JPH01192167A - センサー - Google Patents
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- JPH01192167A JPH01192167A JP63018144A JP1814488A JPH01192167A JP H01192167 A JPH01192167 A JP H01192167A JP 63018144 A JP63018144 A JP 63018144A JP 1814488 A JP1814488 A JP 1814488A JP H01192167 A JPH01192167 A JP H01192167A
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L31/1055—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type the devices comprising amorphous materials of Group IV of the Periodic Table
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はファクシミリ、コピー、イメージスキャナー等
に使われるイメージセンサ又はフォトセンサに関するも
のである。
に使われるイメージセンサ又はフォトセンサに関するも
のである。
従来技術を第１図を用いて説明する。
（Ａ）は透光性絶縁基板（１）上に透光性電気的導電薄
膜（２）、光感度を有する半導体層（３ａ）、透光性電
気的導電薄膜（４）を順次形成し、光入射窓０■をパタ
ーニングするその際迷光を防ぐためにひさし、（９）を
形成する場合もある。次に配線用の電気的導電膜（５）
を形成し、透光性絶縁層（６）を形成して、完全密着型
イメージセンサを形成する。
膜（２）、光感度を有する半導体層（３ａ）、透光性電
気的導電薄膜（４）を順次形成し、光入射窓０■をパタ
ーニングするその際迷光を防ぐためにひさし、（９）を
形成する場合もある。次に配線用の電気的導電膜（５）
を形成し、透光性絶縁層（６）を形成して、完全密着型
イメージセンサを形成する。
入射光（８）は、光入射窓（１０）を通って原稿（７）
に当りその反射又は散乱光が前記透光性電気的導電膜（
２）を通して、前記半導体層（３ａ）に到達して明／暗
の出力をする。
に当りその反射又は散乱光が前記透光性電気的導電膜（
２）を通して、前記半導体層（３ａ）に到達して明／暗
の出力をする。
（Ｂ）は透光性絶縁基板（１）上に電気的導電薄膜（２
）、光感度を有する半導体層（３ｂ）を形成し対向電極
００）をパターニングする。次に光入射窓θωをパター
ニングするその際迷光を防ぐためにひさしく９）を形成
する場合もある。次に透光性絶縁層（６）を形成して完
全密着型イメージセンサを形成する。入射光（８）は光
入射窓０ωを通って原稿（７）に当りその反射又は散乱
光が前記対向電極（５）の間を通して半導体層（３ｂ）
に到達して明／暗の出力をする。
）、光感度を有する半導体層（３ｂ）を形成し対向電極
００）をパターニングする。次に光入射窓θωをパター
ニングするその際迷光を防ぐためにひさしく９）を形成
する場合もある。次に透光性絶縁層（６）を形成して完
全密着型イメージセンサを形成する。入射光（８）は光
入射窓０ωを通って原稿（７）に当りその反射又は散乱
光が前記対向電極（５）の間を通して半導体層（３ｂ）
に到達して明／暗の出力をする。
これら従来技術の場合、入射窓を任意の場所に形成する
場合、必ずフォトマスクを必要とし、又、ウェットエツ
チング等でパターニングするために、半導体層（３ａ）
（３ｂ）に薬品が侵入する。そのために、個々の素子
の特性が安定しない。又、さらに迷光を防ぐひさしく９
）を形成する為には、フォトマスクをさらに１枚追加す
ることを必要とし、プロセスが複雑になる等の問題点が
あった。
場合、必ずフォトマスクを必要とし、又、ウェットエツ
チング等でパターニングするために、半導体層（３ａ）
（３ｂ）に薬品が侵入する。そのために、個々の素子
の特性が安定しない。又、さらに迷光を防ぐひさしく９
）を形成する為には、フォトマスクをさらに１枚追加す
ることを必要とし、プロセスが複雑になる等の問題点が
あった。
本願は、前記問題を解決するセンサーの構造を提供する
ものである。
ものである。
本発明のセンサーの作製行程を第２図に示す。
（Ａ）は、透光性絶縁基板（１）上に、遮光性電気的導
電薄膜（２）、光感度を有する半導体層（３）、透光性
電気的導電薄膜（４）を形成した試料に、平行光線状の
レーザ光０３）を光学系（例えばレンズ０り）をもちい
て集光状レーザー光００にして前記試料に照射する。
電薄膜（２）、光感度を有する半導体層（３）、透光性
電気的導電薄膜（４）を形成した試料に、平行光線状の
レーザ光０３）を光学系（例えばレンズ０り）をもちい
て集光状レーザー光００にして前記試料に照射する。
集光されたレーザー光θ０のレーザスポット内のパワー
密度は（Ｂ）に示すように、レーザスポットの中心から
の距離に対してガウス分布を示す。
密度は（Ｂ）に示すように、レーザスポットの中心から
の距離に対してガウス分布を示す。
また、このようなパワー密度を持つレーザ光であれば、
いかなるものでも使用できる。
いかなるものでも使用できる。
その為に（Ｃ）に示すようにレーザーによって削除され
た部分は、断面として傾斜部を持っており、その傾斜部
を利用してひさしく９）を形成する。
た部分は、断面として傾斜部を持っており、その傾斜部
を利用してひさしく９）を形成する。
又、透光性基板（１）は、全く加工されていないか、又
は若干のキズがついている程度である。
は若干のキズがついている程度である。
この方法で第１図（Ａ）（Ｂ）の光入射窓００）を形成
すれば、多層膜であっても、レーザー光のパワーと照射
回数の制御によって簡易に加工でき任意の場所に光入射
窓を形成できしかもひさしも簡易的に形成された完全密
着型イメージセンサになる。
すれば、多層膜であっても、レーザー光のパワーと照射
回数の制御によって簡易に加工でき任意の場所に光入射
窓を形成できしかもひさしも簡易的に形成された完全密
着型イメージセンサになる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１
第３図は積層型素子の場合を示す。同図においてコーニ
ング社の＃７０５９ガラス基板（１）上に公知のスパッ
タリング法を用いて遮光性導電膜としてＣｒ（２）を５
００人成膜した。このＣｒ（２）のかわりにＡｌ１Ｍｏ
５ＴｉＳＣｕ等の単層金属でも、Ｃｒ／Ａ１、Ｃｒ／Ｍ
ｏ、 Ｃｒ／Ｔ ｔ、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等の多層金属
でも、Ｓ ｉＮ／Ｃｒ、Ｓ ｉＯ，／Ｃｒなどブロッキ
ング層と金属の多層でもよい。Ｃｒ（２）の上に、アモ
ルファスシリコン層（３）を公知のプラズマＣＶＤ法を
用いて、下から順にＮ型、■型、Ｐ型とそれぞれ５００
人、１μｍ 、２００人の膜厚をもつように形成した。
ング社の＃７０５９ガラス基板（１）上に公知のスパッ
タリング法を用いて遮光性導電膜としてＣｒ（２）を５
００人成膜した。このＣｒ（２）のかわりにＡｌ１Ｍｏ
５ＴｉＳＣｕ等の単層金属でも、Ｃｒ／Ａ１、Ｃｒ／Ｍ
ｏ、 Ｃｒ／Ｔ ｔ、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等の多層金属
でも、Ｓ ｉＮ／Ｃｒ、Ｓ ｉＯ，／Ｃｒなどブロッキ
ング層と金属の多層でもよい。Ｃｒ（２）の上に、アモ
ルファスシリコン層（３）を公知のプラズマＣＶＤ法を
用いて、下から順にＮ型、■型、Ｐ型とそれぞれ５００
人、１μｍ 、２００人の膜厚をもつように形成した。
特にアモルファスシリコンのＮ、Ｉ、Ｐ型と積層しなく
ともよくバンドギャップ中に、内部電界を構成するもの
であるならばどのような形であってもよい。例えばＮｌ
型、ＩＮ型、ＰＩＮ型、ＰＩ型、ＩＰ型又はＳｉＣ，Ｓ
ｉＮ、５ｉＧｅ等を含んだヘテロ構造やｐｃ−３ｔ、ｐ
ｏｌｙ−３ｔを用いた構造でもよい。
ともよくバンドギャップ中に、内部電界を構成するもの
であるならばどのような形であってもよい。例えばＮｌ
型、ＩＮ型、ＰＩＮ型、ＰＩ型、ＩＰ型又はＳｉＣ，Ｓ
ｉＮ、５ｉＧｅ等を含んだヘテロ構造やｐｃ−３ｔ、ｐ
ｏｌｙ−３ｔを用いた構造でもよい。
アモルファスシリコン層（３）上に透光性導電膜として
ＩＴＯ膜（４）を１０００人公知のスパッタリング法を
用いて形成した。ＩＴＯ膜（４）のかわりにセンサーが
必要とする透光性が失われない程度の厚さのＣｒ、Ａｌ
、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ５Ｔｉ等の金属薄膜でもよい。
ＩＴＯ膜（４）を１０００人公知のスパッタリング法を
用いて形成した。ＩＴＯ膜（４）のかわりにセンサーが
必要とする透光性が失われない程度の厚さのＣｒ、Ａｌ
、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ５Ｔｉ等の金属薄膜でもよい。
次に公知のフォトリソグラフィー技術を用いてＣｒ （
２）、アモルファスシリコン層（３）、１７０層（４）
をパターニングする。次に配線用の金属膜としてＡ ｆ
（５）を１μｍ公知のスパッタリング法を用いて成膜
した。
２）、アモルファスシリコン層（３）、１７０層（４）
をパターニングする。次に配線用の金属膜としてＡ ｆ
（５）を１μｍ公知のスパッタリング法を用いて成膜
した。
このＡ ｆ （５）を公知のフォトリソグラフィー技術
を用いてパターニングする。
を用いてパターニングする。
Ａ ｆ （５）をパターニングするかわりに公知のスク
リーン印刷法を用いて、ＣｕＳＡｇ等を印刷してもよい
。次に１．０６μ−の波長のＹＡＧレーザを用いて光入
射窓０ωを直径５０μｍの大きさで形成した波長１．０
６μＩでなく 、０．５３μｍのＹＡＧレーザや０．２
４８μｍのエキシマレーザ等でもかまわない。
リーン印刷法を用いて、ＣｕＳＡｇ等を印刷してもよい
。次に１．０６μ−の波長のＹＡＧレーザを用いて光入
射窓０ωを直径５０μｍの大きさで形成した波長１．０
６μＩでなく 、０．５３μｍのＹＡＧレーザや０．２
４８μｍのエキシマレーザ等でもかまわない。
次に透光性絶縁層としてポリイミド樹脂（６）を１０μ
ｍ公知のスピンナー法で塗布して完全密着型イメージセ
ンサを完成した。
ｍ公知のスピンナー法で塗布して完全密着型イメージセ
ンサを完成した。
入射光（８）は光入射窓ＧＯ）を論って原稿（７）に当
りその反射又は散乱光がＩＴＯ（４）を通してアモルフ
ァスシリコン層（３）に到達し、そこでキャリアが発生
し、Ｃｒ （２）とＡ ｆｆｉ （５）の電極を通して
キャリア発生量に対応した明／暗の出力が取り出すこと
ができる。
りその反射又は散乱光がＩＴＯ（４）を通してアモルフ
ァスシリコン層（３）に到達し、そこでキャリアが発生
し、Ｃｒ （２）とＡ ｆｆｉ （５）の電極を通して
キャリア発生量に対応した明／暗の出力が取り出すこと
ができる。
実施例２
第４図はプレーナー型の素子に関する場合である。同図
においてコーニング社の１１７０５９ガラス基板（１）
上に、遮光性薄膜として、Ｃｒ （２）を公知のスパッ
タリング法を用いて５００人形成した。その上に公知の
プラズマＣＶＤ法を用いて、５ｉＮｊｉＦＧ４）を１０
００人成膜した。このＣｒ（２）ＳｉＮ Ｑ４）の２層
膜のかわりに遮光性絶縁膜のＴｉＮ、などの単層膜でも
よい。ＳｉＮ層０４）の上に、Ｉ型アモルファスシリコ
ン層（３）を公知のプラズマＣＶＤ法を用いてＩａｍ成
膜した。
においてコーニング社の１１７０５９ガラス基板（１）
上に、遮光性薄膜として、Ｃｒ （２）を公知のスパッ
タリング法を用いて５００人形成した。その上に公知の
プラズマＣＶＤ法を用いて、５ｉＮｊｉＦＧ４）を１０
００人成膜した。このＣｒ（２）ＳｉＮ Ｑ４）の２層
膜のかわりに遮光性絶縁膜のＴｉＮ、などの単層膜でも
よい。ＳｉＮ層０４）の上に、Ｉ型アモルファスシリコ
ン層（３）を公知のプラズマＣＶＤ法を用いてＩａｍ成
膜した。
次に電極とオーム接触させる為にａ−Ｓｉのｎ′″層を
１０００人成膜した。その上にＡｌＱ５）を公知のスパ
ッタリング法を用いて１μｍ成膜した。
１０００人成膜した。その上にＡｌＱ５）を公知のスパ
ッタリング法を用いて１μｍ成膜した。
ＡｆのかわりにＣｒ、、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ等の金属やＩ
Ｔ Ｏ，Ｓ ｎ Ｏｘなどの導電性酸化物でもよい。
Ｔ Ｏ，Ｓ ｎ Ｏｘなどの導電性酸化物でもよい。
次に公知のフォトリソグラフィー技術を用いてＡｆ０５
）とその下のｎ“層をバターニングして対向電極０５）
を形成する。
）とその下のｎ“層をバターニングして対向電極０５）
を形成する。
次に１．０６μｍの波長のＹＡＧレーザを用いて光入射
窓００）を直径５０μｍの大きさで形成した。
窓００）を直径５０μｍの大きさで形成した。
次に透光性絶縁層としてポリイミド樹脂（６）を１０μ
ｍ公知のスピンナー法で塗布して完全密着型イメージセ
ンサを形成した。
ｍ公知のスピンナー法で塗布して完全密着型イメージセ
ンサを形成した。
入射光（８）は光入射窓０ωを通って原稿（７）に当り
その反射又は散乱光が対向電極０５）の間を通してＩ型
アモルファスシリコン層（３）に到達してそこでキャリ
アが発生して対向電極０５）を通じて、外部出力となる
。この時、入射光窓００）は傾斜状態でありそのエッヂ
（９）が迷光防止のひさしの役目を果たした。
その反射又は散乱光が対向電極０５）の間を通してＩ型
アモルファスシリコン層（３）に到達してそこでキャリ
アが発生して対向電極０５）を通じて、外部出力となる
。この時、入射光窓００）は傾斜状態でありそのエッヂ
（９）が迷光防止のひさしの役目を果たした。
実施例３
本実施例は、１次元のラインセンサーに応用した場合を
示す。
示す。
第５図はコーニング社の１ｔ７０５９ガラス基板（１）
上に公知のスパッタリング法を用いてＣｒ （２）を５
０（ｌλ成膜したのち、シリンドリカルレンズを用いて
巾１０μｍ長さ３０ｃｍに集光した２４８ｎｍの波長の
エキシレーザを用いてＣｒ （２）に１回以上照射して
、溝（１６ａ） （１６ｂ）を形成した。次に公知のプ
ラズマＣＶＤ法を用いてアモルファスシリコン層（３）
を下から順にＮ型、■型、Ｐ型とそれぞれ、５００．１
００００．２００人成膜した。この後電極数り出し用溝
０８）を設けるため半導体層に同様にレーザ光を照射し
その上に公知のスパッタリング法を用いてＩＴＯ層（４
）を１０００人成膜したのち、前記エキシマレーザを用
いてＣｒ （２）に損傷をあたえないで、ＩＴＯ層（４
）は削除して溝０７）を形成、次に前記エキシマレーザ
を用いてＣｒ （２）アモルファスシリコン（３） Ｉ
Ｔ Ｏ（４）全てを除去する溝Ｑ９）を形成する。
上に公知のスパッタリング法を用いてＣｒ （２）を５
０（ｌλ成膜したのち、シリンドリカルレンズを用いて
巾１０μｍ長さ３０ｃｍに集光した２４８ｎｍの波長の
エキシレーザを用いてＣｒ （２）に１回以上照射して
、溝（１６ａ） （１６ｂ）を形成した。次に公知のプ
ラズマＣＶＤ法を用いてアモルファスシリコン層（３）
を下から順にＮ型、■型、Ｐ型とそれぞれ、５００．１
００００．２００人成膜した。この後電極数り出し用溝
０８）を設けるため半導体層に同様にレーザ光を照射し
その上に公知のスパッタリング法を用いてＩＴＯ層（４
）を１０００人成膜したのち、前記エキシマレーザを用
いてＣｒ （２）に損傷をあたえないで、ＩＴＯ層（４
）は削除して溝０７）を形成、次に前記エキシマレーザ
を用いてＣｒ （２）アモルファスシリコン（３） Ｉ
Ｔ Ｏ（４）全てを除去する溝Ｑ９）を形成する。
次に波長１．０６μｍのＹＡＧレーザを用いて光入射窓
ＧＯ）を直径５０μ川の大きさで形成した。この形成さ
れた光入射窓０ωの断面は、レーザー光ビームのエネル
ギー密度の分布に従い両側が傾斜しておりすりばち状に
なっていた。この傾斜によってひさしく９）を形成して
いる。次に透光性絶縁膜としてポリイミド樹脂（６）を
公知のスピンナー法を用いて１０μｍ塗布して、全てレ
ーザのみで形成した完全密着型イメージセンサを形成し
た。受光素子部は斜線部Ｃ！Φである。
ＧＯ）を直径５０μ川の大きさで形成した。この形成さ
れた光入射窓０ωの断面は、レーザー光ビームのエネル
ギー密度の分布に従い両側が傾斜しておりすりばち状に
なっていた。この傾斜によってひさしく９）を形成して
いる。次に透光性絶縁膜としてポリイミド樹脂（６）を
公知のスピンナー法を用いて１０μｍ塗布して、全てレ
ーザのみで形成した完全密着型イメージセンサを形成し
た。受光素子部は斜線部Ｃ！Φである。
入射光（８）は光入射窓０■を通って原稿（７）に当り
その反射又は散乱光がＩ Ｔ Ｏ（４）を通してアモル
ファスシリコン層（３）に到達し、そこでキャリアが発
生し上面のＩＴＯ（４）を通して外部出力となる。
その反射又は散乱光がＩ Ｔ Ｏ（４）を通してアモル
ファスシリコン層（３）に到達し、そこでキャリアが発
生し上面のＩＴＯ（４）を通して外部出力となる。
レーザ加工によって光入射窓を任意の場所に任意の大き
さで形成できるようになった。また、同時にこのレーザ
加工による窓の断面形状を利用して簡易にひさしのある
イメージセンサにすることができた。このため迷光によ
るセンサーの誤信号を減らすことができた。
さで形成できるようになった。また、同時にこのレーザ
加工による窓の断面形状を利用して簡易にひさしのある
イメージセンサにすることができた。このため迷光によ
るセンサーの誤信号を減らすことができた。
第１図は従来技術を用いたイメージセンサ。
第２図（Ａ）は本発明のセンサの製造の様子を示す（Ｂ
）は本発明のセンサで用いるレーザ光のエネルギーの分
布の様子を示す。（Ｃ）は本発明のセンサの概略断面図
を示す。 第３図、第４図、第５図は本発明を用いたイメージセン
サの実施例。 １・・・基板 ２・・・遮光性導電性薄膜 ３・・・光電変換半導体層 ４・・・透光性導電性薄膜 ７・・・原稿 ９・・・ひさし １０・・・光入射窓
）は本発明のセンサで用いるレーザ光のエネルギーの分
布の様子を示す。（Ｃ）は本発明のセンサの概略断面図
を示す。 第３図、第４図、第５図は本発明を用いたイメージセン
サの実施例。 １・・・基板 ２・・・遮光性導電性薄膜 ３・・・光電変換半導体層 ４・・・透光性導電性薄膜 ７・・・原稿 ９・・・ひさし １０・・・光入射窓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被検知体よりの反射光を電気出力に変換するセンサ
ーにおいて、前記センサーの光電変換領域に近接した部
分にレーザー加工によって光入射窓が設けられ、前記光
入射窓の断面形状は、傾斜部を有しており、前記傾斜部
の一部は、迷光をさえぎるひさしを構成していることを
特徴とするセンサー。 ２、特許請求の範囲第１項に記載されたセンサーを用い
て構成されたイメージセンサー。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018144A JPH01192167A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | センサー |
| US07/301,335 US4970382A (en) | 1988-01-27 | 1989-01-25 | Image sensor free from undesirable incident light rays having a light window with sloped side surfaces |
| US07/544,619 US5134081A (en) | 1988-01-27 | 1990-06-27 | Image sensor free from undesirable incident light rays and a manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018144A JPH01192167A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192167A true JPH01192167A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11963415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63018144A Pending JPH01192167A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | センサー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4970382A (ja) |
| JP (1) | JPH01192167A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268473A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 中継基板用部材の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574353B1 (ko) * | 2004-02-13 | 2006-04-27 | 삼성전자주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
| US9559238B2 (en) * | 2014-05-08 | 2017-01-31 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Arrangement and method for determining the spatial direction of radiation incidence |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913588A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-24 | Toshiba Corp | レ−ザ加工装置 |
| JPS62105469A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Kyocera Corp | 読取り装置及びその製法 |
| JPS62142353A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Fuji Electric Co Ltd | 直接読取り型イメ−ジセンサの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4189753A (en) * | 1978-06-08 | 1980-02-19 | Northern Telecom Limited | Document scanning head |
| US4660095A (en) * | 1984-05-04 | 1987-04-21 | Energy Conversion Devices, Inc. | Contact-type document scanner and method |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63018144A patent/JPH01192167A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-25 US US07/301,335 patent/US4970382A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913588A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-24 | Toshiba Corp | レ−ザ加工装置 |
| JPS62105469A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Kyocera Corp | 読取り装置及びその製法 |
| JPS62142353A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Fuji Electric Co Ltd | 直接読取り型イメ−ジセンサの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268473A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 中継基板用部材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4970382A (en) | 1990-11-13 |
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