JPS6047752B2 - 擦像管タ−ゲット - Google Patents
擦像管タ−ゲットInfo
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- JPS6047752B2 JPS6047752B2 JP50101400A JP10140075A JPS6047752B2 JP S6047752 B2 JPS6047752 B2 JP S6047752B2 JP 50101400 A JP50101400 A JP 50101400A JP 10140075 A JP10140075 A JP 10140075A JP S6047752 B2 JPS6047752 B2 JP S6047752B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像着用ターゲットに関する。
Ｚｎ、−ｘＣｄｘＳ）ＺｎＳ、−、Ｂｅ７またはＣｄ
Ｓ、−２Ｓｅ２からなる膜を第１層とし、（Ｚｎ、−ｕ
ＣｄｕＴｅ）、−り（Ｉｎ。
Ｓ、−２Ｓｅ２からなる膜を第１層とし、（Ｚｎ、−ｕ
ＣｄｕＴｅ）、−り（Ｉｎ。
Ｔｅ。）りを蒸発源物質として被着して得られた膜を第
２層とし、（ＺｎＴｅ）、−ｗ（Ｉｎ、Ｔｅ。）Ｏを蒸
発源物質として被着して得られた膜を第３層として、第
１、２、３層の異種接合よりなる光導電素子を撮像管に
適用したものは、従来のＳｂβ。ビジコン、円。ビジコ
ン、Ｓｉビジコンに比して特に光感度が高いという利点
を有している。しカルながら使用範囲を更に拡大するた
めには、一層低暗電流のターゲットが必要である。 本
発明の目的は、暗電流を低下させることのできるすぐれ
た撮像管ターゲットを提供することにある。
２層とし、（ＺｎＴｅ）、−ｗ（Ｉｎ、Ｔｅ。）Ｏを蒸
発源物質として被着して得られた膜を第３層として、第
１、２、３層の異種接合よりなる光導電素子を撮像管に
適用したものは、従来のＳｂβ。ビジコン、円。ビジコ
ン、Ｓｉビジコンに比して特に光感度が高いという利点
を有している。しカルながら使用範囲を更に拡大するた
めには、一層低暗電流のターゲットが必要である。 本
発明の目的は、暗電流を低下させることのできるすぐれ
た撮像管ターゲットを提供することにある。
以下実施例を用いて本発明を説明する。
実施例 １
図に本発明の一実施例を示す。
ガラス基板１上に被着形成した透明導電性膜２上に、第
１層としてＺｎ、−ｘＣｄｘＳからなる膜３を、ＺｎＳ
）ＣｄＳを別々のルツボに入れ基板温度１００〜２５０
℃で０．０５〜０．１μｍの厚さに蒸着して形成する。
Ｚｎ、−、Ｃｄ、Ｓ（７）ｘの値はＺｎＳ）ＣｄＳの各
々のルツボの温度を制御することによつて得られるが、
本実施例ではＺｎＳを９４００ＣＣｄＳを７４０℃で、
基板温度１４００ＣにてＸ干０．１を得た。更にその上
にＣｄＴｅをルツボ温度５００〜７００℃で、基板温度
２００℃にて厚み０．５μｍの膜を形成し、ＣｄＴｅか
らなる膜４を第２層とする。更にその上に（ＺｎＴｅ）
Ｏ、Ｏ、（Ｉｎ。Ｔｅ。）Ｏ、Ｏ、に、基板温度１５０
〜２５０℃の範囲で厚み２μｍの膜５を第３層として形
成する。しかる後、４５０〜６０００Ｃで５分〜１時間
、真空中で熱処理する。実施例 ２ ガラス基板１上に被着形成した透明導電性膜２上に、
ＺｎＳｅを基板温度１５０〜３００℃で、厚さ０．０５
〜０．１μｍに被着形成した膜３を第１層として蒸着す
る。
１層としてＺｎ、−ｘＣｄｘＳからなる膜３を、ＺｎＳ
）ＣｄＳを別々のルツボに入れ基板温度１００〜２５０
℃で０．０５〜０．１μｍの厚さに蒸着して形成する。
Ｚｎ、−、Ｃｄ、Ｓ（７）ｘの値はＺｎＳ）ＣｄＳの各
々のルツボの温度を制御することによつて得られるが、
本実施例ではＺｎＳを９４００ＣＣｄＳを７４０℃で、
基板温度１４００ＣにてＸ干０．１を得た。更にその上
にＣｄＴｅをルツボ温度５００〜７００℃で、基板温度
２００℃にて厚み０．５μｍの膜を形成し、ＣｄＴｅか
らなる膜４を第２層とする。更にその上に（ＺｎＴｅ）
Ｏ、Ｏ、（Ｉｎ。Ｔｅ。）Ｏ、Ｏ、に、基板温度１５０
〜２５０℃の範囲で厚み２μｍの膜５を第３層として形
成する。しかる後、４５０〜６０００Ｃで５分〜１時間
、真空中で熱処理する。実施例 ２ ガラス基板１上に被着形成した透明導電性膜２上に、
ＺｎＳｅを基板温度１５０〜３００℃で、厚さ０．０５
〜０．１μｍに被着形成した膜３を第１層として蒸着す
る。
第２層のＣｄＴｅの膜４および第３層の（ＺｎＴｅ）。
．ぉ（Ｉｎ，Ｔｅ３）。．。，を被着形成した膜５、そ
してその後の熱処理等、第２層以後の蒸着、熱処理条件
は、実施例１と同じである。実施例３ ガラス基板１上に被着形成した透明導電性膜２上に、Ｚ
ｎＳｅを基板温度１５０〜３００゜Ｃで、厚さ０．０５
〜０．１Ｐ７ＴＬに被着形成した膜を第１層として蒸着
し、その上に第２層としてＣｄＯ．９ｌｎ．．，Ｔｅか
らなる物質を基板温度１５０〜４００゜Ｃ，ルツボ温度
６００〜９００でにて厚さ０．５Ｐ７Ｔ１，の膜を被着
形成する。
．ぉ（Ｉｎ，Ｔｅ３）。．。，を被着形成した膜５、そ
してその後の熱処理等、第２層以後の蒸着、熱処理条件
は、実施例１と同じである。実施例３ ガラス基板１上に被着形成した透明導電性膜２上に、Ｚ
ｎＳｅを基板温度１５０〜３００゜Ｃで、厚さ０．０５
〜０．１Ｐ７ＴＬに被着形成した膜を第１層として蒸着
し、その上に第２層としてＣｄＯ．９ｌｎ．．，Ｔｅか
らなる物質を基板温度１５０〜４００゜Ｃ，ルツボ温度
６００〜９００でにて厚さ０．５Ｐ７Ｔ１，の膜を被着
形成する。
更にその上に、（ＺｎＴｅ）。．９９（Ｉｎ２Ｔｅ３）
。．。，を基板温度１５０〜２５０（ｃの範囲で厚み２
Ｐ７Ｔ１．の膜を第３層として形成する。その後４５０
〜６００゜Ｃで５分〜１時間真空中で熱処理する。実施
例１、２、３の光導電素子を撮像管ターゲットとして適
用する場合には、実施例で示した熱処理の後で第１図の
ごとく （ＺｎＴｅ）。
。．。，を基板温度１５０〜２５０（ｃの範囲で厚み２
Ｐ７Ｔ１．の膜を第３層として形成する。その後４５０
〜６００゜Ｃで５分〜１時間真空中で熱処理する。実施
例１、２、３の光導電素子を撮像管ターゲットとして適
用する場合には、実施例で示した熱処理の後で第１図の
ごとく （ＺｎＴｅ）。
．９９（Ｉｎ，Ｔｅ３）。．。ェからなる膜５の上に、
約０．ＩＰ７ＴＬ，の厚みのＳｂ２ＳＣ膜６を設ける。
このＳｂ２Ｓ３の膜は真空中ないしは不活性ガス雰囲気
中で蒸着される。本発明の効果を確認するために、上記
実施例ョｋｌ、２、３の光導電素子と、従来の光導電素
子とを２１３インチ撮像管ターゲットに適用して試験し
たところ、第１表の結果を得た。尚、従来例における光
導電素子の構成を以下に述べる。
約０．ＩＰ７ＴＬ，の厚みのＳｂ２ＳＣ膜６を設ける。
このＳｂ２Ｓ３の膜は真空中ないしは不活性ガス雰囲気
中で蒸着される。本発明の効果を確認するために、上記
実施例ョｋｌ、２、３の光導電素子と、従来の光導電素
子とを２１３インチ撮像管ターゲットに適用して試験し
たところ、第１表の結果を得た。尚、従来例における光
導電素子の構成を以下に述べる。
ガラス基板上に被着形成した透明導電性膜上に第１層と
して、ＺｎＯ．９ｃｄ．．，ｓからなる膜を実施例１で
述べたごとく被着形成し、その上に第２層としてＺｒｌ
Ｏ．，Ｃｄ．．３Ｔｅ）。．９５（Ｉｎ２Ｔｅ３）。．
。，からなる物質を蒸発源材料として厚み０．５Ｐ７Ｔ
Ｌ，の膜を真空蒸着により形成した。更にその上に（Ｚ
ｎＴｅ）。．９９（Ｉｒｌ２Ｔｅ３）。．０１からなる
物質を第３層として実施例１で述べたごとく被着形成す
る。その後の熱処理過程も実施例１と同様である。
して、ＺｎＯ．９ｃｄ．．，ｓからなる膜を実施例１で
述べたごとく被着形成し、その上に第２層としてＺｒｌ
Ｏ．，Ｃｄ．．３Ｔｅ）。．９５（Ｉｎ２Ｔｅ３）。．
。，からなる物質を蒸発源材料として厚み０．５Ｐ７Ｔ
Ｌ，の膜を真空蒸着により形成した。更にその上に（Ｚ
ｎＴｅ）。．９９（Ｉｒｌ２Ｔｅ３）。．０１からなる
物質を第３層として実施例１で述べたごとく被着形成す
る。その後の熱処理過程も実施例１と同様である。
以上にして形成された膜を従来例Ａとし、従来例Ａにお
ける第１層のＺｎ．．９ｃｄＯ．ｌｓからなる膜の代わ
りに、Ｚｎｓ．．，ｓｅ．．３、Ｃｄｓ．．５ｓｅ．．
５からなる膜を形成して、第２、３層の構成と熱処理と
を同じくした光導電素子をそれぞれ従来例Ｂ，．Ｃとし
た。第１表から明らかなように、本実施例においては従
来例より暗電流が低く、中でも特に実施例２、３の第１
層としてＺｎＳｅからなる膜を有した撮像管は、暗電流
、残像特性ともに従来例より慴れている事がわかる。
ける第１層のＺｎ．．９ｃｄＯ．ｌｓからなる膜の代わ
りに、Ｚｎｓ．．，ｓｅ．．３、Ｃｄｓ．．５ｓｅ．．
５からなる膜を形成して、第２、３層の構成と熱処理と
を同じくした光導電素子をそれぞれ従来例Ｂ，．Ｃとし
た。第１表から明らかなように、本実施例においては従
来例より暗電流が低く、中でも特に実施例２、３の第１
層としてＺｎＳｅからなる膜を有した撮像管は、暗電流
、残像特性ともに従来例より慴れている事がわかる。
本実施例では第１層としてＺｎ．．９Ｃ（１０．，Ｓと
ＺｎＳｅの各々の被着形成膜を用いたが、本発明者らは
、ＣｄＳ，．ＣｄＳｅの被着形成膜ならびに、Ｉｎ．．
Ａｌを少量ドープしたＺｎＳの被着形成膜を用いて第１
層を形成し、第２層以下を本発明の実施例と同様の力法
で形成した光導電素子を２１３インチ撮像管に適用して
も、実施例１の暗電流値、残像の値を冑た。
ＺｎＳｅの各々の被着形成膜を用いたが、本発明者らは
、ＣｄＳ，．ＣｄＳｅの被着形成膜ならびに、Ｉｎ．．
Ａｌを少量ドープしたＺｎＳの被着形成膜を用いて第１
層を形成し、第２層以下を本発明の実施例と同様の力法
で形成した光導電素子を２１３インチ撮像管に適用して
も、実施例１の暗電流値、残像の値を冑た。
又、第１表から、光導電膜の走査側表面にＳへＳ．から
なる膜を被着形成した場合は、実施例１、２とも残像が
小さくなり撮像管特性として優れている。
なる膜を被着形成した場合は、実施例１、２とも残像が
小さくなり撮像管特性として優れている。
同様の効果は、Ａｓ２ｓｅ３、ＡＳ２Ｓ３からなる膜を
被着形成した場合でも得られた。本発明の実施例１、２
、３において、第１層、第２層を同じ蒸着条件で同じ膜
厚に設け、第２層ＣｄＴｅの膜厚を変化させた時１Ｐ７
ＴＬ以上にすると漸次暗電流の増大をみ、又０．５Ｐ７
ｎ，からＣｄＴｅの膜厚を減らしていくと、暗電流の減
少はみられるが、光感度の不足を生じていづれも好まし
くない。
被着形成した場合でも得られた。本発明の実施例１、２
、３において、第１層、第２層を同じ蒸着条件で同じ膜
厚に設け、第２層ＣｄＴｅの膜厚を変化させた時１Ｐ７
ＴＬ以上にすると漸次暗電流の増大をみ、又０．５Ｐ７
ｎ，からＣｄＴｅの膜厚を減らしていくと、暗電流の減
少はみられるが、光感度の不足を生じていづれも好まし
くない。
従つてＣｄＴｅの膜厚としては、０．３〜１．０ｐｒｒ
１．程が適当である。又、実施例１、２、３において、
第１層、第２層を同じ蒸着条件で、第１、２、３層を同
じ膜厚にして第３層Ｚｎ．．ＩｎｌＴｅの合金又は化合
物からなる膜のＩｎの濃度を変化させる。
１．程が適当である。又、実施例１、２、３において、
第１層、第２層を同じ蒸着条件で、第１、２、３層を同
じ膜厚にして第３層Ｚｎ．．ＩｎｌＴｅの合金又は化合
物からなる膜のＩｎの濃度を変化させる。
Ｉｎ量を１０モル％以上にすると暗電流の値が極度に増
大する。又、Ｉｎを全く含まない場合も暗電流の増大を
み、光応答特性にも特性の劣化をみる。従つて第３層Ｚ
ｎ．ＩｎｌＴｅの合金又は化合物からなる膜のＩｎ濃度
としては、１〜１０モル％程度が好ましい。
大する。又、Ｉｎを全く含まない場合も暗電流の増大を
み、光応答特性にも特性の劣化をみる。従つて第３層Ｚ
ｎ．ＩｎｌＴｅの合金又は化合物からなる膜のＩｎ濃度
としては、１〜１０モル％程度が好ましい。
図は本発明の一実施例である撮像管ターゲットの基本的
な構成を示す断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電性
膜、３・・・・・・ＣｄＴｅよりも大きいバンドギャッ
プを有する物質からなる層、４・・・・・・ＣｄＴｅを
主成分とする物質からなる層、５・・・・・・Ｚｎ．．
Ｉｎ，．Ｔｅの合金又は化合物からなる層、６・・・・
・・Ｓ■Ｓ３からなる層。
な構成を示す断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電性
膜、３・・・・・・ＣｄＴｅよりも大きいバンドギャッ
プを有する物質からなる層、４・・・・・・ＣｄＴｅを
主成分とする物質からなる層、５・・・・・・Ｚｎ．．
Ｉｎ，．Ｔｅの合金又は化合物からなる層、６・・・・
・・Ｓ■Ｓ３からなる層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 信号電極上にＣｄＴｅよりも大きいバンドギャップ
を有する物質からなる膜を第１層として形成し、前記第
１層上にＣｄＴｅを主成分とし、Ｚｎを含まない物質か
らなる膜を第２層として形成し、更に前記第２層上にＺ
ｎ、Ｉｎ、Ｔｅの合金又は化合物からなる膜を第３層と
して形成した光導電素子を有することを特徴とする撮像
管ターゲット。 ２ 上記ＣｄＴｅよりも大きいバンドギャップを有する
物質としてＺｎＳｅからなる膜を第１層とすることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の撮像管ターゲッ
ト。 ３ 上記光導電膜の走査側表面にＳｂ＿２Ｓ＿３、Ａｓ
＿２Ｓｅ＿３、Ａｓ＿２Ｓ＿３のうち少なくとも１種の
物質からなる膜を被着したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の撮像管ターゲット。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50101400A JPS6047752B2 (ja) | 1975-08-20 | 1975-08-20 | 擦像管タ−ゲット |
| AU16541/76A AU491834B2 (en) | 1975-08-20 | 1976-08-04 | Photoconductor element and method of making the element |
| US05/712,368 US4068253A (en) | 1975-08-20 | 1976-08-06 | Photoconductor element and method of making the element |
| DE19762636992 DE2636992A1 (de) | 1975-08-20 | 1976-08-13 | Photoleiterelement und verfahren zur herstellung des elements |
| CA259,133A CA1086547A (en) | 1975-08-20 | 1976-08-16 | Photoconductor element with superimposed layers of ca te and zn te containing in |
| FR7625232A FR2321766A1 (fr) | 1975-08-20 | 1976-08-19 | Element photoconducteur et procede d'obtention |
| NL7609315A NL7609315A (nl) | 1975-08-20 | 1976-08-20 | Fotogeleidend element en werkwijze voor de ver- vaardiging daarvan. |
| GB3546776A GB1553686A (en) | 1975-08-20 | 1976-08-26 | Load dependet brake pressure regulators for vehicle brake systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50101400A JPS6047752B2 (ja) | 1975-08-20 | 1975-08-20 | 擦像管タ−ゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5224483A JPS5224483A (en) | 1977-02-23 |
| JPS6047752B2 true JPS6047752B2 (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=14299673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50101400A Expired JPS6047752B2 (ja) | 1975-08-20 | 1975-08-20 | 擦像管タ−ゲット |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4068253A (ja) |
| JP (1) | JPS6047752B2 (ja) |
| CA (1) | CA1086547A (ja) |
| DE (1) | DE2636992A1 (ja) |
| FR (1) | FR2321766A1 (ja) |
| NL (1) | NL7609315A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4266334A (en) * | 1979-07-25 | 1981-05-12 | Rca Corporation | Manufacture of thinned substrate imagers |
| JPS56147343A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of target for image pickup tube |
| SU915683A1 (ru) * | 1980-10-23 | 1985-10-23 | Fizicheskoj I Im P N Lebedeva | ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ в электрический сигнал на основе структуры |
| JPS58184240A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
| US4689650A (en) * | 1985-10-03 | 1987-08-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Infrared epitaxial detector structure and method of making same |
| CA1298639C (en) * | 1987-11-20 | 1992-04-07 | Katsumi Nakagawa | Pinjunction photovoltaic element with p or n-type semiconductor layercomprising non-single crystal material containing zn, se, te, h in anamount of 1 to 4 atomic % and a dopant and i-type semiconductor layer comprising non-single crystal si(h,f) material |
| US7014702B2 (en) * | 2000-05-31 | 2006-03-21 | Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. | Method and apparatus for preparation of binary and higher order compounds and devices fabricated using same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240809B2 (ja) * | 1972-04-07 | 1977-10-14 | ||
| CA1024734A (en) * | 1973-03-30 | 1978-01-24 | Yukimasa Kuramoto | Photoconductor element |
| JPS5052927A (ja) * | 1973-09-10 | 1975-05-10 | ||
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