JPS6124285A - 光導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
光導電性薄膜の製造方法Info
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- JPS6124285A JPS6124285A JP59146402A JP14640284A JPS6124285A JP S6124285 A JPS6124285 A JP S6124285A JP 59146402 A JP59146402 A JP 59146402A JP 14640284 A JP14640284 A JP 14640284A JP S6124285 A JPS6124285 A JP S6124285A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は可視域の光センサとして使用される光導電イ１
薄ノ摸の製造方法に関するものである。
薄ノ摸の製造方法に関するものである。
従来例のｆｉｌ成とその問題点
従来、ＣｄＳやＣｄＳｅ を生体とする光センサは光電
流が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶体Ｃｄ’
５−ＣｄＳｅを主体とする光センサでは可視光全域をカ
バーする感度を有するため、ファクシミリの密着型ライ
ンセンサ用などとして注目され開光されてきた。
流が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶体Ｃｄ’
５−ＣｄＳｅを主体とする光センサでは可視光全域をカ
バーする感度を有するため、ファクシミリの密着型ライ
ンセンサ用などとして注目され開光されてきた。
このＣｄ Ｓ −Ｃｄ Ｓ ｅ光センサの代表的製法は
以下の通りである。すなわち、適当な基板上にＣｄ５−
ＣｄＳｅ固、容体の＃膜を蒸着形成し、ＣｄＣｌ２の蒸
発源と１−ての例えばＣｄＳ：ＣｄＣ１２（混合、焼結
、粉砕し／こ）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉
容器に入瓦て５００℃程度の高温度に加熱して蒸発した
ＣｄＣｅ２の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心を
形成させ大きな光電流を得るに至るのである（この工程
を活性化と称する）。上記の製法のま＼では暗革流がか
なシ大きいのでＣＣｄ５−Ｃｄ５ｅ膜の蒸着時に同時に
蒸４源にＣｕを例えばＬ ｄ ｂ １． ｂ ｅ 、
： Ｃｕ Ｃ（１２（ＯＳ Ｘ り１ ＋ Ｃｄ ｂ
ｓＣｄＳｅ、 ＣｕＣｄ２ を混合、焼結、粉砕した
もの）。
以下の通りである。すなわち、適当な基板上にＣｄ５−
ＣｄＳｅ固、容体の＃膜を蒸着形成し、ＣｄＣｌ２の蒸
発源と１−ての例えばＣｄＳ：ＣｄＣ１２（混合、焼結
、粉砕し／こ）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉
容器に入瓦て５００℃程度の高温度に加熱して蒸発した
ＣｄＣｅ２の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心を
形成させ大きな光電流を得るに至るのである（この工程
を活性化と称する）。上記の製法のま＼では暗革流がか
なシ大きいのでＣＣｄ５−Ｃｄ５ｅ膜の蒸着時に同時に
蒸４源にＣｕを例えばＬ ｄ ｂ １． ｂ ｅ 、
： Ｃｕ Ｃ（１２（ＯＳ Ｘ り１ ＋ Ｃｄ ｂ
ｓＣｄＳｅ、 ＣｕＣｄ２ を混合、焼結、粉砕した
もの）。
の形で混入°しておき蒸着膜中にＣｕを添加しておけば
暗電流をかなシ小さくすることができる。
暗電流をかなシ小さくすることができる。
さて、ＣｄＣｌ２蒸気による活性化で増感中心を形成し
、光電子の寿命を長くシ、結果として大きな光電流を得
ることができる反面、基板的には光電子の寿命が光応答
時間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長くな
ってしまう。その上に薄膜表面へのｃａｃ７）２の付着
残存などの影響で電極の付着強度も弱くて、暗電流も大
きく特性の再現性も悪く、場所的ばらつきも大きいとい
う欠点を有している。
、光電子の寿命を長くシ、結果として大きな光電流を得
ることができる反面、基板的には光電子の寿命が光応答
時間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長くな
ってしまう。その上に薄膜表面へのｃａｃ７）２の付着
残存などの影響で電極の付着強度も弱くて、暗電流も大
きく特性の再現性も悪く、場所的ばらつきも大きいとい
う欠点を有している。
発明の目的
本発明は従来の製法による光導電性薄膜に比べて、電極
の付着強度が強くて、暗電流が小さく、光電流の光応答
時間が短く、かつ特性の再現性に優れ、ばらつきの小さ
い光導電性薄膜を製造する方法を提供する。
の付着強度が強くて、暗電流が小さく、光電流の光応答
時間が短く、かつ特性の再現性に優れ、ばらつきの小さ
い光導電性薄膜を製造する方法を提供する。
＠明の構成
本発明はＣｄ５１ＣｄＳｅあルイはＣｄ５−ＣｄＳｅ固
溶体を主成分として成る薄膜を基板上に形成し、ＣｄＣ
ｌ２の粉末と共に半密閉容器に入れ、高温度にて該薄膜
をＣｄＣｌ２の蒸気に暴露して結晶成長と共に活性化し
て後、電極形成して光導電性薄膜を製造するに際して、
電極形成の前に薄膜を中性雰囲気（ＡｒやＮ２ など
）中か空気中にて２５０℃以上で加熱処理することを特
徴とする光導電性薄膜の製造方法である。
溶体を主成分として成る薄膜を基板上に形成し、ＣｄＣ
ｌ２の粉末と共に半密閉容器に入れ、高温度にて該薄膜
をＣｄＣｌ２の蒸気に暴露して結晶成長と共に活性化し
て後、電極形成して光導電性薄膜を製造するに際して、
電極形成の前に薄膜を中性雰囲気（ＡｒやＮ２ など
）中か空気中にて２５０℃以上で加熱処理することを特
徴とする光導電性薄膜の製造方法である。
実施例の説明
薄膜の厚さは２０ｏＯ〜１００００人であることが好ま
しい。２ｏｏＯÅ以下だと結晶成長の段階で若干の膜厚
減少などの影響が見られ光電流煽が小さくなシ、かつそ
の立上シ時間τ１は逆に大きくなシ、１００００八以上
だとＪｐが大きく、かつその立下シ時間τｄが長くなる
傾向があるからである。結晶成長の温度は４５０〜６０
０℃が好ましい。４５０℃以下だとＣｄＣｌ２の蒸気圧
が不足して結晶成長が起シ難く、６００℃以上では逆に
ＣｄＣｌ２の蒸気圧が冒すぎて結晶成長が促進され過ぎ
てピンホールが生じたりするからでるる。熱処理の温度
は２５０〜６５０℃が好ましい。
しい。２ｏｏＯÅ以下だと結晶成長の段階で若干の膜厚
減少などの影響が見られ光電流煽が小さくなシ、かつそ
の立上シ時間τ１は逆に大きくなシ、１００００八以上
だとＪｐが大きく、かつその立下シ時間τｄが長くなる
傾向があるからである。結晶成長の温度は４５０〜６０
０℃が好ましい。４５０℃以下だとＣｄＣｌ２の蒸気圧
が不足して結晶成長が起シ難く、６００℃以上では逆に
ＣｄＣｌ２の蒸気圧が冒すぎて結晶成長が促進され過ぎ
てピンホールが生じたりするからでるる。熱処理の温度
は２５０〜６５０℃が好ましい。
２５０℃以゛下では効果が不充分であシ、５５０ ℃以
上では変化か大きすぎてコントロールか難しくなるから
である。この熱処理によって光センサの暗電流１ｄが著
しく減少し、特性（Ｊｐ、τ１、τｄ）が安定化すると
共に応答（τ１、τｄ）が早くなる。
上では変化か大きすぎてコントロールか難しくなるから
である。この熱処理によって光センサの暗電流１ｄが著
しく減少し、特性（Ｊｐ、τ１、τｄ）が安定化すると
共に応答（τ１、τｄ）が早くなる。
以下、本発明の効果を実施例をもって説明する。
実施例
ガラス基板（コーニング社７０６９．２３ｏ×５０Ｘ１
．２ｍｓ ）の上ＫＣｄＳ。、６Ｓｅ０，４：ＣｄＣ
ｌ２（０，２モルチ）を蒸発源として約４０００人の厚
さに蒸着した。蒸着膜中に含まれるＣｕの量は０ｓ００
８モルチであった。図に見られる様にアルミナ製ボート
本体１（上、ぶた２つき内容積５２Ｘｓ １ｏ Ｘ ２
０ ｗｔｂ３ｔＤ Ｗ方体） ＣＤ中央底部Ｋ、ＣｄＳ
：ＣｄＣＩＪ２（２％ル％）粉末４をＣ＞２ｑ／ｃｍ
の割合で長さ方向に置き、その上に上記蒸着膜を設け
たガラス基板３を上向きに置き、ふた２とのギャップが
２Ｂである様にしてふた２をしてカＩ７熱する。
．２ｍｓ ）の上ＫＣｄＳ。、６Ｓｅ０，４：ＣｄＣ
ｌ２（０，２モルチ）を蒸発源として約４０００人の厚
さに蒸着した。蒸着膜中に含まれるＣｕの量は０ｓ００
８モルチであった。図に見られる様にアルミナ製ボート
本体１（上、ぶた２つき内容積５２Ｘｓ １ｏ Ｘ ２
０ ｗｔｂ３ｔＤ Ｗ方体） ＣＤ中央底部Ｋ、ＣｄＳ
：ＣｄＣＩＪ２（２％ル％）粉末４をＣ＞２ｑ／ｃｍ
の割合で長さ方向に置き、その上に上記蒸着膜を設け
たガラス基板３を上向きに置き、ふた２とのギャップが
２Ｂである様にしてふた２をしてカＩ７熱する。
６００℃で１時間加熱した。この様にして得た膜をボー
ト本体１から取出しさらにＮ２ガス中で２５０．３００
，４００．５００および５５０ ℃で１時間加熱して後
Ｎ ｉ Ｃｒ／Ａ ｕ の電極を蒸着形成した（巾２
＃ｌＡ、ギャップ１ｍ）。との様ＫＬ’て得た光センサ
にＤＣｌ ｏｖを印加して１００ルツクスの緑色光（ｅ
長５５５ ｎｍン を照射（１，Ｈｚで０．５ｓｅｃず
つ）すてＩｐ とそのτｒ（０から飽和値の９０％まで
上がる時間）、τｄ （飽和値からその１０％まで下が
る時間）を測定した。結果を熱処理のない場合の結果と
共沈次表に載せる。
ト本体１から取出しさらにＮ２ガス中で２５０．３００
，４００．５００および５５０ ℃で１時間加熱して後
Ｎ ｉ Ｃｒ／Ａ ｕ の電極を蒸着形成した（巾２
＃ｌＡ、ギャップ１ｍ）。との様ＫＬ’て得た光センサ
にＤＣｌ ｏｖを印加して１００ルツクスの緑色光（ｅ
長５５５ ｎｍン を照射（１，Ｈｚで０．５ｓｅｃず
つ）すてＩｐ とそのτｒ（０から飽和値の９０％まで
上がる時間）、τｄ （飽和値からその１０％まで下が
る時間）を測定した。結果を熱処理のない場合の結果と
共沈次表に載せる。
’＋！ｉ性表（Ｊｐ、Ｊ小τ７、τｄ）またｌｌｆ、極
のテープ剥離テストによシ未処理のものは剥離すること
かあるが、熱処理したものでは剥離することがない。
のテープ剥離テストによシ未処理のものは剥離すること
かあるが、熱処理したものでは剥離することがない。
発明の効果 ′
表に見られる様に、この熱処理によって電極の付着強度
が高まる上に暗電流が著しく減少すると共に光電流の応
答特性（立上り時間、立下り時間）が早くなシ、シかも
特性の再現性が優れ、はらつきも小さくなる。
が高まる上に暗電流が著しく減少すると共に光電流の応
答特性（立上り時間、立下り時間）が早くなシ、シかも
特性の再現性が優れ、はらつきも小さくなる。
図は本発明に用いるボートの断面図である。
１・・・・・・ボート本体、２・・・・・・ボートふた
、３・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ：
ＣｄＣ７２粉末。
、３・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ：
ＣｄＣ７２粉末。
Claims (2)
- （１）ＣｄＳ−ＣｄＳｅあるいはこれら２種の化合物の
固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成り、これに微量
のＣｕを含んだ薄膜を基板上に形成し、前記薄膜をＣｄ
Ｃｌ＿２の蒸気中にて加熱処理して結晶成長と共に活性
化して後、電極形成して光導電性薄膜を製造するに際し
て、前記電極形成の前に前記薄膜を中性雰囲気中か空気
中にて２５０℃以上にて加熱処理することを特徴とする
光導電性薄膜の製造方法。 - （２）薄膜の厚さが２０００〜１００００Å、結晶成長
の湿度が４５０〜６００℃、熱処理の温度が２５０〜５
５０℃であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146402A JPS6124285A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146402A JPS6124285A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124285A true JPS6124285A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0519832B2 JPH0519832B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=15406887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59146402A Granted JPS6124285A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106236A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Mita Ind Co Ltd | 給紙装置 |
| JPH0198267A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP59146402A patent/JPS6124285A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106236A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Mita Ind Co Ltd | 給紙装置 |
| JPH0198267A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519832B2 (ja) | 1993-03-17 |
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