JPS5984476A - 光学機器用基板の製造方法 - Google Patents
光学機器用基板の製造方法Info
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- JPS5984476A JPS5984476A JP57194093A JP19409382A JPS5984476A JP S5984476 A JPS5984476 A JP S5984476A JP 57194093 A JP57194093 A JP 57194093A JP 19409382 A JP19409382 A JP 19409382A JP S5984476 A JPS5984476 A JP S5984476A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
近年、高密度に光検知素子を配置させたアレイは、ファ
クシミリ用のイメージセンサや、ビデオテープレコーダ
等に用いられる回転方向および回転速度検出器に応用さ
れている。
クシミリ用のイメージセンサや、ビデオテープレコーダ
等に用いられる回転方向および回転速度検出器に応用さ
れている。
本発明は、この種の高密度に配置された光検知素子のア
レイ用の基板に関するものである。
レイ用の基板に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図は、高密度に配置された従来の光検知素子のアレ
イの断面図である０１は絶縁性基板、例えばガラス黛で
あり、その上にＮｉまたはＣｒ等の金属２を光検知素子
の数だけ分離して蒸着されている。その上に光導電膜、
例えば非晶質水素化シリコン膜３を堆積させた後、ＩＴ
Ｏ（インジウムテンオキサイド）のような透明電極４を
蒸着させる。透明電極４は、分離しても良いし、光導電
膜３のほぼ全面に連続して蒸着させても良い。このよう
な断面を持つ素子に外部電極６，６を設ける０ 光導電膜３にバイアスを印加する電源７を接続させて、
光８を照射すると、電極５と電極６の間で電流が流れる
。電極６は、高密度に配置されているので、光８の当た
る部分と影になる部分とを細かい精度で分離することが
できる。この原理によって紙に書かれた文字を読み取る
ファクシミリのイメージセンサやテープ走行モータの回
転方向やその速度を適当なマスクを用いて正確に検知す
る素子等に使用されてきた。
イの断面図である０１は絶縁性基板、例えばガラス黛で
あり、その上にＮｉまたはＣｒ等の金属２を光検知素子
の数だけ分離して蒸着されている。その上に光導電膜、
例えば非晶質水素化シリコン膜３を堆積させた後、ＩＴ
Ｏ（インジウムテンオキサイド）のような透明電極４を
蒸着させる。透明電極４は、分離しても良いし、光導電
膜３のほぼ全面に連続して蒸着させても良い。このよう
な断面を持つ素子に外部電極６，６を設ける０ 光導電膜３にバイアスを印加する電源７を接続させて、
光８を照射すると、電極５と電極６の間で電流が流れる
。電極６は、高密度に配置されているので、光８の当た
る部分と影になる部分とを細かい精度で分離することが
できる。この原理によって紙に書かれた文字を読み取る
ファクシミリのイメージセンサやテープ走行モータの回
転方向やその速度を適当なマスクを用いて正確に検知す
る素子等に使用されてきた。
上記のような構成の光検知素は、以下に述べるような欠
点を有していた。
点を有していた。
すなわち、素子表面電極として用いる透明電極４は、機
械的強度が小さいため、短絡１〜やすい０また、光の検
知は、光導電膜３を用いているので、外部回路にバイア
スを印加する電源下が必要である。さらに最大の欠点と
して、バイアスを電極４にかけているためと、衝撃によ
って電気的に短絡しやすいため、第２図に示すように、
電極４上に保護膜９を形成させなければならない。しか
し、高密度に分離された下地電極２に光が到達するまで
に、回転させるマスク１０、およびマスク１０と保護膜
９とのすき間１１、保護膜９、光導電膜３とその電極８
を連通させなければならない。マスク１ｏから光が斜め
に入射すると、所定の下地電極以外の電極に照射され、
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）が低下する。
械的強度が小さいため、短絡１〜やすい０また、光の検
知は、光導電膜３を用いているので、外部回路にバイア
スを印加する電源下が必要である。さらに最大の欠点と
して、バイアスを電極４にかけているためと、衝撃によ
って電気的に短絡しやすいため、第２図に示すように、
電極４上に保護膜９を形成させなければならない。しか
し、高密度に分離された下地電極２に光が到達するまで
に、回転させるマスク１０、およびマスク１０と保護膜
９とのすき間１１、保護膜９、光導電膜３とその電極８
を連通させなければならない。マスク１ｏから光が斜め
に入射すると、所定の下地電極以外の電極に照射され、
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）が低下する。
発明の目的
本発明は、上記問題点を軽減し、Ｓ／Ｎ比が大きくとれ
る光検知素子の高密度アレイを与える基板を提供するこ
とを目的とする。
る光検知素子の高密度アレイを与える基板を提供するこ
とを目的とする。
発明の構成
本発明の基板は、所定範囲の波長の光を透過する絶縁性
の基板と、前記の光を透過させない材料からなり穴を有
するマスクと、前記光を透過する材料からなり、前記絶
縁性基板とマスクとを接着するとともに前記マスクの穴
の部分で凸部を有する瘤着層とを備えるものである。捷
た、この基板は、前記の接着剤を塗布した絶縁基板上に
接着剤未硬化の状態で所定の圧力でマスクを押しつけ、
接着剤がマスクの穴内に凸状にはみ出させることによっ
て製造することができる。
の基板と、前記の光を透過させない材料からなり穴を有
するマスクと、前記光を透過する材料からなり、前記絶
縁性基板とマスクとを接着するとともに前記マスクの穴
の部分で凸部を有する瘤着層とを備えるものである。捷
た、この基板は、前記の接着剤を塗布した絶縁基板上に
接着剤未硬化の状態で所定の圧力でマスクを押しつけ、
接着剤がマスクの穴内に凸状にはみ出させることによっ
て製造することができる。
この基板を用いれば、そのマスクと反対側の面に、透明
導電膜、光導電膜及び対向電極を順次形成すれば、光検
知素子を形成することができる。
導電膜、光導電膜及び対向電極を順次形成すれば、光検
知素子を形成することができる。
そして、前記接着層がマスクの穴からも９上がるように
形成しであるので、これがレンズの働キをし、従来例の
ように光が穴から散乱し基板上の所定以外の電極へ到達
するのを抑制することができるＯ 実施例の説明 第３図は、本発明による光゛検知素子の実施例を示す断
面図である。図において、２１はガラスのような光透過
性の絶縁基板、２２は基板の片□面に高密度に配置され
たＩＴＯのような光透過性電極である。その上に光導電
膜または光起電力素子となるよう構成された薄膜２３を
堆積させる。
形成しであるので、これがレンズの働キをし、従来例の
ように光が穴から散乱し基板上の所定以外の電極へ到達
するのを抑制することができるＯ 実施例の説明 第３図は、本発明による光゛検知素子の実施例を示す断
面図である。図において、２１はガラスのような光透過
性の絶縁基板、２２は基板の片□面に高密度に配置され
たＩＴＯのような光透過性電極である。その上に光導電
膜または光起電力素子となるよう構成された薄膜２３を
堆積させる。
前記の膜２３として、この例では、高周波グロー放電法
を用いてＳ ＩＨ４を分解重合させた非晶質水素化シリ
コン膜を使用した。故意に不純物を混入させないでＳｉ
Ｈ４のみを分解させて得た１型膜を用いると光導電膜を
構成し、上記ｉ型膜をはさむように、ｐ型になる不純物
、例えばＢ２Ｈ６を入れてＳ Ｉ Ｈ４を分解させたｐ
型膜と、ｎ型になる不純物、例えばＰＨ３を入れてＳ
ＩＨ４を分解させたｎ型膜とを堆積させると光起電力素
子を構成する。
を用いてＳ ＩＨ４を分解重合させた非晶質水素化シリ
コン膜を使用した。故意に不純物を混入させないでＳｉ
Ｈ４のみを分解させて得た１型膜を用いると光導電膜を
構成し、上記ｉ型膜をはさむように、ｐ型になる不純物
、例えばＢ２Ｈ６を入れてＳ Ｉ Ｈ４を分解させたｐ
型膜と、ｎ型になる不純物、例えばＰＨ３を入れてＳ
ＩＨ４を分解させたｎ型膜とを堆積させると光起電力素
子を構成する。
いずれの場合の構成においても本発明は適用可能である
。
。
２４は前記の膜２３上に蒸着した裏面電極である。この
実施例では、真空蒸着させたＡｆｉ薄膜を用いた。この
裏面電極２４は、機能に応じて分割して用いる。すなわ
ちビデオテープレコーダの基準周波数発生装置であれば
、いくつかの周波数を１つの素子で発生させることがで
きる。 ′絶縁基板２１の他の表面には、透明
導電膜２２と対応した穴のおいているマスク２６を接着
剤２６で接着しである。接着剤２６は、多い目に用いら
れており、マスク２６を接着する際、前述のようにマス
ク２５の穴から凸状にもシ上がるように構成される。接
着剤２６は光透過性であるため、凸状にも９上がった接
着剤層は、凸レンズわ働きをする。
実施例では、真空蒸着させたＡｆｉ薄膜を用いた。この
裏面電極２４は、機能に応じて分割して用いる。すなわ
ちビデオテープレコーダの基準周波数発生装置であれば
、いくつかの周波数を１つの素子で発生させることがで
きる。 ′絶縁基板２１の他の表面には、透明
導電膜２２と対応した穴のおいているマスク２６を接着
剤２６で接着しである。接着剤２６は、多い目に用いら
れており、マスク２６を接着する際、前述のようにマス
ク２５の穴から凸状にもシ上がるように構成される。接
着剤２６は光透過性であるため、凸状にも９上がった接
着剤層は、凸レンズわ働きをする。
この上に光を断続して素子に照射する可動マスク２７を
配し、従来例と同じ機能をする素子が完成する。
配し、従来例と同じ機能をする素子が完成する。
この光検知素子は、接着剤層２６が凸レンズの働きをす
るため、直進する光２８−ａは所定の透明電極に到達す
るが、斜めから入射する光２８−ｂでも所定の透明電極
に到達させることができる。
るため、直進する光２８−ａは所定の透明電極に到達す
るが、斜めから入射する光２８−ｂでも所定の透明電極
に到達させることができる。
接着剤２６の適量は、板２１の厚さ、マスク２５とマス
ク２６のすき間の大きさ、接着剤の屈折率等によって変
化する。なお２８−Ｃの」、うに極端に斜めから入射す
る光に対しては、マスク２５とマスク２６の間で反射し
ていくうち減衰するが、上記反射面に反射を防ぐような
樹脂等を塗府するとＳ／Ｎ比をさらに向上させることが
できる。
ク２６のすき間の大きさ、接着剤の屈折率等によって変
化する。なお２８−Ｃの」、うに極端に斜めから入射す
る光に対しては、マスク２５とマスク２６の間で反射し
ていくうち減衰するが、上記反射面に反射を防ぐような
樹脂等を塗府するとＳ／Ｎ比をさらに向上させることが
できる。
発明の効果
本発明によれば、Ｓ／Ｎ比の大きくとれる光検知素子の
高密度アレイを得ることができる。
高密度アレイを得ることができる。
第１図及び第２図は従来の光検知素子のアレイを示す断
面図、第３図は本発明による基板を用いた高密度に配置
された光検知素子のアレイの実施例を示す断面図である
。 ２１・・・・・基板、２２・・・・・・裏面電極、２３
・・・・・光導電膜、２４・・・・裏面電極、２５・・
・ マスク、２６・・・・・・接着剤層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図
面図、第３図は本発明による基板を用いた高密度に配置
された光検知素子のアレイの実施例を示す断面図である
。 ２１・・・・・基板、２２・・・・・・裏面電極、２３
・・・・・光導電膜、２４・・・・裏面電極、２５・・
・ マスク、２６・・・・・・接着剤層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図
Claims (2)
- （１）所定範囲の波長を持つ光を透過する絶縁性基板と
、前記光を透過させない材料からなり穴を有するマスク
、及び前記光を透過し、前記絶縁性基板と前記マスクと
を接着するとともに前記マスクの穴の部分で凸部を持つ
よう形成された接着層とを具備した光学機器用基板。 - （２）所定範囲の波長を持つ光を透過する絶縁性基板上
に、前記光を透過する接着剤を塗布し、その上に前記光
を透過させない材料からなり穴を有するマスクを所定の
圧力を加えて押しつけ、マスクの穴に接着剤が凸部にな
るように接着することを特徴とする光学機器用基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194093A JPS5984476A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 光学機器用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194093A JPS5984476A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 光学機器用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984476A true JPS5984476A (ja) | 1984-05-16 |
| JPH0231867B2 JPH0231867B2 (ja) | 1990-07-17 |
Family
ID=16318827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194093A Granted JPS5984476A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 光学機器用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984476A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4948978A (en) * | 1988-03-11 | 1990-08-14 | Thomson-Csf | Imaging device with matrix structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5374395A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
| JPS55124366A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Pickup device |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57194093A patent/JPS5984476A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5374395A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
| JPS55124366A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Pickup device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4948978A (en) * | 1988-03-11 | 1990-08-14 | Thomson-Csf | Imaging device with matrix structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0231867B2 (ja) | 1990-07-17 |
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