JPS6124286A - 光導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
光導電性薄膜の製造方法Info
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- JPS6124286A JPS6124286A JP59146403A JP14640384A JPS6124286A JP S6124286 A JPS6124286 A JP S6124286A JP 59146403 A JP59146403 A JP 59146403A JP 14640384 A JP14640384 A JP 14640384A JP S6124286 A JPS6124286 A JP S6124286A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は可視域の光センサとして使用される光導電性薄
膜の製造方法に関するものである。
膜の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、ＣｄＳやＣｄＳｅを主体とする光センサは光電流
が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶体Ｃｄ５−
ＣｄＳｅを主体とする光センサでは可視光全域をカバー
する感度を有するだめ、ファクシミリの密着型ラインセ
ンサ用などとして注目され開発さ第１てきた。
が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶体Ｃｄ５−
ＣｄＳｅを主体とする光センサでは可視光全域をカバー
する感度を有するだめ、ファクシミリの密着型ラインセ
ンサ用などとして注目され開発さ第１てきた。
このＣｄ５−ＣｄＳｅ光センサの代表的製法は以下の通
りである。すなわち、適渦な基板上にＣｄＳ −ＣｄＳ
ｅ固溶体の薄膜を蒸着形成し、ＣｄＣｆ１２の蒸発源と
（〜ての例えばＣｄＳ：ＣｄＣｆｆ２（混合、焼結、粉
砕した）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉容器に
入れて５００ ’Ｃ程度の高温度に加熱して蒸発しだＣ
ｄ（４２の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心を形
成させ大きな光電流を得るに至るのである（この工程を
活性化と称する）。上記の製法のま〜では暗電流がか々
シ大きいのでＣｄ５−ＣｄＳｅ薄膜の蒸着時に同時に蒸
着源にＣｕを例えばＣｄ５１−ｘＳｅｘ：ＣｕＣ２２（
○＜ｘり１ ； Ｃｄ５５ＣｄＳｅ。
りである。すなわち、適渦な基板上にＣｄＳ −ＣｄＳ
ｅ固溶体の薄膜を蒸着形成し、ＣｄＣｆ１２の蒸発源と
（〜ての例えばＣｄＳ：ＣｄＣｆｆ２（混合、焼結、粉
砕した）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉容器に
入れて５００ ’Ｃ程度の高温度に加熱して蒸発しだＣ
ｄ（４２の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心を形
成させ大きな光電流を得るに至るのである（この工程を
活性化と称する）。上記の製法のま〜では暗電流がか々
シ大きいのでＣｄ５−ＣｄＳｅ薄膜の蒸着時に同時に蒸
着源にＣｕを例えばＣｄ５１−ｘＳｅｘ：ＣｕＣ２２（
○＜ｘり１ ； Ｃｄ５５ＣｄＳｅ。
Ｃｕ Ｃｕ ’２を混合、焼結、粉砕したもの）の形で
混大して卦き蒸着膜中にＣｕを添力ｌしておけば暗電流
をかなシ小さくすることができる。
混大して卦き蒸着膜中にＣｕを添力ｌしておけば暗電流
をかなシ小さくすることができる。
さて、ＣｄＣＲ２蒸気による活性化で増感中心を形成し
、光電子の寿命を長くし、結果として大きな光電流を得
ることができる反面、基本的には光−電子の寿意が光応
答時間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長く
なってしまう。その上に薄膜表面へのＣｄＣｆ２２の付
着残存などの影響で電極の付着強度も弱くて、暗電流も
大きく特性の再現性も悪く、場所的ばらつきも大きいと
いう欠点を有している。
、光電子の寿命を長くし、結果として大きな光電流を得
ることができる反面、基本的には光−電子の寿意が光応
答時間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長く
なってしまう。その上に薄膜表面へのＣｄＣｆ２２の付
着残存などの影響で電極の付着強度も弱くて、暗電流も
大きく特性の再現性も悪く、場所的ばらつきも大きいと
いう欠点を有している。
発明の目的
本発明は従来の製法による光導電性薄膜に比べて、電極
の付着強度が強くて、暗電流が小さく、光電流の光応答
時間が短く、かつ特性の再現性に優れ、ばらつきの小さ
い光導電性薄膜を製造する方法を提供する。
の付着強度が強くて、暗電流が小さく、光電流の光応答
時間が短く、かつ特性の再現性に優れ、ばらつきの小さ
い光導電性薄膜を製造する方法を提供する。
発明の構成
本発明はＣｄ５１ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅ固
浴体を主成分として成る薄膜を基板上に形成し、ＣｄＣ
ｆ１２の粉末と共に半密閉容器に入れ、高温度にて該薄
膜ｙ、ｃｄ（４２の蒸気に暴露して結晶成長と共に活性
化して後、電極形成して光導電性薄膜ｆ：製造するに除
して、電惟形成の前に薄膜を水洗処理することを特徴と
する光導′成性薄膜の製造方法である。
浴体を主成分として成る薄膜を基板上に形成し、ＣｄＣ
ｆ１２の粉末と共に半密閉容器に入れ、高温度にて該薄
膜ｙ、ｃｄ（４２の蒸気に暴露して結晶成長と共に活性
化して後、電極形成して光導電性薄膜ｆ：製造するに除
して、電惟形成の前に薄膜を水洗処理することを特徴と
する光導′成性薄膜の製造方法である。
実施例の説明
湖、膜の）早さは２０００〜１００００八であることが
好ましい。２０００Å以下だと結晶成長の段階で若干の
膜厚減少などの影響が見られ光電流Ｊｐが小さくな９、
かつその立上逆時間τ１は逆に大きくなシ、１０９００
八以上だとＩｐが大きく、かつその立下り時間τｄが長
くなる傾向があるからである。
好ましい。２０００Å以下だと結晶成長の段階で若干の
膜厚減少などの影響が見られ光電流Ｊｐが小さくな９、
かつその立上逆時間τ１は逆に大きくなシ、１０９００
八以上だとＩｐが大きく、かつその立下り時間τｄが長
くなる傾向があるからである。
結晶成長の温度は４６０〜６００℃が好ましい。４５０
℃以下だとＣｄＣｌ２の蒸気圧が不足して結晶成長が起
り難く、６００℃以上では逆にＣｄＣＲ，の蒸気圧が高
ずぎて結晶成長が促進され過ぎてピンホールが生じたり
するからである。水洗処理時の温度は室幅でも良いが４
０〜８０′Ｃが更に好ましい。
℃以下だとＣｄＣｌ２の蒸気圧が不足して結晶成長が起
り難く、６００℃以上では逆にＣｄＣＲ，の蒸気圧が高
ずぎて結晶成長が促進され過ぎてピンホールが生じたり
するからである。水洗処理時の温度は室幅でも良いが４
０〜８０′Ｃが更に好ましい。
４０℃以下では効果を得るのに時間がか＼９．８０′Ｃ
以下では薄膜の剥離を生じたシすることがあるからであ
る。水洗時に超音波を併用すると短時間の処理で済む。
以下では薄膜の剥離を生じたシすることがあるからであ
る。水洗時に超音波を併用すると短時間の処理で済む。
この水洗処理によって光センサの暗電流Ｊｄが著しく減
少し、特性（１，、τ１、τｄ）が安定化すると共に応
答（τ１、τｄ）が早くなる・以下、本発明の効果を実
施例をもって説明する。
少し、特性（１，、τ１、τｄ）が安定化すると共に応
答（τ１、τｄ）が早くなる・以下、本発明の効果を実
施例をもって説明する。
実施例
ガラス基板（コーニング社７０５９．２３０Ｘ５０Ｘ１
．２．）の上にＣｄ Ｓ ｏ 、 ｓ Ｓ ｅｏ 、４
：Ｃｕ Ｃｌ３２ （０，２モル％ ）を蒸発源として
約４０００への厚さに蒸着した。蒸着膜中に含まれるＣ
ｕＯ量は０．０ｏＢ−Ｃニル係であった。図に見られる
様にアルミナ製ボート本体１（上ぶた２つき内容積５２
Ｘ３１０Ｘ２０ｍｍ の直方体）の中央底部にＣｄＳ
： ＣｄＣβ２（２モル％）粉末を０．２？／ｃｒｎ
の割合で長さ方向に置き、その上に上記蒸着膜を設けた
ガラス基板３（！−上向きに置きふた２とのギャップが
２１１１ｍである様にしてふたをして加熱する。
．２．）の上にＣｄ Ｓ ｏ 、 ｓ Ｓ ｅｏ 、４
：Ｃｕ Ｃｌ３２ （０，２モル％ ）を蒸発源として
約４０００への厚さに蒸着した。蒸着膜中に含まれるＣ
ｕＯ量は０．０ｏＢ−Ｃニル係であった。図に見られる
様にアルミナ製ボート本体１（上ぶた２つき内容積５２
Ｘ３１０Ｘ２０ｍｍ の直方体）の中央底部にＣｄＳ
： ＣｄＣβ２（２モル％）粉末を０．２？／ｃｒｎ
の割合で長さ方向に置き、その上に上記蒸着膜を設けた
ガラス基板３（！−上向きに置きふた２とのギャップが
２１１１ｍである様にしてふたをして加熱する。
５００″Ｃで１時間加熱した。この様にして得た膜をボ
ートから取出しさらに２０．４０，６０および８０゛Ｃ
の水中で超音波をかけながら２分間洗浄し乾燥後ＮｉＣ
ｒ／Ａｕの電極を蒸着形成した（巾２帥、ギャップ１胴
）。この様にして得た光センでし とそのτｒ（０から
飽和値のｅｏ％まで上がる時間）、τｄ （飽和値から
その１０％まで下がる時間）全測定した。結果を水洗処
理のない場合の結果と共に表に載せる。
ートから取出しさらに２０．４０，６０および８０゛Ｃ
の水中で超音波をかけながら２分間洗浄し乾燥後ＮｉＣ
ｒ／Ａｕの電極を蒸着形成した（巾２帥、ギャップ１胴
）。この様にして得た光センでし とそのτｒ（０から
飽和値のｅｏ％まで上がる時間）、τｄ （飽和値から
その１０％まで下がる時間）全測定した。結果を水洗処
理のない場合の結果と共に表に載せる。
特性表（１，、■ｄ、τ０、τｄ）
また型砂のテープ剥離テストによシ未処理のものは剥離
することがあるが、水洗処理したものでは剥離すること
がない。
することがあるが、水洗処理したものでは剥離すること
がない。
発明の効果
表に見られる様に、この水洗処理によって電極の付着強
度が高まる上に暗電流が著しく減少すると共に光電流の
応答特性（立上り時間、立下り時間）が早くな）、しか
も特性の再現性が優れ、ばらつきも、Ｊ＼さくなる。
度が高まる上に暗電流が著しく減少すると共に光電流の
応答特性（立上り時間、立下り時間）が早くな）、しか
も特性の再現性が優れ、ばらつきも、Ｊ＼さくなる。
図は本発明に用いるボートの断面図である。
１・・・・・・ボート本体、２・・・・・・ボートふた
、３・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ：
ＣｄＣＲ２粉末。
、３・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ：
ＣｄＣＲ２粉末。
Claims (2)
- （１）ＣｄＳ−ＣｄＳｅあるいはこれら２種の化合物の
固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成り、これに微量
のＣｕを含んだ薄膜を基板上に形成し、前記薄膜をＣｄ
Ｃｌ＿２の蒸気中にて加熱処理して結晶成長と共に活性
化して後、電極形成して光導電性薄膜を製造するに際し
て、前記電極形成の前に前記薄膜を水洗処理することを
特徴とする光導電性薄膜の製造方法。 - （２）薄膜の厚さが２０００〜１００００Å、結晶成長
の温度が４５０〜６００℃、水洗処理の温度が４０〜８
０℃であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146403A JPS6124286A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146403A JPS6124286A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124286A true JPS6124286A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0133955B2 JPH0133955B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=15406912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59146403A Granted JPS6124286A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124286A (ja) |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP59146403A patent/JPS6124286A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0133955B2 (ja) | 1989-07-17 |
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