JPS5832449B2 - 撮像管タ−ゲットの製造方法 - Google Patents
撮像管タ−ゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPS5832449B2 JPS5832449B2 JP9305479A JP9305479A JPS5832449B2 JP S5832449 B2 JPS5832449 B2 JP S5832449B2 JP 9305479 A JP9305479 A JP 9305479A JP 9305479 A JP9305479 A JP 9305479A JP S5832449 B2 JPS5832449 B2 JP S5832449B2
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- JP
- Japan
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- film
- manufacturing
- image pickup
- pickup tube
- layer
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電型撮像管ターゲットの製造方法に関する
ものである。
ものである。
従来、撮像管ターゲットの製造は透明導電膜を有するガ
ラス基板上にＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅ ） ＣｃｔＳ ｔ
ＣｄＳｅの少なくとも１種以上からなる膜を第一層とし
て被着形成し、（Ｚｎ１ｘＣｄｘＴｅ）１ ｙ（Ｉｎ
２Ｔｅｇ）ｙを主成分とし平均の組成比が０＜ｘ＜１．
０＜ｙ〈０．３からなる膜を第二層として被着形成した
後、真空中又は不活性ガス中で熱処理を施こすことＧこ
よって行われていた。
ラス基板上にＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅ ） ＣｃｔＳ ｔ
ＣｄＳｅの少なくとも１種以上からなる膜を第一層とし
て被着形成し、（Ｚｎ１ｘＣｄｘＴｅ）１ ｙ（Ｉｎ
２Ｔｅｇ）ｙを主成分とし平均の組成比が０＜ｘ＜１．
０＜ｙ〈０．３からなる膜を第二層として被着形成した
後、真空中又は不活性ガス中で熱処理を施こすことＧこ
よって行われていた。
又、別な製造方法として、透明導電膜を有するガラス基
板上にＺｎＳ 、Ｚｎ５ｅ 、ＣｄＳ 、ＣｄＳｅの少
なくとも１種以上からなる膜を第一層として被着形成し
、ＣｄＴｅを主成分とする膜を第二層として被着形成す
る。
板上にＺｎＳ 、Ｚｎ５ｅ 、ＣｄＳ 、ＣｄＳｅの少
なくとも１種以上からなる膜を第一層として被着形成し
、ＣｄＴｅを主成分とする膜を第二層として被着形成す
る。
更に第二層上に（ＺｎＴｅ）１ ｚ（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｚ
を主成分とし平均の組成比がＯ＜Ｚ＜０．３からなる膜
を第三層として被着形成した後、真空又は不活性ガス中
で熱処理を施こすことによって行われていた。
を主成分とし平均の組成比がＯ＜Ｚ＜０．３からなる膜
を第三層として被着形成した後、真空又は不活性ガス中
で熱処理を施こすことによって行われていた。
この従来の製造方法による撮像管ターゲットは光感度が
高く暗電流・残像が低い等の特徴がある。
高く暗電流・残像が低い等の特徴がある。
しかしながら、この従来の製造方法による撮像管ターゲ
ットはテレビカメラに用いた時、温度が上昇すると小さ
な点キズが発生する欠点がある。
ットはテレビカメラに用いた時、温度が上昇すると小さ
な点キズが発生する欠点がある。
一般にブロッキング型撮像管はあるターゲット電圧以下
では焼付けがおこり（焼付けの消える電圧をＶｍｉｎと
定義する）。
では焼付けがおこり（焼付けの消える電圧をＶｍｉｎと
定義する）。
あるターゲット電圧以上になると点キズが発生する（こ
のターゲット電圧をＶｍａｘと定義する）。
のターゲット電圧をＶｍａｘと定義する）。
この”ｍｉｎとＶｍａｘの間が使用可能なターゲット電
圧であり電圧裕度という。
圧であり電圧裕度という。
このＶ ・ 、■ は温度によって変ｍｉｎ
ｍａＸ 化するために電圧裕度をできる限り大きくする必要があ
る。
ｍａＸ 化するために電圧裕度をできる限り大きくする必要があ
る。
第１図に従来の製造方法（こよる撮像管と本発明製造方
法による撮像管のＶｍｉｎとＶｍａｘの温度依存性を示
す。
法による撮像管のＶｍｉｎとＶｍａｘの温度依存性を示
す。
曲線■は本発明と従来によるＶｍｌｏであって大差はな
いが、曲線■、■はそれぞれ従来と本発明によるＶｍａ
ｘであって差が著しい。
いが、曲線■、■はそれぞれ従来と本発明によるＶｍａ
ｘであって差が著しい。
このようにＶ ・ 、■ が温度に大きくｍｉｎ
ｍａＸ 依存するので、広範囲の温度領域で画質の良否を考慮す
る場合、ターゲット電圧裕度は実用上非常に重要な特性
の一つとなる。
ｍａＸ 依存するので、広範囲の温度領域で画質の良否を考慮す
る場合、ターゲット電圧裕度は実用上非常に重要な特性
の一つとなる。
本発明は、ターゲット電圧裕度の大きい撮像管ターゲッ
トの製造方法を提供するものである。
トの製造方法を提供するものである。
以下、実施例を用いて本発明による製造方法を説明する
。
。
実施例 ■
第２図Ｇこ本発明の製造方法（こよる撮像管ターゲット
の断面図を示す。
の断面図を示す。
透明導電膜２を有するガラス基板１上に真空蒸着法によ
り第一層３としてＺｎ５ｅの膜を基板温度１５０〜３０
０℃の範囲で０．０５〜０．２ ｐｍの膜厚に蒸着する
。
り第一層３としてＺｎ５ｅの膜を基板温度１５０〜３０
０℃の範囲で０．０５〜０．２ ｐｍの膜厚に蒸着する
。
次に第一層３上に（Ｚｎ □、３ Ｃｄ Ｏ，７Ｔｅ）
０．９５ （Ｔ ｎ２ Ｔｅ ３） ０．０５からな
る膜を第二層４＊＊として基板温度１００〜３００°Ｃ
の範囲で０．５〜４．０μｍの膜厚に蒸着する。
０．９５ （Ｔ ｎ２ Ｔｅ ３） ０．０５からな
る膜を第二層４＊＊として基板温度１００〜３００°Ｃ
の範囲で０．５〜４．０μｍの膜厚に蒸着する。
そしてこの膜をＨ２雰囲気中で４００〜６００℃の範囲
で５〜１２０分の熱処理を行いビームランデングの改善
のために第二層４上に０．１μｍ位の膜厚のＳｂ２Ｓ３
膜を蒸着する。
で５〜１２０分の熱処理を行いビームランデングの改善
のために第二層４上に０．１μｍ位の膜厚のＳｂ２Ｓ３
膜を蒸着する。
第１表に本発明の製造方法により製造された撮像管ター
ゲットと従来の製造された撮像管ターゲットを用いた％
インチ撮像管の緒特性の結果を示す。
ゲットと従来の製造された撮像管ターゲットを用いた％
インチ撮像管の緒特性の結果を示す。
第１表のＡはＨ２雰囲気中で４００〜６００８Ｃの範囲
で５〜１２０分の熱処理を行ったもので、従来の製造方
法で作ったａに比べて夕・−ゲット電圧裕度が増加して
いることがわかる。
で５〜１２０分の熱処理を行ったもので、従来の製造方
法で作ったａに比べて夕・−ゲット電圧裕度が増加して
いることがわかる。
実施例 ■
第３図に本発明の別な製造方法による撮像管の断面図を
示す。
示す。
透明導電膜２を有するガラス基板上１上に、真空蒸着法
により第一層３としてＺｎ５ｅの膜を基板温度１５０〜
３００℃の範囲で０．０３〜０．１μｍの膜厚に蒸着す
る。
により第一層３としてＺｎ５ｅの膜を基板温度１５０〜
３００℃の範囲で０．０３〜０．１μｍの膜厚に蒸着す
る。
次に第一層３上にＣｄＴｅからなる膜を第二層５として
基板温度１００〜３００℃の範囲で０．：３〜２．０μ
ｍの膜厚に蒸着し、更Ｏこその上（こ（ＺｎＴｅ）。
基板温度１００〜３００℃の範囲で０．：３〜２．０μ
ｍの膜厚に蒸着し、更Ｏこその上（こ（ＺｎＴｅ）。
、９８（Ｔｎ２Ｔｅ３ ）。
、。２からなる膜を第三層６として基板温度１００〜３
００℃の範囲で１．０〜２．５μ扉の膜厚に蒸着する。
００℃の範囲で１．０〜２．５μ扉の膜厚に蒸着する。
しかる後、Ｈ２雰囲気中で４００〜６００℃の範囲で５
〜１２０分の熱処理を行いビームランデングの改善のた
めに第三層５上にｏ、ｉμｍの膜厚のＳｂ２Ｓ３膜を蒸
着する。
〜１２０分の熱処理を行いビームランデングの改善のた
めに第三層５上にｏ、ｉμｍの膜厚のＳｂ２Ｓ３膜を蒸
着する。
第１表のＢはＨ２雰囲気中で４００〜６００°Ｃの範囲
で５〜１２０分の熱処理を行ったもので、従来の製造方
法で作ったｂに比べてターゲット電圧裕度が増加してい
ることがわかる。
で５〜１２０分の熱処理を行ったもので、従来の製造方
法で作ったｂに比べてターゲット電圧裕度が増加してい
ることがわかる。
各実施例では最後の層に０．１μｍ位の膜厚のＳｂ２Ｓ
３膜を形成しているがＳｂ２Ｓ３膜が無くても同様な結
果である。
３膜を形成しているがＳｂ２Ｓ３膜が無くても同様な結
果である。
なおＨ２雰囲気中熱処理工程において熱処理を４００〜
６００℃以外の範囲で行った場合は電圧裕度は従来のも
のと比較してほとんど変化がなかった。
６００℃以外の範囲で行った場合は電圧裕度は従来のも
のと比較してほとんど変化がなかった。
以上、説明したよう（こ後熱処理としてＨ２雰囲気中４
００〜６００℃で５〜１２０分の熱処理する本発明の製
造方法による撮像管ターゲットは、ターゲット電圧裕度
が大きくなるために、広範囲の温度領域で良好な画質が
得られ実用上非常に有効なものである。
００〜６００℃で５〜１２０分の熱処理する本発明の製
造方法による撮像管ターゲットは、ターゲット電圧裕度
が大きくなるために、広範囲の温度領域で良好な画質が
得られ実用上非常に有効なものである。
本発明の製造方法は、撮像管ターゲットの製造だけでな
く光導電素子の製造方法として、受光素子等の製造にも
使用できる。
く光導電素子の製造方法として、受光素子等の製造にも
使用できる。
第１図は従来の製造方法による撮像管と本発明の製造方
法による撮像管のｖｍａｘと■ｍｉｎの温度特性を示す
図である。 第２図は本発明の製造方法による撮像管ターゲットの一
実施構成を示す断面図である。 第３図は本発明の製造方法による撮像管ターゲットの他
の実施構成を示す断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜
、３・・・・・・Ｚｎ５ｅ膜、４・・・・・・（Ｚｎ１
−ＸＣｄｘＴｅ）１（ｌｎ２Ｔｅ３） 膜、５・・・・
・・ＣｄＴｅを主成分とする物質からなる膜、６ ・・
・−・（ＺｎＴｅ）、−２（ｌｎ２Ｔｅ３）ｚ膜。
法による撮像管のｖｍａｘと■ｍｉｎの温度特性を示す
図である。 第２図は本発明の製造方法による撮像管ターゲットの一
実施構成を示す断面図である。 第３図は本発明の製造方法による撮像管ターゲットの他
の実施構成を示す断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜
、３・・・・・・Ｚｎ５ｅ膜、４・・・・・・（Ｚｎ１
−ＸＣｄｘＴｅ）１（ｌｎ２Ｔｅ３） 膜、５・・・・
・・ＣｄＴｅを主成分とする物質からなる膜、６ ・・
・−・（ＺｎＴｅ）、−２（ｌｎ２Ｔｅ３）ｚ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明導電膜を有するガラス基板上に、ＺｎＳ。 Ｚｎ５ｅ ｓ ｃｃｔｓ ｊ ＣｄＳｅの少なくとも１
種以上からなる膜を第一層として被着形成する工程と、
前記第一層上に光導電膜として（Ｚｎ１− ｘＣｄｘＴ
ｅ ）１−（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｙを主成分とし平均の組成
比がＯくｘ＜１．０＜ｙ＜０．３からなる膜を被着形成
する工程と、その後少なくとも水素を含む雰囲気中で前
記各層を熱処理することを特徴とする撮像管ターゲット
の製造方法。 ２ 光導電膜がＣｄＴｅを主成分とする物質からなる膜
と、同膜上に被着形成された、（ＺｎＴｅ ）１ ｚ
（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｚを主成分とし平均の組成比がＯ〈ｚ
＜ ０．３からなる膜とからなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の撮像管ターゲットの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9305479A JPS5832449B2 (ja) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | 撮像管タ−ゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9305479A JPS5832449B2 (ja) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | 撮像管タ−ゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5618340A JPS5618340A (en) | 1981-02-21 |
| JPS5832449B2 true JPS5832449B2 (ja) | 1983-07-13 |
Family
ID=14071786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9305479A Expired JPS5832449B2 (ja) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | 撮像管タ−ゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832449B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6000420B1 (ja) | 2015-08-31 | 2016-09-28 | メック株式会社 | エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法 |
-
1979
- 1979-07-20 JP JP9305479A patent/JPS5832449B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5618340A (en) | 1981-02-21 |
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