JPS616879A - 薄膜型フオトトランジスタ - Google Patents
薄膜型フオトトランジスタInfo
- Publication number
- JPS616879A JPS616879A JP59127934A JP12793484A JPS616879A JP S616879 A JPS616879 A JP S616879A JP 59127934 A JP59127934 A JP 59127934A JP 12793484 A JP12793484 A JP 12793484A JP S616879 A JPS616879 A JP S616879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cdte
- onto
- phototransistor
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 241000536416 Tinopsis Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ、複写機などに適用されるイメー
ジセンサを構成するフォトトランジスタに関するもの
である。
ジセンサを構成するフォトトランジスタに関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
従来、との種のイメージセンサとしては、Ｓｉ単結晶基
板上にＩＣ技術を利用して形成される素子が用いられて
きた。しかし、これらはチノプザイズの制約があり、原
稿を読み取る場合、光学縮小系レンズの併用が必要であ
る為、装置の大型化及び価格の高額化が避けられなかっ
た。これに対し、ＣｄＴｅ等の薄膜フォト！・ランジス
タアレ−は、容易に大型化が可能であるため、縮小光学
系を必要としないイメージセンサを提供できる。然しな
から現状のフォトトランジスタは、逆漏れ電流が多い為
、マトリックス配線を用いた場合、隣接素′ 子からの
回り込み電流の影響を阻止できないという欠点があった
。
板上にＩＣ技術を利用して形成される素子が用いられて
きた。しかし、これらはチノプザイズの制約があり、原
稿を読み取る場合、光学縮小系レンズの併用が必要であ
る為、装置の大型化及び価格の高額化が避けられなかっ
た。これに対し、ＣｄＴｅ等の薄膜フォト！・ランジス
タアレ−は、容易に大型化が可能であるため、縮小光学
系を必要としないイメージセンサを提供できる。然しな
から現状のフォトトランジスタは、逆漏れ電流が多い為
、マトリックス配線を用いた場合、隣接素′ 子からの
回り込み電流の影響を阻止できないという欠点があった
。
発明の目的
本発明の目的は、逆漏れ電流を阻１にすることの可能な
整流性を持つフォトトランジスタを提供することにある
。
整流性を持つフォトトランジスタを提供することにある
。
発明の構成
本発明のフォトトランジスタは、透明基板」二に、透明
電極、ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴｅ、ｎ−ＣｄＴｅ を
順次形成し、その表面を湿中、或いはアルカリで処理全
行った後、この上に、Ａｌ、Ｉｎ或いは、Ｓｎを電極と
して形成したものであり、逆漏れ電流を大幅に減少させ
、隣接素子からの影響を阻止することを可能としたもの
である。
電極、ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴｅ、ｎ−ＣｄＴｅ を
順次形成し、その表面を湿中、或いはアルカリで処理全
行った後、この上に、Ａｌ、Ｉｎ或いは、Ｓｎを電極と
して形成したものであり、逆漏れ電流を大幅に減少させ
、隣接素子からの影響を阻止することを可能としたもの
である。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は、本発明により得られたフォトトラン
ジスタの断面図である。まず、６で示すガラス基板の上
に、透明電極パターンをフォトエツチング法で形成する
。次に、真空蒸着にて基板温度３００−４００ ’Ｑ
、 Ｉ ｎ ’＋ Ｓ ｂ等ノ不純物を含む蒸着源を
用いることにより、ｎ−ＣｄＴｅ。
明する。第１図は、本発明により得られたフォトトラン
ジスタの断面図である。まず、６で示すガラス基板の上
に、透明電極パターンをフォトエツチング法で形成する
。次に、真空蒸着にて基板温度３００−４００ ’Ｑ
、 Ｉ ｎ ’＋ Ｓ ｂ等ノ不純物を含む蒸着源を
用いることにより、ｎ−ＣｄＴｅ。
ｐ−ＣｄＴｅ、ｎ−ＣｄＴｅ の３層構造の受光部を
形成する。この後４０’Ｃのメタルフリーの有機アルカ
リ溶液（テトラメチルアンモニウム等）中に、約１０分
間浸漬した後、又ｉｌ″ｊ：４０°Ｃ、９０ｗｅｔ％の
恒温槽に３０分放置後、乾燥、再び真空蒸着で成膜した
ＡＩ或いはＩｎ、或いはＳｎをリフト、オフ法でバター
ニングし、上部電極とする。第２図８．９に示すのが、
従来のフォートトランジスタのＶ−Ｉ特性であり、１０
．１１で示すのが本発明によるフォトトランジスタのＶ
’−１特性である。
形成する。この後４０’Ｃのメタルフリーの有機アルカ
リ溶液（テトラメチルアンモニウム等）中に、約１０分
間浸漬した後、又ｉｌ″ｊ：４０°Ｃ、９０ｗｅｔ％の
恒温槽に３０分放置後、乾燥、再び真空蒸着で成膜した
ＡＩ或いはＩｎ、或いはＳｎをリフト、オフ法でバター
ニングし、上部電極とする。第２図８．９に示すのが、
従来のフォートトランジスタのＶ−Ｉ特性であり、１０
．１１で示すのが本発明によるフォトトランジスタのＶ
’−１特性である。
光センサとして使用されるのは正バイアス側の特性であ
る。明らかに前者に比べ、後者の光電流。
る。明らかに前者に比べ、後者の光電流。
暗電流は共に負バイアスにおいて大幅に減少している。
特に、−１ｏｖにおいてどちらも１／１００以下まで減
少している。これに対し、正バイアス側の特性は大きな
変化はない。即ち、本発明のフォトトランジスタは従来
のものに比べ、使用領域の特性を低減させることなく隣
接素子からの回り込み電流の影響を大幅に低減できるも
のである。
少している。これに対し、正バイアス側の特性は大きな
変化はない。即ち、本発明のフォトトランジスタは従来
のものに比べ、使用領域の特性を低減させることなく隣
接素子からの回り込み電流の影響を大幅に低減できるも
のである。
発明の効果
本発明のフォトトランジスタは、透明基板上に透明電極
、ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴ’ｅ、ｎ−ＣｄＴｅ を順
次形成し、その表面を湿中、或いはアルカリで処理を行
った後この上に、Ａｌ、Ｉｎ、或いはＳｎを電極として
形成したものであり、従来のものに比べ使用領域の特性
を低減させることなく隣接素子からの回り込み電流の影
響を大幅に低減できるものでちる。この特徴は配線部を
マトリックス結線とした場合、特に有効である。しかも
そのプロセスは極めてシンプルである。
、ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴ’ｅ、ｎ−ＣｄＴｅ を順
次形成し、その表面を湿中、或いはアルカリで処理を行
った後この上に、Ａｌ、Ｉｎ、或いはＳｎを電極として
形成したものであり、従来のものに比べ使用領域の特性
を低減させることなく隣接素子からの回り込み電流の影
響を大幅に低減できるものでちる。この特徴は配線部を
マトリックス結線とした場合、特に有効である。しかも
そのプロセスは極めてシンプルである。
第１図は本発明によシ得られたフォトトランジスタ素子
の断面図、第２図は従来のフォトトランジスタ及び本発
明によるフォトトランジスタの■−１特性の特性図であ
る。 １・・・・上部電極、２・・・・・・ｎ−ＣｄＴｅ、３
・・・・ｐ−ＣｃｌＴｅ 、 −１−・・ｎ−ＣｄＴｅ
Ｌ ６’−・−透明電極、６・・・・・・ガラス基板
、７・・・・・入射光、８・・・・・従来のフォトトラ
ンジスタの光電流、９・・・・・従来のフォトトランジ
スタの暗電流、１０・・・・・本発明のフ第１・トラン
ジスタの光電流、１１・・・・・・本発明のフォトトラ
ンジスタの暗電流０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
の断面図、第２図は従来のフォトトランジスタ及び本発
明によるフォトトランジスタの■−１特性の特性図であ
る。 １・・・・上部電極、２・・・・・・ｎ−ＣｄＴｅ、３
・・・・ｐ−ＣｃｌＴｅ 、 −１−・・ｎ−ＣｄＴｅ
Ｌ ６’−・−透明電極、６・・・・・・ガラス基板
、７・・・・・入射光、８・・・・・従来のフォトトラ
ンジスタの光電流、９・・・・・従来のフォトトランジ
スタの暗電流、１０・・・・・本発明のフ第１・トラン
ジスタの光電流、１１・・・・・・本発明のフォトトラ
ンジスタの暗電流０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 透明基板上に透明電極、ｎ−ＣｄＴｅ、ｐ−ＣｄＴｅ、
ｎ−ＣｄＴｅを順次形成し、その表面を湿中、或いはア
ルカリで処理を行った後、この上にＡｌ、Ｉｎ或いは、
Ｓｎを電極として形成した薄膜型フォトトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127934A JPS616879A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 薄膜型フオトトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127934A JPS616879A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 薄膜型フオトトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616879A true JPS616879A (ja) | 1986-01-13 |
Family
ID=14972246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127934A Pending JPS616879A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 薄膜型フオトトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904039A (en) * | 1988-11-18 | 1990-02-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Electro-optic devices utilizing a sapphire substrate |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP59127934A patent/JPS616879A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904039A (en) * | 1988-11-18 | 1990-02-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Electro-optic devices utilizing a sapphire substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05502783A (ja) | 光電変換素子上における静電荷制御用被覆層 | |
| KR960035117A (ko) | 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| JPS57173966A (en) | Solid state image pickup device | |
| JPS616879A (ja) | 薄膜型フオトトランジスタ | |
| KR930017195A (ko) | 고체촬상소자 및 그 제법 | |
| JPH09191097A (ja) | イメージセンサ | |
| JPS6327871B2 (ja) | ||
| KR960011476B1 (ko) | 밀착형 이메지 센서의 광전변환소자 구조 및 제조방법 | |
| JPS616877A (ja) | フオトトランジスタ | |
| JPS648664A (en) | Solid-state image sensing device and manufacture thereof | |
| JPS61287263A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPS6317554A (ja) | 光導電装置 | |
| JPH01140662A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JPS60242669A (ja) | 光センサアレイ装置 | |
| JPH01217966A (ja) | 光導電型イメージセンサの製造方法 | |
| JPH03255666A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2502783B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2968971B2 (ja) | イメージセンサとその製造方法 | |
| JPH0433144B2 (ja) | ||
| JPS61280659A (ja) | 密着形イメ−ジセンサ− | |
| JPH06260626A (ja) | 画像読み取り装置 | |
| JPH0715144Y2 (ja) | コプラナ−型光センサ− | |
| KR970009733B1 (ko) | 밀착형 이미지 센서의 광 도전체 제조방법 | |
| JPS60157273A (ja) | 薄膜ホトトランジスタの製造方法 | |
| JP2538252B2 (ja) | 光センサの製造方法 |