JP2001232486A - 薄膜のレーザスクライブ方法および装置 - Google Patents
薄膜のレーザスクライブ方法および装置Info
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- laser
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/10—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積薄膜基板の撓みを防止して、正確かつ
均一に加工することができる薄膜のレーザスクライブ方
法および装置を提供する。 【解決手段】 大面積基板上に形成された薄膜をレーザ
スクライブする方法であって、基板１は、少なくとも１
辺の長さが３００ｍｍ以上であり、かつ、厚みが４ｍｍ
以下であって、基板１の周囲部を機械的に維持し、か
つ、基板の中心部を下方からエアーを吹き付けることに
より維持しながら、基板１上に形成された薄膜をレーザ
スクライブすることを特徴とする。
均一に加工することができる薄膜のレーザスクライブ方
法および装置を提供する。 【解決手段】 大面積基板上に形成された薄膜をレーザ
スクライブする方法であって、基板１は、少なくとも１
辺の長さが３００ｍｍ以上であり、かつ、厚みが４ｍｍ
以下であって、基板１の周囲部を機械的に維持し、か
つ、基板の中心部を下方からエアーを吹き付けることに
より維持しながら、基板１上に形成された薄膜をレーザ
スクライブすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜のレーザスク
ライブ方法および装置に関するものであり、特に、大面
積基板上に形成された薄膜のレーザスクライブ方法およ
び装置に関するものである。
ライブ方法および装置に関するものであり、特に、大面
積基板上に形成された薄膜のレーザスクライブ方法およ
び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】大面積基板上に形成された薄膜をレーザ
スクライブする方法は、たとえば薄膜太陽電池、ＴＦＴ
液晶装置等の製造に広く利用される。
スクライブする方法は、たとえば薄膜太陽電池、ＴＦＴ
液晶装置等の製造に広く利用される。
【０００３】図３は、従来の薄膜のレーザスクライブ装
置の一例を模式的に示す断面図である。
置の一例を模式的に示す断面図である。
【０００４】図３を参照して、この装置２０を用いて薄
膜をレーザスクライブする際には、まず、装置２０の上
に基板１を載置し、上下に移動する位置決めピン１２を
用いて、基板を所定の位置に固定する。次に、ミラー４
０を介してレーザ光５０を基板１に照射して、レーザス
クライブを実施する。
膜をレーザスクライブする際には、まず、装置２０の上
に基板１を載置し、上下に移動する位置決めピン１２を
用いて、基板を所定の位置に固定する。次に、ミラー４
０を介してレーザ光５０を基板１に照射して、レーザス
クライブを実施する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法によるレーザスクライブにおいて、基板
が、たとえば、１辺の長さ３００ｍｍ以上、厚み０．５
〜４ｍｍのような大面積薄膜基板である場合には、基板
の自重により、基板の中央部が撓んでしまう。そのた
め、本来レーザ光のフォーカス点の高さは図のＡに示す
高さであるが、撓んだ部分ではずれが生じてしまう。そ
の結果、部分的に所望のスクライブがされていない部分
が発生するといった、加工の均一性における問題が生じ
るおそれがあった。
た従来の方法によるレーザスクライブにおいて、基板
が、たとえば、１辺の長さ３００ｍｍ以上、厚み０．５
〜４ｍｍのような大面積薄膜基板である場合には、基板
の自重により、基板の中央部が撓んでしまう。そのた
め、本来レーザ光のフォーカス点の高さは図のＡに示す
高さであるが、撓んだ部分ではずれが生じてしまう。そ
の結果、部分的に所望のスクライブがされていない部分
が発生するといった、加工の均一性における問題が生じ
るおそれがあった。
【０００６】そこで、図４は、従来の改良された薄膜の
レーザスクライブ装置の一例を模式的に示す断面図であ
る。
レーザスクライブ装置の一例を模式的に示す断面図であ
る。
【０００７】図４を参照して、この装置３０において
は、基板１の中央部を下から押し上げる撓み矯正棒３１
を用いて、基板１の高さを一定に維持する工夫がされて
いる。
は、基板１の中央部を下から押し上げる撓み矯正棒３１
を用いて、基板１の高さを一定に維持する工夫がされて
いる。
【０００８】しかしながら、図４に示す方法において
も、撓み矯正棒の直上の基板上の薄膜をスクライブする
場合に、所望のスクライブができない、という問題があ
った。さらに、基板の中央部を正確に矯正しなければな
らない、という問題もあった。
も、撓み矯正棒の直上の基板上の薄膜をスクライブする
場合に、所望のスクライブができない、という問題があ
った。さらに、基板の中央部を正確に矯正しなければな
らない、という問題もあった。
【０００９】本発明の目的は、上述の問題点を解決し、
大面積薄膜基板の撓みを防止して、正確かつ均一に加工
することができる、薄膜のレーザスクライブ方法および
装置を提供することにある。
大面積薄膜基板の撓みを防止して、正確かつ均一に加工
することができる、薄膜のレーザスクライブ方法および
装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による薄
膜のレーザスクライブ方法は、大面積基板上に形成され
た薄膜をレーザスクライブする方法であって、基板は、
少なくとも１辺の長さが３００ｍｍ以上であり、かつ、
厚みが４ｍｍ以下であって、基板の周囲部を機械的に維
持し、かつ、基板の中心部を下方からエアーを吹き付け
ることにより維持しながら、基板上に形成された薄膜を
レーザスクライブすることを特徴としている。
膜のレーザスクライブ方法は、大面積基板上に形成され
た薄膜をレーザスクライブする方法であって、基板は、
少なくとも１辺の長さが３００ｍｍ以上であり、かつ、
厚みが４ｍｍ以下であって、基板の周囲部を機械的に維
持し、かつ、基板の中心部を下方からエアーを吹き付け
ることにより維持しながら、基板上に形成された薄膜を
レーザスクライブすることを特徴としている。
【００１１】請求項２の発明による薄膜太陽電池の製造
方法は、請求項１の発明の薄膜のレーザスクライブ方法
を利用したものである。
方法は、請求項１の発明の薄膜のレーザスクライブ方法
を利用したものである。
【００１２】請求項３の発明による薄膜のレーザスクラ
イブ装置は、大面積基板上に形成された薄膜をレーザス
クライブする装置であって、基板は、少なくとも１辺の
長さが３００ｍｍ以上であり、かつ、厚みが４ｍｍ以下
であって、基板の周囲部を機械的に維持する手段と、基
板の中心部を下方からエアーを吹き付けることにより維
持する手段とを備えることを特徴としている。
イブ装置は、大面積基板上に形成された薄膜をレーザス
クライブする装置であって、基板は、少なくとも１辺の
長さが３００ｍｍ以上であり、かつ、厚みが４ｍｍ以下
であって、基板の周囲部を機械的に維持する手段と、基
板の中心部を下方からエアーを吹き付けることにより維
持する手段とを備えることを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による薄膜のレー
ザスクライブ装置の一例を模式的に示す斜視図である。
ザスクライブ装置の一例を模式的に示す斜視図である。
【００１４】また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線で示す
断面図である。図１および図２を参照して、この装置１
０は、空気吹き付け孔１１を有し、コンプレッサ１３よ
り圧縮空気を送って、レーザスクライブ時に、基板１の
下方から空気を吹き付けて、撓みを補正することを特徴
としている。
断面図である。図１および図２を参照して、この装置１
０は、空気吹き付け孔１１を有し、コンプレッサ１３よ
り圧縮空気を送って、レーザスクライブ時に、基板１の
下方から空気を吹き付けて、撓みを補正することを特徴
としている。
【００１５】吹き付ける空気としては、たとえば２〜１
０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧縮空気を用いることができる。ま
た、空気の流量を調整することにより、基板上に形成さ
れた薄膜面の高さを均一になるように調整することがで
きる。
０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧縮空気を用いることができる。ま
た、空気の流量を調整することにより、基板上に形成さ
れた薄膜面の高さを均一になるように調整することがで
きる。
【００１６】このような装置および方法によって、たと
えば、少なくとも１辺の長さが３００ｍｍ以上で、厚み
が０．５〜４ｍｍのような大面積薄膜基板上に形成され
た薄膜であっても、正確、かつ均一にレーザスクライブ
することが可能になる。また、基板内の位置と無関係
に、スクライブが可能となる。さらに、薄膜面の高さの
均一性を高く保つことが可能になる。
えば、少なくとも１辺の長さが３００ｍｍ以上で、厚み
が０．５〜４ｍｍのような大面積薄膜基板上に形成され
た薄膜であっても、正確、かつ均一にレーザスクライブ
することが可能になる。また、基板内の位置と無関係
に、スクライブが可能となる。さらに、薄膜面の高さの
均一性を高く保つことが可能になる。
【００１７】
【実施例】実際に、大きさ９００ｍｍ×４５０ｍｍ、厚
み１．５ｍｍのガラス基板上に、集積化ハイブリッド
（ａ−Ｓｉ／ｐｏｌｙ−Ｓｉ構造）太陽電池サブモジュ
ールを作製した。
み１．５ｍｍのガラス基板上に、集積化ハイブリッド
（ａ−Ｓｉ／ｐｏｌｙ−Ｓｉ構造）太陽電池サブモジュ
ールを作製した。
【００１８】図１に示す本願発明によるレーザスクライ
ブ方法および装置を用いた場合、基板全面が発電に寄与
し、変換効率は１１％となった。
ブ方法および装置を用いた場合、基板全面が発電に寄与
し、変換効率は１１％となった。
【００１９】一方、図３に示す従来のレーザスクライブ
方法および装置を用いた場合、基板中央部が発電に寄与
せず、変換効率は７％となった。
方法および装置を用いた場合、基板中央部が発電に寄与
せず、変換効率は７％となった。
【００２０】また、図４に示す改良された従来のレーザ
スクライブ方法および装置を用いた場合も、撓み矯正棒
付近で発電に寄与しない領域があり、変換効率は９％と
なった。
スクライブ方法および装置を用いた場合も、撓み矯正棒
付近で発電に寄与しない領域があり、変換効率は９％と
なった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による薄膜
のレーザスクライブ方法および装置によれば、大面積薄
膜基板上に形成された薄膜を、正確、かつ均一にレーザ
スクライブすることができる。
のレーザスクライブ方法および装置によれば、大面積薄
膜基板上に形成された薄膜を、正確、かつ均一にレーザ
スクライブすることができる。
【００２２】その結果、たとえば、薄膜太陽電池の製造
に応用した場合には、出力特性に優れた薄膜太陽電池を
製造することができる。
に応用した場合には、出力特性に優れた薄膜太陽電池を
製造することができる。
【図１】 本発明による薄膜のレーザスクライブ装置の
一例を模式的に示す斜視図である。
一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】 図１のＩＩ−ＩＩ線で示す断面図である。
【図３】 従来の薄膜のレーザスクライブ装置の一例を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図４】 従来の改良された薄膜のレーザスクライブ装
置の一例を模式的に示す断面図である。
置の一例を模式的に示す断面図である。
１ 基板、１０、２０、３０ レーザスクライブ装置、
１１ 空気吹き付け孔、１２ 位置決めピン、１３ コ
ンプレッサ、３１ 撓み矯正棒、４０ ミラー、５０
レーザ光。
１１ 空気吹き付け孔、１２ 位置決めピン、１３ コ
ンプレッサ、３１ 撓み矯正棒、４０ ミラー、５０
レーザ光。
Claims (3)
- 【請求項１】 大面積基板上に形成された薄膜をレーザ
スクライブする方法であって、 前記基板は、少なくとも１辺の長さが３００ｍｍ以上で
あり、かつ、厚みが４ｍｍ以下であって、 前記基板の周囲部を機械的に維持し、かつ、前記基板の
中心部を下方からエアーを吹き付けることにより維持し
ながら、前記基板上に形成された薄膜をレーザスクライ
ブすることを特徴とする、薄膜のレーザスクライブ方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜のレーザスクライブ
方法を利用した、薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】 大面積基板上に形成された薄膜をレーザ
スクライブする装置であって、 前記基板は、少なくとも１辺の長さが３００ｍｍ以上で
あり、かつ、厚みが４ｍｍ以下であって、 前記基板の周囲部を機械的に維持する手段と、 前記基板の中心部を下方からエアーを吹き付けることに
より維持する手段とを備えることを特徴とする、薄膜の
レーザスクライブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000042707A JP2001232486A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | 薄膜のレーザスクライブ方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000042707A JP2001232486A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | 薄膜のレーザスクライブ方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001232486A true JP2001232486A (ja) | 2001-08-28 |
Family
ID=18565745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000042707A Withdrawn JP2001232486A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | 薄膜のレーザスクライブ方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001232486A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259882A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 薄膜のパターニング方法およびパターニング装置、ならびに薄膜太陽電池の製造方法 |
| WO2009075137A1 (ja) | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Kataoka Corporation | レーザ加工機 |
| JP2011525720A (ja) * | 2008-06-25 | 2011-09-22 | アテツク・ホールデイング・アクチエンゲゼルシヤフト | 太陽電池モジュールを構造化する装置 |
| JP2013111644A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Tdk Corp | シート体保持装置、シート体加工装置、シート体保持方法、シート体加工方法および表示器用部品製造方法 |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000042707A patent/JP2001232486A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259882A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 薄膜のパターニング方法およびパターニング装置、ならびに薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP4646532B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2011-03-09 | シャープ株式会社 | 薄膜のパターニング方法およびパターニング装置、ならびに薄膜太陽電池の製造方法 |
| WO2009075137A1 (ja) | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Kataoka Corporation | レーザ加工機 |
| JP2011525720A (ja) * | 2008-06-25 | 2011-09-22 | アテツク・ホールデイング・アクチエンゲゼルシヤフト | 太陽電池モジュールを構造化する装置 |
| JP2013111644A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Tdk Corp | シート体保持装置、シート体加工装置、シート体保持方法、シート体加工方法および表示器用部品製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070501 |