JPS58184240A - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents
撮像管タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS58184240A JPS58184240A JP57066696A JP6669682A JPS58184240A JP S58184240 A JPS58184240 A JP S58184240A JP 57066696 A JP57066696 A JP 57066696A JP 6669682 A JP6669682 A JP 6669682A JP S58184240 A JPS58184240 A JP S58184240A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- cdte
- thickness
- target voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像管ターゲットに関するものである。
特開昭５２−２４４８３号公報（特願昭５０−１０１４
００号明細書）において、信号電極上にＣｄＴｅよりも
大きいバンドギャップを有する物質からなる膜を第一層
として形成し、１）７Ｉ記第一層上にＣｄＴｅを主成分
とする物質からなる膜を第二層２ベーノ として形成し、更に前記第二層上にＺｎ、Ｔｅ、Ｉｎの
合金又は化合物からなる膜を第三層として形成した光導
電素子が提案されている。
００号明細書）において、信号電極上にＣｄＴｅよりも
大きいバンドギャップを有する物質からなる膜を第一層
として形成し、１）７Ｉ記第一層上にＣｄＴｅを主成分
とする物質からなる膜を第二層２ベーノ として形成し、更に前記第二層上にＺｎ、Ｔｅ、Ｉｎの
合金又は化合物からなる膜を第三層として形成した光導
電素子が提案されている。
この光導素子を撮像管ターゲットに用いた阻止形撮像管
ターゲットは光電材料にＳｂ２Ｓ３またはＰｂＯを用い
た撮像管ターゲットやシリコンウニ・・−上にフォトダ
イオードを多数平面配列したターゲットにくらべ光感度
が高く焼付けがないという特徴を有している。
ターゲットは光電材料にＳｂ２Ｓ３またはＰｂＯを用い
た撮像管ターゲットやシリコンウニ・・−上にフォトダ
イオードを多数平面配列したターゲットにくらべ光感度
が高く焼付けがないという特徴を有している。
阻止形撮像管ターゲットでは、ターゲット電圧を上げる
に従って信号電流は増加し、あるターゲット電圧値以上
になると信号電流はターゲット電圧に対して飽和の傾向
を持ち、焼付けも発生しなくなる。信号電流が飽和の傾
向を持ち、焼付けが発生しなくなるターゲット電圧をＶ
ｍｉｎと定義する。ターゲット電圧をＶｍｉｎ値以上上
げていくと、白点の点キズが発生するターゲット電圧値
がある。
に従って信号電流は増加し、あるターゲット電圧値以上
になると信号電流はターゲット電圧に対して飽和の傾向
を持ち、焼付けも発生しなくなる。信号電流が飽和の傾
向を持ち、焼付けが発生しなくなるターゲット電圧をＶ
ｍｉｎと定義する。ターゲット電圧をＶｍｉｎ値以上上
げていくと、白点の点キズが発生するターゲット電圧値
がある。
これをＶｍａｘと定義している。ＶｍａｘとＶｍｉｎの
間が使用可能なターゲット電圧で、その電圧差を電圧裕
度（△Ｖ）と呼ぶ。
間が使用可能なターゲット電圧で、その電圧差を電圧裕
度（△Ｖ）と呼ぶ。
３べ一−−゛
第１図に信号電流のターゲット電圧による変化を示す。
第１図のＡ点は信号電流が飽和の傾向を持ち焼付けが発
生しなくなるターゲット電圧でありここでＶｍｉｎと定
義し、Ｂ点は白点の点キズが発生するターゲット電圧で
ありＶｍ ａ ｘと定義されている。０点は通常、使用
設定するＶｍａｘとＶｍｉｎの間のターゲット電圧であ
る。
生しなくなるターゲット電圧でありここでＶｍｉｎと定
義し、Ｂ点は白点の点キズが発生するターゲット電圧で
ありＶｍ ａ ｘと定義されている。０点は通常、使用
設定するＶｍａｘとＶｍｉｎの間のターゲット電圧であ
る。
放送用撮像管ターゲットの場合には、スタジオの室温が
監視され常に一定になるような温度で使用されている。
監視され常に一定になるような温度で使用されている。
しかし、家庭用、監視用の撮像管ターゲットの場合には
、種々の環境温度で使用され、たとえば真冬の寒い屋外
で風景等を写す場合には一１０℃という温度のところで
使用され、また真夏の屋内や、電気炉内を写す場合には
、室温が３０℃から６０℃のところで使用される。しか
し、このような阻止形撮像管ターゲットは使用環上 境温度が変化するとＶｍ ａ ｘ 、 ｖｍ ｉ ｎ特
性が変化する。
、種々の環境温度で使用され、たとえば真冬の寒い屋外
で風景等を写す場合には一１０℃という温度のところで
使用され、また真夏の屋内や、電気炉内を写す場合には
、室温が３０℃から６０℃のところで使用される。しか
し、このような阻止形撮像管ターゲットは使用環上 境温度が変化するとＶｍ ａ ｘ 、 ｖｍ ｉ ｎ特
性が変化する。
第２図に使用環境温度を変化させた場合Ｖｍａｘ、Ｖｍ
ｉｎ特性を示している。ＡはＶｍａｘの特性曲線、Ｂは
Ｖｍ ｉ ｎの特性曲線を示す。使用環境温度が高くな
るほど、Ｖｍａ ｘ 、 Ｖｍ ｉ ｎの値は減少する
が特にＶｍａｘがＶｍ ｉ ｎより大きく減少する。し
たがってターゲット電圧が一定値で設定されているため
、使用環境温度が高いところで使用するとＶｍａｘが減
少してテレビ画質としてみた場合、白点の点キズとして
見えテレビ画質をいちじるしく下げてしまう。また使用
環境温度が低いところで使用すると焼付けが生じてしま
う。
ｉｎ特性を示している。ＡはＶｍａｘの特性曲線、Ｂは
Ｖｍ ｉ ｎの特性曲線を示す。使用環境温度が高くな
るほど、Ｖｍａ ｘ 、 Ｖｍ ｉ ｎの値は減少する
が特にＶｍａｘがＶｍ ｉ ｎより大きく減少する。し
たがってターゲット電圧が一定値で設定されているため
、使用環境温度が高いところで使用するとＶｍａｘが減
少してテレビ画質としてみた場合、白点の点キズとして
見えテレビ画質をいちじるしく下げてしまう。また使用
環境温度が低いところで使用すると焼付けが生じてしま
う。
本発明は先に開発された光導電素子（特願昭５０−１０
１４００号明細書）を改善し、第三層の膜厚構成を限定
することにより他の特性（感度、残像、解像度）を劣化
することな（Ｖｍａｘ 。
１４００号明細書）を改善し、第三層の膜厚構成を限定
することにより他の特性（感度、残像、解像度）を劣化
することな（Ｖｍａｘ 。
値はさらに高く、ＶｍｉｎＯ値はさらに低くすることに
より、より広範囲の使用環境温度領域で使用できる阻止
形撮像管ターゲットを提供するものである。
１１１１１１ 以下、実施例を用いて本発明を説明する。
より、より広範囲の使用環境温度領域で使用できる阻止
形撮像管ターゲットを提供するものである。
１１１１１１ 以下、実施例を用いて本発明を説明する。
（実施例１）
第３図に示すように透明導電膜２を有するガラ５ベーー
゛ ス基板１上に真空蒸着法により第一層としてＸｎ Ｓｅ
膜３を基板温度１５０〜３００℃の範囲で０．１μｍの
膜厚に蒸着する。次に第一層上にＣｄＴｅ膜４を第二層
として、基板温度１００〜２・５０℃の範囲で１・０μ
ｍの膜厚に蒸着する。そしてこのＣｄＴｅ膜４を真空中
又は不活性ガス中で２７０〜３５０℃の範囲で５〜６０
分の熱処理を行なう。その後、。
゛ ス基板１上に真空蒸着法により第一層としてＸｎ Ｓｅ
膜３を基板温度１５０〜３００℃の範囲で０．１μｍの
膜厚に蒸着する。次に第一層上にＣｄＴｅ膜４を第二層
として、基板温度１００〜２・５０℃の範囲で１・０μ
ｍの膜厚に蒸着する。そしてこのＣｄＴｅ膜４を真空中
又は不活性ガス中で２７０〜３５０℃の範囲で５〜６０
分の熱処理を行なう。その後、。
更にその上に（ＸｎＴ ｅ ）０．９８ （工”２Ｔｅ
ａ ）０．０２５からなる膜を第三層として基板温度１
９０℃で蒸着するのが０．６μｍから３，５μｍｉで変
化させ光導電膜を作成する。しかる後、真空中で４００
〜６ ＱＣ）Ｃの範囲で５〜６０分の熱処理を行ない、
さらにビームランデング改善のため第三層上にＳｂ２Ｓ
３膜６を０．１μｍの厚さに蒸着する。
ａ ）０．０２５からなる膜を第三層として基板温度１
９０℃で蒸着するのが０．６μｍから３，５μｍｉで変
化させ光導電膜を作成する。しかる後、真空中で４００
〜６ ＱＣ）Ｃの範囲で５〜６０分の熱処理を行ない、
さらにビームランデング改善のため第三層上にＳｂ２Ｓ
３膜６を０．１μｍの厚さに蒸着する。
（実施例２）
他の実施例を同様に第３図をもとにして説明する。第二
層蒸着後、真空中又は不活性ガス中で熱処理するまでは
実施例１と同じである。その後、更に第二層上に（Ｚｎ
Ｔｅ）。、９９（Ｉｎ２Ｔｅ３）。、０１６からなる膜
を第三層として基板温度１９０１：で６ベーノ ０．５μｍから３．６μｍまで変化させた光導電膜を作
成する。しかる後、真空中で４００〜６０Ｃ）Ｃの範囲
で５〜ｅｏ分の熱処理を行ない、さらにビームランデン
グ改善のため第三層上にＳｂ２Ｓ３膜６を０．１１ｔｍ
の厚さに蒸着する。
層蒸着後、真空中又は不活性ガス中で熱処理するまでは
実施例１と同じである。その後、更に第二層上に（Ｚｎ
Ｔｅ）。、９９（Ｉｎ２Ｔｅ３）。、０１６からなる膜
を第三層として基板温度１９０１：で６ベーノ ０．５μｍから３．６μｍまで変化させた光導電膜を作
成する。しかる後、真空中で４００〜６０Ｃ）Ｃの範囲
で５〜ｅｏ分の熱処理を行ない、さらにビームランデン
グ改善のため第三層上にＳｂ２Ｓ３膜６を０．１１ｔｍ
の厚さに蒸着する。
第３図に本発明の実施例１（または２）による阻止形撮
像管ターゲットの断面図を示す。
像管ターゲットの断面図を示す。
すでに述べたように１はガラス基板、２は透明導電膜、
３はＣｄＴｅよりも大きいバンドギャップを有するＺｎ
５ｅ等よりなる膜、４はＣｄＴｅを主成分とする膜、６
は（ＺｎＴｅ）１ 、（Ｉｎ２Ｔｅ３）！（ただしｏ＜
Ｘくｏ、１）膜、６はＳｂ２Ｓ３膜である。
３はＣｄＴｅよりも大きいバンドギャップを有するＺｎ
５ｅ等よりなる膜、４はＣｄＴｅを主成分とする膜、６
は（ＺｎＴｅ）１ 、（Ｉｎ２Ｔｅ３）！（ただしｏ＜
Ｘくｏ、１）膜、６はＳｂ２Ｓ３膜である。
第４図に前記実施例１．実施例２で作成された阻止形撮
像管ターゲットの第三層（Ｚ ｎ Ｔ ｅ ） １．
ｘ（Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ３） ｘ膜厚変化に対するＶ
ｍａｘ、Ｖｍｉｎ特性を示す。実施例１で作成された阻
止形撮像管ターゲットのＶｍａｘ特性が実線の１で、Ｖ
ｍｉｎ特性が実線の■である。実施例２で作成された阻
止形撮像管ターゲットのＶｍａｘ特性が実線の■１で、
Ｖｍ ｉ ｎ特性が実線の■１である。
像管ターゲットの第三層（Ｚ ｎ Ｔ ｅ ） １．
ｘ（Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ３） ｘ膜厚変化に対するＶ
ｍａｘ、Ｖｍｉｎ特性を示す。実施例１で作成された阻
止形撮像管ターゲットのＶｍａｘ特性が実線の１で、Ｖ
ｍｉｎ特性が実線の■である。実施例２で作成された阻
止形撮像管ターゲットのＶｍａｘ特性が実線の■１で、
Ｖｍ ｉ ｎ特性が実線の■１である。
７ベー二゛
第三層膜厚が１．６μｍ以上に厚くなると、まずＶｍａ
ｘが急激に高くなりさらに第三層膜が２．４μｍより厚
くなるとＶｍｉｎが高くなることかわかる。
ｘが急激に高くなりさらに第三層膜が２．４μｍより厚
くなるとＶｍｉｎが高くなることかわかる。
第三層の！値により数Ｖ 、 Ｖｍａ ｘ 、 Ｖｍ
ｉ ｎに差はあるが傾向は同じである。第５図に実施例
１において第三層膜厚が２．１μｍで作成された阻止形
撮像管ターゲットの使用環境温度に対するＶｍａｘ。
ｉ ｎに差はあるが傾向は同じである。第５図に実施例
１において第三層膜厚が２．１μｍで作成された阻止形
撮像管ターゲットの使用環境温度に対するＶｍａｘ。
Ｖｍｉｎ特性を示す。
以上の実験結果より第三層の（ｚｎＴｅ）１〜Ｘ（工ｎ
２Ｔｅ３）ｘの膜厚を１．６μｍから２．４１ｔｒｎに
することによりＶｍａｘの値はさらに高く、Ｖｍｉｎ。
２Ｔｅ３）ｘの膜厚を１．６μｍから２．４１ｔｒｎに
することによりＶｍａｘの値はさらに高く、Ｖｍｉｎ。
値はさらに低くなるため電圧裕度が広くなり、そのため
広範囲の使用環境温度でも焼付けや白点の点キズのない
良好な画質を得ることができることがわかる。また、蒸
着ロット間でも、Ｖｍａｚ。
広範囲の使用環境温度でも焼付けや白点の点キズのない
良好な画質を得ることができることがわかる。また、蒸
着ロット間でも、Ｖｍａｚ。
Ｖｍｉｎにバラツキがなくなるために生産の歩留りが向
上し実用上非常に有効なもつである。
上し実用上非常に有効なもつである。
以上説明したように本発明の撮像管ターゲットは広範囲
の使用環境温度において良好な再生画が得られるもので
工業上の利用価値が高い。
の使用環境温度において良好な再生画が得られるもので
工業上の利用価値が高い。
第１図は阻止形撮像管ターゲットにおける信号電流とタ
ーゲット電圧の関係を示す図、第２図は従来の阻止形撮
像管ターゲットの使用環境温度に対するＶｍ ａ ｘ
、 Ｖｍ ｉ ｎ特性を示す図、第３図は本発明の実施
例による撮像管ターゲットの断面図、第４図は本発明の
実施例１および実施例２で作成された撮像管ターゲット
の第三層膜厚変化に対するＶｍ ａ ｘ 、 Ｖｍ ｉ
ｎ糊秘示す図、第６図は実施例１で第三層膜厚が２．
１μｍで作成された撮像管ターゲットの使用環境温度に
対するＶｍ ａ ｘ 、 Ｖｍ ｉ ｎの変化を示す図
である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜
、３・・・・・・ＣｄＴｅよりも大きいバンドギャップ
を有する膜、４・・・・・・ＣｄＴｅを主成分とする膜
、５・・・・・・（ＺｎＴ帖−エ（Ｉｎ２Ｔｅ３）、膜
（ただしｏ＜ｘ＜ｏ−１）、６・・・１ １１１： ・・・Ｓｂ２Ｓ３膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ダーゲ：ｙｈｔ及（Ｖ） 第２図 イ之用環境シ１４．妾 （′Ｃ） 第３図
ーゲット電圧の関係を示す図、第２図は従来の阻止形撮
像管ターゲットの使用環境温度に対するＶｍ ａ ｘ
、 Ｖｍ ｉ ｎ特性を示す図、第３図は本発明の実施
例による撮像管ターゲットの断面図、第４図は本発明の
実施例１および実施例２で作成された撮像管ターゲット
の第三層膜厚変化に対するＶｍ ａ ｘ 、 Ｖｍ ｉ
ｎ糊秘示す図、第６図は実施例１で第三層膜厚が２．
１μｍで作成された撮像管ターゲットの使用環境温度に
対するＶｍ ａ ｘ 、 Ｖｍ ｉ ｎの変化を示す図
である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜
、３・・・・・・ＣｄＴｅよりも大きいバンドギャップ
を有する膜、４・・・・・・ＣｄＴｅを主成分とする膜
、５・・・・・・（ＺｎＴ帖−エ（Ｉｎ２Ｔｅ３）、膜
（ただしｏ＜ｘ＜ｏ−１）、６・・・１ １１１： ・・・Ｓｂ２Ｓ３膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ダーゲ：ｙｈｔ及（Ｖ） 第２図 イ之用環境シ１４．妾 （′Ｃ） 第３図
Claims (1)
- 透明導電膜を有するガラス基板上にＣｄＴｅよりも大き
いバンドギャップを有する物質からなる膜が第一層とし
て形成され、前記第一層上にＣｄＴｅを主成分とする物
質からなる膜が第二層として形成され、前記第二層上に
（ＺｎＴｅ）１−ｘ（工ｎ２Ｔｅａ）！（ただしＯくＸ
＜：０．１）よりなる膜が第三層として形成され、前記
第三層の（ＺｎＴｅ）１−ｘ（Ｉｎ２Ｔｅ３）Ｘの膜厚
が１，６μｍ〜２．４μｍであることを特徴とする撮像
管ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57066696A JPS58184240A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 撮像管タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57066696A JPS58184240A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 撮像管タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184240A true JPS58184240A (ja) | 1983-10-27 |
Family
ID=13323356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57066696A Pending JPS58184240A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 撮像管タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184240A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224483A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phptoconducting element |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP57066696A patent/JPS58184240A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224483A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phptoconducting element |
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