KR970009733B1 - 밀착형 이미지 센서의 광 도전체 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용없음.
Description
제1도는 종래의 팩시밀리에 사용되는 광학 구조의 일예를 보인 개략 사시도.
제2도는 본 발명에 의한 밀착형 이미지 센서가 적용될 수 있는 개선된 형태의 팩시밀리 광학구조를 보인 개략 사시도.
제3도는 종래 기술에 의한 밀착형 이미지 센서의 수광소자 구조를 보인 측면도.
제4도는 본 발명에 의한 밀착형 이미지 센서의 광도전체셀 구조를 보인 평면도.
제5도는 동상의 측면도.
제6도 및 제7도는 본 발명에 의한 밀착형 이미지 센서의 광도전체 특성을 보인 그래프로서, 제6도는 입사파에 따른 스펙트럴 응답값을, 제7도는 CdSe 조성변화에 따른 rise time의 변화값을 각각 보인 것이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 공통전극 11,11' : 전극
12,12' : 광도전체
본 발명은 팩시밀리에 사용되는 밀착형 이미지센서의 광도전체(수광부) 제조방법에 관한 것으로, 특히 여러 가지 SED종류에 대응할 수 있도록 광특성 변화를 조절할 수 있게 한 밀착형 이미지센서의 광 도전체 제조방법에 관한 것이다.
종래의 팩시밀리는 제1도에 도시한 바와같이, 원고(1)의 이미지(image)를 렌즈(2)에 의하여 축소시켜 CCD(charg coupled diode)(3)로 전송시킨 다음, 그 CCD( 3)에서 광전변환을 시키고, 구동회로를 통하여 읽어들이는 방법이 적용되고 있다.
그러나 상기한 바와같은 팩시밀리는 광학계를 탑재하여야 하므로 부피가 커지는 단점이 있었으며, 상기한 단점을 보완하기 위하여 제2도에 도시한 바와 같이 원고(1)가 지나가는 로드렌즈(4)의 하부에 수광부(5)를 갖는 밀착형 이미지 센서(6)가 설치된 팩시밀리가 알려지고 있다.
상기한 바와 같은 밀착형 이미지센서(6)는 포토다이오드(photodiode)에 비정질 실리콘이나 CdSe 또는 CdS계의 포토디렉터 레이어(photodetector layer)(수광소자)를 사용한 것으로서, 제3도는 밀착형 이미지센서(6)에 적용되는 포토디렉터의 일예를 도시한 것인바, 도면중 7은 투명전극, 8은 반도체 필름, 9는 전극을 각각 보인 것이다.
그러나 밀착형 이미지센서(6)의 경우에는 팩시밀리 본체의 부피를 절감시키는 이점은 있으나 포토디렉터 레이저로 쓰인 비정질 실리콘이나 CdSe, CdS의 광응답 특성이 파장대 별도 특성파장에서만 반응성을 나타내므로 광원(light souce)인 LED 배열을 이에 맞추어야 하는 번거로움이 있었으며, 또한 오퍼레이팅 프리퀸시(operating frequency)의 선택조절이 용이하지 못한 문제점이 었다.
본 발명의 목적은 여러 가지 LED에 대응할 수 있는 밀착형 이미지 센서의 광도전체 제조방법을 제공함에 있다.
상기한 바와같은 본 발명의 목적은 CdSe와 CdS를 솔리드 솔루션(solid solution)으로 형성하여 통상의 LED와 스펙트럼 응답파장의 범위를 일치시킴으로써 달성되는 것이다.
이하, 본 발명의 일실시예를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 유리기판 위에 케미컬 배드 디포지션(chenical bath deposition)방법으로 구리가 미량 존재하는 CdS필름을 증착시키고, 이후 케미컬 베이퍼 디포지션(chemical vapor depostion)방법으로 CdSe 필름을 증착시킨 다음, 포토에칭 공정(photo etchin g process)을 통하여 상기 필름을 화학 에칭을 한다. 상기 공정은 광 도전체(photo conductor)배열을 만들기 위한 작업이다. 상기한 바와 같이 된 필름을 500-550oC 의 조건에서 열처리를 하게 되면 고용체를 형성하게 된다. 이때 C1이 도핑된 CdS 파우더(powder)를 대기압하에서 분위기로 쓴다.
이후, NiCr-Au 전극을 포토리소그래피(photolithoguaphy)방법으로 형성함으로써 제조가 완료된다.
제4도 및 제5도는 본 발명의 제조방법으로 제조된 광도전체 셀의 구조를 보인 평면도 및 측면도로서, 도면중 10은 공통전극, 11,11'은 전극, 12,12'는 광도전체를 각각 보인 것이다.
상기한 바와같은 본 발명에 의한 광도전체의 제조방법에서 CdS와 CdSe와의 조성비는 밀착형 이미지 센서의 성능을 좌우하는 중요한 요소로 알려지고 있는바, 제7도에 도시한 바와같은 CdS 조성변화에 따른 rise time의 변화값에 대한 실험값을 얻을 수 있었으며, 제6도에 도시한 바와같은 입사파에 따른 스펙트럼(spectrum)응답값의 변화에 대한 실험(이때 CdS, CdSe 필름층의 두께는 0.6μm)에 의하면 CdSe의 조성비가 0.4일 경우에 통상의 LED의 파장범위(500-600nm)와 스펙트럼 응답파장범위가 일치하는 최적의 값을 얻을 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 의한 광도전체 제조방법은 광원인 LED를 다양하게 선택할 수 있으며, 광도전체와의 스펙트럼 응답 특성을 용이하게 조절할 수 있고, 오퍼레이팅 프리퀀시(operating frequency)를 선택좆절이 용이해지는 등의 효과가 있게 된다.
Claims (4)
- 유리기판위에 CdS필름을 증착시키는 공정과, 그 위에 CdS필름을 증착시키는 공정과, 이들 필름을 화학 에칭하는 공정과, 이 필름을 열처리하여 고용체를 얻는 공정에 의해 조성비를 조절할 수 있는 CdS와 CdSe의 솔리드 솔루션(Solid solution)으로 제조함을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서의 광 도전체 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 CdS와 CdSe의 조성비가 통상의 LED와 스펙트럼 응답파장범위가 일치하는 0.6 : 0.4임을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서의 광 도전체 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필름을 열처리하는 공정에서는 500-550oC 의 조건에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서의 광도전체 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 필름을 열처리하는 공정에서는 C1이 도핑된 CdS 파우더를 대기압하에서 사용함을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서의 광 도전체 제조방법.
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