JPS596075B2 - ＣｄＳｅ光導電膜の製造方法 - Google Patents
ＣｄＳｅ光導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS596075B2 JPS596075B2 JP52067840A JP6784077A JPS596075B2 JP S596075 B2 JPS596075 B2 JP S596075B2 JP 52067840 A JP52067840 A JP 52067840A JP 6784077 A JP6784077 A JP 6784077A JP S596075 B2 JPS596075 B2 JP S596075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cdse
- cdte
- photoconductive film
- manufacturing
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマークリーダおよびカードリーダなどに使用す
るための、Ｔｅを添加したＣｄＳｅ光導電膜の製造方法
に関する。
るための、Ｔｅを添加したＣｄＳｅ光導電膜の製造方法
に関する。
ＣｄＳｅ光導電膜は感度、応答性の点で非常にすぐれて
いるが、温度特性あるいは電界強度依存性が悪いという
欠点がある。
いるが、温度特性あるいは電界強度依存性が悪いという
欠点がある。
これは、電子のトラップレベルが浅くかつ多く存在する
ことを意味している。ＣｄＳｅ光導電膜のトラップレベ
ルはＢｅ空位によるものと考えられ、これをなくすため
には■族元素の添加が一つの方法としてある。
ことを意味している。ＣｄＳｅ光導電膜のトラップレベ
ルはＢｅ空位によるものと考えられ、これをなくすため
には■族元素の添加が一つの方法としてある。
従来、酸素雰囲気中での熱処理やＣｄＳｅとＢｅとの共
蒸着という方法が試みられていたが、前者は光電流を小
さくすることから望しくなく後者はＢｅの蒸発量の制御
が困難であつた。このためＣｄＳｅ粉末とＴｅ粉末とを
配合して蒸着することを行なつたが、ＣｄＳｅの蒸気圧
はＴｅの蒸気圧に比較して低くこれらを同一温度で蒸発
させるときは、初期においてＴｅは大部分が蒸発してし
まう。このため基板面近傍ではＴｅが過剰となり、表面
近傍ではＢｅ空位を十分に埋ることができなかつた。本
発明の目的は上記欠点を解消することである。
蒸着という方法が試みられていたが、前者は光電流を小
さくすることから望しくなく後者はＢｅの蒸発量の制御
が困難であつた。このためＣｄＳｅ粉末とＴｅ粉末とを
配合して蒸着することを行なつたが、ＣｄＳｅの蒸気圧
はＴｅの蒸気圧に比較して低くこれらを同一温度で蒸発
させるときは、初期においてＴｅは大部分が蒸発してし
まう。このため基板面近傍ではＴｅが過剰となり、表面
近傍ではＢｅ空位を十分に埋ることができなかつた。本
発明の目的は上記欠点を解消することである。
本発明の上記目的は、ＣｄＳｅに対してＣｄＴｅをモル
比（ｘとする）で０＜Ｘ＜０．１７の範囲内で混合し一
つの蒸発源として蒸着することを含む、ＣｄＳｅ光導電
膜の製造方法によつて達成することができる。本発明者
は、Ｂｅ空位を十分に埋めることが可能で、かつＣｄＳ
ｅの蒸気圧に近い蒸気圧の化合物について種々の調査を
行なつた結果、ＣｄＴｅが有効であることが判明した。
そこでＣｄＳｅ粉末とＣｄＴｅ粉末との混合物を一つの
蒸発源とし、蒸着したところ膜中にＴｅが均一に分布し
、Ｉｐ／Ｉｄが１０８にも達する高感度な膜が得られた
。
比（ｘとする）で０＜Ｘ＜０．１７の範囲内で混合し一
つの蒸発源として蒸着することを含む、ＣｄＳｅ光導電
膜の製造方法によつて達成することができる。本発明者
は、Ｂｅ空位を十分に埋めることが可能で、かつＣｄＳ
ｅの蒸気圧に近い蒸気圧の化合物について種々の調査を
行なつた結果、ＣｄＴｅが有効であることが判明した。
そこでＣｄＳｅ粉末とＣｄＴｅ粉末との混合物を一つの
蒸発源とし、蒸着したところ膜中にＴｅが均一に分布し
、Ｉｐ／Ｉｄが１０８にも達する高感度な膜が得られた
。
−ＣｄＳｅとＣｄＴｅとの蒸着速度は蒸着中ほぼ一定で
あり従つて基板上の蒸着層中におけるＣｄＳｅとＣｄＴ
ｅとの蒸着量は初期と終期とにおいて変わらない特徴を
有する。
あり従つて基板上の蒸着層中におけるＣｄＳｅとＣｄＴ
ｅとの蒸着量は初期と終期とにおいて変わらない特徴を
有する。
ＣｄＴｅのうちの微量のＴｅがＣｄＳｅのＢｅ空位に埋
めるのに役立ち、大部分のＴｅはＣｄＴｅとして、蒸着
膜に含まれる。ＣｄＴｅはそれ自体光導電性があるが、
抵抗がＣｄＳｅと比べて小さいので暗電流を増加させる
。従つてＣｄＴｅの配合比は、第１図に示すように、０
．１７モル以上ではＣｄＴｅによるＩｐ／Ｉｄを低下さ
せる影響が著しくなる。なお基板温度に対する工ｐ／工
ｄ の関係は、第２図に示すように、温度３００℃まで
はＩｐ／Ｉｄが緩かに増加し、３００℃以上ではほぼ一
定となるので、３００℃以上が好ましい。実施例 粒度−４０メツシユのＣｄＳｅ粉末約４１に、これと等
しい粒度のＣｄＴｅ粉末約０．５ｙを配合してモル比約
０．１０の混合物とし、これを一つのボートに入れ、こ
のボートの上方に５５×５５×０．６５ｍｍのＡｌ２Ｏ
，基板を水平におき、ペルシャー内の真空度を１０−５
Ｔ０ｒｒとしてボートを加熱し、ＣｄＳｅとＣｄＴｅと
の蒸着速度を約１０００Ａ／Ｍｍとなるように蒸発させ
、この間基板温度は３１０℃に保つた。
めるのに役立ち、大部分のＴｅはＣｄＴｅとして、蒸着
膜に含まれる。ＣｄＴｅはそれ自体光導電性があるが、
抵抗がＣｄＳｅと比べて小さいので暗電流を増加させる
。従つてＣｄＴｅの配合比は、第１図に示すように、０
．１７モル以上ではＣｄＴｅによるＩｐ／Ｉｄを低下さ
せる影響が著しくなる。なお基板温度に対する工ｐ／工
ｄ の関係は、第２図に示すように、温度３００℃まで
はＩｐ／Ｉｄが緩かに増加し、３００℃以上ではほぼ一
定となるので、３００℃以上が好ましい。実施例 粒度−４０メツシユのＣｄＳｅ粉末約４１に、これと等
しい粒度のＣｄＴｅ粉末約０．５ｙを配合してモル比約
０．１０の混合物とし、これを一つのボートに入れ、こ
のボートの上方に５５×５５×０．６５ｍｍのＡｌ２Ｏ
，基板を水平におき、ペルシャー内の真空度を１０−５
Ｔ０ｒｒとしてボートを加熱し、ＣｄＳｅとＣｄＴｅと
の蒸着速度を約１０００Ａ／Ｍｍとなるように蒸発させ
、この間基板温度は３１０℃に保つた。
ＣｄＳｅとＣｄＴｅとの混合物を約１０分間蒸発させて
、膜厚約１、１μの蒸着膜を得た。この蒸着膜をつけた
基板をＮ２雰囲気中で温度約７００℃において１時間熱
処理した後、このＣｄＳｅ−ＣｄＴｅ蒸着膜をエツチン
グし、次にリフトオフ法によつてＮｉＣｒ−Ａｕ電極を
形成した。得られたＣｄＳｅ−ＣｄＴｅ光導電膜を照度
１０００１ｘ′（′Ｉｐ／Ｉｄを測定した値は１．０×
１０８であつた。
、膜厚約１、１μの蒸着膜を得た。この蒸着膜をつけた
基板をＮ２雰囲気中で温度約７００℃において１時間熱
処理した後、このＣｄＳｅ−ＣｄＴｅ蒸着膜をエツチン
グし、次にリフトオフ法によつてＮｉＣｒ−Ａｕ電極を
形成した。得られたＣｄＳｅ−ＣｄＴｅ光導電膜を照度
１０００１ｘ′（′Ｉｐ／Ｉｄを測定した値は１．０×
１０８であつた。
第１図は本発明の方法による光導電膜の
ＣｄＴｅ／ＣｄＳｅモル比対１ｐ／Ｉｄの関係を示すグ
ラフであり、第２図は本発明の方法による光導電膜の基
板温度対１ｐ／Ｉｄの関係を示すグラフである。
ラフであり、第２図は本発明の方法による光導電膜の基
板温度対１ｐ／Ｉｄの関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ ＣｄＳｅに対してＣｄＴｅをモル比（ｘとする）で
０＜ｘ＜０．１７の範囲内で混合し一つの蒸発源として
蒸着することを含む、ＣｄＳｅ光導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52067840A JPS596075B2 (ja) | 1977-06-10 | 1977-06-10 | ＣｄＳｅ光導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52067840A JPS596075B2 (ja) | 1977-06-10 | 1977-06-10 | ＣｄＳｅ光導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS543484A JPS543484A (en) | 1979-01-11 |
| JPS596075B2 true JPS596075B2 (ja) | 1984-02-08 |
Family
ID=13356539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52067840A Expired JPS596075B2 (ja) | 1977-06-10 | 1977-06-10 | ＣｄＳｅ光導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596075B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208041A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Photoconductive target and its manufacture |
| JPH0443143A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 異形袋織エアーバッグ |
| WO1994004396A1 (en) * | 1992-08-19 | 1994-03-03 | Teijin Limited | Air bag of high bursting strength |
-
1977
- 1977-06-10 JP JP52067840A patent/JPS596075B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS543484A (en) | 1979-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sathaye et al. | Studies on thin films of cadmium sulphide prepared by a chemical deposition method | |
| JPS596075B2 (ja) | ＣｄＳｅ光導電膜の製造方法 | |
| US3870558A (en) | Process for preparing a layer of compounds of groups II and VI | |
| US2997409A (en) | Method of production of lead selenide photodetector cells | |
| US3284235A (en) | Method of manufacturing photoconductive layers | |
| JPS6047752B2 (ja) | 擦像管タ−ゲット | |
| EP0146967A2 (en) | Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof | |
| US3090881A (en) | Storage target electrode and method of manufacture | |
| US3519480A (en) | Process for treating photoconductive cadmium sulfide layers | |
| JPS6317348B2 (ja) | ||
| US4404734A (en) | Method of making a CdS/Cux S photovoltaic cell | |
| JPS6124287A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| JPS6161476A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| JPS6149483A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| SU1647505A1 (ru) | Способ получени электрофотографического носител | |
| JPS558036A (en) | Electrode formation | |
| JPS5934672A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| JPS59115567A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPS6124285A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| JPS6050075B2 (ja) | 光導電性膜の活性化方法 | |
| JP3465852B2 (ja) | カルコパイライト薄膜の製造方法 | |
| JPH07147421A (ja) | 焼結膜の製造方法 | |
| JPS6059781A (ja) | 硫化亜鉛膜の製造方法 | |
| JPS5986271A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| JPS5965853A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 |