JPS6012781A - 光導電素子の製造方法 - Google Patents

光導電素子の製造方法

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Publication number
JPS6012781A
JPS6012781A JP58120532A JP12053283A JPS6012781A JP S6012781 A JPS6012781 A JP S6012781A JP 58120532 A JP58120532 A JP 58120532A JP 12053283 A JP12053283 A JP 12053283A JP S6012781 A JPS6012781 A JP S6012781A
Authority
JP
Japan
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layer
film
thin film
cdte
heat treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58120532A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Aoki
青木 芳孝
Shinji Fujiwara
慎司 藤原
Takao Chikamura
隆夫 近村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP58120532A priority Critical patent/JPS6012781A/ja
Publication of JPS6012781A publication Critical patent/JPS6012781A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/109Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、 CdTeより大きいバンドギャップを有す
る物質からなる膜を第1層とし、第1層上にC+iTe
を主成分とする物質からなる膜を第2層とし、更に第2
層上にZn 、 In 、Toの合金または化合物を主
成分とする物質からなる膜を第3層とじて形成した異種
接合よシなる光導電素子に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来(7)Zn+−x(3dxS、 ZnS+−yse
y 、 CdS+−zSezなどからなる膜を第1層と
し、(Zn+−ucduTe) 1−v(In2Te3
)vからなる2層構造の光導電素子は光感度が高く、暗
電流、残像が低いなどの特徴を有している。しかし、S
N比の改善からよシ暗電流の低下が望まれる。特公昭5
1−20242号公報に示された撮像管ターゲットは2
層構造であるが、その製造方法においては、再加熱処理
を行なうことにより分光光感度が長波長側において向上
することができる。しかし暗電流は増加するという欠点
を有している。本発明者らの一部などが先に暗電流を低
下することができるZn+−xcdxs 。
ZnS 1−yse y 、 Cd S + −Z S
e zなどからなる膜を第1層とし、cd’reからな
る膜を第2層とし、(ZnTe)1−w(In2Tes
)wからなる膜を第3層とした3層構造の異種接合より
なる光導電素子を提案した。さらに本発明者らは、この
異種接合よりなる光導電素子の研究を進めていっだとこ
ろ、本3層構造においては、第1回目の熱処理の後にこ
の熱処理温度以下で再び熱処理をすることにより一段と
暗電流を減少できることがわかった。
発明の目的 本発明は上記のような事実に基づいて完成されたもので
あり、3層構造の異種接合よりなる光導電素子において
、暗電流をより低下することができる製造方法を提供す
るものである。
発明の構成 本発明は、基板上にCdTeよりも大きいバンドギャッ
プを有する物質を第1層として被着形成し、この第1層
上にCdTeを主成分とする物質からなる膜を第2層と
して被着形成し、更に第2層上にZn 、 In 、T
eの合金または化合物を主成分とする物質からなる膜を
第3層として被着形成し、その後熱処理をする工程から
なる異種接合の光導電素子の製造方法において、前記熱
処理後に前記熱処理の温度以下で再び熱処理をすること
により、暗電流のよシ低下した光導電素子を製造可能と
するものである。
実施例の説明 以下本発明の一実施例について図面とともに説明する。
本発明の構造を第1図に示す。この構造は真空蒸着装置
により真空度5X10 ’torr程度以下のもとて以
下のようにして製造される。
まずガラス基板1上に被着形成した透明導電性膜(IT
O) 2上に、Zn5eからなる膜3を第1層として基
板温度150から300℃において、蒸着源温度800
から1000°Cの範囲で0.06から0、I IIm
の膜厚に蒸着する。つぎに第1層上にcd’reからな
る膜4を第2層として基板温度100から300°Cに
おいて、蒸着源温度550から760℃の範囲で0.3
から1.07Jnの膜厚に蒸着する。更にその上に(Z
nTe) 0.99 (InzTe5) o、o+から
なる11d5を第3層として、基板温度100から30
0℃において蒸着源温度700から900℃の範囲で1
.5から2.6pmの膜厚に蒸着する。そしてその後、
この膜を不活性ガス雰囲気中もしくは真空中において、
温度460から600℃の範囲で5から60分の熱処理
をする。この熱処理後にこの温度以下で再び本発明に関
わる熱処理を行なう。信号の取り出し用の電極6として
は第3層上に0.1から0.5μmの膜厚に蒸着したA
uを用いた〇上記の製造方法にょ9製造された光導電素
子の暗電流と本発明に関わる再熱処理温度を変化させて
60分行なった場合の関係図を第2図に、200℃で時
間を変化させた場合の関係図を第3図に示した。印加電
圧は15Vで透明導電性膜がプラノ、Au電極がマイナ
ヌであシ、光電流は2.851Xの照度である。これら
の図から明らかな様に、再熱処理温度としては200℃
付近で暗電流が最も低下しておシ、熱処理を240分以
上行なうと再び暗電流が増加する。光電流はいずれの場
合も変化していない。この原因については、再熱処理に
ょシ化学量論的な最適化が行なわれるためとも考えるこ
とができる。
上記実施例の受光素子において光入射はガラヌ基板側で
あるが、Au電極6の代わシにITO電極を用いた構造
の素子においても同様の効果が得られる。この場合には
、ITO電極側からの光入射が可能である。また、電極
を形成しないで撮像管ターゲットとしても応用できる。
尚、本発明の効果は、温度と処理時間の相互関連は存在
するが、再熱処理温度として100から400℃の間で
、また再処理時間として10分から6時間の間において
は再熱処理のない場合に較べて暗電流が低下し有効であ
る。
発明の詳細 な説明した様に、本発明の光導電素子の製造方法によI
)製造された光導電素子は、可視光域に高い感度を有し
、極めて少ない暗電流を有することを特徴とするもので
、高いS/N比が必要とされる光センサ、ファクシミリ
7固体撮像板の光導電膜として有効である。
【図面の簡単な説明】
M1図は本発明の製造方法を用いた光導電素子の断面図
、第2図は光導電素子の信号電流と熱処理温度との関係
図、第3図は光導電素子の信号電流と熱処理時間との関
係図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・透明導電性
膜、3・・・−−−Zn5e膜、4 ・−・−CdTe
膜、ts−・−(ZnTe) +−u(InzTes)
u膜、6・・・・・・Au膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第 2 口 兜炒n 344 / ’C)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に、 (idTeよりも大きいバンドギャップを
    有する物質からなる膜を第1層として被着形成する工程
    と、前記第1層上にCdTeを主成分とする物質からな
    る膜を第2層として被着形成する工程と、更に前記第2
    層上にZn 、 In 、Teの合金または化合物を主
    成分とする物質からなる膜を第3層として被着形成し、
    その後熱処理をする工程、前記熱処理後に前記熱処理の
    温度以下で再び熱処理をすることを特徴とする光導電素
    子の製造方法。
JP58120532A 1983-07-01 1983-07-01 光導電素子の製造方法 Pending JPS6012781A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4870302B2 (ja) * 1999-09-13 2012-02-08 サザン・リサーチ・インスティテュート 機械的全流フェールセーフ装置

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