JP2013187384A - 光電池および光電池の作製方法 - Google Patents
光電池および光電池の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013187384A JP2013187384A JP2012051713A JP2012051713A JP2013187384A JP 2013187384 A JP2013187384 A JP 2013187384A JP 2012051713 A JP2012051713 A JP 2012051713A JP 2012051713 A JP2012051713 A JP 2012051713A JP 2013187384 A JP2013187384 A JP 2013187384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- photoelectric conversion
- layer
- spontaneous polarization
- photovoltaic cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 91
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 71
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims abstract description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 15
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 351
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明による光電池(10)は、カソード(20)と、アノード(30)と、カソード(20)とアノード(30)との間に位置する光電変換層(40)とを備える。光電変換層(40)は、自発分極を有する誘電体層(42)と、誘電体層(42)と接触し、誘電体層(42)の自発分極とは異なる大きさの自発分極を有する誘電体層(44)とを有し、誘電体層(44)のバンドギャップは、誘電体層(42)のバンドギャップよりも大きい。
【選択図】図1
Description
20 カソード
30 アノード
40 光電変換層
42 誘電体層
44 誘電体層
46 誘電体層
Claims (12)
- カソードと、
アノードと、
前記カソードと前記アノードとの間に位置する光電変換層と
を備える、光電池であって、
前記光電変換層は、
自発分極を有する第1誘電体層と、
前記第1誘電体層と接触し、前記第1誘電体層の前記自発分極とは異なる大きさの自発分極を有する第2誘電体層と
を有し、
前記第2誘電体層のバンドギャップは、前記第1誘電体層のバンドギャップよりも大きい、光電池。 - 前記第2誘電体層の厚さは、前記第1誘電体層の厚さよりも大きい、請求項1に記載の光電池。
- 前記第1誘電体層および前記第2誘電体層は、それぞれ、窒化物系化合物半導体材料を含む、請求項1または2に記載の光電池。
- 前記光電変換層は、前記第2誘電体層と接触し、前記第2誘電体層の前記自発分極とは異なる大きさの自発分極を有する第3誘電体層をさらに有し、
前記第3誘電体層のバンドギャップは、前記第2誘電体層のバンドギャップよりも小さい、請求項1から3のいずれかに記載の光電池。 - 前記第2誘電体層の厚さは、前記第1誘電体層および前記第3誘電体層の厚さよりも大きい、請求項4に記載の光電池。
- 前記光電変換層は、
前記第1誘電体層、前記第2誘電体層および前記第3誘電体層を有する第1光電変換部と、
前記第1光電変換部に対して重なるように位置する第2光電変換部と
を有し、
前記第2光電変換部は、
自発分極を有する第4誘電体層と、
前記第4誘電体層と接触し、前記第4誘電体層の前記自発分極とは異なる大きさの自発分極を有する第5誘電体層と、
前記第5誘電体層と接触し、前記第5誘電体層の前記自発分極とは異なる大きさの自発分極を有する第6誘電体層と
を有する、請求項4または5に記載の光電池。 - 第1電極を用意する工程と、
前記第1電極の上に光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層の上に第2電極を形成する工程と
を包含する、光電池の作製方法であって、
前記光電変換層を形成する工程は、
自発分極を有する第1誘電体層を形成する工程と、
前記第1誘電体層の上に、前記第1誘電体層の前記自発分極とは異なる大きさの自発分極を有し、前記第1誘電体層とはバンドギャップの異なる第2誘電体層を形成する工程と
を含む、光電池の作製方法。 - 前記光電変換層を形成する工程は、有機金属気相成長法を用いて、前記第1誘電体層および前記第2誘電体層の少なくとも一方を形成する、請求項7に記載の光電池の作製方法。
- 前記光電変換層を形成する工程は、分子線エピタキシー法を用いて、前記第1誘電体層および前記第2誘電体層の少なくとも一方を形成する、請求項7に記載の光電池の作製方法。
- 前記光電変換層を形成する工程は、スパッタ法を用いて、前記第1誘電体層および前記第2誘電体層の少なくとも一方を形成する、請求項7に記載の光電池の作製方法。
- 前記スパッタ法は、電圧を印加しながらスパッタを行う、請求項10に記載の光電池の作製方法。
- 前記光電変換層を形成する工程は、
前記第2誘電体層の上に、前記第2誘電体層の前記自発分極とは異なる大きさの自発分極を有し、前記第2誘電体層とは異なるバンドギャップを有する第3誘電体層を形成する工程と
をさらに含む、請求項7から11のいずれかに記載の光電池の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012051713A JP6100468B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 光電池および光電池の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012051713A JP6100468B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 光電池および光電池の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013187384A true JP2013187384A (ja) | 2013-09-19 |
JP6100468B2 JP6100468B2 (ja) | 2017-03-22 |
Family
ID=49388568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012051713A Active JP6100468B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 光電池および光電池の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6100468B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150108289A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 전영권 | 태양전지 및 그 제조방법 |
JP2016521016A (ja) * | 2013-06-17 | 2016-07-14 | ジョン,ヨン−クォン | 太陽電池及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07288334A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子 |
JP2001298210A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体受光素子 |
JP2001320077A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体受光器 |
JP2007311475A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Univ Of Tokushima | 半導体光検出器 |
JP2012004283A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
-
2012
- 2012-03-08 JP JP2012051713A patent/JP6100468B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07288334A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子 |
JP2001298210A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体受光素子 |
JP2001320077A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体受光器 |
JP2007311475A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Univ Of Tokushima | 半導体光検出器 |
JP2012004283A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016521016A (ja) * | 2013-06-17 | 2016-07-14 | ジョン,ヨン−クォン | 太陽電池及びその製造方法 |
KR20150108289A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 전영권 | 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101662885B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2016-10-07 | 전영권 | 태양전지 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6100468B2 (ja) | 2017-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100974226B1 (ko) | 유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층형성 | |
US9712105B2 (en) | Lateral photovoltaic device for near field use | |
US8895840B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP5881675B2 (ja) | 太陽光発電装置及びその製造方法 | |
KR101895025B1 (ko) | 태양 전지 모듈 및 그의 제조 방법 | |
CN104393086B (zh) | 复合光伏电池 | |
US20110005590A1 (en) | Tandem Photoelectrochemical Cell for Water Dissociation | |
US20140311562A1 (en) | Solar cell | |
JPWO2013030935A1 (ja) | 太陽電池 | |
RU2657073C2 (ru) | Фотовольтаический элемент с переменной запрещенной зоной | |
JP5626847B2 (ja) | ナノ構造体およびその製造方法 | |
JP6100468B2 (ja) | 光電池および光電池の作製方法 | |
CN103050564B (zh) | 一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池及制备方法 | |
KR101264368B1 (ko) | 다층 구조의 쇼트키 접합층을 갖는 태양 전지 | |
JP5669228B2 (ja) | 多接合太陽電池およびその製造方法 | |
JP5487295B2 (ja) | 太陽電池 | |
KR101294770B1 (ko) | 양자점 태양전지 | |
US20160118514A1 (en) | Solar cell, solar cell panel, and solar cell film | |
US10636928B2 (en) | Photovoltaic cell | |
KR101520804B1 (ko) | 광대역 파장 흡수 및 에너지변환을 이용한 고효율 태양전지 | |
US11374188B2 (en) | Photovoltaic cells based on donor and acceptor nano-particulate conjugates in conductive polymer blends | |
US20120325318A1 (en) | Solar cell and fabrication method thereof | |
US20130327379A1 (en) | Cell for reducing recombination of electrons and holes and method for manufacturing the same | |
RU2461093C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ С p-n ПЕРЕХОДАМИ | |
CN117832291A (zh) | 一种太阳能电池及光伏组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161005 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20161005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20161005 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20161104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6100468 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |