JPS61121371A - 光導電素子の製造方法 - Google Patents
光導電素子の製造方法Info
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- JPS61121371A JPS61121371A JP59242923A JP24292384A JPS61121371A JP S61121371 A JPS61121371 A JP S61121371A JP 59242923 A JP59242923 A JP 59242923A JP 24292384 A JP24292384 A JP 24292384A JP S61121371 A JPS61121371 A JP S61121371A
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- vacuum
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリや各種ＯＡ機器用読取りラインセ
ンサ用の可視域の光センサとして使用される光導電素子
の製造方法に関するものである。
ンサ用の可視域の光センサとして使用される光導電素子
の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、ＣｄＳやＣｄ Ｓｅを主体とする光センサは光電
流が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶体Ｃｄ５
−ＣｄＳｅを主体とする光センサでは可視光全域にカバ
ーする感度を有するため、ファクシミリの密着型ライン
センサ用などとして注目され開発されてきた。
流が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶体Ｃｄ５
−ＣｄＳｅを主体とする光センサでは可視光全域にカバ
ーする感度を有するため、ファクシミリの密着型ライン
センサ用などとして注目され開発されてきた。
このＧｄＳ −ＣｄＳｅ光センサの代表的製法は以下
。
。
の通りである。すなわち、適当な基板上にＣｄＳ −Ｃ
ｄＳｅ固溶体の薄膜を蒸着形成し、Ｃｄ Ｃ１□の蒸発
源としての例えばＣｄＳ ： ＣｄＣ１２（混合、焼結
、粉砕した）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉容
器に入れて５００’Ｃ程度の高温度に加熱して蒸発した
ＣｄＣｌ２の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心を
形成させ大きな光電流を得るに至るのである（この工程
を活性化と称する）。その後、ＮｉＣｒ／人Ｕの電極を
蒸着形成し、さらに真空中及び暗中で加熱処理を施す。
ｄＳｅ固溶体の薄膜を蒸着形成し、Ｃｄ Ｃ１□の蒸発
源としての例えばＣｄＳ ： ＣｄＣ１２（混合、焼結
、粉砕した）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉容
器に入れて５００’Ｃ程度の高温度に加熱して蒸発した
ＣｄＣｌ２の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心を
形成させ大きな光電流を得るに至るのである（この工程
を活性化と称する）。その後、ＮｉＣｒ／人Ｕの電極を
蒸着形成し、さらに真空中及び暗中で加熱処理を施す。
上記の製法のま＼では暗電流がかなり大きいのでＣｄ５
−ＣｄＳｅ薄膜の蒸着時に同時に蒸発源にＣｕを例えば
Ｃｄ５４．Ｓｓｘ：ＣｕＣｌ２ （Ｏ＜Ｘ＜、 １ ；
ＣｄＳ 、 Ｃａ５ｅ 、 Ｃｕｒｌ□を混合、焼結
、粉砕したもの）の形で混入しておき蒸着膜中にＣｕを
添加しておけば暗電流を大巾に小さくすることができる
。
−ＣｄＳｅ薄膜の蒸着時に同時に蒸発源にＣｕを例えば
Ｃｄ５４．Ｓｓｘ：ＣｕＣｌ２ （Ｏ＜Ｘ＜、 １ ；
ＣｄＳ 、 Ｃａ５ｅ 、 Ｃｕｒｌ□を混合、焼結
、粉砕したもの）の形で混入しておき蒸着膜中にＣｕを
添加しておけば暗電流を大巾に小さくすることができる
。
さて、ｃａｃ１□蒸気による活性化で増感中心を形成し
、光電子の寿命を長く、結果として大きな光電流を得る
ことができる反面、基本的には光電子の寿命が光応答時
間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長くなっ
てしまう。さらにこの様な多結晶薄膜では捕獲中心が多
いために低照度の場合には上記の光電子の寿命よりはる
かに光応答時間が長くなるという大きな欠点を有してい
る。
、光電子の寿命を長く、結果として大きな光電流を得る
ことができる反面、基本的には光電子の寿命が光応答時
間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長くなっ
てしまう。さらにこの様な多結晶薄膜では捕獲中心が多
いために低照度の場合には上記の光電子の寿命よりはる
かに光応答時間が長くなるという大きな欠点を有してい
る。
発明の目的
本発明は従来の製法による光導電素子に比べ、光電流の
大きさを損わずして、その光応答時間が短かい光導電素
子を製造する方法を提供する。
大きさを損わずして、その光応答時間が短かい光導電素
子を製造する方法を提供する。
発明の構成
本発明はＣｄＳ 、 Ｃｄ’ｓあるいはこれら２種の化
合物の固溶体Ｃｄ５−Ｃｄ’ｓを主成分として成り、微
量のＣｕを含む薄膜を基板上に形成し、ＣａＣ１□の蒸
発源と共に半密閉容器に入れ、高温度にて該薄膜をＣｄ
Ｃｌ２の蒸気に暴露して結晶成長と共に活性化して後、
電極形成して光導電素子を製造するに際して、電極形成
の前に薄膜を真空中においてしかも暗中で加熱処理する
ことを特徴とする光導電素子の製造方法である。
合物の固溶体Ｃｄ５−Ｃｄ’ｓを主成分として成り、微
量のＣｕを含む薄膜を基板上に形成し、ＣａＣ１□の蒸
発源と共に半密閉容器に入れ、高温度にて該薄膜をＣｄ
Ｃｌ２の蒸気に暴露して結晶成長と共に活性化して後、
電極形成して光導電素子を製造するに際して、電極形成
の前に薄膜を真空中においてしかも暗中で加熱処理する
ことを特徴とする光導電素子の製造方法である。
実施例の説明
薄膜の厚さは２０００〜１０Ｏｏｏ人であり、結晶成長
の温度は４５０〜６００’Ｃである。真空中処理時の温
度は１２０〜２００℃が好ましい。
の温度は４５０〜６００’Ｃである。真空中処理時の温
度は１２０〜２００℃が好ましい。
１２０℃以下だと効果ができるのに時間がか−り過ぎ、
２００℃以上だと変化が大きすぎコントロールが難しく
なるからである。真空中熱処理の時間は０．２５〜４時
間が好ましい−０，２５時間以下では効果が得られ難く
、４時間以上と変化特に光電流の減少が著しい。真空中
熱処理時の真空度は広い範囲の真空度で有効であるが０
．０１気圧以下であることが好ましい。０．０１気圧以
上だと効果が小さかったり、変化が起るのに時間がか−
りすぎたりする。また真空中熱処理時は暗中であること
が好ましく、明るいと変化が起り難くまた変化量が小さ
い。特に１０ルックス以下の方が効果が大きい。
２００℃以上だと変化が大きすぎコントロールが難しく
なるからである。真空中熱処理の時間は０．２５〜４時
間が好ましい−０，２５時間以下では効果が得られ難く
、４時間以上と変化特に光電流の減少が著しい。真空中
熱処理時の真空度は広い範囲の真空度で有効であるが０
．０１気圧以下であることが好ましい。０．０１気圧以
上だと効果が小さかったり、変化が起るのに時間がか−
りすぎたりする。また真空中熱処理時は暗中であること
が好ましく、明るいと変化が起り難くまた変化量が小さ
い。特に１０ルックス以下の方が効果が大きい。
以下、本発明の効果を具体実施例によって説明する。
ガラス基板（コーニング社７０５９．２３０Ｘ５０Ｘ１
．２ｆｆｌｌ！’ ）の上にＣｄ５ｏ、６Ｓｅｏ、４：
ＣｕＣ１□を蒸発源として約４０００人の厚さに蒸着し
た。
．２ｆｆｌｌ！’ ）の上にＣｄ５ｏ、６Ｓｅｏ、４：
ＣｕＣ１□を蒸発源として約４０００人の厚さに蒸着し
た。
蒸着膜中に含まれる０１１の量は、０．００８モル％で
あった。この基板３を図に見る様にアルミナ製ポート１
に上向きに置きポートの中央底部にＣｄＳ： ＣｄＣ１
２（２モル％）粉末４をｏ、２ｆｉ７ｃｒｎ Ｏ割合
で長さ方向に置き、ふた２をして５００’Ｃで１時間加
熱した。この様にして得た膜をポートから取り出し、真
空中（０，０１気圧）しかも暗中（１゜ルックス）で１
７６℃にて０．２５，０．５，１．２および４時間加熱
して後、ＮｉＣｒ／人Ｕの電極を蒸着形成した（巾２Ｍ
、ギャップ１朋）。この様にして得た光導電素子にＤＣ
ｌｏｖを印加して１００ルックスの緑色光（波長ｓｓｓ
ｎｍ）を照射（１１−１ｚで０．５８６Ｃずつ）して光
電流Ｊｐとその立上り時間τｒ（ｏから飽和饋の９０％
に上がるまでの時間）、立下り時間τｄ（飽和値からそ
の１ｅ％に下がるまでの時間）を測定した。結果をこの
様な真空中加熱処理のない場合の結果と共に次表に載せ
る。
あった。この基板３を図に見る様にアルミナ製ポート１
に上向きに置きポートの中央底部にＣｄＳ： ＣｄＣ１
２（２モル％）粉末４をｏ、２ｆｉ７ｃｒｎ Ｏ割合
で長さ方向に置き、ふた２をして５００’Ｃで１時間加
熱した。この様にして得た膜をポートから取り出し、真
空中（０，０１気圧）しかも暗中（１゜ルックス）で１
７６℃にて０．２５，０．５，１．２および４時間加熱
して後、ＮｉＣｒ／人Ｕの電極を蒸着形成した（巾２Ｍ
、ギャップ１朋）。この様にして得た光導電素子にＤＣ
ｌｏｖを印加して１００ルックスの緑色光（波長ｓｓｓ
ｎｍ）を照射（１１−１ｚで０．５８６Ｃずつ）して光
電流Ｊｐとその立上り時間τｒ（ｏから飽和饋の９０％
に上がるまでの時間）、立下り時間τｄ（飽和値からそ
の１ｅ％に下がるまでの時間）を測定した。結果をこの
様な真空中加熱処理のない場合の結果と共に次表に載せ
る。
Ｃ以 下 余白）
特性表（Ｊｐ、τ１．τｄ）
発明の効果
表に見られる様に、この電極形成前の暗中における真空
中加熱処理によって光電流が太きいま−でその立上り時
間、立下り時間を著しく短くすることができる。この光
センサを用いれば大電流で信号処理の容易な高速の密着
型イメージセンサを作ることができ、その工業的価値は
大きい。
中加熱処理によって光電流が太きいま−でその立上り時
間、立下り時間を著しく短くすることができる。この光
センサを用いれば大電流で信号処理の容易な高速の密着
型イメージセンサを作ることができ、その工業的価値は
大きい。
図はアルミナ製ボートの断面図である。
１・・・・・・ボート本体、２・・・・・・ボートふた
、３・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ
： ＣｄＣｌ２粉末。
、３・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ
： ＣｄＣｌ２粉末。
Claims (5)
- （１）ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはこれら２種の化合物の
固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成りこれに微量の
Ｃｕを含んだ薄膜を基板上に形成し、この薄膜をＣｄＣ
ｌ＿２の蒸気中にて加熱処理して結晶成長と共に活性化
した後、電極形成して光導電素子を製造するに際して、
前記電極形成の前に前記薄膜を真空中においてしかも暗
中で加熱処理することを特徴とする光導電素子の製造方
法。 - （２）真空中での加熱処理の温度が１２０〜２００℃で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導
電素子の製造方法。 - （３）真空中での加熱処理の時間が０．２５〜４時間で
あることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光導
電素子の製造方法。 - （４）真空中での加熱処理の際の真空度が０．０１気圧
以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の光導電素子の製造方法。 - （５）真空中において、しかも暗中において加熱処理す
る際の照度が１０ルックス以下であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光導電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59242923A JPS61121371A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 光導電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59242923A JPS61121371A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 光導電素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121371A true JPS61121371A (ja) | 1986-06-09 |
| JPH0510833B2 JPH0510833B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=17096217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59242923A Granted JPS61121371A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 光導電素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121371A (ja) |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP59242923A patent/JPS61121371A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510833B2 (ja) | 1993-02-10 |
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