JPS616877A - フオトトランジスタ - Google Patents
フオトトランジスタInfo
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- JPS616877A JPS616877A JP59127901A JP12790184A JPS616877A JP S616877 A JPS616877 A JP S616877A JP 59127901 A JP59127901 A JP 59127901A JP 12790184 A JP12790184 A JP 12790184A JP S616877 A JPS616877 A JP S616877A
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- cdte
- electrode
- substrate
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ、複写機などに適用されるイメー
ジセンサを構成するフォトトランジスタに関するもので
ある。
ジセンサを構成するフォトトランジスタに関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
従来、この種のイメージセンサとしては、Ｓｉ単結晶基
板上にＩＣ技術を利用して形成される素子が用いられて
きた。しかし、これらはチップサイズの制約があり、原
稿を読み取る場合、光学縮小系レンズの併用が必要であ
る為、装置の大型化、及び価格の高額化が避けられなか
った。これに対し、ＣｄＴｅ等の薄膜フォトトランジス
タアレーは容易に大型化が可能であシ、縮小光学系を必
要としないイメージセンサを提供できる為、その開発が
進められてきた。然しなから現状の薄膜７オトトランジ
スタは、ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴｅ、ｎ”ＣｄＴｅの
３層を形成した後、リフトオフ法でＡ１等の電極のネガ
パターンを作るが、この時のウエノト工程でＣｄＴｅ表
面に汚染層が形成される。この汚染層は主に有機の付着
物であり、単に洗浄するだけでは十分に除去することは
できずＣｄＴｅと上部電極の界面に不安定なバリアを形
成していた。
板上にＩＣ技術を利用して形成される素子が用いられて
きた。しかし、これらはチップサイズの制約があり、原
稿を読み取る場合、光学縮小系レンズの併用が必要であ
る為、装置の大型化、及び価格の高額化が避けられなか
った。これに対し、ＣｄＴｅ等の薄膜フォトトランジス
タアレーは容易に大型化が可能であシ、縮小光学系を必
要としないイメージセンサを提供できる為、その開発が
進められてきた。然しなから現状の薄膜７オトトランジ
スタは、ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴｅ、ｎ”ＣｄＴｅの
３層を形成した後、リフトオフ法でＡ１等の電極のネガ
パターンを作るが、この時のウエノト工程でＣｄＴｅ表
面に汚染層が形成される。この汚染層は主に有機の付着
物であり、単に洗浄するだけでは十分に除去することは
できずＣｄＴｅと上部電極の界面に不安定なバリアを形
成していた。
第２図Ｂ１．Ｂ２で示されるのがその素子の光電流、暗
電流特性の一例である−０いずれも電流の立ち上がりが
遅い。又第３図りで示すのが同素子の１０ｖバイアスで
の光電流の経時変化であり、ｉｏｏ時間後に２０％の劣
化が認められる。このように従来のフォトトランジスタ
は、ＣｄＴｅと電極界面の汚染の為、満足なＶＩ特性、
及び、寿命特性を得られなかった。
電流特性の一例である−０いずれも電流の立ち上がりが
遅い。又第３図りで示すのが同素子の１０ｖバイアスで
の光電流の経時変化であり、ｉｏｏ時間後に２０％の劣
化が認められる。このように従来のフォトトランジスタ
は、ＣｄＴｅと電極界面の汚染の為、満足なＶＩ特性、
及び、寿命特性を得られなかった。
発明の目的
本発明の目的は、ＣｄＴｅとＡＩの界面の汚染を除去す
ることで、信頼性の高いフォトトランジスタを提供する
ことである。
ることで、信頼性の高いフォトトランジスタを提供する
ことである。
発明の構成
透明基板上に透明電極、ｎ −ＣｄＴｅ 、 ｐ −Ｃ
ｄＴｅ。
ｄＴｅ。
ｎ−ＣｄＴｅを順次形成した後、この表面上にＡＩ。
Ｉｎ、或いは、Ｓｎの電極をパターニングする前にプラ
ズマアッシングで表面をエツチング処理したものであり
、信頼性の高いフォトトランジスタを提供するものであ
る。
ズマアッシングで表面をエツチング処理したものであり
、信頼性の高いフォトトランジスタを提供するものであ
る。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明によシ得られたフォトトランジ
スタの断面図である。まず、６で示すガラス基板の上に
、透明電極パターンをフォトエツチング法で形成する。
明する。第１図は本発明によシ得られたフォトトランジ
スタの断面図である。まず、６で示すガラス基板の上に
、透明電極パターンをフォトエツチング法で形成する。
次に、真空蒸着にて基板温度３００−４００°Ｃ，Ｉｎ
、Ｓｂ等ノ不純物を含む蒸着源を用いることによりｎ−
ＣｄＴｅ。
、Ｓｂ等ノ不純物を含む蒸着源を用いることによりｎ−
ＣｄＴｅ。
ｐ−ＣｄＴｅ、ｎ−ＣｄＴｅの３層構造の受光部を形成
する。この後上部電極のネガノくターンをレジストで形
成した基板をプラズマアッシング処理する。
する。この後上部電極のネガノくターンをレジストで形
成した基板をプラズマアッシング処理する。
この条件は０２ガスを使用し、真空度０．３〜０．５Ｔ
ｏｒｒで、３００Ｗ、１０分である。コノ時、処理前の
、レジストの厚さは３μｍ、プラズマ処理後２．５μｍ
で、リフトオフバターニングに影響はでない。しかもＣ
ｄＴｅ表面の汚染層を形成している有機物は酸素プラズ
マによって十分に取り除かれる。またこの時、レジスト
のエツチングは等方性エツチングであり、側面形状は、
処理前よシだれが少なシ、むしろリフトオフに有利な形
状となる。
ｏｒｒで、３００Ｗ、１０分である。コノ時、処理前の
、レジストの厚さは３μｍ、プラズマ処理後２．５μｍ
で、リフトオフバターニングに影響はでない。しかもＣ
ｄＴｅ表面の汚染層を形成している有機物は酸素プラズ
マによって十分に取り除かれる。またこの時、レジスト
のエツチングは等方性エツチングであり、側面形状は、
処理前よシだれが少なシ、むしろリフトオフに有利な形
状となる。
この後、真空蒸着法によりＡＩ 、或いはＩｎ、１はＳ
ｎを形成しリフト、オフし、電極ノぐターンを得る。第
２図ＡＩ、Ａ２で示すのが本発明による素子の光電流、
暗電流のＶＩ特性である。又第３図Ｃで示すのが本発明
によるフォトトランジスタの寿命特性である。明らかに
従来のものに比べ、本発明のフォトトランジスタは、素
子の光電流。
ｎを形成しリフト、オフし、電極ノぐターンを得る。第
２図ＡＩ、Ａ２で示すのが本発明による素子の光電流、
暗電流のＶＩ特性である。又第３図Ｃで示すのが本発明
によるフォトトランジスタの寿命特性である。明らかに
従来のものに比べ、本発明のフォトトランジスタは、素
子の光電流。
暗電流のバイアスに対する立ち上がりが早く、光電流の
経時劣化は小さい。
経時劣化は小さい。
発明の効果
本発明のフォトトランジスタは透明基板上に透明電極、
ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴｅ、ｎ−ＣｄＴｅ を順次
形成し、その上にＡＩ、Ｉｎ、或いは、Ｓｎを電極とし
て形成させる前にプラズマアッシングで表面をエツチン
グ処理したものであり、トランジスタと電極界面の汚染
層を取り除くことにより、ＶＩ特性、寿命特性、を改善
させより信頼性の高いフォトトランジスタを提供するこ
とができる。
ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴｅ、ｎ−ＣｄＴｅ を順次
形成し、その上にＡＩ、Ｉｎ、或いは、Ｓｎを電極とし
て形成させる前にプラズマアッシングで表面をエツチン
グ処理したものであり、トランジスタと電極界面の汚染
層を取り除くことにより、ＶＩ特性、寿命特性、を改善
させより信頼性の高いフォトトランジスタを提供するこ
とができる。
第１図はフォ）ｌ−ランジスタの断面図、第２図は従来
、及び本発明のフォトトランジスタのＶＩ特性の特性図
、第３図は同寿命特性図である。 １・−上部電極、２− ｎ−ＣｄＴｅ 、 ３−−
ｐ−ＣｄＴｅ、４−ｎ−ＣｄＴｅ、５−・透明電極、６
−・・ガラス基板、了・・−照射光、Ａ１ ・・・本発
明の素子の光電流、Ａ２・・・・本発明の素子の暗電流
、Ｂ１ ・・・従来の素子の光電流、Ｂ２・・・従来の
素子の暗電流、Ｃ・・・・本発明の素子の寿命特性、Ｄ
・−従来の素子の寿命特性。 第１図 第２図 卯カロ°囁テ＆ＣＶノ
、及び本発明のフォトトランジスタのＶＩ特性の特性図
、第３図は同寿命特性図である。 １・−上部電極、２− ｎ−ＣｄＴｅ 、 ３−−
ｐ−ＣｄＴｅ、４−ｎ−ＣｄＴｅ、５−・透明電極、６
−・・ガラス基板、了・・−照射光、Ａ１ ・・・本発
明の素子の光電流、Ａ２・・・・本発明の素子の暗電流
、Ｂ１ ・・・従来の素子の光電流、Ｂ２・・・従来の
素子の暗電流、Ｃ・・・・本発明の素子の寿命特性、Ｄ
・−従来の素子の寿命特性。 第１図 第２図 卯カロ°囁テ＆ＣＶノ
Claims (1)
- 透明基板上に透明電極、ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴｅ、
ｎ−ＣｄＴｅを順次形成した後、この上にＡｌ、Ｉｎ、
或いは、Ｓｎの電極をパターニングする前にプラズマア
ッシングで表面をエッチング処理したフォトトランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127901A JPS616877A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | フオトトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127901A JPS616877A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | フオトトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616877A true JPS616877A (ja) | 1986-01-13 |
Family
ID=14971464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127901A Pending JPS616877A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | フオトトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616877A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104183663A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 通用电气公司 | 光伏器件及其制备方法 |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP59127901A patent/JPS616877A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104183663A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 通用电气公司 | 光伏器件及其制备方法 |
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