JPH0548142A - 電界効果型フオトトランジスタ - Google Patents
電界効果型フオトトランジスタInfo
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- JPH0548142A JPH0548142A JP3229676A JP22967691A JPH0548142A JP H0548142 A JPH0548142 A JP H0548142A JP 3229676 A JP3229676 A JP 3229676A JP 22967691 A JP22967691 A JP 22967691A JP H0548142 A JPH0548142 A JP H0548142A
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- silicon layer
- electrode
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 従来のフォトダイオード等の受光素子に比較
して光量に対する光電変換の電流のゲインを増大させて
光感度を向上させた電界効果型フォトトランジスタを得
る。 【構成】 ｐｉｎ非晶質シリコン層８ａ，８ｂ，８ｃ
（フォトダイオード）をゲート電極８とすることによ
り、前記ｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）
のｎ型非晶質シリコン８ｃ側から光が入射することによ
りキャリアを発生させ、正の開放端電圧を生じさせ、こ
の開放端電圧がゲート電極８に印加されることによりソ
ース電極２とドレイン電極３間に電流を流す構造の電界
効果型フォトトランジスタとする。
して光量に対する光電変換の電流のゲインを増大させて
光感度を向上させた電界効果型フォトトランジスタを得
る。 【構成】 ｐｉｎ非晶質シリコン層８ａ，８ｂ，８ｃ
（フォトダイオード）をゲート電極８とすることによ
り、前記ｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）
のｎ型非晶質シリコン８ｃ側から光が入射することによ
りキャリアを発生させ、正の開放端電圧を生じさせ、こ
の開放端電圧がゲート電極８に印加されることによりソ
ース電極２とドレイン電極３間に電流を流す構造の電界
効果型フォトトランジスタとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリやイメージ
スキャナ等の光センサとして用いられる非晶質シリコン
フォトトランジスタに係り、特に光ゲインの大きな電界
効果型フォトトランジスタの構造に関する。
スキャナ等の光センサとして用いられる非晶質シリコン
フォトトランジスタに係り、特に光ゲインの大きな電界
効果型フォトトランジスタの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、非晶質半導体材料を用いた光電変
換素子としては、図８に示すようなｐｉｎフォトダイオ
ードがある。このｐｉｎフォトダイオードは、絶縁基板
２１上に、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）等から
成る下部電極２２、ｎ型の非晶質シリコン層（ｎ層）２
３ａ、ノンドープの非晶質シリコン層（ｉ層）２３ｂ、
ｐ型の非晶質シリコン層（ｐ層）２３ｃ、酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜で形成された透明電
極２４を順次積層して構成されている。上記ｐｉｎフォ
トダイオードによれば、透明電極２４側から入射した光
が非晶質シリコン２３内で吸収されてキャリアを発生
し、前記光量に応じた光電流を流して光電変換を行な
う。
換素子としては、図８に示すようなｐｉｎフォトダイオ
ードがある。このｐｉｎフォトダイオードは、絶縁基板
２１上に、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）等から
成る下部電極２２、ｎ型の非晶質シリコン層（ｎ層）２
３ａ、ノンドープの非晶質シリコン層（ｉ層）２３ｂ、
ｐ型の非晶質シリコン層（ｐ層）２３ｃ、酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜で形成された透明電
極２４を順次積層して構成されている。上記ｐｉｎフォ
トダイオードによれば、透明電極２４側から入射した光
が非晶質シリコン２３内で吸収されてキャリアを発生
し、前記光量に応じた光電流を流して光電変換を行な
う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、フォトダイオードにおいて発生する光電流（Ｉｐ）
は、フォトダイオードに単位時間内に吸収されたフォト
ン数（Ｎｐ），単位電荷量（ｅ）及び量子効率（η）の
積（η・Ｎｐ・ｅ）となる。非晶質シリコンでは、前記
量子効率（η）は可視光領域で０．７〜１．０であるた
め、光量に対する光電流のゲインは１に近く、これ以上
の光電流の増加は困難であるという問題点があった。
に、フォトダイオードにおいて発生する光電流（Ｉｐ）
は、フォトダイオードに単位時間内に吸収されたフォト
ン数（Ｎｐ），単位電荷量（ｅ）及び量子効率（η）の
積（η・Ｎｐ・ｅ）となる。非晶質シリコンでは、前記
量子効率（η）は可視光領域で０．７〜１．０であるた
め、光量に対する光電流のゲインは１に近く、これ以上
の光電流の増加は困難であるという問題点があった。
【０００４】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、従来のフォトダイオード等の受光素子に比較して光
量に対する光電流のゲインを増大させて光感度を向上さ
せた電界効果型フォトトランジスタを提供することを目
的とする。
で、従来のフォトダイオード等の受光素子に比較して光
量に対する光電流のゲインを増大させて光感度を向上さ
せた電界効果型フォトトランジスタを提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
消するため請求項１の電界効果型フォトトランジスタ
は、互に分離されるように配置されたソース電極及びド
レイン電極と、少なくとも前記ソース電極及びドレイン
電極の端部を覆うように形成されたチャネル層と、該チ
ャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、チャネル領域
に対応するゲート絶縁膜上に形成したゲート電極とを具
備している。そして、前記ゲート電極は、ゲート絶縁膜
側よりｐ型非晶質シリコン層，ノンドープの非晶質シリ
コン層，ｎ型非晶質シリコン層を積層したｐｉｎ非晶質
シリコン層で形成されている。また、請求項２の電界効
果型フォトトランジスタは、前記ｐｉｎ非晶質シリコン
層に順方向となる電圧が印加可能なリセット電極をｐ型
非晶質シリコン層側又はｎ型非晶質シリコン層側に設け
ている。
消するため請求項１の電界効果型フォトトランジスタ
は、互に分離されるように配置されたソース電極及びド
レイン電極と、少なくとも前記ソース電極及びドレイン
電極の端部を覆うように形成されたチャネル層と、該チ
ャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、チャネル領域
に対応するゲート絶縁膜上に形成したゲート電極とを具
備している。そして、前記ゲート電極は、ゲート絶縁膜
側よりｐ型非晶質シリコン層，ノンドープの非晶質シリ
コン層，ｎ型非晶質シリコン層を積層したｐｉｎ非晶質
シリコン層で形成されている。また、請求項２の電界効
果型フォトトランジスタは、前記ｐｉｎ非晶質シリコン
層に順方向となる電圧が印加可能なリセット電極をｐ型
非晶質シリコン層側又はｎ型非晶質シリコン層側に設け
ている。
【０００６】
【作用】請求項１記載の発明によれば、ｐｉｎ非晶質シ
リコン層（フォトダイオード）をゲート電極とすること
により、前記ｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオー
ド）のｎ型非晶質シリコン側から光が入射することによ
りキャリアを発生させ、正の開放端電圧を生じさせる。
この開放端電圧がゲート電極に印加される構造の電界効
果型トランジスタとすることにより、増幅機能をもった
受光素子とすることができる。すなわち、ゲート電極に
印加される前記開放端電圧により、予め電圧が印加され
ているソース電極，ドレイン電極間に電流を流すので、
従来のフォトダイオード等の受光素子で得られる光電流
に比較してゲインの大きな電流を得ることができる。請
求項２記載の発明によれば、ｐｉｎ非晶質シリコン層
（フォトダイオード）に順方向となる電圧を印加可能な
電極を形成したので、前記電極に電圧を印加すれば、ｐ
ｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）に蓄積され
たキャリアは掃き出され、フォトトランジスタをリセッ
トさせることができる。
リコン層（フォトダイオード）をゲート電極とすること
により、前記ｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオー
ド）のｎ型非晶質シリコン側から光が入射することによ
りキャリアを発生させ、正の開放端電圧を生じさせる。
この開放端電圧がゲート電極に印加される構造の電界効
果型トランジスタとすることにより、増幅機能をもった
受光素子とすることができる。すなわち、ゲート電極に
印加される前記開放端電圧により、予め電圧が印加され
ているソース電極，ドレイン電極間に電流を流すので、
従来のフォトダイオード等の受光素子で得られる光電流
に比較してゲインの大きな電流を得ることができる。請
求項２記載の発明によれば、ｐｉｎ非晶質シリコン層
（フォトダイオード）に順方向となる電圧を印加可能な
電極を形成したので、前記電極に電圧を印加すれば、ｐ
ｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）に蓄積され
たキャリアは掃き出され、フォトトランジスタをリセッ
トさせることができる。
【０００７】
【実施例】本発明に係る電界効果型フォトトランジスタ
の一実施例について図１を参照しながら説明する。絶縁
基板１上に互に分離されるよう形成されたソース電極２
及びドレイン電極３が形成されている。ソース電極２及
びドレイン電極３は、オーミックコンタクトをとるため
のｎ型非晶質シリコン膜４，５によりそれぞれ被覆され
ている。ｎ型非晶質シリコン膜４，５により被覆された
ソース電極２及びドレイン電極３の端部を覆うように、
チャネル層６が形成されている。そして、チャネル層６
上にはゲート絶縁膜７が積層され、前記チャネル層６の
チャネル領域に対応するゲート絶縁膜７上にゲート電極
８を形成している。このゲート電極８は、ゲート絶縁膜
７側よりｐ型非晶質シリコン層８ａ，ノンドープのｉ型
非晶質シリコン層８ｂ，ｎ型非晶質シリコン層８ｃを積
層したｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）で
形成されている。
の一実施例について図１を参照しながら説明する。絶縁
基板１上に互に分離されるよう形成されたソース電極２
及びドレイン電極３が形成されている。ソース電極２及
びドレイン電極３は、オーミックコンタクトをとるため
のｎ型非晶質シリコン膜４，５によりそれぞれ被覆され
ている。ｎ型非晶質シリコン膜４，５により被覆された
ソース電極２及びドレイン電極３の端部を覆うように、
チャネル層６が形成されている。そして、チャネル層６
上にはゲート絶縁膜７が積層され、前記チャネル層６の
チャネル領域に対応するゲート絶縁膜７上にゲート電極
８を形成している。このゲート電極８は、ゲート絶縁膜
７側よりｐ型非晶質シリコン層８ａ，ノンドープのｉ型
非晶質シリコン層８ｂ，ｎ型非晶質シリコン層８ｃを積
層したｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）で
形成されている。
【０００８】次に前記電界効果型フォトトランジスタの
製造プロセスについて簡単に説明する。絶縁基板１上に
スパッタリング法等によりクロム（Ｃｒ），アルミニウ
ム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜を着膜し、
該金属膜上にプラズマＣＶＤ法によりリン又はひ素を混
入したｎ型非晶質シリコン膜を着膜する。フォトリソ工
程及びエッチング工程により同一レジストパターンによ
り前記ｎ型非晶質シリコン膜及び金属膜をパターニング
し、オーミックコンタクトをとるためのｎ型非晶質シリ
コン膜４，５で被覆されたソース電極２及びドレイン電
極３を形成する。続いて、プラズマＣＶＤ法によりノン
ドープのｉ型非晶質シリコン膜及び非晶質シリコンナイ
トライドを着膜し、フォトリソ工程及びエッチング工程
により同一レジストパターンによりソース電極２及びド
レイン電極３の端部を覆うようにパターニングし、ゲー
ト絶縁膜７及びチャネル層６を形成する。ゲート絶縁膜
７上にプラズマＣＶＤ法により、ボロンを混入したｐ型
非晶質シリコン層８ａ，ノンドープのｉ型非晶質シリコ
ン層８ｂ，リン又はひ素を混入したｎ型非晶質シリコン
層８ｃを順次積層してｐｉｎ非晶質シリコン層を形成
し、フォトリソ工程及びエッチング工程により前記ｐｉ
ｎ非晶質シリコン層をパターニングして、ソース電極２
及びドレイン電極３間に位置するゲート絶縁膜７上にｐ
ｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）から成るゲ
ート電極８を形成する。
製造プロセスについて簡単に説明する。絶縁基板１上に
スパッタリング法等によりクロム（Ｃｒ），アルミニウ
ム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜を着膜し、
該金属膜上にプラズマＣＶＤ法によりリン又はひ素を混
入したｎ型非晶質シリコン膜を着膜する。フォトリソ工
程及びエッチング工程により同一レジストパターンによ
り前記ｎ型非晶質シリコン膜及び金属膜をパターニング
し、オーミックコンタクトをとるためのｎ型非晶質シリ
コン膜４，５で被覆されたソース電極２及びドレイン電
極３を形成する。続いて、プラズマＣＶＤ法によりノン
ドープのｉ型非晶質シリコン膜及び非晶質シリコンナイ
トライドを着膜し、フォトリソ工程及びエッチング工程
により同一レジストパターンによりソース電極２及びド
レイン電極３の端部を覆うようにパターニングし、ゲー
ト絶縁膜７及びチャネル層６を形成する。ゲート絶縁膜
７上にプラズマＣＶＤ法により、ボロンを混入したｐ型
非晶質シリコン層８ａ，ノンドープのｉ型非晶質シリコ
ン層８ｂ，リン又はひ素を混入したｎ型非晶質シリコン
層８ｃを順次積層してｐｉｎ非晶質シリコン層を形成
し、フォトリソ工程及びエッチング工程により前記ｐｉ
ｎ非晶質シリコン層をパターニングして、ソース電極２
及びドレイン電極３間に位置するゲート絶縁膜７上にｐ
ｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）から成るゲ
ート電極８を形成する。
【０００９】次に、上記構造の電界効果型フォトトラン
ジスタの動作原理について図２のエネルギーバンド図を
参照しながら説明する。ｎ型非晶質シリコン層８ｃ側か
ら入射した光は、ｉ型非晶質シリコン層８ｂ中で吸収さ
れて電子及び正孔のペアを生成する。ｉ型非晶質シリコ
ン層８ｂはビルトインポテンシャルにより空乏化してい
るため、電子（図中、黒点で表示）はｎ型非晶質シリコ
ン層８ｃへ、正孔（図中、白点で表示）はｐ型非晶質シ
リコン層８ａへそれぞれ移動し、各非晶質シリコン層は
あるポテンシャルをもつようになり開放端電圧となる正
の起電圧が生じる。この起電圧によりチャネル層６とゲ
ート絶縁膜７との界面に電子が誘起されてチャネルが形
成される。このときチャネル層６の両端側に配置された
ソース電極２及びドレイン電極３間に予め電圧を印加し
ておけば、ゲート電極８に印加される前記起電圧がトリ
ガとなりソース電極２及びドレイン電極３間に電流を流
すことができる。従来のフォトダイオード等の受光素子
で得られる光電流の大きさは、入射光に直接依存するも
のである。これに対して本実施例の電界効果型フォトト
ランジスタによるソース電極２及びドレイン電極３間に
流れる電流は、ソース電極２及びドレイン電極３間に印
加される電圧に依存する。従って、従来の受光素子にお
いて光電変換して得られる電流（光電流）に比較して、
本実施例において光電変換して得られる電流（ソース電
極２及びドレイン電極３間に流れる電流）は入射光量に
対してゲインを大きく設定することができる。また、ソ
ース電極２及びドレイン電極３間に流れる電流は、図３
に示すように、入射光量に対して指数関数的に増加する
ので、該電流に階調表示のデータを包含させることがで
きる。
ジスタの動作原理について図２のエネルギーバンド図を
参照しながら説明する。ｎ型非晶質シリコン層８ｃ側か
ら入射した光は、ｉ型非晶質シリコン層８ｂ中で吸収さ
れて電子及び正孔のペアを生成する。ｉ型非晶質シリコ
ン層８ｂはビルトインポテンシャルにより空乏化してい
るため、電子（図中、黒点で表示）はｎ型非晶質シリコ
ン層８ｃへ、正孔（図中、白点で表示）はｐ型非晶質シ
リコン層８ａへそれぞれ移動し、各非晶質シリコン層は
あるポテンシャルをもつようになり開放端電圧となる正
の起電圧が生じる。この起電圧によりチャネル層６とゲ
ート絶縁膜７との界面に電子が誘起されてチャネルが形
成される。このときチャネル層６の両端側に配置された
ソース電極２及びドレイン電極３間に予め電圧を印加し
ておけば、ゲート電極８に印加される前記起電圧がトリ
ガとなりソース電極２及びドレイン電極３間に電流を流
すことができる。従来のフォトダイオード等の受光素子
で得られる光電流の大きさは、入射光に直接依存するも
のである。これに対して本実施例の電界効果型フォトト
ランジスタによるソース電極２及びドレイン電極３間に
流れる電流は、ソース電極２及びドレイン電極３間に印
加される電圧に依存する。従って、従来の受光素子にお
いて光電変換して得られる電流（光電流）に比較して、
本実施例において光電変換して得られる電流（ソース電
極２及びドレイン電極３間に流れる電流）は入射光量に
対してゲインを大きく設定することができる。また、ソ
ース電極２及びドレイン電極３間に流れる電流は、図３
に示すように、入射光量に対して指数関数的に増加する
ので、該電流に階調表示のデータを包含させることがで
きる。
【００１０】図４及び図５は、電界効果型フォトトラン
ジスタの他の実施例を示すもので、フォトトランジスタ
のゲート電極８に蓄積された電荷をリセットするための
リセット電極９をｎ型非晶質シリコン８ｃ上に設けてい
る。このリセット電極９は、上部よりｐｉｎ非晶質シリ
コン層（フォトダイオード）に光が入射する必要がある
ため、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜
で形成されている。また、リセット電極９は、電界効果
型フォトトランジスタ全体を被覆する保護膜（図示せ
ず）のリセット電極９上に穿孔されたコンタクト孔１０
を介して引き出し配線１１に接続されている。この引き
出し配線１１を介してｎ型非晶質シリコン層８ｃに負の
電圧が印加されることにより、ゲート電極８を構成する
ｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）に順方向
となるように電圧が加わり、蓄積されたキャリアは掃き
出され、フォトトランジスタをリセットさせることがで
きる。他の構成は図１と同様であるので説明を省略す
る。
ジスタの他の実施例を示すもので、フォトトランジスタ
のゲート電極８に蓄積された電荷をリセットするための
リセット電極９をｎ型非晶質シリコン８ｃ上に設けてい
る。このリセット電極９は、上部よりｐｉｎ非晶質シリ
コン層（フォトダイオード）に光が入射する必要がある
ため、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜
で形成されている。また、リセット電極９は、電界効果
型フォトトランジスタ全体を被覆する保護膜（図示せ
ず）のリセット電極９上に穿孔されたコンタクト孔１０
を介して引き出し配線１１に接続されている。この引き
出し配線１１を介してｎ型非晶質シリコン層８ｃに負の
電圧が印加されることにより、ゲート電極８を構成する
ｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）に順方向
となるように電圧が加わり、蓄積されたキャリアは掃き
出され、フォトトランジスタをリセットさせることがで
きる。他の構成は図１と同様であるので説明を省略す
る。
【００１１】図６及び図７は、電界効果型フォトトラン
ジスタの他の実施例を示すもので、フォトトランジスタ
のゲート電極８に蓄積された電荷をリセットするための
リセット電極１２をｐ型非晶質シリコン８ａとゲート絶
縁膜７との間に設けている。このリセット電極１２はク
ロム（Ｃｒ）等の金属膜で形成され、ゲート絶縁膜７と
同一面積となるようゲート絶縁膜７をエッチングする際
のレジストパターンによりパターニングされる。そし
て、電界効果型フォトトランジスタ全体を被覆する保護
膜（図示せず）のリセット電極１２上に穿孔されたコン
タクト孔１３を介して引き出し配線１４に接続されてい
る。この引き出し配線１４を介してｐ型非晶質シリコン
層８ａに正の電圧が印加されることにより、ゲート電極
８を構成するｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオー
ド）に順方向となるように電圧が加わり、蓄積されたキ
ャリアは掃き出され、フォトトランジスタをリセットさ
せることができる。他の構成は図１と同様であるので説
明を省略する。
ジスタの他の実施例を示すもので、フォトトランジスタ
のゲート電極８に蓄積された電荷をリセットするための
リセット電極１２をｐ型非晶質シリコン８ａとゲート絶
縁膜７との間に設けている。このリセット電極１２はク
ロム（Ｃｒ）等の金属膜で形成され、ゲート絶縁膜７と
同一面積となるようゲート絶縁膜７をエッチングする際
のレジストパターンによりパターニングされる。そし
て、電界効果型フォトトランジスタ全体を被覆する保護
膜（図示せず）のリセット電極１２上に穿孔されたコン
タクト孔１３を介して引き出し配線１４に接続されてい
る。この引き出し配線１４を介してｐ型非晶質シリコン
層８ａに正の電圧が印加されることにより、ゲート電極
８を構成するｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオー
ド）に順方向となるように電圧が加わり、蓄積されたキ
ャリアは掃き出され、フォトトランジスタをリセットさ
せることができる。他の構成は図１と同様であるので説
明を省略する。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、ｐｉｎ非晶質シリコン
層（フォトダイオード）をゲート電極とすることによ
り、前記ｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）
に光を照射することにより発生するキャリアを開放端電
圧として取り出し、これがゲート電極に印加される電界
効果型フォトトランジスタとすることにより、増幅機能
をもった受光素子とすることができ、ゲート電極に印加
される前記開放端電圧により、予め電圧が印加されてい
るソース，ドレイン電極間に電流を流すので、従来のフ
ォトダイオード等の受光素子で得られる光電流に比較し
てゲインの大きな電流を得て光感度の向上を図ることが
できる。
層（フォトダイオード）をゲート電極とすることによ
り、前記ｐｉｎ非晶質シリコン層（フォトダイオード）
に光を照射することにより発生するキャリアを開放端電
圧として取り出し、これがゲート電極に印加される電界
効果型フォトトランジスタとすることにより、増幅機能
をもった受光素子とすることができ、ゲート電極に印加
される前記開放端電圧により、予め電圧が印加されてい
るソース，ドレイン電極間に電流を流すので、従来のフ
ォトダイオード等の受光素子で得られる光電流に比較し
てゲインの大きな電流を得て光感度の向上を図ることが
できる。
【図１】 本発明の一実施例に係る電界効果型フォトト
ランジスタの断面説明図である。
ランジスタの断面説明図である。
【図２】 実施例に係る電界効果型フォトトランジスタ
のエネルギーバンド図である。
のエネルギーバンド図である。
【図３】 実施例に係る電界効果型フォトトランジスタ
の入射光量と電流の関係を示す特性曲線図である。
の入射光量と電流の関係を示す特性曲線図である。
【図４】 本発明の他の実施例を示す電界効果型フォト
トランジスタの断面説明図である。
トランジスタの断面説明図である。
【図５】 図４の平面説明図である。
【図６】 本発明の他の実施例を示す電界効果型フォト
トランジスタの断面説明図である。
トランジスタの断面説明図である。
【図７】 図６の平面説明図である。
【図８】 従来、受光素子として用いられているｐｉｎ
フォトダイオードの断面説明図である。
フォトダイオードの断面説明図である。
１…絶縁基板、 ２…ソース電極、 ３…ドレイン電
極、 ６…チャネル層、７…ゲート絶縁層、 ８…ゲー
ト電極、 ８ａ…ｐ型非晶質シリコン層、 ８ｂ…ｉ型
非晶質シリコン層、 ８ｃ…ｎ型非晶質シリコン層、
９…リセット電極、 １２…リセット電極
極、 ６…チャネル層、７…ゲート絶縁層、 ８…ゲー
ト電極、 ８ａ…ｐ型非晶質シリコン層、 ８ｂ…ｉ型
非晶質シリコン層、 ８ｃ…ｎ型非晶質シリコン層、
９…リセット電極、 １２…リセット電極
Claims (2)
- 【請求項１】 互に分離されるように配置されたソース
電極及びドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極及
びドレイン電極の端部を覆うように形成されたチャネル
層と、該チャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、チ
ャネル領域に対応するゲート絶縁膜上に形成したゲート
電極とを具備し、該ゲート電極は、ゲート絶縁膜側より
ｐ型非晶質シリコン層，ノンドープの非晶質シリコン
層，ｎ型非晶質シリコン層を積層したｐｉｎ非晶質シリ
コン層で形成されたことを特徴とする電界効果型フォト
トランジスタ。 - 【請求項２】 前記ｐｉｎ非晶質シリコン層に順方向と
なる電圧が印加可能なリセット電極をｐ型非晶質シリコ
ン層側又はｎ型非晶質シリコン層側に設けた請求項１記
載の電界効果型フォトトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229676A JPH0548142A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 電界効果型フオトトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229676A JPH0548142A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 電界効果型フオトトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548142A true JPH0548142A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16895944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3229676A Pending JPH0548142A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 電界効果型フオトトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548142A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100491309B1 (ko) * | 2002-04-16 | 2005-05-24 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 모스 전계 효과 트랜지스터 및 광 다이오드가 일체화된 광전자 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2007081185A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | 光検出素子 |
| JP2007311475A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Univ Of Tokushima | 半導体光検出器 |
| JP2011119353A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Fujifilm Corp | 光センサー、光センサーアレイ、光センサーの駆動方法、及び光センサーアレイの駆動方法 |
| CN113451422A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-09-28 | 中国科学技术大学 | 一种光电探测器的调节方法及其应用 |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP3229676A patent/JPH0548142A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100491309B1 (ko) * | 2002-04-16 | 2005-05-24 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 모스 전계 효과 트랜지스터 및 광 다이오드가 일체화된 광전자 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
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| US8669626B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-03-11 | Fujifilm Corporation | Optical sensor, optical sensor array, optical sensor driving method, and optical sensor array driving method |
| CN113451422A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-09-28 | 中国科学技术大学 | 一种光电探测器的调节方法及其应用 |
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