KR20110128616A - 텐덤형 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양전지가 제공된단. 태양전지는 다수의 태양전지 셀, 및 각 태양전지 셀을 구분하는 다수의 셀 분리부를 포함하되, 각 태양전지 셀은, 기판 상에 형성된 투명전극층과, 투명전극층 상에 형성된 제1 광전변환층과, 제1 광전변환층 상에 형성되되 제1 및 제2 분리부가 형성된 중간층과, 중간층 상에 형성된 제2 광전변환층과, 제2 광전변환층 상에 형성된 후면전극층을 포함하고, 셀 분리부는 제2 분리부 안에 형성된다.

Description

텐덤형 태양전지 및 그 제조방법{Tandem solar cell and method for fabricating the same}
본 발명은 태양전지에 관한 것이다.
태양전지(Solar Cell 또는 Photovoltaic Cell)는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 예를 들어 반도체의 p-n접합으로 만들어질 수 있다. 이러한 p-n 접합 태양전지는 반도체의 밴드갭 에너지(Band-gap Energy; Eg)보다 큰 에너지를 가진 태양빛이 입사되면 그 내부에서 전자-정공 쌍이 생성되는 원리를 이용하고 있다. 즉, p-n 접합 태양전지는 태양빛에 의해 전자-정공 쌍이 생성되면, 이들 전자-정공이 p-n 접합부에 형성된 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 모이게 됨에 따라 p-n 접합부 간에 발생되는 기전력을 이용하는 것이다.
한편, 이러한 태양전지는 효율 향상을 위해 그 내부구조에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다. 제1 광전변환층과 제2 광전변환층 사이에 중간층(interlayer)를 형성한 구조 역시 이러한 태양전지의 효율 향상을 위해 연구된 구조인데, 이 구조의 경우 분리부 형성시 하부 투명전극층의 잔류물이 중간층과 연결되어 전류 누설이 발생되는 문제점이 존재한다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 누설 전류가 저감된 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 누설 전류가 저감된 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 태양전지의 일 태양(aspect)은, 다수의 태양전지 셀, 및 각 태양전지 셀을 구분하는 다수의 셀 분리부를 포함하되, 각 태양전지 셀은, 기판 상에 형성된 투명전극층과, 투명전극층 상에 형성된 제1 광전변환층과, 제1 광전변환층 상에 형성되되 제1 및 제2 분리부가 형성된 중간층과, 중간층 상에 형성된 제2 광전변환층과, 제2 광전변환층 상에 형성된 후면전극층을 포함하고, 셀 분리부는 제2 분리부 안에 형성된다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 태양전지의 제조방법의 일 태양은, 기판 상에 투명전극층을 형성하고, 투명전극층 상에 제1 광전변환층을 형성하고, 제1 광전변환층 상에 중간층을 형성하고, 중간층을 패터닝하여 제1 및 제2 분리부를 형성하고, 중간층 상에 제2 광전변환층을 형성하고, 제1 및 제2 광전변환층을 패터닝하여 제3 분리부를 형성하고, 제2 광전변환층 상에 후면전극층을 형성하고, 제1 및 제2 광전변환층 및 후면전극층을 패터닝하여 제2 분리부 안에 셀 분리부를 형성하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지의 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 3 내지 도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 중간단계 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 태양전지 다수의 태양전지 셀(100) 및 각 태양전지 셀(100)을 구분하는 다수의 셀 분리부(65)를 포함할 수 있다.
각 태양전지 셀(100)은 기판(10), 투명전극층(20), 제1 광전변환층(30), 중간층(40), 제2 광전변환층(50), 및 후면전극층(60)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 태양전지의 베이스로써, 일반적으로 절연성이 있는 유리가 사용될 수 있고, 특히 소다회(sodalime) 유리가 사용될 수도 있다. 그 밖에 기판(10)은 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등의 재질이 사용될 수 있다.
기판(10) 상에는 투명전극층(20)이 형성될 수 있다. 투명전극층(20)은 태양전지에서 생성된 전하가 태양전지 외부로 흐르도록 하는 역할을 할 수 있으므로, 투명하고 접촉저항이 작은 도전성이 있는 재질(TCO; Transparent Conductive Oxide)로 이루어 질 수 있다. 이러한 도전성 재질로는 예를 들어, SnO2, ZnO, ITO, BZO등이 있을 수 있다.
한편, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지 셀(100)의 투명전극층(20)은 도 1에 도시된 바와 같이 제4 분리부(25)를 포함할 수 있다. 이러한 제4 분리부(25)에는 향후 설명할 제1 광전변환층(30)이 채워질 수 있다.
투명전극층(20) 상에는 제1 광전변환층(30)이 형성될 수 있다. 이러한 제1 광전변환층(30)은 예를 들어, 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어진 광전변환층일 수 있다. 또한, 제1 광전변환층(30)은 도 1에 도시하지는 않았으나 제1 도전형의 반도체층, 비정질 실리콘층, 제2 도전형의 반도체층이 순차적으로 적층된 구조로 이루어질 수도 있다. 하지만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 광전변환층(30)은 비정질 실리콘으로 이루어진 다양한 구조로 형성될 수 있다. 한편, 제1 광전변환층(30)은 앞서 설명한 바와 같이 투명전극층(20)에 형성된 제4 분리부(25)를 채우면서 형성될 수 있다.
제1 광전변환층(30) 상에는 중간층(interlayer)(40)이 형성될 수 있다. 중간층(40)은 광투과성 및 광반사성을 가지는 재질로 이루어질 수 있다. 이러한 재질로는 예를 들어, SnO2, ZnO, ITO, BZO등이 있을 수 있다.
중간층(40)에는 도 1에 도시된 바와 같이 제1 분리부(45)와 제2 분리부(47)가 형성될 수 있다. 이러한 제1 분리부(45)는 향후 설명할 제3 분리부(55)와 오버랩(overlap)되어 형성될 수 있고, 제2 분리부(47)는 셀 분리부(65)와 오버랩되어 형성될 수 있다. 이에 대해서는 향후 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
중간층(40) 상에는 제2 광전변환층(50)이 형성될 수 있다. 이러한 제2 광전변환층(50)은 도 1에 도시된 바와 같이 중간층(40)의 제1 분리부(45) 및 제2 분리부(47)의 적어도 일부를 채우면서 형성될 수 있다. 한편, 제2 광전변환층(50)은 에를 들어, 결정질 실리콘(crystalized Si)으로 이루어진 광전변환층일 수 있다. 이러한 제2 광전변환층(50)은 도 1에 도시하지는 않았으나 제1 도전형의 반도체층, 결정질 실리콘층, 제2 도전형의 반도체층이 순차적으로 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 하지만, 역시 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 광전변환층(50)은 결정질 실리콘으로 이루어진 다양한 구조로 형성될 수 있다.
제2 광전변환층(50) 상에는 후면전극층(60)이 형성될 수 있다. 이러한 후면전극층(60)은 전극층의 기능외에 광반사층의 기능을 가질 수도 있다. 이러한 후면전극층(60)은 예를 들어, Ag, Al등의 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 후면전극층(60)은 도 1에 도시된 바와 같이 제3 분리부(55)를 채우면서 형성될 수 있다.
이제 도 2를 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지의 분리부(45, 47, 55, 65) 구조에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 2를 참조하면, 제1 광전변환층(30) 및 제2 광전변환층(50)에 형성된 제3 분리부(55)는 중간층(40)에 형성된 제1 분리부(45)안에 형성될 수 있다. 즉, 제3 분리부(55)는 제1 분리부(45)와 오버랩되도록 형성되되, 제3 분리부(55)의 폭(W3)이 제1 분리부(45)의 폭(W1)보다 작게 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 제3 분리부(55)는 도 2에 도시된 바와 같이 제1 분리부(45)의 한 측벽으로부터 제3 분리부(55)의 한 측벽까지의 거리(L1)와 제1 분리부(45)의 다른 측벽으로부터 제3 분리부(55)의 다른 측벽까지의 거리(L2)가 서로 동일하도록 제1 분리부(45) 안에 형성될 수 있다.
한편, 투명전극층(20), 제1 광전변환층(30), 제2 광전변환층(50), 및 후면전극층(60)에 형성된 셀 분리부(65)는 중간층(40)에 형성된 제2 분리부(47)안에 형성될 수 있다. 즉, 셀 분리부(65)는 제2 분리부(47)와 오버랩되도록 형성되되, 셀 분리부(65)의 폭(W4)이 제2 분리부(47)의 폭(W2)보다 작게 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 셀 분리부(65)는 도 2에 도시된 바와 같이 제2 분리부(47)의 한 측벽으로부터 셀 분리부(65)의 한 측벽까지의 거리(L3)와 제2 분리부(47)의 다른 측벽으로부터 셀 분리부(65)의 다른 측벽까지의 거리(L4)가 서로 동일하도록 제2 분리부(47) 안에 형성될 수 있다.
이처럼 도 2에는 제1 분리부(45)의 한 측벽으로부터 제3 분리부(55)의 한 측벽까지의 거리(L1)와 제1 분리부(45)의 다른 측벽으로부터 제3 분리부(55)의 다른 측벽까지의 거리(L2)가 서로 동일한 것과, 제2 분리부(47)의 한 측벽으로부터 셀 분리부(65)의 한 측벽까지의 거리(L3)와 제2 분리부(47)의 다른 측벽으로부터 셀 분리부(65)의 다른 측벽까지의 거리(L4)가 서로 동일한 것이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 태양전지의 경우, 거리(L1)과 거리(L2)는 비록 다르지만 제3 분리부(55)가 제1 분리부(45) 안에 형성될 수 있고, 거리(L3)과 거리(L4)는 비록 다르지만 셀 분리부(65)가 제2 분리부(47) 안에 형성될 수 있다.
이처럼, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지의 경우, 셀 분리부(65)가 제2 분리부(47) 안에 형성되고, 제3 분리부(55)가 제1 분리부(45) 안에 형성될 수 있다. 따라서, 셀 분리부(65)나 제3 분리부(55) 형성과정에서 투명전극층(20)의 잔류물이 증발되어도 중간층(40)과 연결될 가능성이 없기 때문에, 중간층(40)과 투명전극층(20)이 연결(shunt)될 경우 발생할 수 있는 누설 전류를 방지할 수 있다.
다음 도 3 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법에 대해 설명한다.
도 3 내지 도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 중간단계 도면들이다. 이하에서는 앞서 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 태양전지를 설명하면서 이미 설명한 구성요소에 대한 중복된 설명(예를 들어, 각 구성요소의 재질, 구조 등에 대한 설명)은 생략하도록 한다.
먼저 도 3을 참조하면, 기판(10) 상에 투명전극층(20)을 형성한다. 이 때 투명전극층(20)은 예를 들어, 저압화학기상증착(LPCVD) 공정을 이용하여 기판(10) 상에 증착될 수 있다. 이러한 투명전극층(20)은 1 내지 2㎛의 두께로 형성될 수 있다.
다음 도 4를 참조하면, 투명전극층(20)을 패터닝(patterning)하여 제4 분리부(25)를 형성할 수 있다. 이러한 제4 분리부(25)는 투명전극층(20)의 일면에 패터닝광(예를 들어, 레이저광)을 조사하여 형성할 수 있으며, 제4 분리부(25)의 폭은 예를 들어 50 내지 150㎛일 수 있다.
다음 도 5를 참조하면, 투명전극층(20) 상에 제1 광전변환층(30)을 형성할 수 있다. 이 때, 제1 광전변환층(30)은 예를 들어, 화학기상증착(CVD) 공정을 이용하여 투명전극층(20) 상에 증착될 수 있다. 한편, 제1 광전변환층(30)은 도 5에 도시된 바와 같이 투명전극층(20)에 형성된 제4 분리부(25)를 채우면서 형성될 수 있다.
다음 도 6을 참조하면, 제1 광전변환층(30) 상에 중간층(40)을 형성할 수 있다. 이러한 중간층(40)은 예를 들어, 저압화학기상증착 공정을 이용하여 제1 광전변환층(30) 상에 250 내지 500Å의 두께로 증착될 수 있다.
다음 도 7을 참조하면, 중간층(40)을 패터닝하여 제1 분리부(45) 및 제2 분리부(47)를 형성할 수 있다. 이 때, 제1 분리부(45) 및 제2 분리부(47)는 중간층(40)의 양면 중 투명전극층(20) 및 제1 광전변환층(30)이 미형성된 면에 패터닝광을 조사하여 형성될 수 있다. 즉, 도 7의 경우 Y방향으로 패터닝광을 조사하여 중간층(40)에 제1 분리부(45) 및 제2 분리부(47)를 형성할 수 있다.
이 경우 패터닝광은 예를 들어, UV 레이저광일 수 있다. 구체적으로, 패터닝광은 예를 들어, 300 내지 400㎛ 파장의 UV 레이저광일 수 있고, 더욱 구체적으로는 355㎛ 파장의 UV 레이저광일 수 있다. 만약, UV 레이저광의 파장이 300㎛보다 작을 경우 중간층(40)이 완전히 패터닝되지 않을 수 있으며, 400㎛보다 클 경우에는 UV 레이저광의 조사로 인해 제1 광전변환층(30)이 손상될 수 있다.
다음 도 8을 참조하면, 중간층(40) 상에 제2 광전변환층(50)을 형성할 수 있다. 이 때, 제2 광전변환층(50)은 예를 들어, 화학기상증착(CVD) 공정을 이용하여 중간층(40) 상에 증착될 수 있다. 한편, 제2 광전변환층(50)은 도 8에 도시된 바와 같이 중간층(40)에 형성된 제1 분리부(45) 및 제2 분리부(47)를 채우면서 형성될 수 있다.
다음 도 9를 참조하면, 제1 광전변환층(30) 및 제2 광전변환층(50)을 패터닝하여 제3 분리부(55)를 형성할 수 있다. 이러한 제3 분리부(55)는 제2 광전변환층(50)의 일면에 패터닝광(예를 들어, 레이저광)을 조사하여 형성할 수 있다. 도 9에 도시한 바와 같이 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시에에 따른 제3 분리부(55)의 폭은 제1 분리부(45)의 폭보다 작도록 형성될 수 있으며, 구체적으로 제3 분리부(55)가 제1 분리부(45) 안에 형성되도록 형성될 수 있다. 이와 같은 형상으로 인해 제3 분리부(55) 패터닝 시 투명전극층(20)의 잔류물이 증발되어도 중간층(40)과 연결될 가능성이 없어, 중간층(40)과 투명전극층(20)이 연결됨으로써 발생할 수 있는 누설 전류를 차단할 수 있다.
다음 도 10을 참조하면, 제2 광전변환층(50) 상에 후면전극층(60)을 형성할 수 있다. 이러한 후면전극층(60)은 예를 들어, 스퍼터링(sputtering) 등의 공정을 이용하여 제2 광전변환층(50) 상에 형성될 수 있다. 한편, 후면전극층(60)은 도 10에 도시된 바와 같이 제3 분리부(55)를 채우면서 형성될 수 있다. 이에 따라 후면전극층(60)이 채워진 제3 분리부(55)는 태양전지의 컨택부로 기능할 수 있다.
다음 도 1을 참조하면, 투명전극층(20), 제1 및 제2 광전변환층(30, 50) 및 후면전극층(60)을 패터닝하여 셀 분리부(65)를 형성할 수 있다. 이러한 셀 분리부(65)는 후면전극층(60)의 일면에 패터닝광(예를 들어, 레이저광)을 조사하여 형성할 수 있다. 도 1에 도시한 바와 같이 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시에에 따른 셀 분리부(65)의 폭은 제2 분리부(47)의 폭보다 작도록 형성될 수 있으며, 구체적으로 셀 분리부(65)가 제2 분리부(47) 안에 형성되도록 형성될 수 있다. 이와 같은 형상으로 인해 셀 분리부(65) 패터닝 시 투명전극층(20)의 잔류물이 증발되어도 중간층(40)과 연결될 가능성이 없어, 중간층(40)과 투명전극층(20)이 연결됨으로써 발생할 수 있는 누설 전류를 사전에 차단할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판 20: 투명전극층
25: 제4 분리부 30: 제1 광전변환층
40: 중간층 45: 제1 분리부
47: 제2 분리부 50: 제2 광전변환층
55: 제3 분리부 60: 후면전극층
65: 셀 분리부 100: 태양전지 셀

Claims (20)

  1. 다수의 태양전지 셀; 및
    상기 각 태양전지 셀을 구분하는 다수의 셀 분리부를 포함하되,
    상기 각 태양전지 셀은,
    기판 상에 형성된 투명전극층과,
    상기 투명전극층 상에 형성된 제1 광전변환층과,
    상기 제1 광전변환층 상에 형성되되 제1 및 제2 분리부가 형성된 중간층과,
    상기 중간층 상에 형성된 제2 광전변환층과,
    상기 제2 광전변환층 상에 형성된 후면전극층을 포함하고,
    상기 셀 분리부는 상기 제2 분리부 안에 형성된 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 광전변환층 및 상기 제2 광전변환층은 상기 제1 분리부와 오버랩되는 제3 분리부를 포함하는 태양전지.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제3 분리부의 폭은 상기 제1 분리부의 폭보다 작은 태양전지.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제3 분리부는 상기 제1 분리부 안에 형성되는 태양전지.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 후면전극층은 상기 제3 분리부를 채우면서 형성된 태양전지.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 광전변환층은 상기 제1 및 제2 분리부의 적어도 일부를 채우면서 형성된 태양전지.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 투명전극층은 제4 분리부를 포함하는 태양전지.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 광전변환층은 상기 제4 분리부를 채우면서 형성된 태양전지.
  9. 기판 상에 투명전극층을 형성하고,
    상기 투명전극층 상에 제1 광전변환층을 형성하고,
    상기 제1 광전변환층 상에 중간층을 형성하고,
    상기 중간층을 패터닝하여 제1 및 제2 분리부를 형성하고,
    상기 중간층 상에 제2 광전변환층을 형성하고,
    상기 제1 및 제2 광전변환층을 패터닝하여 제3 분리부를 형성하고,
    상기 제2 광전변환층 상에 후면전극층을 형성하고,
    상기 투명전극층, 상기 제1 및 제2 광전변환층 및 상기 후면전극층을 패터닝하여 상기 제2 분리부 안에 셀 분리부를 형성하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 중간층을 패터닝하여 제1 및 제2 분리부를 형성하는 것은 상기 중간층의 양면 중 상기 투명전극층 및 제1 광전변환층이 미형성된 면에 패터닝광을 조사하여 상기 제1 및 제2 분리부를 형성하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 패터닝광은 UV 레이저 광을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 UV 레이저 광의 파장은 300 내지 400㎛인 태양전지의 제조방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 중간층 상에 제2 광변환층을 형성하는 것은 상기 제1 및 제2 분리부를 상기 제2 광변화층으로 채우는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제3 분리부는 상기 제1 광전변환층과 상기 제1 분리부에 채워진 상기 제2 광변화층이 패터닝되어 상기 제1 분리부 안에 형성되는 태양전지의 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제1 분리부의 한 측벽으로부터 상기 제3 분리부의 한 측벽까지의 거리와 상기 제1 분리부의 다른 측벽으로부터 상기 제3 분리부의 다른 측벽까지의 거리는 서로 동일한 태양전지의 제조방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 셀 분리부는 상기 투명전극층, 상기 제1 광전변환층, 상기 제2 분리부에 채워진 상기 제2 광변화층, 및 상기 후면전극층이 패터닝되어 상기 제2 분리부 안에 형성되는 태양전지의 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제2 분리부의 한 측벽으로부터 상기 셀 분리부의 한 측벽까지의 거리와 상기 제2 분리부의 다른 측벽으로부터 상기 셀 분리부의 다른 측벽까지의 거리는 서로 동일한 태양전지의 제조방법.
  18. 제 9항에 있어서,
    상기 제2 광전변환층 상에 후면전극층을 형성하는 것은 제3 분리부를 상기 후면전극층으로 채우는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  19. 제 9항에 있어서,
    상기 투명전극층을 패터닝하여 제4 분리부를 형성하는 것을 더 포함하는 태양전지의 제조방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 투명전극층 상에 제1 광전변환층을 형성하는 것은 상기 제4 분리부를 상기 제1 광전변환층으로 채우는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
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