JPS62252968A - 非晶質シリコンイメ−ジセンサ - Google Patents
非晶質シリコンイメ−ジセンサInfo
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- JPS62252968A JPS62252968A JP61097270A JP9727086A JPS62252968A JP S62252968 A JPS62252968 A JP S62252968A JP 61097270 A JP61097270 A JP 61097270A JP 9727086 A JP9727086 A JP 9727086A JP S62252968 A JPS62252968 A JP S62252968A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリ、ＯＣＲ，イメージスキャナなど
の読取部として用いられる長尺の非晶質シリコンイメー
ジセンナに関するものである。
の読取部として用いられる長尺の非晶質シリコンイメー
ジセンナに関するものである。
従来この種の非晶質シリコンイメージセンサとしては、
高抵抗非晶質シリコンを金属電極と透明電極ではさんだ
ショットキバリア型や、高抵抗非晶質シリコンと透明電
極の間にボロンをドーピングして低抵抗化した非晶質シ
リコンまたは非晶質シリコンカーバイドをはさんだＰ
−ｉ接合型あるいはへテロ接合型などがイメージセンサ
として用いられていた。
高抵抗非晶質シリコンを金属電極と透明電極ではさんだ
ショットキバリア型や、高抵抗非晶質シリコンと透明電
極の間にボロンをドーピングして低抵抗化した非晶質シ
リコンまたは非晶質シリコンカーバイドをはさんだＰ
−ｉ接合型あるいはへテロ接合型などがイメージセンサ
として用いられていた。
前述した従来の非晶質シリコンイメージセンサのうちシ
ョットキバリア型は電極からのキャリアの注入が多く暗
電流が大きいためイメージセンサとしてのＳＮ比が小さ
いという欠点があった。またＰ −ｉ接合型、ヘテロ接
合型は非晶質シリコンの表面が低抵抗のＰ型の非晶質シ
リコンあるいは非晶質シリコンカーバイドで覆われてい
るため、電極からのキャリアの注入は少ないかわりに、
表面リークによる暗電流が増加したり、また表面の低抵
抗層を経由した弱い電界に引かれて受光素子部以外で発
生した光キャリアが光電流として流れてしまい、イメー
ジセンサとしての解像度が悪くなってしまうという欠点
があった。
ョットキバリア型は電極からのキャリアの注入が多く暗
電流が大きいためイメージセンサとしてのＳＮ比が小さ
いという欠点があった。またＰ −ｉ接合型、ヘテロ接
合型は非晶質シリコンの表面が低抵抗のＰ型の非晶質シ
リコンあるいは非晶質シリコンカーバイドで覆われてい
るため、電極からのキャリアの注入は少ないかわりに、
表面リークによる暗電流が増加したり、また表面の低抵
抗層を経由した弱い電界に引かれて受光素子部以外で発
生した光キャリアが光電流として流れてしまい、イメー
ジセンサとしての解像度が悪くなってしまうという欠点
があった。
本発明の非晶質シリコンイメージセンナは、絶縁基板上
に形成された金属電極と、該金属電極上に形成された高
抵抗非晶質シリコン層と、該高抵抗非晶質シリコン層上
に形成された低抵抗半導体層と、該低抵抗半導体層上に
形成された透明電極と、該透明電極上に形成された遮光
層とを有する非晶質シリコンイメージセンサにおいて、
受光素子部以外の低抵抗半導体層が除去されていること
を特徴とする。
に形成された金属電極と、該金属電極上に形成された高
抵抗非晶質シリコン層と、該高抵抗非晶質シリコン層上
に形成された低抵抗半導体層と、該低抵抗半導体層上に
形成された透明電極と、該透明電極上に形成された遮光
層とを有する非晶質シリコンイメージセンサにおいて、
受光素子部以外の低抵抗半導体層が除去されていること
を特徴とする。
次に本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
ガラス基板１上にクロムを蒸着によシ５００〜１０００
Ａ被着する。これをホトエツチングにより所定の形状に
パターン化して金属電極２を形成する。その後シランの
グロー放電分解によりアンドープの高抵抗非晶質シリコ
ン層（暗導伝率が１Ｏ−９Ｓ／ｃ１ｒＬ以下）３を１〜
２μｍ被着する。さらに続けてシラン、メタン、ジボラ
ンの混合ガスのグロー放電分解によりＰ型の非晶質シリ
コンカーバイド層（暗導伝率が１０ −１０ 、Ｍ／
浦）４を５００Ａ被着する。その上に透明電極５として
酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）をスパッタによ、９６
０ＯＡ。
Ａ被着する。これをホトエツチングにより所定の形状に
パターン化して金属電極２を形成する。その後シランの
グロー放電分解によりアンドープの高抵抗非晶質シリコ
ン層（暗導伝率が１Ｏ−９Ｓ／ｃ１ｒＬ以下）３を１〜
２μｍ被着する。さらに続けてシラン、メタン、ジボラ
ンの混合ガスのグロー放電分解によりＰ型の非晶質シリ
コンカーバイド層（暗導伝率が１０ −１０ 、Ｍ／
浦）４を５００Ａ被着する。その上に透明電極５として
酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）をスパッタによ、９６
０ＯＡ。
遮光膜６としてクロムを蒸着によ、９１０００〜２００
０Ａそれぞれメタルマスクを用いて形成する。この後遮
光膜６をマスクとして四フッ化炭素ガスを用いてドライ
エツチングを行ない、不要なＰ型非晶質シリコンカーバ
イド層をエツチング除去する。
０Ａそれぞれメタルマスクを用いて形成する。この後遮
光膜６をマスクとして四フッ化炭素ガスを用いてドライ
エツチングを行ない、不要なＰ型非晶質シリコンカーバ
イド層をエツチング除去する。
その後遮光膜の受光素子部となるべき部分を窓開けして
素子が完成する。
素子が完成する。
以上述べたように、受光素子部以外の不要な低抵抗半導
体層をエツチング除去することによシ、表面リーク電流
がなくなシ、また受光素子部以外の余分な光キャリアが
光電流に寄与することがないため、高ＳＮ比高解像度の
非晶質シリコンイメージセンサが得られる。
体層をエツチング除去することによシ、表面リーク電流
がなくなシ、また受光素子部以外の余分な光キャリアが
光電流に寄与することがないため、高ＳＮ比高解像度の
非晶質シリコンイメージセンサが得られる。
以上説明したように本発明の非晶質シリコンイメージセ
ンサは、受光素子部以外の不要な低抵抗半導体層を除去
した構造とすることにより、従来の非晶質シリコンイメ
ージセンナに比べて高ＳＮ比、高解像力などの優れた性
能が得られ、ファクシミリ、イメージスキャナ、ＯＣＲ
などの読取部として用いられる長尺の非晶質シリコンイ
メージセンサに適している。
ンサは、受光素子部以外の不要な低抵抗半導体層を除去
した構造とすることにより、従来の非晶質シリコンイメ
ージセンナに比べて高ＳＮ比、高解像力などの優れた性
能が得られ、ファクシミリ、イメージスキャナ、ＯＣＲ
などの読取部として用いられる長尺の非晶質シリコンイ
メージセンサに適している。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・金属電極、
３・・・・・・高抵抗非晶質シリコン、４・・・・・・
Ｐ型非晶質シリコンカーバイド、５・・・・・・透明電
極、６・・・・・・遮光膜。 茶 １ 図
３・・・・・・高抵抗非晶質シリコン、４・・・・・・
Ｐ型非晶質シリコンカーバイド、５・・・・・・透明電
極、６・・・・・・遮光膜。 茶 １ 図
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に形成された金属電極と、該金属電極
上に形成された高抵抗非晶質シリコン層と、該高抵抗非
晶質シリコン層上に形成された低抵抗半導体層と、該低
抵抗半導体層上に形成された透明電極と、該透明電極上
に形成された遮光層とを有する非晶質シリコンイメージ
センサにおいて、受光素子部以外の前記低抵抗半導体層
が除去されていることを特徴とする非晶質シリコンイメ
ージセンサ。 - （２）前記低抵抗半導体層がボロンをドーピングした非
晶質シリコンカーバイドであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の非晶質シリコンイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61097270A JPS62252968A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61097270A JPS62252968A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252968A true JPS62252968A (ja) | 1987-11-04 |
Family
ID=14187838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61097270A Pending JPS62252968A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303508B1 (en) * | 1999-12-16 | 2001-10-16 | Philips Electronics North America Corporation | Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating |
| US6680489B1 (en) * | 1995-12-20 | 2004-01-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Amorphous silicon carbide thin film coating |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP61097270A patent/JPS62252968A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6680489B1 (en) * | 1995-12-20 | 2004-01-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Amorphous silicon carbide thin film coating |
| US6303508B1 (en) * | 1999-12-16 | 2001-10-16 | Philips Electronics North America Corporation | Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating |
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