JPS60157273A - 薄膜ホトトランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜ホトトランジスタの製造方法Info
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- JPS60157273A JPS60157273A JP59012335A JP1233584A JPS60157273A JP S60157273 A JPS60157273 A JP S60157273A JP 59012335 A JP59012335 A JP 59012335A JP 1233584 A JP1233584 A JP 1233584A JP S60157273 A JPS60157273 A JP S60157273A
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Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 16
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜ホトトランジスタの製造方法に関する。
従来例の構成蘭題点
従来、ホトトランジスタは、シリコン等の単結晶を用い
て製造しているが、非常に煩雑なプロセスを必要として
いるため高価になり、またそれをアレイにする時にはウ
ェハサイズにより制約されるので大面積のものはできな
いという欠点かあった０ 発明の目的 本発明は、上記従来の欠点を解消するもので、製造が容
易で、しかも高密度で大面積のホト＋−ランジスタアレ
イが作製できる薄膜ホトトランジスタの製造方法を提供
する事を目的とする。
て製造しているが、非常に煩雑なプロセスを必要として
いるため高価になり、またそれをアレイにする時にはウ
ェハサイズにより制約されるので大面積のものはできな
いという欠点かあった０ 発明の目的 本発明は、上記従来の欠点を解消するもので、製造が容
易で、しかも高密度で大面積のホト＋−ランジスタアレ
イが作製できる薄膜ホトトランジスタの製造方法を提供
する事を目的とする。
発明の構成
本発明の薄膜ホトトランジスタの製造方法−１、透光性
基板上に透明電極膜を形成し、その上にＮ型ＣａＴｅ膜
１ 、 ＰｖＣｄＴｅ Ｉｌ＠ ｌ 、 Ｎ型ＣｄＴｅ
膜１１１の三層をこの順序で積層させ、更にその上に金
属電極を形成した構造を持つ薄膜ホトトランジスタを製
造するにあたり、Ｉｎ もしくはＩｎを含有した金属を
Ｐ型ＣｄＴｅ膜■上に形成させ、熱処理等によってＩｎ
をＰ型ＣｄＴｅ膜■中に拡散させる事によりＮ型ＣｄＴ
ｅ膜■を形成させる構成をなし、これにより製造が容易
でしかも高密度で大面積のホトトランジスタアレイガ作
製できるという特徴をもつ。
基板上に透明電極膜を形成し、その上にＮ型ＣａＴｅ膜
１ 、 ＰｖＣｄＴｅ Ｉｌ＠ ｌ 、 Ｎ型ＣｄＴｅ
膜１１１の三層をこの順序で積層させ、更にその上に金
属電極を形成した構造を持つ薄膜ホトトランジスタを製
造するにあたり、Ｉｎ もしくはＩｎを含有した金属を
Ｐ型ＣｄＴｅ膜■上に形成させ、熱処理等によってＩｎ
をＰ型ＣｄＴｅ膜■中に拡散させる事によりＮ型ＣｄＴ
ｅ膜■を形成させる構成をなし、これにより製造が容易
でしかも高密度で大面積のホトトランジスタアレイガ作
製できるという特徴をもつ。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面な参照しながら説
明する。第１図は本発明により得られた薄膜ホトトラン
ジスタの断面図を示しており、これを基にその製造方法
を詳しく説明していく。１は透光性基板で、ここではガ
ラス基板を用いた。
明する。第１図は本発明により得られた薄膜ホトトラン
ジスタの断面図を示しており、これを基にその製造方法
を詳しく説明していく。１は透光性基板で、ここではガ
ラス基板を用いた。
極付基板を３００″Ｃ〜４００°Ｃに加熱しながら、Ｎ
型ＣｄＴｅ膜３とＰ型ＣｄＴｅ膜４を順に真空蒸着法で
積層した。この時、Ｎ型ＣｄＴｅ膜３を形成させるにあ
たっては、Ｉｎ又はＩｎ化合物を含有したＣｄＴｅ を
蒸着源材料として使用しており、膜厚は、０．３μ〜１
μ程度とした。またＰ型ＣｄＴｅ膜４を形成するにあた
っては、ｓｂ−またけｓｂ化合物物を含有したＣｄＴｅ
を蒸着源材料として使用しており、膜厚は０．３μ〜λ
μ程度とした。
型ＣｄＴｅ膜３とＰ型ＣｄＴｅ膜４を順に真空蒸着法で
積層した。この時、Ｎ型ＣｄＴｅ膜３を形成させるにあ
たっては、Ｉｎ又はＩｎ化合物を含有したＣｄＴｅ を
蒸着源材料として使用しており、膜厚は、０．３μ〜１
μ程度とした。またＰ型ＣｄＴｅ膜４を形成するにあた
っては、ｓｂ−またけｓｂ化合物物を含有したＣｄＴｅ
を蒸着源材料として使用しており、膜厚は０．３μ〜λ
μ程度とした。
次に、Ｉｎ もしくはＩｎを含有した金属膜６をこの上
に真空蒸着法で形成させる。ここではＩｎを含有したＡ
Ｉ を形成させたのであるが、蒸着時に基板を８０°Ｃ
〜２００’Ｃの温度に加熱してやる事によりＩｎ をＰ
型ＣｄＴｅ中に拡散させてＮ型ＣｄＴｅ膜６を形成させ
た。もし、これだけでＮ型ＣｄＴｅ膜の形成が不充分で
あれば、窒素雰囲気もしくはＡｒ雰囲気中で更に熱処理
を加えてやれはよい。
に真空蒸着法で形成させる。ここではＩｎを含有したＡ
Ｉ を形成させたのであるが、蒸着時に基板を８０°Ｃ
〜２００’Ｃの温度に加熱してやる事によりＩｎ をＰ
型ＣｄＴｅ中に拡散させてＮ型ＣｄＴｅ膜６を形成させ
た。もし、これだけでＮ型ＣｄＴｅ膜の形成が不充分で
あれば、窒素雰囲気もしくはＡｒ雰囲気中で更に熱処理
を加えてやれはよい。
そこで外部から透明電極膜２と上部電極膜６０間に電圧
■を印加してやれば、入射光７に対応して光電流Ｉが流
れるのである。
■を印加してやれば、入射光７に対応して光電流Ｉが流
れるのである。
第２図に以上のようにして作製した薄膜トランジスタの
Ｖ−Ｉ曲線の一例を示しである。ここで受光部面積は１
ｍｔＭであり、曲線りは暗状態の時であり、曲線Ａは
５００１ｘ照射した時のものである。
Ｖ−Ｉ曲線の一例を示しである。ここで受光部面積は１
ｍｔＭであり、曲線りは暗状態の時であり、曲線Ａは
５００１ｘ照射した時のものである。
第３図は他の実施例を示してあり、この例では上部電極
膜６がＣｄＴｅ膜上にｎ個配列されている。
膜６がＣｄＴｅ膜上にｎ個配列されている。
前の実施例と同様に、この上部電極膜６としてＩｎを含
有したＡｌ膜を用いており、これをＰ型ＣｄＴｅ膜４上
に形成して、熱処理等によりＩｎ を上部電極の直下に
拡散してやる事によってＮ型ＣｄＴｅ膜６を形成させて
いる。この第３図の構造は、Ｎ個のホトトランジスタが
ｎ個配列した構造であυ、もし入射光（７−１）の部分
の光信号を得たい時には電圧■１を印加して光電流１１
をめればよい。
有したＡｌ膜を用いており、これをＰ型ＣｄＴｅ膜４上
に形成して、熱処理等によりＩｎ を上部電極の直下に
拡散してやる事によってＮ型ＣｄＴｅ膜６を形成させて
いる。この第３図の構造は、Ｎ個のホトトランジスタが
ｎ個配列した構造であυ、もし入射光（７−１）の部分
の光信号を得たい時には電圧■１を印加して光電流１１
をめればよい。
この構造の利点は、例えば第４図のようにＮ型ＣｄＴｅ
膜９が一様に形成されている場合、入射光（７−１）に
対応する光電流１つの一部１１ｏが１胃りのホトトラン
ジスタの出力へ漏れてしまう恐れがあるため、上部電極
８の間隔を接近させる事ができず、捷だ第６図のように
、この漏れをなくすために、ＣｄＴｅ膜をエツチングに
より個々に分離してやった場合、エツチング液中の不純
物等によってホトトランジスタのＣｄＴｅ膜が汚染され
てしまい特性が著しく劣下してしまうという欠点があっ
たのが、この第３図の構造にすれば、ＣｄＴｅ膜をエツ
チングするという事なしに漏れの影響を緩和することが
できるため、ホトトランジスタの間隔をかなυ接近させ
る事ができるのである。
膜９が一様に形成されている場合、入射光（７−１）に
対応する光電流１つの一部１１ｏが１胃りのホトトラン
ジスタの出力へ漏れてしまう恐れがあるため、上部電極
８の間隔を接近させる事ができず、捷だ第６図のように
、この漏れをなくすために、ＣｄＴｅ膜をエツチングに
より個々に分離してやった場合、エツチング液中の不純
物等によってホトトランジスタのＣｄＴｅ膜が汚染され
てしまい特性が著しく劣下してしまうという欠点があっ
たのが、この第３図の構造にすれば、ＣｄＴｅ膜をエツ
チングするという事なしに漏れの影響を緩和することが
できるため、ホトトランジスタの間隔をかなυ接近させ
る事ができるのである。
発明の効果
以上のように本発明においては、Ｐ Ｗ ＣｄＴｅ膜上
にＩｎ を含んだ上部電極を形成させ、熱処理等によっ
てＩｎをＰ型ＣｄＴ ｅ中に拡散させてＮ型ＣｄＴｅ膜
を形成させて薄膜ホトトランジスタを作るため、製造が
容易でしかも大面化が可能である１、またこの方法によ
れば、薄膜ホトトランジスタを容易にアレイ状にでき、
高密度で大面積のものができるため、イメージセンサど
して用いる時、非常に有望な製造方法である。
にＩｎ を含んだ上部電極を形成させ、熱処理等によっ
てＩｎをＰ型ＣｄＴ ｅ中に拡散させてＮ型ＣｄＴｅ膜
を形成させて薄膜ホトトランジスタを作るため、製造が
容易でしかも大面化が可能である１、またこの方法によ
れば、薄膜ホトトランジスタを容易にアレイ状にでき、
高密度で大面積のものができるため、イメージセンサど
して用いる時、非常に有望な製造方法である。
第１図は本発明の一実施例として製造された薄膜ホトト
ランジスタの断面図、第２図は、この薄膜ホトトランジ
スタのＶ −Ｉ ％性を示す特性図、第３図は、本発明
の他の実施例である薄膜ポトトランジスタアレイの断面
図、第４図及び第５図は本発明を適用していない薄膜ホ
トトランジスタアレイの断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・Ｎ型ＣｄＴｅ膜、４・・・・・・Ｐ型Ｃ
ｄＴｅ膜、６，９・・・・・・Ｎ型ＣｄＴｅ膜、６，８
・・・・・」二部電極、７・・・・・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ２４乙８ Ｖ ＣＶノ ア１，３ 図 銘 ４
ランジスタの断面図、第２図は、この薄膜ホトトランジ
スタのＶ −Ｉ ％性を示す特性図、第３図は、本発明
の他の実施例である薄膜ポトトランジスタアレイの断面
図、第４図及び第５図は本発明を適用していない薄膜ホ
トトランジスタアレイの断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・Ｎ型ＣｄＴｅ膜、４・・・・・・Ｐ型Ｃ
ｄＴｅ膜、６，９・・・・・・Ｎ型ＣｄＴｅ膜、６，８
・・・・・」二部電極、７・・・・・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ２４乙８ Ｖ ＣＶノ ア１，３ 図 銘 ４
Claims (1)
- （１）透光性基板上に透明電極膜を形成し、その上にＮ
型ＣａＴｅ膜、Ｐ型ＣｄＴｅ膜、Ｎ型ＣｄＴｅ膜の三層
をこの順序で積層させ、更にその上に金属電極を形成し
た構造を持つ薄膜ホトトランジスタを製造するにあたり
、Ｉｎ もしくはＩｎを含有した金属をＰ型ＣｄＴｅ膜
上に形成させ、熱処理等によってＩｎをＰ型ＣｄＴｅ膜
中に拡散させる事によりＮ ８！！ ＣｄＴｅ膜を形成
させることを特徴とする薄膜ホトトランジスタの製造方
法。 （呻 Ｐ型ＣｄＴｅ膜上に、Ｉｎもしくはｉｎを含有し
た金属が複数個配列されている特許請求の範囲第１項記
載の薄膜ホトトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012335A JPS60157273A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 薄膜ホトトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012335A JPS60157273A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 薄膜ホトトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157273A true JPS60157273A (ja) | 1985-08-17 |
Family
ID=11802427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59012335A Pending JPS60157273A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 薄膜ホトトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157273A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961098A (en) * | 1989-07-03 | 1990-10-02 | Santa Barbara Research Center | Heterojunction photodiode array |
| US5049962A (en) * | 1990-03-07 | 1991-09-17 | Santa Barbara Research Center | Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions |
| US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124275A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
| JPS5752182A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Ricoh Co Ltd | Thin film transistor |
| JPS5864073A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP59012335A patent/JPS60157273A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124275A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
| JPS5752182A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Ricoh Co Ltd | Thin film transistor |
| JPS5864073A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5049962A (en) * | 1990-03-07 | 1991-09-17 | Santa Barbara Research Center | Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions |
| US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
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