JP2007311475A - 半導体光検出器 - Google Patents
半導体光検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007311475A JP2007311475A JP2006137713A JP2006137713A JP2007311475A JP 2007311475 A JP2007311475 A JP 2007311475A JP 2006137713 A JP2006137713 A JP 2006137713A JP 2006137713 A JP2006137713 A JP 2006137713A JP 2007311475 A JP2007311475 A JP 2007311475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- semiconductor
- undoped
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の半導体層2上にこの第1の半導体層2よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層3を設け、その上に第2の半導体層3よりもバンドギャップが小さく、かつ、このバンドギャップは可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、第2の半導体層3とタイプIのヘテロ接合を形成する第3の半導体層4を設け、第1の半導体層2に第1の電極5を設け、第3の半導体層4に第2の電極6を設けて半導体光検出器を構成する。動作時に第3の半導体層4による光吸収によって生成される正孔が第3の半導体層4と第2の半導体層3との界面に蓄積される。
【選択図】図1
Description
この発明は、従来技術が有する上記の課題を一挙に解決することを目的とするものである。
すなわち、この発明が解決しようとする課題は、紫外光あるいはより短波長の光だけを極めて高い受光感度で検出することができ、しかもp型層を用いないで済むことにより製造も容易な半導体光検出器を提供することである。
この発明は、本発明者らによる上記の研究に基づいて案出されたものである。
第1の半導体層と、
上記第1の半導体層上の、上記第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層と、
上記第2の半導体層上の、上記第2の半導体層よりもバンドギャップが小さく、かつ、このバンドギャップは可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、上記第2の半導体層とタイプIのヘテロ接合を形成する第3の半導体層と、
上記第1の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
上記第3の半導体層に電気的に接続された第2の電極とを有し、
動作時に上記第3の半導体層による光吸収によって生成される正孔が上記第3の半導体層と上記第2の半導体層との界面に蓄積されることを特徴とする半導体光検出器である。
半導体光検出器の特性のばらつきの影響を抑えるために、必要に応じて、半導体光検出器を一対用意して差動アンプを構成し、一方の半導体光検出器には配線用の金メッキ層などを用いて光が照射されないようにしてもよい。
n型の第1の半導体層と、
上記第1の半導体層上の、上記第1の半導体層よりも高い電気抵抗を有し、かつ、深いアプセプタ準位を含む第2の半導体層と、
上記第2の半導体層上の、バンドギャップが可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、空乏化した第3の半導体層と、
上記第1の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
上記第3の半導体層に電気的に接続された第2の電極とを有し、
動作時に上記第3の半導体層による光吸収によって生成される正孔が上記第2の半導体層に蓄積されることを特徴とする半導体光検出器である。
上記以外のことについては、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
第1の半導体層と、
上記第1の半導体層上の、上記第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層と、
上記第2の半導体層上の、上記第2の半導体層よりもバンドギャップが小さく、かつ、このバンドギャップは可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、上記第2の半導体層とタイプIのヘテロ接合を形成する第3の半導体層と、
上記第1の半導体層の一端および他端にそれぞれ電気的に接続された第1の電極および第2の電極と、
上記第3の半導体層に電気的に接続されている第3の電極とを有し、
動作時に上記第3の半導体層による光吸収によって生成される正孔が上記第3の半導体層と上記第2の半導体層との界面に蓄積されることを特徴とする半導体光検出器である。
上記以外のことについては、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
図1はこの発明の第1の実施形態(第1の発明の実施形態)による半導体光検出器を示す。図1に示すように、この半導体光検出器においては、基板1上に、GaNやAlNなどの低温バッファ層(図示せず)を介して、アンドープまたはn型GaN層2、アンドープAlGaN層3およびアンドープGaN層4が順次積層されている。アンドープAlGaN層3およびアンドープGaN層4はメサ形状に形成されている。アンドープまたはn型GaN層2は電子放出層として用いられ、アンドープAlGaN層3は障壁層として用いられ、アンドープGaN層4は光吸収層として用いられる。基板1としては、例えばサファイア基板、特にc面サファイア基板が用いられるが、これに限定されるものではない。メサ部の外側のアンドープまたはn型GaN層2上には負電極5が形成され、このアンドープまたはn型GaN層2と電気的に接続されている。アンドープGaN層4上には正電極6が形成され、このアンドープGaN層4と電気的に接続されている。負電極5および正電極6の材料としては、例えば、Ti/Al/Ni/Auなどの多層金属が用いられるが、これに限定されるものではない。なお、アンドープAlGaN層3は一般的にはフローティングとし、電極を形成する必要はない。
まず基板1を用意し、この基板1上に従来公知の方法によりGaNやAlNなどの低温バッファ層(図示せず)を形成した後、例えばMOCVD法により、アンドープまたはn型GaN層2、アンドープAlGaN層3およびアンドープGaN層4を順次エピタキシャル成長させる。次に、アンドープGaN層4上にリソグラフィーにより所定の形状のレジストパターン(図示せず)を形成した後、このレジストパターンをマスクとして例えば塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング(RIE)法によりアンドープAlGaN層3およびアンドープGaN層4を選択的にエッチングしてメサ形状にパターニングするとともに、アンドープまたはn型GaN層2の一部を露出させる。この後、レジストパターンを除去する。次に、リソグラフィーにより所定の形状のレジストパターン(図示せず)を形成し、例えば真空蒸着法により負電極形成用の金属膜を形成した後、レジストパターンをその上の金属膜とともに除去する(リフトオフ)。これによって、アンドープまたはn型GaN層2上に負電極5が形成される。次に、必要に応じて、アンドープまたはn型GaN層2に対する負電極5のオーミック接触特性を改善するために例えば700〜900℃程度の温度で熱処理を行う。次に、同様な方法によりアンドープGaN層4上に正電極6を形成する。
図2はこの半導体光検出器の3つの異なる状態におけるエネルギーバンド図を示す。ただし、アンドープまたはn型GaN層2はn型GaN層であるものとする。この半導体光検出器に光が照射されておらず(暗時)、バイアス電圧も印加されていない状態(無バイアス)におけるエネルギーバンドは図2の点線で示すようになっている。この場合、障壁層であるアンドープAlGaN層3の伝導帯および価電子帯はアンドープまたはn型GaN層2およびアンドープGaN層4に対してそれぞれ、上に凸、下に凸の形状となっている。
基板1としてc面サファイア基板を用いた。アンドープまたはn型GaN層2として厚さ2000nmのアンドープGaN層を用いた。アンドープAlGaN層3の厚さは30nm、Al組成は0.25とした。アンドープGaN層4の厚さは30nmとした。負電極5としてTi/Al/Ni/Auからなるオーミック電極を形成し、窒素ガス雰囲気中において800℃で1分間の熱処理を施した。アンドープAlGaN層3およびアンドープGaN層4からなるメサ部の平面形状は直径150μmの円形とし、このメサ部の上面の中央に正電極6として直径144μmのNi/Au電極を形成した。この場合、このメサ部の上面のうち端面から3μm幅の、正電極6が形成されていないドーナツ形状の部分が光の入射窓(直径200μm、幅3μm)であり、受光面積は3.14×200×3μm2 である。
図4にこの半導体光検出器を示す。図4に示すように、この半導体光検出器は、電子放出層としてアンドープまたはn型GaN層2の代わりにn型GaN層7、障壁層としてアンドープAlGaN層3の代わりにC(カーボン)ドープGaN層8を用いていることを除いて、第1の実施形態による半導体光検出器と同様な構造を有する。ここで、CドープGaN層7においては、ドープされたCにより、深いアクセプタライクの準位が生じている。
この半導体光検出器の製造方法は、n型GaN層7を成長させた後にカーボンが例えば1×1017cm-3以上ドープされる条件でGaN層を成長させることによりCドープGaN層7を成長させることを除いて、第1の実施形態による半導体光検出器の製造方法と同様である。
図5はこの半導体光検出器の3つの異なる状態におけるエネルギーバンド図を示す。この半導体光検出器に光が照射されておらず(暗時)、バイアス電圧も印加されていない状態(無バイアス)におけるエネルギーバンドは図5の点線で示すようになっている。CドープGaN層8はn型GaN層7と接しているため、CドープGaN層8中の深いアクセプタライクの準位はこのn型GaN層7からの電子をトラップして負イオン化アクセプタとなり、バンドエネルギーを増大させる。
基板1としてc面サファイア基板を用いた。n型GaN層7として、厚さが1500nmでSiを2×1018cm-3ドープしたn型GaN層を用いた。CドープGaN層8の厚さは200nm、アンドープGaN層4の厚さは300nmとした。負電極5としてTi/Al/Ni/Auからなるオーミック電極を形成し、窒素ガス雰囲気中において800℃で1分間の熱処理を施した。CドープGaN層8およびアンドープGaN層4からなるメサ部の平面形状は直径200μmの円形とし、このメサ部の上面の中央に正電極6として直径194μmのNi/Au電極を形成した。この場合、このメサ部の上面のうち端面から3μm幅の、正電極6が形成されていないドーナツ形状の部分が光の入射窓(直径200μm、幅3μm)であり、受光面積は3.14×200×3μm2 である。
この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
図10にこの半導体光検出器を示す。図10に示すように、この半導体光検出器においては、基板51上に、GaNやAlNなどの低温バッファ層(図示せず)を介して、アンドープGaN層52、アンドープAlGaN層53およびアンドープGaN層54がそれぞれc軸配向で順次積層されている。ここで、アンドープGaN層52とアンドープAlGaN層53との界面には正のピエゾ電荷または自発分極電荷が存在し、アンドープAlGaN層53とアンドープGaN層54との界面には負のピエゾ電荷または自発分極電荷が存在する。アンドープGaN層52はチャネル層として用いられ、アンドープAlGaN層53は障壁層として用いられ、アンドープGaN層54は光吸収層として用いられる。アンドープAlGaN層53の上部およびアンドープGaN層54にはリセス部55、56が形成されている。これらのリセス部55、56におけるアンドープAlGaN層53上にそれぞれソース電極57およびドレイン電極58が形成されている。また、これらのリセス部55、56の間の部分のアンドープGaN層54上にゲート電極59が形成されている。このゲート電極59はアンドープGaN層54に対してショットキー接触するものでもオーミック接触するものでもよい。基板51としては、例えば、c面サファイア基板、a面サファイア基板などが用いられる。ソース電極57およびドレイン電極58の材料としては、例えば、Ti/Al/Ni/Auなどの多層金属が用いられるが、これに限定されるものではない。ゲート電極59の材料としては、アンドープGaN層54に対してショットキー接触するものとしては例えばNi/Auなどの多層金属が用いられ、アンドープGaN層54に対してオーミック接触するものとしてはTi/Al/Ni/Auなどの多層金属が用いられるが、これに限定されるものではない。
図11はこの半導体光検出器に光が照射されておらず(暗時)、バイアス電圧も印加されていない状態(無バイアス)におけるエネルギーバンド図を示す。アンドープGaN層52とアンドープAlGaN層53との界面の近傍のチャネル領域に2DEG60が形成されている。アンドープGaN層54のエネルギーバンドは、アンドープAlGaN層53とアンドープGaN層54との界面側が高く、アンドープGaN層54とゲート電極59との界面側が低くなるように傾斜しており、アンドープGaN層54には、アンドープGaN層54とゲート電極59との界面からアンドープAlGaN層53とアンドープGaN層54との界面に向かって電界がかかっている。
基板51としてc面サファイア基板を用いた。アンドープGaN層52の厚さは3μmとした。アンドープAlGaN層53の厚さは30nm、Al組成は0.25とした。アンドープGaN層54の厚さは30nmとした。リセス部55、56はSiCl4 ガスを用いたICP(inductively coupled plasma)RIEによりアンドープGaN層54およびアンドープAlGaN層53をエッチングすることにより形成した。ソース電極57およびドレイン電極58としてTi/Al/Ni/Au=50/200/40/40nmからなるオーミック電極を形成し、窒素ガス雰囲気中において850℃で30秒間の熱処理を施した。ゲート電極59としてNi/Au=90/30nmからなる電極を形成した。Ni/Auの形成には電子ビーム蒸着法を用いた。リセス部55、56の間のメサ部の大きさは長さ12μm、幅(WG )50μmとし、このメサ部の上面の中央に長さ(ゲート長LG )2μmのゲート電極59を形成した。この場合、受光面積は12×50=600μm2 である。ゲート電極59とソース電極57との間隔LSGおよびゲート電極59とドレイン電極58との間隔LDGはそれぞれ8μmとした。
この第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
また、例えば、第3の実施形態による半導体光検出器において、ソース電極57およびドレイン電極58を同電位とし、これらのソース電極57およびドレイン電極58に対して正の電圧をゲート電極59に印加することにより、第1の実施形態による半導体光検出器と同様な動作を行わせることが可能である。
Claims (6)
- 第1の半導体層と、
上記第1の半導体層上の、上記第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層と、
上記第2の半導体層上の、上記第2の半導体層よりもバンドギャップが小さく、かつ、このバンドギャップは可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、上記第2の半導体層とタイプIのヘテロ接合を形成する第3の半導体層と、
上記第1の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
上記第3の半導体層に電気的に接続された第2の電極とを有し、
動作時に上記第3の半導体層による光吸収によって生成される正孔が上記第3の半導体層と上記第2の半導体層との界面に蓄積されることを特徴とする半導体光検出器。 - n型の第1の半導体層と、
上記第1の半導体層上の、上記第1の半導体層よりも高い電気抵抗を有し、かつ、深いアクセプタ準位を含む第2の半導体層と、
上記第2の半導体層上の、バンドギャップが可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、空乏化した第3の半導体層と、
上記第1の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
上記第3の半導体層に電気的に接続された第2の電極とを有し、
動作時に上記第3の半導体層による光吸収によって生成される正孔が上記第2の半導体層に蓄積されることを特徴とする半導体光検出器。 - 第1の半導体層と、
上記第1の半導体層上の、上記第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層と、
上記第2の半導体層上の、上記第2の半導体層よりもバンドギャップが小さく、かつ、このバンドギャップは可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、上記第2の半導体層とタイプIのヘテロ接合を形成する第3の半導体層と、
上記第1の半導体層の一端および他端にそれぞれ電気的に接続された第1の電極および第2の電極と、
上記第3の半導体層に電気的に接続された第3の電極とを有し、
動作時に上記第3の半導体層による光吸収によって生成される正孔が上記第3の半導体層と上記第2の半導体層との界面に蓄積されることを特徴とする半導体光検出器。 - 上記第1の半導体層がアンドープまたはn型Alx Ga1-x N層(1≧x≧0)、上記第2の半導体層がアンドープAly Ga1-y N層(y>x、1≧y>0)、上記第3の半導体層がアンドープAlz Inw Ga1-z-w N層(1≧z≧0、1≧w≧0、1≧z+w≧0)であることを特徴とする請求項1記載の半導体光検出器。
- 上記第1の半導体層がn型Alx Ga1-x N層(1≧x≧0)、上記第2の半導体層がカーボンがドープされたAly Ga1-y N層(y≧x、1≧y≧0)、上記第3の半導体層がアンドープAlz Inw Ga1-z-w N層(1≧z≧0、1≧w≧0、1≧z+w≧0)であることを特徴とする請求項2記載の半導体光検出器。
- 上記第1の半導体層がアンドープAlx Ga1-x N層(1≧x≧0)、上記第2の半導体層がアンドープAly Ga1-y N層(y>x、1≧y>0)、上記第3の半導体層がアンドープAlz Inw Ga1-z-w N層(1≧z≧0、1≧w≧0、1≧z+w≧0)であることを特徴とする請求項3記載の半導体光検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006137713A JP4635187B2 (ja) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | 半導体光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006137713A JP4635187B2 (ja) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | 半導体光検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007311475A true JP2007311475A (ja) | 2007-11-29 |
JP4635187B2 JP4635187B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=38844080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006137713A Expired - Fee Related JP4635187B2 (ja) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | 半導体光検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4635187B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011082392A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキーバリアダイオード |
JP2013187384A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Osaka Univ | 光電池および光電池の作製方法 |
JP2017092155A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 学校法人 名城大学 | 紫外線受光素子及び紫外線受光素子の製造方法 |
JP2018056225A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 旭化成株式会社 | 受光素子 |
US11049993B1 (en) | 2019-12-06 | 2021-06-29 | National Chung-Shan Institute Of Science And Technology | Method for preparing aluminum nitride-zinc oxide ultraviolet detecting electrode |
CN114784123A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-07-22 | 华南理工大学 | 非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11309450B2 (en) | 2018-12-20 | 2022-04-19 | Analog Devices, Inc. | Hybrid semiconductor photodetector assembly |
US11302835B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-04-12 | Analog Devices, Inc. | Semiconductor photodetector assembly |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5511330A (en) * | 1978-07-08 | 1980-01-26 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device having continuous junction |
JPH02203572A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 | Sharp Corp | 光トランジスタ |
JPH0548142A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-02-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 電界効果型フオトトランジスタ |
JP2001274375A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP2003110197A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 窒化物半導体発光装置、窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2005235910A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Osaka Gas Co Ltd | GaN系化合物半導体受光素子 |
-
2006
- 2006-05-17 JP JP2006137713A patent/JP4635187B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5511330A (en) * | 1978-07-08 | 1980-01-26 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device having continuous junction |
JPH02203572A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 | Sharp Corp | 光トランジスタ |
JPH0548142A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-02-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 電界効果型フオトトランジスタ |
JP2001274375A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP2003110197A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 窒化物半導体発光装置、窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2005235910A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Osaka Gas Co Ltd | GaN系化合物半導体受光素子 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011082392A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキーバリアダイオード |
JP2013187384A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Osaka Univ | 光電池および光電池の作製方法 |
JP2017092155A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 学校法人 名城大学 | 紫外線受光素子及び紫外線受光素子の製造方法 |
JP2018056225A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 旭化成株式会社 | 受光素子 |
US11049993B1 (en) | 2019-12-06 | 2021-06-29 | National Chung-Shan Institute Of Science And Technology | Method for preparing aluminum nitride-zinc oxide ultraviolet detecting electrode |
JP2021103755A (ja) * | 2019-12-06 | 2021-07-15 | 國家中山科學研究院 | 窒化アルミニウム‐酸化亜鉛の紫外線検出電極を作製する方法 |
CN114784123A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-07-22 | 华南理工大学 | 非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4635187B2 (ja) | 2011-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101027225B1 (ko) | 자외선 수광 소자 | |
JP4635187B2 (ja) | 半導体光検出器 | |
CN101872798B (zh) | 一种紫外红外双色探测器及制作方法 | |
US20070034898A1 (en) | Heterojunction photodiode | |
US6137123A (en) | High gain GaN/AlGaN heterojunction phototransistor | |
CN113471326B (zh) | 一种ⅲ族氮化物异质结光电探测器 | |
CN111739960B (zh) | 一种增益型异质结紫外光电探测器 | |
CN105655437A (zh) | 一种紫外雪崩光电探测器 | |
CN109285914B (zh) | 一种AlGaN基紫外异质结光电晶体管探测器及其制备方法 | |
US8350290B2 (en) | Light-receiving device and manufacturing method for a light-receiving device | |
US8143648B1 (en) | Unipolar tunneling photodetector | |
US20190013431A1 (en) | Photodetector | |
Hickman et al. | GaN PN junction issues and developments | |
JP2007123587A (ja) | 受光素子 | |
WO2022149788A1 (ko) | 고효율 질화물계 광 검출기 | |
Pham et al. | Filter-free AlGaN photodiode with high quantum efficiency for partial discharge detection | |
Lee et al. | InGaN metal-semiconductor-metal photodetectors with aluminum nitride cap layers | |
Wang et al. | Realizing high zero-bias gain in a GaN-based bipolar phototransistor through thin-base configuration for ultraviolet imaging | |
CN111341841B (zh) | 基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件 | |
KR102437878B1 (ko) | 헤테로 접합을 이용한 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
Satterthwaite et al. | High responsivity, low dark current ultraviolet photodetector based on AlGaN/GaN interdigitated transducer | |
CN110770900B (zh) | 光电记忆器件、光电记忆读出器件及相机模组 | |
JPH0794773A (ja) | SiC紫外線検出器 | |
JP2023056719A (ja) | 紫外線受光素子 | |
WO2022261829A1 (zh) | 一种ⅲ族氮化物异质结光电探测器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101019 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101027 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |