JPH021866Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH021866Y2 JPH021866Y2 JP1983126894U JP12689483U JPH021866Y2 JP H021866 Y2 JPH021866 Y2 JP H021866Y2 JP 1983126894 U JP1983126894 U JP 1983126894U JP 12689483 U JP12689483 U JP 12689483U JP H021866 Y2 JPH021866 Y2 JP H021866Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- amorphous silicon
- electrode film
- comb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（技術分野）
本考案は、アモルフアスシリコンを用いたライ
ンセンサに関するものである。
ンセンサに関するものである。
（従来技術）
従来、アモルフアスシリコンを用いたラインセ
ンサは、第１図に示したように構成されている。
第１図において、１は絶縁基板、２はアモルフア
スシリコン膜、３は、アモルフアスシリコン膜２
の上部（あるいは下部）に形成された電極膜で、
ギヤツプ４を介して対向する電極対が複数組設け
られる。このように構成されたラインセンサは、
ギヤツプ４部に光が照射されることによりその電
極対に流れる光電流を検出するもので、一般に光
伝導型ラインセンサと呼ばれている。しかしなが
ら、この種のラインセンサは、応答速度が遅く、
外部に付属させる増幅回路が複雑になり、また、
光電流出力が非線形であるため中間濃度を持つ画
素の読取りには不向きであり、さらに、温度変化
に対する電気特性の変化が大きい等の欠点があつ
た。
ンサは、第１図に示したように構成されている。
第１図において、１は絶縁基板、２はアモルフア
スシリコン膜、３は、アモルフアスシリコン膜２
の上部（あるいは下部）に形成された電極膜で、
ギヤツプ４を介して対向する電極対が複数組設け
られる。このように構成されたラインセンサは、
ギヤツプ４部に光が照射されることによりその電
極対に流れる光電流を検出するもので、一般に光
伝導型ラインセンサと呼ばれている。しかしなが
ら、この種のラインセンサは、応答速度が遅く、
外部に付属させる増幅回路が複雑になり、また、
光電流出力が非線形であるため中間濃度を持つ画
素の読取りには不向きであり、さらに、温度変化
に対する電気特性の変化が大きい等の欠点があつ
た。
これに対し、これを捕うものとして、太陽電池
などで使用されているｐ−ｉ−ｎ構成や逆ｐ−ｉ
−ｎ構成の素子が知られているが、しかしこれら
の構成は、アモルフアスシリコン膜を形成中に発
生するピンホール等の欠陥のために、多数個の素
子を配設するラインセンサには不向きである。
などで使用されているｐ−ｉ−ｎ構成や逆ｐ−ｉ
−ｎ構成の素子が知られているが、しかしこれら
の構成は、アモルフアスシリコン膜を形成中に発
生するピンホール等の欠陥のために、多数個の素
子を配設するラインセンサには不向きである。
（考案の目的）
本考案は、上記従来例の欠点を改善したもので
あり、下部電極膜と上部電極膜との間にｉ−ｎ形
アモルフアスシリコン膜と、ピンホールの発生を
補う絶縁膜とを挾んだMIS（Metal−Insulator−
Semiconductor）構造で、応答速度が速く、かつ
入射光量に対してリニアな特性が得られる光起電
力型アモルフアスシリコンラインセンサを提供す
るものである。
あり、下部電極膜と上部電極膜との間にｉ−ｎ形
アモルフアスシリコン膜と、ピンホールの発生を
補う絶縁膜とを挾んだMIS（Metal−Insulator−
Semiconductor）構造で、応答速度が速く、かつ
入射光量に対してリニアな特性が得られる光起電
力型アモルフアスシリコンラインセンサを提供す
るものである。
さらに、このMIS構造で発生し易い光電流の干
渉を防止するために、隣接電極間をくし形ガード
電極で分離し、分解能を向上する。
渉を防止するために、隣接電極間をくし形ガード
電極で分離し、分解能を向上する。
以下、図面により実施例を詳細に説明する。
（実施例）
第２図は、本考案の一実施例を示したもので、
１１は光透過性の、例えばガラス、ポリイミド等
からなる絶縁基板、１２は入射光の入射範囲を規
制する遮光膜で、例えばクロム、ニクロム、ステ
ンレス、タングステン、モリブデン、耐熱性有機
物等からなる。１３はSnO2，ITO等の透明導電
膜からなる共通電極膜、１４はSiO2，SiN，SiC
などの絶縁膜で、50〜100Å程度の膜厚を有する。
１５は不純物ドープのないｉ形アモルフアスシリ
コン膜、１６はリンをドープしたｎ形アモルフア
スシリコン膜、１７は上部電極を構成する個別電
極膜、１８は各個別電極を電気的に分離するため
のくし形ガード電極膜である。
１１は光透過性の、例えばガラス、ポリイミド等
からなる絶縁基板、１２は入射光の入射範囲を規
制する遮光膜で、例えばクロム、ニクロム、ステ
ンレス、タングステン、モリブデン、耐熱性有機
物等からなる。１３はSnO2，ITO等の透明導電
膜からなる共通電極膜、１４はSiO2，SiN，SiC
などの絶縁膜で、50〜100Å程度の膜厚を有する。
１５は不純物ドープのないｉ形アモルフアスシリ
コン膜、１６はリンをドープしたｎ形アモルフア
スシリコン膜、１７は上部電極を構成する個別電
極膜、１８は各個別電極を電気的に分離するため
のくし形ガード電極膜である。
上記構成において、光透過性基板１１から遮光
膜１２の開口部を通つて光が入射すると、共通電
極膜１３と各個別電極膜１７との間で光電流が発
生し、これを検出出力とする。
膜１２の開口部を通つて光が入射すると、共通電
極膜１３と各個別電極膜１７との間で光電流が発
生し、これを検出出力とする。
ここで、絶縁膜１４は、アモルフアスシリコン
膜１５，１６の形成時に生じるピンホールを塞ぐ
役目を果し、起電力素子としての特性を確保する
ものである。また、このMIS構造では、隣接する
素子間で光電流が互いに干渉し合い、そのため分
解能が低下するので、個別電極膜１７をくし形ガ
ード電極膜１８で分離し、その干渉を防止するよ
うにしており、これによつて分解能が著しく向上
する。
膜１５，１６の形成時に生じるピンホールを塞ぐ
役目を果し、起電力素子としての特性を確保する
ものである。また、このMIS構造では、隣接する
素子間で光電流が互いに干渉し合い、そのため分
解能が低下するので、個別電極膜１７をくし形ガ
ード電極膜１８で分離し、その干渉を防止するよ
うにしており、これによつて分解能が著しく向上
する。
なお、第２図の実施例では、遮光膜１２を基板
１１と共通電極膜１３との間に配置したが、基板
１１の光入射面に形成してもよい。
１１と共通電極膜１３との間に配置したが、基板
１１の光入射面に形成してもよい。
第３図は、本考案の他の実施例を示したもの
で、個別電極膜と共通電極膜の位置を上下入れ替
えたものである。即ち、１１は光透過性絶縁基板
で、この場合、その光入射面に遮光膜１２を形成
してある。１７，１８は、第２図と同様のパター
ンを有する個別電極膜とくし形ガード電極膜で、
ここでは、個別電極膜１７は透明導電膜からな
る。１４，１５，１６は、第２図の場合と同様
に、それぞれ絶縁膜、不純物ドープのないｉ形ア
モルフアスシリコン膜、リンをドープしたｎ形ア
モルフアスシリコン膜である。１３は共通電極膜
であるが、ここでは光透過性である必要はない。
で、個別電極膜と共通電極膜の位置を上下入れ替
えたものである。即ち、１１は光透過性絶縁基板
で、この場合、その光入射面に遮光膜１２を形成
してある。１７，１８は、第２図と同様のパター
ンを有する個別電極膜とくし形ガード電極膜で、
ここでは、個別電極膜１７は透明導電膜からな
る。１４，１５，１６は、第２図の場合と同様
に、それぞれ絶縁膜、不純物ドープのないｉ形ア
モルフアスシリコン膜、リンをドープしたｎ形ア
モルフアスシリコン膜である。１３は共通電極膜
であるが、ここでは光透過性である必要はない。
以上のように構成された本実施例も、光の入射
により個別電極膜１７と共通電極膜１３との間で
光電流が発生し、これを検出出力とする。絶縁膜
１４及びくし形ガード電極膜１８は、第２図の実
施例の場合と同様の作用・効果を有する。
により個別電極膜１７と共通電極膜１３との間で
光電流が発生し、これを検出出力とする。絶縁膜
１４及びくし形ガード電極膜１８は、第２図の実
施例の場合と同様の作用・効果を有する。
（考案の効果）
以上説明したように、本考案によれば、応答速
度が速く、かつ入射光量に対してリニアな特性を
有し、しかも分解能の高い、高性能ラインセンサ
を提供することができる。
度が速く、かつ入射光量に対してリニアな特性を
有し、しかも分解能の高い、高性能ラインセンサ
を提供することができる。
第１図は、従来例の斜視図、第２図は、本考案
の一実施例の斜視図、第３図は、本考案の他の実
施例の断面図である。 １１……光透過性絶縁基板、１２……遮光膜、
１３……共通電極膜、１４……絶縁膜、１５……
ｉ形アモルフアスシリコン膜、１６……ｎ形アモ
ルフアスシリコン膜、１７……個別電極膜、１８
……くし形ガード電極膜。
の一実施例の斜視図、第３図は、本考案の他の実
施例の断面図である。 １１……光透過性絶縁基板、１２……遮光膜、
１３……共通電極膜、１４……絶縁膜、１５……
ｉ形アモルフアスシリコン膜、１６……ｎ形アモ
ルフアスシリコン膜、１７……個別電極膜、１８
……くし形ガード電極膜。
Claims (1)
- 光透過性絶縁基板上に、光透過性下部電極膜、
絶縁膜、ｉ−ｎ形アモルフアスシリコン膜、上部
電極膜を順次積層し、前記下部電極膜及び上部電
極膜のいずれか一方を共通電極とし、他方を、素
子分離のためのくし形ガード電極の各くし歯の間
にそれぞれ個別電極を配置し、かつ、前記光透過
性絶縁基板に光の入射範囲を規制する遮光膜を設
けたことを特徴とするアモルフアスシリコンライ
ンセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12689483U JPS6035551U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | アモルフアスシリコンラインセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12689483U JPS6035551U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | アモルフアスシリコンラインセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035551U JPS6035551U (ja) | 1985-03-11 |
| JPH021866Y2 true JPH021866Y2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=30288384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12689483U Granted JPS6035551U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | アモルフアスシリコンラインセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035551U (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349981A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric conversion element |
| JPS55104176A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solidstate pick up unit |
| JPS5721876A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-04 | Canon Inc | Photosensor |
| JPS5897862A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP12689483U patent/JPS6035551U/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349981A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric conversion element |
| JPS55104176A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solidstate pick up unit |
| JPS5721876A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-04 | Canon Inc | Photosensor |
| JPS5897862A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6035551U (ja) | 1985-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4581625A (en) | Vertically integrated solid state color imager | |
| JPH04395B2 (ja) | ||
| JP2001515274A (ja) | マルチカラーセンサー | |
| GB2188482A (en) | Optical sensor | |
| JPS6173033A (ja) | カラ−感光装置 | |
| JPH021866Y2 (ja) | ||
| JPH021865Y2 (ja) | ||
| JP2777663B2 (ja) | 密着型リニアイメージセンサ | |
| JPS6089967A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2566910B2 (ja) | 平面センサ− | |
| JPH02132860A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPH0715144Y2 (ja) | コプラナ−型光センサ− | |
| JPS5879756A (ja) | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ− | |
| JP2563930B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0453003Y2 (ja) | ||
| JPS6252977A (ja) | 非晶質Ｓｉ系の感光デバイス | |
| JPS62252968A (ja) | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ | |
| JPS58201357A (ja) | 薄膜形光電変換素子 | |
| JP2639664B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS6214708Y2 (ja) | ||
| JPH0524195Y2 (ja) | ||
| JPS61166162A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS63226061A (ja) | カラ−イメ−ジセンサ | |
| JPS61216359A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0682851B2 (ja) | フオトセンサアレ− |