JPS58216341A - 撮像管の光導電タ−ゲツト - Google Patents
撮像管の光導電タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS58216341A JPS58216341A JP57098023A JP9802382A JPS58216341A JP S58216341 A JPS58216341 A JP S58216341A JP 57098023 A JP57098023 A JP 57098023A JP 9802382 A JP9802382 A JP 9802382A JP S58216341 A JPS58216341 A JP S58216341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cdse
- dark current
- transparent conductive
- mixed crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は撮像管の光導電ターダットに係りとくに赤外域
でも高感度を示すビジコン形撮像管の光導電ターグット
の改良に感する。
でも高感度を示すビジコン形撮像管の光導電ターグット
の改良に感する。
赤外域にも高感度を示すターグットに関しては既に特開
昭５４−９８１９０号公報に酩示される提案がなされて
いる。この既提案は透明導電層上にセレン化カドミウム
（以下、ＣｄＳｅと記す）を厚さ約１．２μｍ蒸着した
のち、セレン蒸気を含む雰囲気中で４５０〜７００℃、
例えば６００℃で１５分の第１の焼結処理を行ないＣｄ
Ｓｅ焼結膜を形成し、さらにこのＣｄＳｅ膜をアルゴン
や窒素などの不活性ガスを主成分としテルル（Ｔｅ ）
蒸気を含む雰囲気中で４００〜７００℃、例えば６００
℃の第２焼結処理を行ない、その上に三硫化ひ素（Ａｓ
２Ｓ３）や三セレン化ひ素（Ａｓ２Ｓｅ２）のような高
抵抗層を形成して複合光導電ターグットを得るというも
のである。
昭５４−９８１９０号公報に酩示される提案がなされて
いる。この既提案は透明導電層上にセレン化カドミウム
（以下、ＣｄＳｅと記す）を厚さ約１．２μｍ蒸着した
のち、セレン蒸気を含む雰囲気中で４５０〜７００℃、
例えば６００℃で１５分の第１の焼結処理を行ないＣｄ
Ｓｅ焼結膜を形成し、さらにこのＣｄＳｅ膜をアルゴン
や窒素などの不活性ガスを主成分としテルル（Ｔｅ ）
蒸気を含む雰囲気中で４００〜７００℃、例えば６００
℃の第２焼結処理を行ない、その上に三硫化ひ素（Ａｓ
２Ｓ３）や三セレン化ひ素（Ａｓ２Ｓｅ２）のような高
抵抗層を形成して複合光導電ターグットを得るというも
のである。
上記の提案によるターゲットは実際、赤外域でも高感度
を示す。本発明者らはこのようなターゲットの製作にあ
たってさらに改良の余地があることを見い出した。それ
は前述の如き製作方法によってターゲットを完成しても
撮像管の暗電流特性および焼付消滅電圧特性に少ながら
ずばらつきを生じることである。このことを確認したこ
とにより、このばらつきを少なくし、しかも赤外域で一
層高感度を有するこの種ターｒアトを提供することが必
要になった。なお焼付消滅電圧とは、ターゲット電位を
低い値がら上昇させたときに焼付きが消える下限のター
ゲット電位を指し、これはなるべく低く、通常の撮像管
としては１０〜２０Ｖ程度が望ましい。
を示す。本発明者らはこのようなターゲットの製作にあ
たってさらに改良の余地があることを見い出した。それ
は前述の如き製作方法によってターゲットを完成しても
撮像管の暗電流特性および焼付消滅電圧特性に少ながら
ずばらつきを生じることである。このことを確認したこ
とにより、このばらつきを少なくし、しかも赤外域で一
層高感度を有するこの種ターｒアトを提供することが必
要になった。なお焼付消滅電圧とは、ターゲット電位を
低い値がら上昇させたときに焼付きが消える下限のター
ゲット電位を指し、これはなるべく低く、通常の撮像管
としては１０〜２０Ｖ程度が望ましい。
そして確認した傾向は、Ｔｅを拡散ＣｄＳｅ層を焼結す
る工程でその温度あるいは焼結時間の過少、過多によっ
て暗電流が大きくなり、また焼付消滅電圧が適当な値か
らはずれてしまうことである。すなわち、単に前述の第
１の焼結工程をおえたＣｄ’ｓ膜上に高抵抗層を形成し
ただけでは暗電流は大きく、かつ赤外の感度が低い。第
２の焼結工程を加えることにより暗電流を低減でき、か
つ赤外の高感度が得られる。しかしこの第２焼結工程で
処理温度をたとえば６ｏｏ℃で一定とし、焼結時間を種
々変えたところ、焼結時間が短かいと暗電流が大きく、
またこの焼結時間が長いと同じく暗電流が大きく、その
中間的な時間に暗電流が小さくなる条件が存在する傾向
があることをつきとめた。さらに詳しく分析したところ
、ＴｅがＣｄＳｅ膜中を拡散し、透明導電層との界面ま
で到達すると暗電流が急激に増大することがわかった。
る工程でその温度あるいは焼結時間の過少、過多によっ
て暗電流が大きくなり、また焼付消滅電圧が適当な値か
らはずれてしまうことである。すなわち、単に前述の第
１の焼結工程をおえたＣｄ’ｓ膜上に高抵抗層を形成し
ただけでは暗電流は大きく、かつ赤外の感度が低い。第
２の焼結工程を加えることにより暗電流を低減でき、か
つ赤外の高感度が得られる。しかしこの第２焼結工程で
処理温度をたとえば６ｏｏ℃で一定とし、焼結時間を種
々変えたところ、焼結時間が短かいと暗電流が大きく、
またこの焼結時間が長いと同じく暗電流が大きく、その
中間的な時間に暗電流が小さくなる条件が存在する傾向
があることをつきとめた。さらに詳しく分析したところ
、ＴｅがＣｄＳｅ膜中を拡散し、透明導電層との界面ま
で到達すると暗電流が急激に増大することがわかった。
なおこの場合は焼付消滅電圧の方は下がる傾向を示す。
本発明は以上の事情と分析結果にもとずいてなされたも
ので、暗電流が小さく、焼付消滅電圧が適当な値を維持
し、且つ赤外域でのｇ度が高い撮像管の光導電ターｆ、
）を提供するものである。
ので、暗電流が小さく、焼付消滅電圧が適当な値を維持
し、且つ赤外域でのｇ度が高い撮像管の光導電ターｆ、
）を提供するものである。
本発明は透明導電層上のセレン化カドミウム（ｃａｓｅ
）焼結層が、その高抵抗層が積層される領域側にＣｄＳ
ｅとテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）との混晶層が存在
し、透明導電層に近い領域（好ましくは２００〜１５０
０Ｘの層厚）にはこの混晶層が存在しないように構成さ
れる撮像管の光導電体ターゲットである。つまりＣｄＳ
ｅ層に拡散されるＴｅが、透明導電層まで達せず、その
近傍までの拡散にとどまっているものである。これによ
って暗電流が小さくしかも暗電流および焼付消滅電圧の
ばらつきが少なく、かつ赤外域でも高感度を得ることが
できる。
）焼結層が、その高抵抗層が積層される領域側にＣｄＳ
ｅとテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）との混晶層が存在
し、透明導電層に近い領域（好ましくは２００〜１５０
０Ｘの層厚）にはこの混晶層が存在しないように構成さ
れる撮像管の光導電体ターゲットである。つまりＣｄＳ
ｅ層に拡散されるＴｅが、透明導電層まで達せず、その
近傍までの拡散にとどまっているものである。これによ
って暗電流が小さくしかも暗電流および焼付消滅電圧の
ばらつきが少なく、かつ赤外域でも高感度を得ることが
できる。
第１図に示すようにガラスフェースプレートからなる透
光性基板１１の一面上に透明導電層１２が形成され、そ
の上に前述の製法と同様にして第１層としてＣｄＳｅ層
１３が蒸着、焼結して形成され、ざらにその上に第２層
として三七レン化ひ素（Ａｓ２Ｓ＠３）のような高抵抗
層１４が蒸着形成されてなる。そこで第１層のＣｄ５ａ
焼結冶１３は、第２図に示すように、高抵抗層１４をつ
ける前にこの層側からＴｅが拡散され焼結されることに
よってＣｄＳｅとＣｄＴｅとの混晶層の領域１３ａが存
在し、そのＴｅ濃度分布が曲線（４）の如く形成される
。そして透明導電層１２に近い領域にはこの混晶層の存
在しない領域１３ｂが残されている。このＴｅが存在し
ない（はとんど無視できる程度の濃度、たとえばＴｅ最
大濃度の２チ以下企いう）領域１３ｂの層厚は、好まし
くは２００ Ｘ−１５００Ｘの範囲内の厚さに設定され
る。なおＣｄＳｅ層１３の全一は約１．２μｍである。
光性基板１１の一面上に透明導電層１２が形成され、そ
の上に前述の製法と同様にして第１層としてＣｄＳｅ層
１３が蒸着、焼結して形成され、ざらにその上に第２層
として三七レン化ひ素（Ａｓ２Ｓ＠３）のような高抵抗
層１４が蒸着形成されてなる。そこで第１層のＣｄ５ａ
焼結冶１３は、第２図に示すように、高抵抗層１４をつ
ける前にこの層側からＴｅが拡散され焼結されることに
よってＣｄＳｅとＣｄＴｅとの混晶層の領域１３ａが存
在し、そのＴｅ濃度分布が曲線（４）の如く形成される
。そして透明導電層１２に近い領域にはこの混晶層の存
在しない領域１３ｂが残されている。このＴｅが存在し
ない（はとんど無視できる程度の濃度、たとえばＴｅ最
大濃度の２チ以下企いう）領域１３ｂの層厚は、好まし
くは２００ Ｘ−１５００Ｘの範囲内の厚さに設定され
る。なおＣｄＳｅ層１３の全一は約１．２μｍである。
このようなターダウトをばらつきなく形成することは、
前述の如き焼結処理工程の処理温度および処理時間を一
定に定めることによって精度よく再現できる。
前述の如き焼結処理工程の処理温度および処理時間を一
定に定めることによって精度よく再現できる。
以上のへ成からなる本発明の光導電ターケ゛ットによれ
ば、暗電流が充分小さくでき、〒だ焼付消滅電圧が約１
５Ｖ程度という適当な値にできしかもこれらのばらつき
が少なく、かつ赤外域の光に対する感度も充分高い特性
が得られる。
ば、暗電流が充分小さくでき、〒だ焼付消滅電圧が約１
５Ｖ程度という適当な値にできしかもこれらのばらつき
が少なく、かつ赤外域の光に対する感度も充分高い特性
が得られる。
とくにＴｅが拡散していない領域１３ｂの層厚を２００
Ｘ〜１５００Ｘの範囲内の厚さに設定することにより、
高速道路のトンネル内監視用などの工業用テレビにとく
に好適な感度および暗電流特性が得られる。ちなみにこ
の層厚が２００Ｘ以下であると暗電流が増大し、逆に１
５００ｘ以上であると暗電流とともに焼付消滅電圧が高
くなる傾向を示し、不都合となる。
Ｘ〜１５００Ｘの範囲内の厚さに設定することにより、
高速道路のトンネル内監視用などの工業用テレビにとく
に好適な感度および暗電流特性が得られる。ちなみにこ
の層厚が２００Ｘ以下であると暗電流が増大し、逆に１
５００ｘ以上であると暗電流とともに焼付消滅電圧が高
くなる傾向を示し、不都合となる。
なお高抵抗層１４としては、Ａｓ２Ｓｅ３のほか、ひ素
−セレン化合物、ひ素−硫黄化物、セレン化ダルマニウ
ム、硫化）ｊ”ルマニウム、硫化タリウム、セレン化カ
リウム、三硫化ビスマス、三セレン化ビスマス、セレン
化亜鉛、硫化亜鉛、三硫化アンチモン、三セレン化アン
チモン、などが使える。また前述の第１、第２層の基本
構成に他の層が介在または混在したものでもよい。
−セレン化合物、ひ素−硫黄化物、セレン化ダルマニウ
ム、硫化）ｊ”ルマニウム、硫化タリウム、セレン化カ
リウム、三硫化ビスマス、三セレン化ビスマス、セレン
化亜鉛、硫化亜鉛、三硫化アンチモン、三セレン化アン
チモン、などが使える。また前述の第１、第２層の基本
構成に他の層が介在または混在したものでもよい。
第１図は本発明の実施例を示すターｒ７トの拡大断面図
、第２図はその要部のＴｅ濃度分布を示すグラフ図であ
る。 １１・・・透光性基板、１２・・・透明導電層、１３−
Ｃｄ５ａ層、１４− Ａｓ２Ｓｅ３高抵抗層、１３
ａ −・混晶層のある領域、１３ｂ・・・混晶層のない
領域。
、第２図はその要部のＴｅ濃度分布を示すグラフ図であ
る。 １１・・・透光性基板、１２・・・透明導電層、１３−
Ｃｄ５ａ層、１４− Ａｓ２Ｓｅ３高抵抗層、１３
ａ −・混晶層のある領域、１３ｂ・・・混晶層のない
領域。
Claims (2)
- （１）透光性基板上の透明導電層上に形成されたセレン
化カドミウム層と、このセレン化カドミウム層上に形成
された高抵抗層とを具備し、上記セレン化カドミウム層
がセレン化カドミウムとテルル化カドミウムとの混晶層
を含んでなる撮像管の光導電ターグットにおいて、上記
セレン化カドミウム層は上記高抵抗層に近い領域側に上
記混晶層があり、上記透明導電層に近い領域には該混晶
層が存在しないように構成されてなることを特徴とする
撮像管の光導電ターケ゛ット。 - （２） 混晶層の存在しない領域の１厚が約２００Ｘ
−１５００Ｘの範囲内にある特許請求の範囲第１項記載
の撮像管の光導電ターｒ、ット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098023A JPS58216341A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098023A JPS58216341A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216341A true JPS58216341A (ja) | 1983-12-16 |
| JPS6335059B2 JPS6335059B2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=14208298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098023A Granted JPS58216341A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216341A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0146967A2 (en) * | 1983-12-28 | 1985-07-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof |
| JPS6142840A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Toshiba Corp | 撮像管の光導電タ−ゲット |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51829A (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS5498190A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-02 | Toshiba Corp | Preparation of photoconductive target |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57098023A patent/JPS58216341A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51829A (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS5498190A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-02 | Toshiba Corp | Preparation of photoconductive target |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0146967A2 (en) * | 1983-12-28 | 1985-07-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof |
| JPS6142840A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Toshiba Corp | 撮像管の光導電タ−ゲット |
| JPH0351252B2 (ja) * | 1984-08-06 | 1991-08-06 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6335059B2 (ja) | 1988-07-13 |
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