JPS6252977A - 非晶質Ｓｉ系の感光デバイス - Google Patents
非晶質Ｓｉ系の感光デバイスInfo
- Publication number
- JPS6252977A JPS6252977A JP61199865A JP19986586A JPS6252977A JP S6252977 A JPS6252977 A JP S6252977A JP 61199865 A JP61199865 A JP 61199865A JP 19986586 A JP19986586 A JP 19986586A JP S6252977 A JPS6252977 A JP S6252977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photosensitive device
- sensor
- mask
- structured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、行構成の平面形画障センｆｃ使用される非
晶質シリコン系の感光デバイスに関するものである。こ
の感光デバイスでは水素を含む非晶質シリコンｔａ−８
ｉ：Ｈ１から成る光伝導体の薄膜が少くとも一方が透明
である２枚の金属伝導電極の間にはさまれてチンドイッ
テ構造Ｙ構成し、ガラス基板上に設けられている。
晶質シリコン系の感光デバイスに関するものである。こ
の感光デバイスでは水素を含む非晶質シリコンｔａ−８
ｉ：Ｈ１から成る光伝導体の薄膜が少くとも一方が透明
である２枚の金属伝導電極の間にはさまれてチンドイッ
テ構造Ｙ構成し、ガラス基板上に設けられている。
上記の形式のデバイスを含むｍ像センサ’ｋＭ膜技術Ｉ
：よって製作することは、文献［プロシーディング・オ
ブ・デ・エム・アール・ニス・ユーロツプＪ （Ｐｒｏ
ｃ、 ｏｆ ｔｈｅ ＭＢ２ Ｅｕｒｏｐｅ ） ｇ
ｔｒ−ａｇｂｏｕｒｌ １９８４． ｐ、 ５７５〜
５７９のホルツエンスケンブアー（Ｅ、Ｈｏｌｚｅｎｋ
ｉｍｐｆｅｒ ）、 ローザｙ （Ｋ、 Ｒｏｓａｎ
）、およびケンブタ−（Ｋ、Ｋｅ−ｍｐｔｅｒ ）の報
告に記載されている。
：よって製作することは、文献［プロシーディング・オ
ブ・デ・エム・アール・ニス・ユーロツプＪ （Ｐｒｏ
ｃ、 ｏｆ ｔｈｅ ＭＢ２ Ｅｕｒｏｐｅ ） ｇ
ｔｒ−ａｇｂｏｕｒｌ １９８４． ｐ、 ５７５〜
５７９のホルツエンスケンブアー（Ｅ、Ｈｏｌｚｅｎｋ
ｉｍｐｆｅｒ ）、 ローザｙ （Ｋ、 Ｒｏｓａｎ
）、およびケンブタ−（Ｋ、Ｋｅ−ｍｐｔｅｒ ）の報
告に記載されている。
感光性の薄膜センサの品質の一つの判定基準として速い
応動時間が挙げられる。この応動時間は光電流がその初
期値の３％にまで低下する時間として定義されている。
応動時間が挙げられる。この応動時間は光電流がその初
期値の３％にまで低下する時間として定義されている。
感光薄膜センサでは電極の縁端区域に漂遊電場が形成さ
れ、光発生したキャリヤがこの区域から電ｉに向って集
められることが実証された。チンドイツデ構造内部に集
められるキャリアと異り、縁端区域のキャリヤは光伝導
層の厚さ約１μ烏よりも遥に長い距離を進まなければな
らない。従ってこれらのキャリヤの場合光電流の消滅時
間はサンドイツデ構造内の通過時間エリも遥かに長くな
る。特Ｃ二縁端電場区域の面も１がセンサ面積（１００
μ−）程度になる小形サンドイッデ構造の場合、この効
果は応動時間を数ミリ秒程度の著しく長いものにし、一
つのセンチ素子の縁端電場が次のセンチ素子Ｃ二まで拡
がってセンサ素子間にクロストークが生ずるようになる
。
れ、光発生したキャリヤがこの区域から電ｉに向って集
められることが実証された。チンドイツデ構造内部に集
められるキャリアと異り、縁端区域のキャリヤは光伝導
層の厚さ約１μ烏よりも遥に長い距離を進まなければな
らない。従ってこれらのキャリヤの場合光電流の消滅時
間はサンドイツデ構造内の通過時間エリも遥かに長くな
る。特Ｃ二縁端電場区域の面も１がセンサ面積（１００
μ−）程度になる小形サンドイッデ構造の場合、この効
果は応動時間を数ミリ秒程度の著しく長いものにし、一
つのセンチ素子の縁端電場が次のセンチ素子Ｃ二まで拡
がってセンサ素子間にクロストークが生ずるようになる
。
この発明の目的は、迅速な応動が可能であり、センサ素
子間のクロストークが避けられるセンナ装置を提供する
ことである。
子間のクロストークが避けられるセンナ装置を提供する
ことである。
この目的はｗ頭に挙げた装置Ｃ：対して、各センサ素子
の縁端を覆い本来のセンサ面だけが照射されるように構
造化された非透光性のマスクを透明電極の光入射側表面
に設けることによって達成される。
の縁端を覆い本来のセンサ面だけが照射されるように構
造化された非透光性のマスクを透明電極の光入射側表面
に設けることによって達成される。
非透光性のマスクを適当に構造化された金属フィルムと
して高い暗電流を避けるため、この金属フィルムχ構造
化容易な二酸化シリコン又は窒化シリコンの絶縁性中間
層上に形成させることあるいは適当に構造化されたラッ
ク膚とすることもこの発明の枠内にある。
して高い暗電流を避けるため、この金属フィルムχ構造
化容易な二酸化シリコン又は窒化シリコンの絶縁性中間
層上に形成させることあるいは適当に構造化されたラッ
ク膚とすることもこの発明の枠内にある。
（発明の効果〕
この発明による元被覆法によれば、縁端電場区域に光Ｃ
：よってキャリヤが発生することはない。
：よってキャリヤが発生することはない。
これによってセンサの応動時間は更に１μｓだけ短縮さ
れる。又センナ素子間のクロストークは著しく低減され
る。
れる。又センナ素子間のクロストークは著しく低減され
る。
図面についてこの発明を更に詳細に説明する。
第１図に示すように、ガラス基板１の表面に次の成層構
造５−８を持つセンサ素子２． ３． ４から成るセン
ナ列が作られる。すなわち５は例えば厚さ３００１ｍの
チタン基底電極、６は水素を含む非晶質シリコンから成
る厚さ約１００ Ｏｎｔｏ ＋７）光伝導体層、７は例
えばインジクム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る厚さ１００
ｎｍの透明被覆電極、８は例えば金から成る厚さ３０
０ ｎｍの光遮蔽マスクである。矢印９は基底電極５と
被覆電極７の間において光伝導体Ｔ−内に存在する電場
であり、波形の矢印ｌＯはセンサ列３に入射する光量子
ｈｖ’Ｙ表わす。
造５−８を持つセンサ素子２． ３． ４から成るセン
ナ列が作られる。すなわち５は例えば厚さ３００１ｍの
チタン基底電極、６は水素を含む非晶質シリコンから成
る厚さ約１００ Ｏｎｔｏ ＋７）光伝導体層、７は例
えばインジクム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る厚さ１００
ｎｍの透明被覆電極、８は例えば金から成る厚さ３０
０ ｎｍの光遮蔽マスクである。矢印９は基底電極５と
被覆電極７の間において光伝導体Ｔ−内に存在する電場
であり、波形の矢印ｌＯはセンサ列３に入射する光量子
ｈｖ’Ｙ表わす。
第２図から明らかなように、光学遮蔽マスク８はセンチ
素子２． ３． ４のｇＪｒ腺！引いて示したナンドイ
ツテ構造面（５，６，７）’に除いて構造全体を被覆す
る。
素子２． ３． ４のｇＪｒ腺！引いて示したナンドイ
ツテ構造面（５，６，７）’に除いて構造全体を被覆す
る。
薄膜センサの光電流は印加電圧に関係して第３図に示す
ように減衰する。第３図では縦軸に光電流信号ＩＹ対数
目盛でとり、横軸ε二は光照射消滅後の時間を秒を単位
としてとる。実線はセンｆを全面照射したときの実測値
であり、破線はこの発明によるセンサ装置の測定結果を
示す。
ように減衰する。第３図では縦軸に光電流信号ＩＹ対数
目盛でとり、横軸ε二は光照射消滅後の時間を秒を単位
としてとる。実線はセンｆを全面照射したときの実測値
であり、破線はこの発明によるセンサ装置の測定結果を
示す。
第１図はこの発明によるセンサ列の断面図、第２図は第
１図のセンサ列の平面図、第３図は光学遮蔽の有無に基
く応動時間の差異を示す測定値曲線である。 第１図において ｌ・・・ ガラス基板、 ２と３と４・・・センサ素
子、５・・・基底１！＆、 ６・・・光伝導体層、
７・・・被覆電極。
１図のセンサ列の平面図、第３図は光学遮蔽の有無に基
く応動時間の差異を示す測定値曲線である。 第１図において ｌ・・・ ガラス基板、 ２と３と４・・・センサ素
子、５・・・基底１！＆、 ６・・・光伝導体層、
７・・・被覆電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）透明電極（７）の光入射側表面に光を透さないマス
ク（８）が設けられ、各センサ素子（２、３、４）の縁
端区域が被覆され、本来の感応面（５、６、７）だけが
光照射されるような構造がこのマスクに作られているこ
とを特徴とする少くとも一方が透明である二つの金属伝
導性電極の間に非晶質シリコンの薄膜がサンドウイツチ
構造として設けられている行構成の平面形画像センサに
用いられる含水素非晶質シリコン系の感光デバイス。 ２）光を透さないマスク（８）が構造化された金属フィ
ルムから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の感光デバイス。 ３）金属フィルム（８）がＳｉＯ＿２又は窒化シリコン
から成る構造化容易の絶縁性中間層上に形成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の感光デバ
イス。 ４）光を透さないマスク（８）が構造化されたラック層
から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
感光デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3530616.5 | 1985-08-27 | ||
| DE3530616 | 1985-08-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252977A true JPS6252977A (ja) | 1987-03-07 |
Family
ID=6279486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61199865A Pending JPS6252977A (ja) | 1985-08-27 | 1986-08-26 | 非晶質Ｓｉ系の感光デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0215290B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6252977A (ja) |
| AT (1) | ATE48340T1 (ja) |
| DE (1) | DE3667226D1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04111478A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| CN114464693B (zh) * | 2022-04-12 | 2022-06-28 | 北京中科海芯科技有限公司 | 一种光电探测器及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141277A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3969743A (en) * | 1975-04-23 | 1976-07-13 | Aeronutronic Ford Corporation | Protective coating for IV-VI compound semiconductor devices |
| US4078243A (en) * | 1975-12-12 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | Phototransistor array having uniform current response and method of manufacture |
| FR2464563A1 (fr) * | 1979-08-31 | 1981-03-06 | Thomson Csf | Dispositif photodetecteur a semi-conducteur et procede de fabrication, et analyseur d'image comportant un tel dispositif |
| US4431918A (en) * | 1981-03-27 | 1984-02-14 | Honeywell Inc. | Etchable glass cold shield for background limited detectors |
| US4446372A (en) * | 1981-07-01 | 1984-05-01 | Honeywell Inc. | Detector cold shield |
-
1986
- 1986-08-11 EP EP86111089A patent/EP0215290B1/de not_active Expired
- 1986-08-11 AT AT86111089T patent/ATE48340T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-08-11 DE DE8686111089T patent/DE3667226D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-26 JP JP61199865A patent/JPS6252977A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141277A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3667226D1 (de) | 1990-01-04 |
| EP0215290B1 (de) | 1989-11-29 |
| ATE48340T1 (de) | 1989-12-15 |
| EP0215290A1 (de) | 1987-03-25 |
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