JPH0282655A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH0282655A JPH0282655A JP63235815A JP23581588A JPH0282655A JP H0282655 A JPH0282655 A JP H0282655A JP 63235815 A JP63235815 A JP 63235815A JP 23581588 A JP23581588 A JP 23581588A JP H0282655 A JPH0282655 A JP H0282655A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は、太陽光発電等に利用される光起電力装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
同 従来の技術
非晶質半導体を光活性層とする光起電力装置は既に知ら
れており、その基本構成は、光透過を許容するガラス等
の基板上に、ＩＴＯ１Ｓｎ０２等の透光性導電酸化物（
以下ＴＣＯと略記する）からなる受光面電極を配置し、
この受光面電極を基板の導電性表面としてｐｎ、ｐｉｎ
等の半導体接合を備える半導体膜と、該半導体膜とオー
ミック接触する背面電極をこの順序で積層しである。
れており、その基本構成は、光透過を許容するガラス等
の基板上に、ＩＴＯ１Ｓｎ０２等の透光性導電酸化物（
以下ＴＣＯと略記する）からなる受光面電極を配置し、
この受光面電極を基板の導電性表面としてｐｎ、ｐｉｎ
等の半導体接合を備える半導体膜と、該半導体膜とオー
ミック接触する背面電極をこの順序で積層しである。
現存する光起電力装置の殆どは光入射側に設けられるｐ
型やｎ型の一導電型の不純物層は、この層における光吸
収を可及的に抑圧するためにワイドバンドギャップ材料
である水素化非晶質シリコンカーバイド（以下ａ−Ｓｉ
６：Ｈと略記する）が用いられているっ更に、最近の研
究では上記ａ −３ｉＣ：Ｈに代って高い開放電圧（Ｖ
ｏｃ）を得るために、水素化微結晶シリコンカーバイド
（以下μｃ−３ｉＣ：Ｈ）を用いることが試みられてい
る（Ｙ−Ｈａｔｔｏｒｉ ｅｔ ａｌ、：１９ｔｈ
Ｐｈｏｔ。
型やｎ型の一導電型の不純物層は、この層における光吸
収を可及的に抑圧するためにワイドバンドギャップ材料
である水素化非晶質シリコンカーバイド（以下ａ−Ｓｉ
６：Ｈと略記する）が用いられているっ更に、最近の研
究では上記ａ −３ｉＣ：Ｈに代って高い開放電圧（Ｖ
ｏｃ）を得るために、水素化微結晶シリコンカーバイド
（以下μｃ−３ｉＣ：Ｈ）を用いることが試みられてい
る（Ｙ−Ｈａｔｔｏｒｉ ｅｔ ａｌ、：１９ｔｈ
Ｐｈｏｔ。
ｖｏｌ、５ｐｅｃ−Ｃｏｎｆ 、第６８９頁）。
ｅｊ 発明が解決しようとする課題
しかし乍ら、μｃ−３ｉＣ：Ｈのような微結晶半導体を
、膜厚に制限のある光入射側の不純物層に用いる場合に
は上記先行技術に開示されている如＜ＥＣＲ放電のよう
な特殊な製造装置を必要とする。
、膜厚に制限のある光入射側の不純物層に用いる場合に
は上記先行技術に開示されている如＜ＥＣＲ放電のよう
な特殊な製造装置を必要とする。
一方、非晶質半導体を得ることのできるグロー放電で微
結晶半導体を成膜し、ようとすれば成膜初期においては
直ちに微結晶状態とならず非晶質状態となるためｌこ、
全体として例えば４００Ａ程度と非常に厚い膜となる。
結晶半導体を成膜し、ようとすれば成膜初期においては
直ちに微結晶状態とならず非晶質状態となるためｌこ、
全体として例えば４００Ａ程度と非常に厚い膜となる。
その結果、当該不純物層において光吸収が発生し、短絡
電流（Ｉｓｃ）が減少するばかりか、成膜初期の非晶質
状態の存在によりＶｏｃの低下も免れない。
電流（Ｉｓｃ）が減少するばかりか、成膜初期の非晶質
状態の存在によりＶｏｃの低下も免れない。
従って、光入射側の不純物層として微結晶半導体を用い
るためには高価なＥＣＲ放電による製造装置が不可欠で
あり、実用化に対する大きな障害となっている。
るためには高価なＥＣＲ放電による製造装置が不可欠で
あり、実用化に対する大きな障害となっている。
本発明は斯る障害を解決せんとするものである。
に）課題を解決するための手段
本発明による光起電力装置の製造方法は、上記課題を解
決するために、光透過を許容する基板の導電性表面に、
一導電型の非晶質半導体層を成膜導体層を形成する工程
と、 第２の半導体層を成膜する工程と、 この第２の半導体層と接して半導体接合を形成する異種
導電型の非晶質半導体層からなる第３の半導体層を成膜
する工程と、 この第３の半導体層の背面側に背面電極を形成する工程
と、 を備えたことを特徴とする。
決するために、光透過を許容する基板の導電性表面に、
一導電型の非晶質半導体層を成膜導体層を形成する工程
と、 第２の半導体層を成膜する工程と、 この第２の半導体層と接して半導体接合を形成する異種
導電型の非晶質半導体層からなる第３の半導体層を成膜
する工程と、 この第３の半導体層の背面側に背面電極を形成する工程
と、 を備えたことを特徴とする。
（ホ）作用
上述の如く微結晶半導体部分を含む第２の半導体層の成
膜工程に先立って、第１の半導体層を成膜し結晶化処理
を施すことによって、第１の半導体層は微結晶化を促進
する下地層として作用する。
膜工程に先立って、第１の半導体層を成膜し結晶化処理
を施すことによって、第１の半導体層は微結晶化を促進
する下地層として作用する。
（へ）実施例
（第１実施例）
第１図は本発明の製造方法による第１の工程を示し、一
方の表面に予めＩＴＯ％５ｎ０２等のＴＣＯからなる受
光面電極（２）を配置して導電性光面が付与された光透
過を許容するガラス等の基板（１）を準備し、当該受光
面電極（２）上に膜厚約１０〜１００Ａと肉薄な一導電
型、例えばボロンがドープされｐ型に価電子制御された
ａ−３ｉＣ：Ｈからなるの 非晶質半導体層（３）が周知１３．５６ＭＨ２の高周波
へ （ＲＦ）によるグロー放電を利用したプラズマＣＶＤ法
により成膜される。使用されるガスは、主原料ガスとし
てＳｉＨ４とＣＨ４が各々１：１の流量比で供給される
と共に、ｐ型ドーパントガスとしてＢ２Ｈ６がＳｉＨ４
に対して１％供給される。斯る成膜時のガス圧は代表的
には０．３ＴＯｒｒであり、高周波パワー２０Ｗで、基
板（１）は約２００℃に保持されている。
方の表面に予めＩＴＯ％５ｎ０２等のＴＣＯからなる受
光面電極（２）を配置して導電性光面が付与された光透
過を許容するガラス等の基板（１）を準備し、当該受光
面電極（２）上に膜厚約１０〜１００Ａと肉薄な一導電
型、例えばボロンがドープされｐ型に価電子制御された
ａ−３ｉＣ：Ｈからなるの 非晶質半導体層（３）が周知１３．５６ＭＨ２の高周波
へ （ＲＦ）によるグロー放電を利用したプラズマＣＶＤ法
により成膜される。使用されるガスは、主原料ガスとし
てＳｉＨ４とＣＨ４が各々１：１の流量比で供給される
と共に、ｐ型ドーパントガスとしてＢ２Ｈ６がＳｉＨ４
に対して１％供給される。斯る成膜時のガス圧は代表的
には０．３ＴＯｒｒであり、高周波パワー２０Ｗで、基
板（１）は約２００℃に保持されている。
第２図は第２の工程を示し、第１の工程により成膜され
た非晶質半導体層（３）に対しアニーリングによる結晶
化処理が施されて、第１の半導体層（４１）が形成され
る。上記アニーリングは例えばフラッシュランプやレー
ザビーム等の照射によるものであり上記非晶質半導体層
（３）は瞬時的に約５００〜６００℃の温度に達し、結
晶粒界が現われる。
た非晶質半導体層（３）に対しアニーリングによる結晶
化処理が施されて、第１の半導体層（４１）が形成され
る。上記アニーリングは例えばフラッシュランプやレー
ザビーム等の照射によるものであり上記非晶質半導体層
（３）は瞬時的に約５００〜６００℃の温度に達し、結
晶粒界が現われる。
このアニーリング工程は非晶質半導体層（３）を単結晶
化させるものではないこと、更屹は基板（１）の耐熱性
等の点から上記の温度範囲で十分であり、また時間的に
も瞬間で良い。
化させるものではないこと、更屹は基板（１）の耐熱性
等の点から上記の温度範囲で十分であり、また時間的に
も瞬間で良い。
第３図は第３の工程を示し、上記第１の半導体層（４１
）上に同導電型、例えばｐ型の第２の半導体層（４２）
が成膜される。斯る第２の半導体層（４２）の成膜工程
で注目すべきは、当該第２の半導体層（４２）が接する
下地層に対し予め結晶化処理が施されている点である。
）上に同導電型、例えばｐ型の第２の半導体層（４２）
が成膜される。斯る第２の半導体層（４２）の成膜工程
で注目すべきは、当該第２の半導体層（４２）が接する
下地層に対し予め結晶化処理が施されている点である。
従って、第２の半導体層（４２）をグロー放電を用いて
μｃ−５ｉＣ：Ｈにより構成するに際し、上記第１の半
導体層（４１）が成膜当初結晶核的な役目を果すことか
ら、成膜当初から微結晶状態となる。その結果、第２の
半導体層（４２）として高価な製造装置を用いたＥＣＲ
放電によらず例えば膜厚が約５０〜２００Ａと肉薄で且
つワイドバンドギャップなμｃ−３ｉＣ：Ｈを光入射側
の不純物層として用いることができる。斯るグロー放電
による成膜の非晶質半導体層（３）のａ−３ｉＣ：Ｈの
成膜と異なるところは、基板（１）の温度を約１５０℃
と若干低温とし、５ｔＨ４に対しＨ２を５０倍導入して
高水素濃度とすると共に、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワ
ーとして１００Ｗの高出力を供給した点であり、他の使
用ガス、ガス圧力等は同一である。
μｃ−５ｉＣ：Ｈにより構成するに際し、上記第１の半
導体層（４１）が成膜当初結晶核的な役目を果すことか
ら、成膜当初から微結晶状態となる。その結果、第２の
半導体層（４２）として高価な製造装置を用いたＥＣＲ
放電によらず例えば膜厚が約５０〜２００Ａと肉薄で且
つワイドバンドギャップなμｃ−３ｉＣ：Ｈを光入射側
の不純物層として用いることができる。斯るグロー放電
による成膜の非晶質半導体層（３）のａ−３ｉＣ：Ｈの
成膜と異なるところは、基板（１）の温度を約１５０℃
と若干低温とし、５ｔＨ４に対しＨ２を５０倍導入して
高水素濃度とすると共に、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワ
ーとして１００Ｗの高出力を供給した点であり、他の使
用ガス、ガス圧力等は同一である。
第４図は第４の工程を示し、上記微結晶半導体からなる
第２の半導体／Ｉ（４２）と接して発電ｌこ寄与する半
導体接合を形成すべく、当該第２の半導体層（４２）と
異種導電型である例えばｉ型（真性）のａ−３ｉ：Ｈか
らなる第３の半導体層（４３）が成膜される。斯る第３
の半導体層（４３）はガス圧０．３ＴｏｒｒのＳ ｉ
Ｈ４を原料ガスとする１３．５６ＭＨｚ、出カバ”７−
２０Ｗの高周波（ＲＦ）によるグロー放電を利用したプ
ラズマＣＶＤ法により膜厚的２０００〜７０００Ａ形成
される。
第２の半導体／Ｉ（４２）と接して発電ｌこ寄与する半
導体接合を形成すべく、当該第２の半導体層（４２）と
異種導電型である例えばｉ型（真性）のａ−３ｉ：Ｈか
らなる第３の半導体層（４３）が成膜される。斯る第３
の半導体層（４３）はガス圧０．３ＴｏｒｒのＳ ｉ
Ｈ４を原料ガスとする１３．５６ＭＨｚ、出カバ”７−
２０Ｗの高周波（ＲＦ）によるグロー放電を利用したプ
ラズマＣＶＤ法により膜厚的２０００〜７０００Ａ形成
される。
第３図は第３の工程を示し、上記ｉ型の第３の半導体層
（４３）と接してｎ型のａ−３ｉ：Ｈからなる第４の半
導体層（４４）が成膜されるっ斯る第４の半導体ＩＩ（
４４）は主原料ガスとして３ｉＨ４が使用され、当該Ｓ
ｉＨ４ガスにｎ型決定不純物であるＰを含むＰＨ３ガス
が２％ドープされ原料ガスにより上記第３の半導体層（
４３）と同じ１五５６ＭＨｚのＲＦグロー放電を利用し
たプラズマＣＶＤ法によって膜厚約３００〜５００人成
膜される。
（４３）と接してｎ型のａ−３ｉ：Ｈからなる第４の半
導体層（４４）が成膜されるっ斯る第４の半導体ＩＩ（
４４）は主原料ガスとして３ｉＨ４が使用され、当該Ｓ
ｉＨ４ガスにｎ型決定不純物であるＰを含むＰＨ３ガス
が２％ドープされ原料ガスにより上記第３の半導体層（
４３）と同じ１五５６ＭＨｚのＲＦグロー放電を利用し
たプラズマＣＶＤ法によって膜厚約３００〜５００人成
膜される。
第６図は第６の工程を示し、上記第４の半導体層（４４
）と接してオーミック性急する金属、或い起電力装置が
完成する。斯る装置は、ＡＭ−１，１００ｍＷ／ｄの照
射条件で１０．７％の光電変換効率を示した。この値は
後述する従来装置の値を上回っていた。
）と接してオーミック性急する金属、或い起電力装置が
完成する。斯る装置は、ＡＭ−１，１００ｍＷ／ｄの照
射条件で１０．７％の光電変換効率を示した。この値は
後述する従来装置の値を上回っていた。
尚、第４の半導体層（４４）の存在は上記背面電極（５
）と半導体膜（４）とのオーミック接触を可能ならしめ
るものであり、背面電極（５）が第３の半導体層（４３
）と直接接触して良好にオーｉｙり接触する例えばマグ
ネシウムから形成される場合には省略可能である。
）と半導体膜（４）とのオーミック接触を可能ならしめ
るものであり、背面電極（５）が第３の半導体層（４３
）と直接接触して良好にオーｉｙり接触する例えばマグ
ネシウムから形成される場合には省略可能である。
更に、第１の工程乃至第３の工程を第７図に示す如く、
第１のプラズマ室圓、アニーリング室は第２のプラズ°
マ室（１３，第３のプラズマ室α勾、第４のプラズマ室
（２）及び基板（１）の製造装置への導入を行なう仕込
み室α■、成膜後の基板（１）の取り出しを行なう取出
し室はを連続的に配置した所謂イン・ライン型の製造装
置を用いて施すこともできる。
第１のプラズマ室圓、アニーリング室は第２のプラズ°
マ室（１３，第３のプラズマ室α勾、第４のプラズマ室
（２）及び基板（１）の製造装置への導入を行なう仕込
み室α■、成膜後の基板（１）の取り出しを行なう取出
し室はを連続的に配置した所謂イン・ライン型の製造装
置を用いて施すこともできる。
（第２実施例）
第１実施例において結晶化処理されるａ−３ｉＣ；Ｈか
らなる非晶質半導体層（３）はプラズマＣＶＤ法により
成膜される際、その原料ガス中に水素を含んでいる。そ
のために成膜時、その下地層であるＴＣＯの受光面電極
（２）から酸素が引き抜かれたり、また５ｎ０２やＩＴ
Ｏからなる場合にはスズも還元作用により引き抜かれ、
それが成膜中のａ−３ｉＣ：Ｈに混入してしまう。斯る
酸素やスズの混入は第２の工程である結晶化処理に対し
少なからず悪影響を及ぼすことが予想される。
らなる非晶質半導体層（３）はプラズマＣＶＤ法により
成膜される際、その原料ガス中に水素を含んでいる。そ
のために成膜時、その下地層であるＴＣＯの受光面電極
（２）から酸素が引き抜かれたり、また５ｎ０２やＩＴ
Ｏからなる場合にはスズも還元作用により引き抜かれ、
それが成膜中のａ−３ｉＣ：Ｈに混入してしまう。斯る
酸素やスズの混入は第２の工程である結晶化処理に対し
少なからず悪影響を及ぼすことが予想される。
従って、第２実施例では水素を含まないａ−３ｉＣをス
パッタリングにより成膜する。こうすれば非晶質半導体
層（３）中には水素還元ｌこよる酸素やスズの混入が阻
止され、良好な結晶化処理が施さる。
パッタリングにより成膜する。こうすれば非晶質半導体
層（３）中には水素還元ｌこよる酸素やスズの混入が阻
止され、良好な結晶化処理が施さる。
斯るスパッタリングを用いたイン・ライン製造装置も、
第７図の第１プラズマ室αυをスパッタリング室に変更
するだけで良い。
第７図の第１プラズマ室αυをスパッタリング室に変更
するだけで良い。
第８図は本実施例により製造された光起電力装置の光電
変換効率と第１半導体層（４１）の膜厚との関係をＡＭ
−１，１００ｍＷ／ｄのソーラシミュレータを用いて測
定したものをグラフ化したものである。ここではｐ型層
（４ｐ）全体の膜厚、即ち第１半導体層（４１）と第２
半導体層（４２）の膜厚の和を、現在一般的な１５０人
となるように調整した。即ち、第１半導体層（４１）の
膜厚がゼロであるということは第２半導体層（４２）の
それが１５ＯＡであることを意味し、一方が５ＯＡのと
きは他方が１００Ａである。斯る測定の結果、結晶化処
理の施された第１半導体層（４１）の膜厚が１０〜１０
０Ａの間で、当該第１半導体層（４１）のない従来装置
の値（８％）を上回り、特に３０〜７０Ａで好適な値が
得られ、５０Ａで１１．４％の光電変換効率を示した。
変換効率と第１半導体層（４１）の膜厚との関係をＡＭ
−１，１００ｍＷ／ｄのソーラシミュレータを用いて測
定したものをグラフ化したものである。ここではｐ型層
（４ｐ）全体の膜厚、即ち第１半導体層（４１）と第２
半導体層（４２）の膜厚の和を、現在一般的な１５０人
となるように調整した。即ち、第１半導体層（４１）の
膜厚がゼロであるということは第２半導体層（４２）の
それが１５ＯＡであることを意味し、一方が５ＯＡのと
きは他方が１００Ａである。斯る測定の結果、結晶化処
理の施された第１半導体層（４１）の膜厚が１０〜１０
０Ａの間で、当該第１半導体層（４１）のない従来装置
の値（８％）を上回り、特に３０〜７０Ａで好適な値が
得られ、５０Ａで１１．４％の光電変換効率を示した。
（第３実施例）
上記第１、第２実施例にあっては、結晶化処理される非
晶質半導体層（３）は炭素を含んでいたが、本実施例で
はａ−３ｉをスパッタリングにより形成した。そして、
他は同一の工程を経て光起電力装置を製造して、ＡＭ−
１，１００ｍＷ／ｄによる光電変換効率を測定したとこ
ろ、１Ｑ、２％の値を得た。
晶質半導体層（３）は炭素を含んでいたが、本実施例で
はａ−３ｉをスパッタリングにより形成した。そして、
他は同一の工程を経て光起電力装置を製造して、ＡＭ−
１，１００ｍＷ／ｄによる光電変換効率を測定したとこ
ろ、１Ｑ、２％の値を得た。
（ト）発明の効果
本発明製造方法は以上の説明から明らかな如く予め成膜
されていた第１の半導体層が微結晶化を促進する下地層
として作用するので、第２半導体層は高価なＥＣＲ放電
による製造装置を使用しなくても成膜直後から微結晶化
状態となる結果、光入射側の不純物として要求される薄
膜化とワイドバンドギャップ化を製造コスト安価にて達
成し得る。
されていた第１の半導体層が微結晶化を促進する下地層
として作用するので、第２半導体層は高価なＥＣＲ放電
による製造装置を使用しなくても成膜直後から微結晶化
状態となる結果、光入射側の不純物として要求される薄
膜化とワイドバンドギャップ化を製造コスト安価にて達
成し得る。
第１図〜第６図は本発明製造方法による各工程を終了後
の状態を示す模式的断面図、第７図は本発明製造方法を
実施するイン・ライン型製造装置の模式図、第８図は光
電変換効率と結晶化処理される非晶質半導体層の膜厚と
の関係を示す特性図である。
の状態を示す模式的断面図、第７図は本発明製造方法を
実施するイン・ライン型製造装置の模式図、第８図は光
電変換効率と結晶化処理される非晶質半導体層の膜厚と
の関係を示す特性図である。
Claims (1)
- （１）光透過を許容する基板の導電性表面に、一導電型
の非晶質半導体層を成膜する工程と、この半導体層に対
し結晶化処理を施して第１の半導体層を形成する工程と
、 次いで、この第１の半導体層に接して少なくともその一
部分に同導電型の微結晶半導体部分を含む第２の半導体
層を成膜する工程と、 この第２の半導体層と接して半導体接合を形成する異種
導電型の非晶質半導体層からなる第３の半導体層を成膜
する工程と、 この第３の半導体層の背面側に背面電極を形成する工程
と、 からなる光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63235815A JP2698115B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63235815A JP2698115B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282655A true JPH0282655A (ja) | 1990-03-23 |
| JP2698115B2 JP2698115B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=16991668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63235815A Expired - Fee Related JP2698115B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2698115B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456764A (en) * | 1992-04-24 | 1995-10-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Solar cell and a method for the manufacture thereof |
| JP2001291878A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Tdk Corp | 光起電力素子及びその製造方法 |
| JP2001291883A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Tdk Corp | 光起電力素子及びその製造方法 |
| JP2010062539A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Au Optronics Corp | マルチバンドギャップを備えるナノ結晶シリコン光電池及び低温多結晶シリコン薄膜トランジスタパネルにおけるその応用 |
| US9577137B2 (en) | 2007-01-25 | 2017-02-21 | Au Optronics Corporation | Photovoltaic cells with multi-band gap and applications in a low temperature polycrystalline silicon thin film transistor panel |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239068A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63235815A patent/JP2698115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239068A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
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| JP2001291883A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Tdk Corp | 光起電力素子及びその製造方法 |
| JP4730678B2 (ja) * | 2000-04-05 | 2011-07-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
| US9577137B2 (en) | 2007-01-25 | 2017-02-21 | Au Optronics Corporation | Photovoltaic cells with multi-band gap and applications in a low temperature polycrystalline silicon thin film transistor panel |
| JP2010062539A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Au Optronics Corp | マルチバンドギャップを備えるナノ結晶シリコン光電池及び低温多結晶シリコン薄膜トランジスタパネルにおけるその応用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2698115B2 (ja) | 1998-01-19 |
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