点状结构可以是上述形状中的一种，也可以是多种进行组合，具体不进行限定。
具体实施时，多个所述条状结构形成三维结构，或多个点状结构形成三维结构时，为了能够实现更好的陷光和降低光生载流子复合的效果，相邻两个所述条状结构之间的间距为10nm～1000nm，可选的，相邻两个所述条状结构之间的间距为100nm～800nm，进一步可选的，每相邻两个所述条状结构之间的间距相等，多个所述点状结构分成多个点状结构组，每个所述点状结构组由位于同一条直线上的点状结构组成，且相邻两个所述点状结构组的间距为10nm～1000nm，可选的，相邻两个所述点状结构组的间距为100nm～800nm，且每个所述点状结构组中相邻两个点状结构之间的间距也为10nm～1000nm，可选的，相邻两个点状结构之间的间距也为100nm～800nm，相邻两个所述点状结构组之间的间距可以与每个点状结构组中相邻两个点状结构之间的间距相等或者不等均可，进一步可选的，至少部分所述点状结构组中每相邻两个所述点状结构的间距相等或每一个所述点状结构组中每相邻两个所述点状结构的间距相等，这样设计也便于制备上述条状结构或点状结构，使所述条状结构或点状结构具有周期性的布设，但是，所述条状结构或点状结构也可以无规律的进行布设。
所述凹陷部也具有各式各样的结构，示例的，所述凹陷部也可以包括多个条状结构和/或多个点状结构，其中，凹陷部可以是由多个条状结构组成(参照图4)，也可以是由多个点状结构组成(参照图5)，也可以是由多个条状结构和多个点状结构以间隔布设或者其他布设方式组成。
示例的，所述条状结构的截面形状具有多种，例如：矩形、梯形、三角形、半圆形、扇形或者弧形，所述条状结构可以是上述各种形状中的一种，也可以是多种进行组合，具体不进行限定。
示例的，所述点状结构也具有多种，例如：柱体、梯形立方体、锥形立方体或者半球形，同样，点状结构可以是上述形状中的一种，也可以是多种进行组合，具体不进行限定。
具体实施时，多个所述条状结构形成三维结构，或多个点状结构形成三维结构时，相邻两个所述条状结构之间的间距为10nm～1000nm，可选的，相邻两个所述条状结构之间的间距为100nm～800nm，进一步可选的，每相邻两个所述条状结构之间的间距相等，多个所述点状结构分成多个点状结构组，每个所述点状结构组由位于同一条直线上的点状结构组成，且相邻两个所述点状结构组的间距为10nm～1000nm，可选的，相邻两个所述点状结构组的间距为100nm～800nm，且每个所述点状结构组中相邻两个点状结构之间的间距也为10nm～1000nm，可选的，相邻两个点状结构之间的间距也为100nm～800nm，相邻两个所述点状结构组之间的间距可以与每个点状结构组中相邻两个点状结构之间的间距相等或者不等均可，进一步可选的，至少部分所述点状结构组中每相邻两个所述点状结构的间距相等或每一个所述点状结构组中每相邻两个所述点状结构的间距相等，这样设计也便于制备上述条状结构或点状结构，使所述条状结构或点状结构具有周期性的布设，但是，所述条状结构或点状结构也可以无规律的进行布设。
所述三维结构的组分和背电极层的组分可以是相同的，例如：采用钼或者其他金属材料。
具体的，所述太阳能电池可以为CIS基薄膜太阳能电池、碲化镉电池、砷化镓电池或非晶硅薄膜太阳能电池。
本发明实施例还提供了一种用于制备所述太阳能电池的制备方法：参照图6，所述制备方法包括：
S1：提供基层衬底。其中，所述基层衬底可以为不锈钢衬底。
S2：在所述基层衬底上沉积所述背电极层。
通过物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)中的其中一种进行沉积，可以采用磁控溅射法沉积、低压化学气相沉积(LPCVD)、常压化学气相沉积(APCVD)或反应等离子体沉积(RPD)中的一种进行沉积，其中，磁控溅射法沉积是较常用的沉积方法。
其中，所述背电极层为Mo背电极层，也可以采用其他金属作为背电极层的材料。
S3：在所述背电极层背离所述基层衬底的一侧的表面上制备所述三维结构，其中，所述三维结构的组分与所述背电极层的组分可以相同。
在具体制备所述三维结构时，可采用多种方法制备三维结构，具体如下所述：
一种：采用光学光刻工艺在所述背电极层上刻印所述三维结构，所述光学光刻工艺具体为电子光刻、原子光刻、极紫外光刻或X射线光刻。
另一种：采用纳米压印工艺或软刻印工艺在所述背电极层上压印所述三维结构。
另一种：采用扫描探针工艺在所述背电极层上压印所述三维结构。
优选的，采用原子光刻和纳米压印工艺实现三维结构的制备。
S4：在具有三维结构的所述背电极层上制备所述光吸收层，所述光吸收层嵌入在具有所述三维结构的所述背电极层上形成陷光结构。
具体的采用共蒸发法或溅射法制备所述光吸收层，一般所述光吸收层为CIS基光吸收层，光吸收层制得后所述光吸收层在三维结构上就形成了陷光结构，陷光结构所达到的技术效果上述已经详细描述，在此不再赘述。
S5：在光吸收层上依次制备缓冲层和窗口层，以制得太阳能电池。
具体的，首次采用化学浴沉积方法在光吸收层上制备缓冲层，一般所述缓冲层为硫化镉缓冲层，再采用磁控溅射法在所述缓冲层上制备窗口层，所述窗口层的材料可以是氧化铟、氧化铟锡、掺钛氧化铟、氧化钨、掺硼氧化锌或掺铝氧化锌中的其中一种。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基层衬底；和
在所述基层衬底上且沿背离所述基层衬底方向层叠设置的背电极层、光吸收层、缓冲层和窗口层；
其中，所述背电极层的与所述光吸收层相接触的表面为三维结构。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述背电极层与所述光吸收层相接触的表面上具有凸出部和/或凹陷部，所述凸出部和/或凹陷部形成所述三维结构。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述凸出部的高度为10nm～500nm。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹陷部的深度为10nm～500nm。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述凸出部包括多个条状结构和/或多个点状结构。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹陷部包括多个条状结构和/或多个点状结构。
7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池，其特征在于，相邻两个所述条状结构之间的间距为10nm～1000nm。
8.根据权利要求5或6所述的太阳能电池，其特征在于，多个所述点状结构分成多个点状结构组，每个所述点状结构组由位于同一条直线上的点状结构组成，且相邻两个所述点状结构组之间的间距为10nm～1000nm。
9.权利要求1～8任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供基层衬底；
在所述基层衬底上沉积所述背电极层；
在所述背电极层背离所述基层衬底的一侧的表面上制备所述三维结构；
在具有三维结构的所述背电极层上制备所述光吸收层，所述光吸收层嵌入在具有所述三维结构的所述背电极层上形成陷光结构；
在光吸收层上依次制备缓冲层和窗口层，以制得太阳能电池。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述背电极层背离所述基层衬底的一侧的表面上制备所述三维结构的步骤包括：采用光学光刻工艺在所述背电极层上刻印所述三维结构。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述光学光刻工艺包括电子光刻、原子光刻、极紫外光刻或X射线光刻中的一种。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述背电极层背离所述基层衬底的一侧的表面上制备所述三维结构的步骤包括：采用纳米压印工艺或软刻印技术在所述背电极层上压印所述三维结构。
13.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述背电极层背离所述基层衬底的一侧的表面上制备所述三维结构的步骤包括：采用扫描探针工艺在所述背电极层上压印所述三维结构。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810797103.3A CN108649080A (zh) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
| PCT/CN2018/107723 WO2020015169A1 (zh) | 2018-07-19 | 2018-09-26 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810797103.3A CN108649080A (zh) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108649080A true CN108649080A (zh) | 2018-10-12 |
Family
ID=63759784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810797103.3A Pending CN108649080A (zh) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108649080A (zh) |
| WO (1) | WO2020015169A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114759101A (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-15 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种热载流子太阳能电池及光伏组件 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021479A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Omron Corp | Ｃｉｓ系太陽電池及びその製造方法 |
| US20090194150A1 (en) * | 2006-01-30 | 2009-08-06 | Satoshi Aoki | Solar cell and method for fabricating the same |
| KR20100066928A (ko) * | 2008-12-10 | 2010-06-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR20110092023A (ko) * | 2010-02-08 | 2011-08-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR20120026926A (ko) * | 2010-09-10 | 2012-03-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
| TW201306340A (zh) * | 2011-07-21 | 2013-02-01 | Nat Univ Tsing Hua | 具圖案化電極的有機太陽能電池 |
| WO2013019029A1 (en) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
| WO2013141644A1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 한국에너지기술연구원 | 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 |
| CN103477443A (zh) * | 2011-01-26 | 2013-12-25 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
| KR101445041B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2014-10-02 | 전남대학교산학협력단 | 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 |
| CN207124198U (zh) * | 2017-08-11 | 2018-03-20 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 柔性薄膜电池 |
| CN208622740U (zh) * | 2018-07-19 | 2019-03-19 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池 |
-
2018
- 2018-07-19 CN CN201810797103.3A patent/CN108649080A/zh active Pending
- 2018-09-26 WO PCT/CN2018/107723 patent/WO2020015169A1/zh active Application Filing
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090194150A1 (en) * | 2006-01-30 | 2009-08-06 | Satoshi Aoki | Solar cell and method for fabricating the same |
| JP2009021479A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Omron Corp | Ｃｉｓ系太陽電池及びその製造方法 |
| KR20100066928A (ko) * | 2008-12-10 | 2010-06-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR20110092023A (ko) * | 2010-02-08 | 2011-08-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR20120026926A (ko) * | 2010-09-10 | 2012-03-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
| CN103477443A (zh) * | 2011-01-26 | 2013-12-25 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
| TW201306340A (zh) * | 2011-07-21 | 2013-02-01 | Nat Univ Tsing Hua | 具圖案化電極的有機太陽能電池 |
| WO2013019029A1 (en) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
| WO2013141644A1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 한국에너지기술연구원 | 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 |
| KR101445041B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2014-10-02 | 전남대학교산학협력단 | 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 |
| CN207124198U (zh) * | 2017-08-11 | 2018-03-20 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 柔性薄膜电池 |
| CN208622740U (zh) * | 2018-07-19 | 2019-03-19 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114759101A (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-15 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种热载流子太阳能电池及光伏组件 |
| CN114759101B (zh) * | 2020-12-29 | 2023-08-01 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种热载流子太阳能电池及光伏组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020015169A1 (zh) | 2020-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103189997B (zh) | 太阳能电池装置及其制造方法 | |
| JP5663030B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| US20140090706A1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| US9941424B2 (en) | Solar cell | |
| TW201030994A (en) | Two sided light absorbing type solar cell | |
| EP2538454A1 (en) | Device for generating solar power and method for manufacturing same | |
| CN106024937A (zh) | 一种cigs基薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| US20100258188A1 (en) | Thin Film Type Solar Cell and Method for Manufacturing the Same | |
| US9818902B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| CN103069575B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| US20140326290A1 (en) | Solar cell and solar cell module | |
| CN208622740U (zh) | 一种太阳能电池 | |
| CN108649080A (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103907199B (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| Khokhar et al. | ITO: Zr bi-layers deposited by reactive O2 and Ar plasma with high work function for silicon heterojunction solar cells | |
| CN208767309U (zh) | 一种太阳能电池 | |
| US9178084B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| CN105723522B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| US20100139757A1 (en) | Photovoltaic cell structure | |
| JP2005002387A (ja) | テクスチャー構造を有する導電性薄膜の形成方法 | |
| US20110247692A1 (en) | Thin Film Type Solar Cell and Method for Manufacturing the Same | |
| JP2014504038A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| CN102386244A (zh) | 一种CdTe电池过渡层及其制备方法及CdTe电池 | |
| JP5947315B2 (ja) | 太陽電池 | |
| TW201101503A (en) | Transparent thin-film solar cell |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100076 6015, 6th floor, building 8, 9 Yingshun Road, Yinghai Town, Daxing District, Beijing Applicant after: Beijing Dingrong Photovoltaic Technology Co.,Ltd. Address before: 3001, room 6, building No. 7, Rongchang East Street, Beijing economic and Technological Development Zone, Beijing, Daxing District 100176, China Applicant before: BEIJING APOLLO DING RONG SOLAR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20210428 Address after: 518000 Guangdong city of Shenzhen province Qianhai Shenzhen Hong Kong cooperation zone before Bay Road No. 1 building 201 room A (located in Shenzhen Qianhai business secretary Co. Ltd.) Applicant after: Hongyi Technology Co.,Ltd. Address before: 100076 6015, 6th floor, building 8, 9 Yingshun Road, Yinghai Town, Daxing District, Beijing Applicant before: Beijing Dingrong Photovoltaic Technology Co.,Ltd. |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20181012 |