JPS5916374A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JPS5916374A JPS5916374A JP57126382A JP12638282A JPS5916374A JP S5916374 A JPS5916374 A JP S5916374A JP 57126382 A JP57126382 A JP 57126382A JP 12638282 A JP12638282 A JP 12638282A JP S5916374 A JPS5916374 A JP S5916374A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イメージセンサに使用するのに適した半導体
素子に関するものである。
素子に関するものである。
従来、イメージセンサとして使用されていた半導体素子
は、７リコン単結晶基板」二にＩＣ製造技術を利用して
形成された光電変換素子アレイで構成されていたが、こ
れはＳｉ単結晶基板を使用する必要上、そのサイズを３
０ｆｉ以上にすることは困難であった。このため、この
ような光電変換素子で原稿を読取る場合には、レンズ等
の光学装置を旧態して像を縮少しなければならず、との
ため装置が大型化すると同時に高価につくという欠点が
あった。
は、７リコン単結晶基板」二にＩＣ製造技術を利用して
形成された光電変換素子アレイで構成されていたが、こ
れはＳｉ単結晶基板を使用する必要上、そのサイズを３
０ｆｉ以上にすることは困難であった。このため、この
ような光電変換素子で原稿を読取る場合には、レンズ等
の光学装置を旧態して像を縮少しなければならず、との
ため装置が大型化すると同時に高価につくという欠点が
あった。
本発明は、これらの欠点を除去した半導体素子を提供し
ようとするものである。
ようとするものである。
本発明の特徴はこれらの素子が薄膜で構成されているこ
とで、このだめに、任意の形状１面積で且つ、高性能の
半導体素子が安価に得られる。例えば、本発明による半
導体素子を適用したイメージセンサはチップサイズを被
読取り原稿中と同じ大きさにすることが出来るため、原
稿を高速度で直接読み取ることが可能であり、このため
装置全体を小型化することが可能となり、且つ安価にな
るという利点がある。
とで、このだめに、任意の形状１面積で且つ、高性能の
半導体素子が安価に得られる。例えば、本発明による半
導体素子を適用したイメージセンサはチップサイズを被
読取り原稿中と同じ大きさにすることが出来るため、原
稿を高速度で直接読み取ることが可能であり、このため
装置全体を小型化することが可能となり、且つ安価にな
るという利点がある。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
（実施例１）
第１図は、本発明の第１の実施例を示す素子の断面図で
ある。図に示すように、ガラス基板１上にＩｎ２Ｏ３を
含む透明電極２と、それに対向してＮｉ１０ｒ電極３を
形成させたのち、その上に蒸着法で順次、ＣｄＴｅ膜４
、 Ｓｎ電極５を形成させた。
ある。図に示すように、ガラス基板１上にＩｎ２Ｏ３を
含む透明電極２と、それに対向してＮｉ１０ｒ電極３を
形成させたのち、その上に蒸着法で順次、ＣｄＴｅ膜４
、 Ｓｎ電極５を形成させた。
ＣｄＴｅ、Ｓｎ 成膜時の基板加熱温度は各々、４３
０’Ｃ，１ｓｏ”Ｃとした。このようにして得られた半
導体素子は、光応答速度１０”−６ｓｅｃ 、感度１
０／ＪＡ／ｃｌｔｌｘであった。なお図中６は入射光を
示す。
０’Ｃ，１ｓｏ”Ｃとした。このようにして得られた半
導体素子は、光応答速度１０”−６ｓｅｃ 、感度１
０／ＪＡ／ｃｌｔｌｘであった。なお図中６は入射光を
示す。
第２図は第１図に示す本発明の半導体素子をイメージセ
ンサに適用した場合の等価回路図である。
ンサに適用した場合の等価回路図である。
図中、７−１〜７− ｎは光感知素子アレイ、８−１〜
８−ｎは逆流防止ダイオード・アレイを示す。
８−ｎは逆流防止ダイオード・アレイを示す。
また９はロー電極端子、１ｏはコラム電極端子である。
このようにして得られたイメージセンサは、３５０〜８
５０ ｎｍの波長範囲で高感度を有し、且つ、画素の周
波数応答特性は１０’ｋＨｚと高速であった。しだがっ
て、このようにして得られたイメージセンサは、これに
近接して装着した発光ダイオードを光源として、被写体
を直接的に高速度で読取ることが出来るため、装置を小
型化、低価格化するのに有効である。同装置は通常のタ
ングステン燈光、螢光燈光下でも充分作動する。
５０ ｎｍの波長範囲で高感度を有し、且つ、画素の周
波数応答特性は１０’ｋＨｚと高速であった。しだがっ
て、このようにして得られたイメージセンサは、これに
近接して装着した発光ダイオードを光源として、被写体
を直接的に高速度で読取ることが出来るため、装置を小
型化、低価格化するのに有効である。同装置は通常のタ
ングステン燈光、螢光燈光下でも充分作動する。
（実施例２）
第３図の断面図に示すように、ガラス基板１１上にＣｒ
／Ｎ ｉ ／Ｃｒ電極１２ 、１２＠対向させて形成
させたのち、それぞれ対応する゛電極対を橋絡するよう
に、順次、ＣｄＴｅ膜１３．工ｎ２ｏ３膜１４を形成さ
せた０ＣｄＴｅ、工ｎ２０３成膜時の基板加熱温度は各
々４３０″Ｃ，３００’Ｃとした。このようにして得ら
れた半導体素子は光応答速度１Ｏ−６Ｓｅｃ。
／Ｎ ｉ ／Ｃｒ電極１２ 、１２＠対向させて形成
させたのち、それぞれ対応する゛電極対を橋絡するよう
に、順次、ＣｄＴｅ膜１３．工ｎ２ｏ３膜１４を形成さ
せた０ＣｄＴｅ、工ｎ２０３成膜時の基板加熱温度は各
々４３０″Ｃ，３００’Ｃとした。このようにして得ら
れた半導体素子は光応答速度１Ｏ−６Ｓｅｃ。
感度１０ ／ｌＡ／ｃｄｌ ｘであった。図中１５は入
射光を示す。
射光を示す。
第４図は、第３図に示す本発明の半導体素子をイメージ
センサに適用した場合の等価回路図である。図中、１６
−１〜１６−ｎは光感知素子・アレイ、１７−１〜１ア
ーｎは逆流防止ダイオード・アレイを示す。寸だ１８は
ロー電極端子、１９はコラム電極端子である。このよう
にして得られたイメージセンサは、３Ｑ○〜８６０ ｎ
ｍの波長範囲で高感度を有し、且つ、画素の周波数応答
特性は３訃と高速であった。したがって、このようにし
て得られたイメージセンサは、これに近接して装着した
発光ダイオードを光源として被写体を直接的に高速度で
読取ることが出来るため、装置の小型化、低価格化に有
効である。同装置は通常のタングステン灯光２ｇ光灯下
でも充分に使用出来る。
センサに適用した場合の等価回路図である。図中、１６
−１〜１６−ｎは光感知素子・アレイ、１７−１〜１ア
ーｎは逆流防止ダイオード・アレイを示す。寸だ１８は
ロー電極端子、１９はコラム電極端子である。このよう
にして得られたイメージセンサは、３Ｑ○〜８６０ ｎ
ｍの波長範囲で高感度を有し、且つ、画素の周波数応答
特性は３訃と高速であった。したがって、このようにし
て得られたイメージセンサは、これに近接して装着した
発光ダイオードを光源として被写体を直接的に高速度で
読取ることが出来るため、装置の小型化、低価格化に有
効である。同装置は通常のタングステン灯光２ｇ光灯下
でも充分に使用出来る。
（実施例３）
第５図の断面図に示すように、ガラス基板２０上にＣｒ
／Ｎ ｉ ／Ｃｒ電極２１，２１を対向させて形成さ
せたのち、それぞれ対応する電極対を橋絡するように、
順次、アモルファス・／リコン膜２２Ｉ ｎ ２０３膜
２３を形成させた。アモルファス・ンリコン、Ｉｎ２Ｏ
３成膜時の基板加熱温度は各々、３００’Ｃ，２５０℃
とした。アモルファスｅンリコン膜はプラズマＣＶＤ法
によって成膜した。図中２４は入射光を示す。
／Ｎ ｉ ／Ｃｒ電極２１，２１を対向させて形成さ
せたのち、それぞれ対応する電極対を橋絡するように、
順次、アモルファス・／リコン膜２２Ｉ ｎ ２０３膜
２３を形成させた。アモルファス・ンリコン、Ｉｎ２Ｏ
３成膜時の基板加熱温度は各々、３００’Ｃ，２５０℃
とした。アモルファスｅンリコン膜はプラズマＣＶＤ法
によって成膜した。図中２４は入射光を示す。
第６図は、第５図に示す本発明の半導体素子をイメージ
センサに適用した場合の等価回路図である。図中、２５
−１〜２５−ｎは光感知素子・アＬ’イ、２８−１〜２
６−ｎは逆流防止ダイオード・アレイを示す。
センサに適用した場合の等価回路図である。図中、２５
−１〜２５−ｎは光感知素子・アＬ’イ、２８−１〜２
６−ｎは逆流防止ダイオード・アレイを示す。
また２７はロー電極端子、２８はごラム電接端子である
。このようにして得られたイメージセンサば、３００〜
７００ｎｍの波長範囲で高感度を有し、且つ画素の周波
数応答特性はＩ Ｍと高速であった。同装置は光源とし
て、通常のタングステン灯。
。このようにして得られたイメージセンサば、３００〜
７００ｎｍの波長範囲で高感度を有し、且つ画素の周波
数応答特性はＩ Ｍと高速であった。同装置は光源とし
て、通常のタングステン灯。
螢光灯も使用出来る。
（実施例４）
第７図の断面図に示すように、ガラス基板２９」−にＣ
ｒ／Ｎｉ／Ｃｒ電極３０．３０を対向させて形成させた
のち、その上に、スパッタ法によりＣｄＳ膜対３１，３
１を形成させた。次に、それぞれ対応するＣｄＳ 膜
対を橋絡するように、順次、ＣｄＴ ｅ膜３２．Ｉｎ２
ｏ３膜３３を形成させた。図中、３４は入射光を示す。
ｒ／Ｎｉ／Ｃｒ電極３０．３０を対向させて形成させた
のち、その上に、スパッタ法によりＣｄＳ膜対３１，３
１を形成させた。次に、それぞれ対応するＣｄＳ 膜
対を橋絡するように、順次、ＣｄＴ ｅ膜３２．Ｉｎ２
ｏ３膜３３を形成させた。図中、３４は入射光を示す。
第８図は、第７図に示す本発明の半導体素子をイメージ
センサに適用した場合の等価回路図である。図中、３５
−１〜３６−ｎは光感知素子アレイ、３６−１〜３６−
ｎｉｐミル逆流防止ダイオードレイを示す。寸だ、３７
はロー電極端子、３８はコラム電極端子である。
センサに適用した場合の等価回路図である。図中、３５
−１〜３６−ｎは光感知素子アレイ、３６−１〜３６−
ｎｉｐミル逆流防止ダイオードレイを示す。寸だ、３７
はロー電極端子、３８はコラム電極端子である。
このようにして得られたイメージセンサ［，３００〜８
５０ｎｍの波長範囲で高感度を有し、且つ、画素の周波
数応答特性は３■Ｌと高速であった。
５０ｎｍの波長範囲で高感度を有し、且つ、画素の周波
数応答特性は３■Ｌと高速であった。
以上説明した。しうに、本発明によれは、高速応答特性
を有し、且つ、高感度画素から成るイメージセンサを任
意の形状、大きさで安価に実現出来る。その応用例とし
ては高速ファ用イメージセンサジセンサ、各種事務機器
用イメージセンサ、その他の高速度読取り用イメージセ
ンサなどかあり、その適用範囲は非常に広い。
を有し、且つ、高感度画素から成るイメージセンサを任
意の形状、大きさで安価に実現出来る。その応用例とし
ては高速ファ用イメージセンサジセンサ、各種事務機器
用イメージセンサ、その他の高速度読取り用イメージセ
ンサなどかあり、その適用範囲は非常に広い。
第１図、第３図、第６図および第７図はそれぞれ本発明
にかかる半導体素子の各実施例の構造を示す断面図、第
２図、第４図、第６図および第８図は第１図、第３図、
第５図および第７図に示した半導体素子をイメージセン
サに適用した場合の各等価回路図である。 １．１１．２０，２９−・・・・・ガラス基板、３゜１
２．２１，３０＠＠＠・■電極、４，１３，３２＠−”
ａＣｄＴｅ膜、５ＩＩＩＩＩＩ１１ｓＩＳｎ電極、７，
１６゜２５．３５・・・・・・光感知素子アレイ、８，
１７゜２６．３６・・・・・・逆流防止ダイオード・ア
レイ。 ３３ ｓｅｓａｍｅ 工ｎ Ｑ 膜、２２−−−−−
−アモルファス。 ３ ７リコン膜、３１・・・・・・ＣｄＳ 膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図 第８図
にかかる半導体素子の各実施例の構造を示す断面図、第
２図、第４図、第６図および第８図は第１図、第３図、
第５図および第７図に示した半導体素子をイメージセン
サに適用した場合の各等価回路図である。 １．１１．２０，２９−・・・・・ガラス基板、３゜１
２．２１，３０＠＠＠・■電極、４，１３，３２＠−”
ａＣｄＴｅ膜、５ＩＩＩＩＩＩ１１ｓＩＳｎ電極、７，
１６゜２５．３５・・・・・・光感知素子アレイ、８，
１７゜２６．３６・・・・・・逆流防止ダイオード・ア
レイ。 ３３ ｓｅｓａｍｅ 工ｎ Ｑ 膜、２２−−−−−
−アモルファス。 ３ ７リコン膜、３１・・・・・・ＣｄＳ 膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）絶縁性基板上に複数の電極対を形成し、前記それ
ぞれめ電極対を橋絡するように一層以上の半導体膜又は
半金属膜を形成したことを特徴とする半導体素子。 （功 それぞれの電極対上に橋絡するように形成口た一
層以上の半導体膜又は半金属膜上に、導電性膜を形成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半
導体素子。 （■ 絶縁性基板としてガラス基板を使用したことを特
徴とする特Ｗ「請求の範囲第（１）項捷たは第（２）項
記載の半導体素子。 （→ それぞれの電極対上に橋絡するように形成した半
導体膜のうち、少なくとも一層をＣｄＴｅ又はＣｄＴｅ
を含む化合物半導体膜としたことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項または第（２）項記載の半導体素子。 （＠ それぞれの電極対を橋絡するように形成した半導
体膜のうち、少なくとも一層をアモルファス膜としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項捷たは第（２
）項記載の半導体素子。 （６）半導体膜上に透明な導電性膜を形成したことを特
徴とする特許請求の範囲第（２）項記載の半導体素子。 （７） アモルファス膜を／リコンで形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第（に）項記載の半導体素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126382A JPS5916374A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126382A JPS5916374A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916374A true JPS5916374A (ja) | 1984-01-27 |
Family
ID=14933765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126382A Pending JPS5916374A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916374A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5341192A (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric conversion element |
| JPS56129381A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Fujitsu Ltd | Photoidentifying device |
| JPS575371A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-12 | Ricoh Co Ltd | Image sensor |
| JPS575370A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-12 | Ricoh Co Ltd | Image sensor |
-
1982
- 1982-07-19 JP JP57126382A patent/JPS5916374A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5341192A (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric conversion element |
| JPS56129381A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Fujitsu Ltd | Photoidentifying device |
| JPS575371A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-12 | Ricoh Co Ltd | Image sensor |
| JPS575370A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-12 | Ricoh Co Ltd | Image sensor |
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