JPS6335059B2 - - Google Patents
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- JPS6335059B2 JPS6335059B2 JP57098023A JP9802382A JPS6335059B2 JP S6335059 B2 JPS6335059 B2 JP S6335059B2 JP 57098023 A JP57098023 A JP 57098023A JP 9802382 A JP9802382 A JP 9802382A JP S6335059 B2 JPS6335059 B2 JP S6335059B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は撮像管の光導電ターゲツトに係り、と
くに赤外域でも高感度を示すビジコン形撮像管の
光導電ターゲツトの改良に感する。
くに赤外域でも高感度を示すビジコン形撮像管の
光導電ターゲツトの改良に感する。
赤外域にも高感度を示すターゲツトに関しては
既に特開昭54−98190号公報に開示される提案が
なされている。この既提案は透明導電層上にセレ
ン化カドミウム（以下、CdSeと記す）を厚さ約
1.2μｍ蒸着したのち、セレン蒸気を含む雰囲気中
で450〜700℃、例えば600℃で15分の第１の焼結
処理を行ないCdSe焼結膜を形成し、さらにこの
CdSe膜をアルゴンや窒素などの不活性ガスを主
成分としテルル（Te）蒸気を含む雰囲気中で400
〜700℃、例えば600℃の第２焼結処理を行ない、
その上に三硫化ひ素（As2S3）や三セレン化ひ素
（As2Se3）のような高抵抗層を形成して複合光導
電ターゲツトを得るというものである。
既に特開昭54−98190号公報に開示される提案が
なされている。この既提案は透明導電層上にセレ
ン化カドミウム（以下、CdSeと記す）を厚さ約
1.2μｍ蒸着したのち、セレン蒸気を含む雰囲気中
で450〜700℃、例えば600℃で15分の第１の焼結
処理を行ないCdSe焼結膜を形成し、さらにこの
CdSe膜をアルゴンや窒素などの不活性ガスを主
成分としテルル（Te）蒸気を含む雰囲気中で400
〜700℃、例えば600℃の第２焼結処理を行ない、
その上に三硫化ひ素（As2S3）や三セレン化ひ素
（As2Se3）のような高抵抗層を形成して複合光導
電ターゲツトを得るというものである。
上記の提案によるターゲツトは実際、赤外域で
も高感度を示す。本発明者らはこのようなターゲ
ツトの製作にあたつてさらに改良の余地があるこ
とを見い出した。それは前述の如く製作方法によ
つてターゲツトを完成しても撮像管の暗電流特性
および焼付消滅電圧特性に少なからずばらつきを
生じることである。このことを確認したことによ
り、このばらつきを少なくし、しかも赤外域で一
層高感度を有するこの種ターゲツトを提供するこ
とが必要になつた。なお焼付消滅電圧とは、ター
ゲツト電位を低い値から上昇させたときに焼付き
が消える下限のターゲツト電位を指し、これはな
るべく低く、通常の撮像管としては10〜20V程度
が望ましい。そして確認した傾向は、Teを拡散
CdSe層を焼結する工程でその温度あるいは焼結
時間の過少、過多によつて暗電流が大きくなり、
また焼付消滅電圧が適当な値からはずれてしまう
ことである。すなわち、単に前述の第１の焼結工
程をおえたCdSe膜上に高抵抗層を形成しただけ
では暗電流は大きく、かつ赤外の感度が低い。第
２の焼結工程を加えることにより暗電流特性を低
減でき、かつ赤外の高感度が得られる。しかしこ
の第２焼結工程で処理温度をたとえば600℃で一
定とし、焼結時間を種々変えたところ、焼結時間
が短かいと暗電流が大きく、またこの焼結時間が
長いと同じく暗電流が大きく、その中間的な時間
に暗電流が小さくなる条件が存在する傾向がある
ことをつきとめた。さらに詳しく分析したとこ
ろ、TeがCdSe膜中を拡散し、透明導電層との界
面まで到達すると暗電流が急激に増大することが
わかつた。なおこの場合は焼付消滅電圧の方は下
がる傾向を示す。
も高感度を示す。本発明者らはこのようなターゲ
ツトの製作にあたつてさらに改良の余地があるこ
とを見い出した。それは前述の如く製作方法によ
つてターゲツトを完成しても撮像管の暗電流特性
および焼付消滅電圧特性に少なからずばらつきを
生じることである。このことを確認したことによ
り、このばらつきを少なくし、しかも赤外域で一
層高感度を有するこの種ターゲツトを提供するこ
とが必要になつた。なお焼付消滅電圧とは、ター
ゲツト電位を低い値から上昇させたときに焼付き
が消える下限のターゲツト電位を指し、これはな
るべく低く、通常の撮像管としては10〜20V程度
が望ましい。そして確認した傾向は、Teを拡散
CdSe層を焼結する工程でその温度あるいは焼結
時間の過少、過多によつて暗電流が大きくなり、
また焼付消滅電圧が適当な値からはずれてしまう
ことである。すなわち、単に前述の第１の焼結工
程をおえたCdSe膜上に高抵抗層を形成しただけ
では暗電流は大きく、かつ赤外の感度が低い。第
２の焼結工程を加えることにより暗電流特性を低
減でき、かつ赤外の高感度が得られる。しかしこ
の第２焼結工程で処理温度をたとえば600℃で一
定とし、焼結時間を種々変えたところ、焼結時間
が短かいと暗電流が大きく、またこの焼結時間が
長いと同じく暗電流が大きく、その中間的な時間
に暗電流が小さくなる条件が存在する傾向がある
ことをつきとめた。さらに詳しく分析したとこ
ろ、TeがCdSe膜中を拡散し、透明導電層との界
面まで到達すると暗電流が急激に増大することが
わかつた。なおこの場合は焼付消滅電圧の方は下
がる傾向を示す。
本発明は以上の事情と分析結果にもとずいてな
されたもので、暗電流が小さく焼付消滅電圧が適
当な値を維持し、且つ赤外域での感度が高い撮像
管の光導電ターゲツトを提供するものである。
されたもので、暗電流が小さく焼付消滅電圧が適
当な値を維持し、且つ赤外域での感度が高い撮像
管の光導電ターゲツトを提供するものである。
本発明は透明導電層上のセレン化カドミウム
（CdSe）焼結膜が、その高抵抗層が積層される領
域側にCdSeとテルル化カドミウム（CdTe）との
混晶層が存在し、透明導電層に近い領域（好まし
くは200〜1500Åの層厚）にはこの混晶層が存在
しないように構成される撮像管の光導電体ターゲ
ツトである。つまりCdSe層に拡散されるTeが、
透明導電層まで達せず、その近傍までの拡散のと
どまつているものである。これによつて暗電流が
小さくしかも暗電流および焼付消滅電圧のばらつ
きが少なく、かつ赤外域でも高感度を得ることが
できる。
（CdSe）焼結膜が、その高抵抗層が積層される領
域側にCdSeとテルル化カドミウム（CdTe）との
混晶層が存在し、透明導電層に近い領域（好まし
くは200〜1500Åの層厚）にはこの混晶層が存在
しないように構成される撮像管の光導電体ターゲ
ツトである。つまりCdSe層に拡散されるTeが、
透明導電層まで達せず、その近傍までの拡散のと
どまつているものである。これによつて暗電流が
小さくしかも暗電流および焼付消滅電圧のばらつ
きが少なく、かつ赤外域でも高感度を得ることが
できる。
第１図に示すようにガラスフエースプレートか
らなる透光性基板１１の一面上に透明導電層１２
が形成され、その上に前述の製法と同様にして第
１層としてCdSe層１３が蒸着、焼結して形成さ
れ、さらにその上に第２層として三セレン化ひ素
（As2Se3）のような高抵抗層１４が蒸着形成され
てなる。そこで第１層のCdSe焼結層１３は、第
２図に示すように、高抵抗層１４をつける前にこ
の層側からTeが拡散され焼結されることによつ
てCdSeとCdTeとの混晶層の領域１３ａが存在
し、そのTe濃度分布が曲線（Ａ）の如く形成さ
れる。そして透明導電層１２に近い領域にはこの
混晶層の存在しない領域１３ｂが残されている。
このTeが存在しない（ほとんど無視できる程度
の濃度、たとえばTe最大濃度の２％以下をいう）
領域１３ｂの層厚は、好ましくは200Å〜1500Å
の範囲内の厚さに設定される。なおCdSe層１３
の全厚は約1.2μｍである。このようなターゲツト
をばらつきなく形成することは、前述の如き焼結
処理工程の処理温度および処理時間を一定に定め
ることによつて精度よく再現できる。
らなる透光性基板１１の一面上に透明導電層１２
が形成され、その上に前述の製法と同様にして第
１層としてCdSe層１３が蒸着、焼結して形成さ
れ、さらにその上に第２層として三セレン化ひ素
（As2Se3）のような高抵抗層１４が蒸着形成され
てなる。そこで第１層のCdSe焼結層１３は、第
２図に示すように、高抵抗層１４をつける前にこ
の層側からTeが拡散され焼結されることによつ
てCdSeとCdTeとの混晶層の領域１３ａが存在
し、そのTe濃度分布が曲線（Ａ）の如く形成さ
れる。そして透明導電層１２に近い領域にはこの
混晶層の存在しない領域１３ｂが残されている。
このTeが存在しない（ほとんど無視できる程度
の濃度、たとえばTe最大濃度の２％以下をいう）
領域１３ｂの層厚は、好ましくは200Å〜1500Å
の範囲内の厚さに設定される。なおCdSe層１３
の全厚は約1.2μｍである。このようなターゲツト
をばらつきなく形成することは、前述の如き焼結
処理工程の処理温度および処理時間を一定に定め
ることによつて精度よく再現できる。
以上の構成からなる本発明の光導電ターゲツト
によれば、暗電流が充分小さくでき、また焼付消
滅電圧が約15V程度という適当な値にできしかも
これらのばらつきが少なく、かつ赤外域の光に対
する感度も充分高い特性が得られる。とくにTe
が拡散していない領域１３ｂの層厚を200Å〜
1500Åの範囲内の厚さに設定することにより、高
速道路のトンネル内監視用などの工業用テレビに
とくに好適な感度および暗電流特性が得られる。
ちなみにこの層厚が200Å以下であると暗電流が
増大し、逆に1500Å以上であると暗電流とともに
焼付消滅電圧が高くなる傾向を示し、不都合とな
る。
によれば、暗電流が充分小さくでき、また焼付消
滅電圧が約15V程度という適当な値にできしかも
これらのばらつきが少なく、かつ赤外域の光に対
する感度も充分高い特性が得られる。とくにTe
が拡散していない領域１３ｂの層厚を200Å〜
1500Åの範囲内の厚さに設定することにより、高
速道路のトンネル内監視用などの工業用テレビに
とくに好適な感度および暗電流特性が得られる。
ちなみにこの層厚が200Å以下であると暗電流が
増大し、逆に1500Å以上であると暗電流とともに
焼付消滅電圧が高くなる傾向を示し、不都合とな
る。
なお、高抵抗層１４としては、As2Se3のほか、
ひ素―セレン化合物、ひ素―硫黄化物、セレン化
ゲルマニウム、硫化ゲルマニウム、硫化タリウ
ム、セレン化カリウム、三硫化ビスマス、三セレ
ン化ビスマス、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、三硫化
アンチモン、三セレン化アンチモン、などが使え
る。また前述の第１、第２層の基本構成に他の層
が介在または混在したものでもよい。
ひ素―セレン化合物、ひ素―硫黄化物、セレン化
ゲルマニウム、硫化ゲルマニウム、硫化タリウ
ム、セレン化カリウム、三硫化ビスマス、三セレ
ン化ビスマス、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、三硫化
アンチモン、三セレン化アンチモン、などが使え
る。また前述の第１、第２層の基本構成に他の層
が介在または混在したものでもよい。
第１図は本発明の実施例を示すターゲツトの拡
大断面図、第２図はその要部のTe濃度分布を示
すグラフ図である。 １１…透光性基板、１２…透明導電層、１３…
CdSe層、１４…As2Se3高抵抗層、１３ａ…混晶
層のある領域、１３ｂ…混晶層のない領域。
大断面図、第２図はその要部のTe濃度分布を示
すグラフ図である。 １１…透光性基板、１２…透明導電層、１３…
CdSe層、１４…As2Se3高抵抗層、１３ａ…混晶
層のある領域、１３ｂ…混晶層のない領域。
Claims (1)
- １ 透光性基板上の透明導電層上に形成されたセ
レン化カドミウム層と、このセレン化カドミウム
層上に形成された高抵抗層とを具備し、上記セレ
ン化カドミウム層がセレン化カドミウムとテルル
化カドミウムとの混晶層を含んでなる撮像管の光
導電ターゲツトにおいて、上記セレン化カドミウ
ム層は、上記透明導電層側のおよそ200Å〜1500
Åの範囲に上記混晶層がなく、且つ前記範囲位置
から上記高抵抗層側に次第にテルル濃度が高くな
る濃度分布で該混晶層が存在してなることを特徴
とする撮像管の光導電ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098023A JPS58216341A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098023A JPS58216341A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216341A JPS58216341A (ja) | 1983-12-16 |
| JPS6335059B2 true JPS6335059B2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=14208298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098023A Granted JPS58216341A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216341A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140636A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Toshiba Corp | 撮像管の光導電タ−ゲツトおよびその製造方法 |
| JPS6142840A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Toshiba Corp | 撮像管の光導電タ−ゲット |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51829A (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS5498190A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-02 | Toshiba Corp | Preparation of photoconductive target |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57098023A patent/JPS58216341A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51829A (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS5498190A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-02 | Toshiba Corp | Preparation of photoconductive target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58216341A (ja) | 1983-12-16 |
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