JPS59129479A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPS59129479A JPS59129479A JP58004958A JP495883A JPS59129479A JP S59129479 A JPS59129479 A JP S59129479A JP 58004958 A JP58004958 A JP 58004958A JP 495883 A JP495883 A JP 495883A JP S59129479 A JPS59129479 A JP S59129479A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はイメージセンサ等に適用される光電変換素子に
関する。
関する。
従来例の構成とその問題点
従来、イメージセンサとしては、シリコン単結（１）
晶基板上にＩＣ技術を利用して形成された光［変換素子
によ＃）構成されていたが、これはＳｉ単結晶基板を使
用する必要上、そのサイズは３ｏ闘程度と限られていた
。このため、上記イメージセンサで原稿を読み取る場合
には、レンズ等の縮小光学系の使用が避けられず、装置
が大型化すると共に高価になるという欠点があった。こ
のため、縮小光学系を用いずに１対１で読み取る薄膜を
利用したイメージセンサが考案されている。このうち、
光電変換材料としてＣｄＳ、ＣｄＴｅなどのＩｔ−Ｖｌ
族化合物半導体を用いたものは、単に蒸着等で前記半導
体薄膜を積層させるだけでは、所望の特性が得られない
場合が多く、熱処理などを必要とし、工程が複雑になる
という欠点があった。
によ＃）構成されていたが、これはＳｉ単結晶基板を使
用する必要上、そのサイズは３ｏ闘程度と限られていた
。このため、上記イメージセンサで原稿を読み取る場合
には、レンズ等の縮小光学系の使用が避けられず、装置
が大型化すると共に高価になるという欠点があった。こ
のため、縮小光学系を用いずに１対１で読み取る薄膜を
利用したイメージセンサが考案されている。このうち、
光電変換材料としてＣｄＳ、ＣｄＴｅなどのＩｔ−Ｖｌ
族化合物半導体を用いたものは、単に蒸着等で前記半導
体薄膜を積層させるだけでは、所望の特性が得られない
場合が多く、熱処理などを必要とし、工程が複雑になる
という欠点があった。
発明の目的
本発明は上記従来例の欠点を除去し、低価格且つ高性能
の薄膜イメージセンサを実現するだめの光１［換素子を
提供することにある。
の薄膜イメージセンサを実現するだめの光１［換素子を
提供することにある。
発明の構成
本発明の光電変換素子は、ガラス基板上に、透（２）
明電極、ＣｄＳ 、ＣｄＴｅ 、対電極の各薄膜を上記
順序で積層し、かつ」二記ＣｄＴｅ４膜を形成するに際
して、基板温度を降１させなからＣｄＴｅを蒸着するよ
うにしだものである。
順序で積層し、かつ」二記ＣｄＴｅ４膜を形成するに際
して、基板温度を降１させなからＣｄＴｅを蒸着するよ
うにしだものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。第１
図において、（１）はガラス基板、（２）はガラス基板
（１）上に積層された透明電＃Ｍ（例えはＩ ｎ ２０
５ ＋■ＴＯ１Ｓｎ０２など）、（３）は透明電極（２
）上に積層されたＣｄＳ薄膜、（４）はＣｄＳ薄膜（３
）上に槓崩されたＣｄＴｅ 薄膜、（５）はＣｄＴｅ薄
膜（４）上に積層された対電極、（６）は入射光である
。次に、製造方法について説明すると、まずガラス基板
（１）上に、透明電極（２）をスパッタリング、蒸着、
スプレー法なとのうち、いず牡かの方法で形成する。次
に、ＣｄＳ ｉ膜（３）を１５００λ以下の厚さにスパ
ッタリング若しくは蒸着により基板温度２００℃程度で
形成する。次に、ＣｄＴｅ薄膜（４）もやはりガラス基
板（１）を加熱して蒸着されるが、基板温度が４７０℃
以上では基板からの再蒸発が激しく良好な膜は得られな
い。また、４７０℃以下の基板（３） 温度で成膜しても、高温では暗電流が大きく、また温度
を低くしていくと暗電流は減少するが、こんどは光電流
もまた減少していく。そこで、ＣｄＴｅの蒸着開始時に
おいて、４７０〜４００℃の基板温度にし、その後後々
に温度を降下させつつＣｄＴｅを蒸着し、基板温度が４
００〜３２０℃の範囲で蒸着を終了する。望ましくは、
４３０〜４５０℃で開始し、３８０〜３５０℃で停止す
る。このようにして形成されたＣｄＴｅ ｑ膜（４）上
に対電極（５）としてＳｎを基板温度１７０℃で蒸着す
れば、光電変換素子が得られる。素子形状を望ましいも
のにするため、蒸着時のマスキング、若しくはフォトエ
ツチングを適宜用いることは言う壕でもない。
図において、（１）はガラス基板、（２）はガラス基板
（１）上に積層された透明電＃Ｍ（例えはＩ ｎ ２０
５ ＋■ＴＯ１Ｓｎ０２など）、（３）は透明電極（２
）上に積層されたＣｄＳ薄膜、（４）はＣｄＳ薄膜（３
）上に槓崩されたＣｄＴｅ 薄膜、（５）はＣｄＴｅ薄
膜（４）上に積層された対電極、（６）は入射光である
。次に、製造方法について説明すると、まずガラス基板
（１）上に、透明電極（２）をスパッタリング、蒸着、
スプレー法なとのうち、いず牡かの方法で形成する。次
に、ＣｄＳ ｉ膜（３）を１５００λ以下の厚さにスパ
ッタリング若しくは蒸着により基板温度２００℃程度で
形成する。次に、ＣｄＴｅ薄膜（４）もやはりガラス基
板（１）を加熱して蒸着されるが、基板温度が４７０℃
以上では基板からの再蒸発が激しく良好な膜は得られな
い。また、４７０℃以下の基板（３） 温度で成膜しても、高温では暗電流が大きく、また温度
を低くしていくと暗電流は減少するが、こんどは光電流
もまた減少していく。そこで、ＣｄＴｅの蒸着開始時に
おいて、４７０〜４００℃の基板温度にし、その後後々
に温度を降下させつつＣｄＴｅを蒸着し、基板温度が４
００〜３２０℃の範囲で蒸着を終了する。望ましくは、
４３０〜４５０℃で開始し、３８０〜３５０℃で停止す
る。このようにして形成されたＣｄＴｅ ｑ膜（４）上
に対電極（５）としてＳｎを基板温度１７０℃で蒸着す
れば、光電変換素子が得られる。素子形状を望ましいも
のにするため、蒸着時のマスキング、若しくはフォトエ
ツチングを適宜用いることは言う壕でもない。
このようにして製造された光電変換素子の電流−電圧特
性を第２図に示す。この図から明らかなように、本発明
の光電変換素子は、光電流が大きくかつ暗電流が小さい
という優れた特徴を有している。なお、第２図中、（ａ
ｌは光照射下（１００／ｘ）の場合、ｆｂｌは暗中の場
合をそれぞれ示す。また、Ｓｎを用いた対電極（５）と
ＣｄＴｅ薄膜（４）との間には、整流（４） 性障壁が存在し、プロツキンクダイオードを形成してい
るため、タイオードの１噴方向のみ大きい明暗゛電流比
がイ４＋られ、多数価の光電変換素子にマトリクス配線
を施して使用するようなイメージセンサには極めて望ま
しい特性を有するものである。
性を第２図に示す。この図から明らかなように、本発明
の光電変換素子は、光電流が大きくかつ暗電流が小さい
という優れた特徴を有している。なお、第２図中、（ａ
ｌは光照射下（１００／ｘ）の場合、ｆｂｌは暗中の場
合をそれぞれ示す。また、Ｓｎを用いた対電極（５）と
ＣｄＴｅ薄膜（４）との間には、整流（４） 性障壁が存在し、プロツキンクダイオードを形成してい
るため、タイオードの１噴方向のみ大きい明暗゛電流比
がイ４＋られ、多数価の光電変換素子にマトリクス配線
を施して使用するようなイメージセンサには極めて望ま
しい特性を有するものである。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明の光電変換素子
は、ガラス基板」−に透明’ｔｆｃ 極、ＣｄＳ、Ｃｄ
Ｔｅ 。
は、ガラス基板」−に透明’ｔｆｃ 極、ＣｄＳ、Ｃｄ
Ｔｅ 。
対電極の各薄膜を上記順序で積層させた構造であるため
、任意の形状、面積に形成でき、かつダイオード機能も
持たせることが可能である。壕だ、ＣｄＴｅ薄膜の形成
に際して、基板温度を降下させながら蒸着することによ
り、光電流を減少させることなく暗電流を減少させて明
暗電流比の大きい優れた特性を有せしめることができ、
またダイオード機能を付加させることにより、イメージ
センサに適用するのに極めて有効な特性を有せしめるこ
とができる。丈に、本発明による光電変換素子は、蒸着
中の基板加熱以外は熱処理の必要がないため、製造工程
を少なくすることができ、従って安価な（５） イメージセンサの提供を可能とする。
、任意の形状、面積に形成でき、かつダイオード機能も
持たせることが可能である。壕だ、ＣｄＴｅ薄膜の形成
に際して、基板温度を降下させながら蒸着することによ
り、光電流を減少させることなく暗電流を減少させて明
暗電流比の大きい優れた特性を有せしめることができ、
またダイオード機能を付加させることにより、イメージ
センサに適用するのに極めて有効な特性を有せしめるこ
とができる。丈に、本発明による光電変換素子は、蒸着
中の基板加熱以外は熱処理の必要がないため、製造工程
を少なくすることができ、従って安価な（５） イメージセンサの提供を可能とする。
第１図は本発明の一実施例の模式断面図、第２図は同じ
く電流−電圧特性を示す図である。 （１）・・・ガラス基板、（２）・・・透明！極、（３
）・・・ＣｄＳ薄膜、（４）・・・ＣｄＴｅ薄膜、（５
）・・・対電極、（６）・・・入射光代理人 森
木 義 弘 （６） 第１図 ５ 第２図
く電流−電圧特性を示す図である。 （１）・・・ガラス基板、（２）・・・透明！極、（３
）・・・ＣｄＳ薄膜、（４）・・・ＣｄＴｅ薄膜、（５
）・・・対電極、（６）・・・入射光代理人 森
木 義 弘 （６） 第１図 ５ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ガラス基板上に透明電極、Ｃ（Ｉ Ｓ 、ＣｄＴ
ｅ 、対電極の各薄膜を上記順序で積層し、かつ上記Ｃ
ｄＴｅ薄膜を形成するに際して、基板温度を降下させな
がらＣｄＴｅを蒸着するようにしたことを特徴とする光
電変換素子。 ２、基板温度が４００〜４７０℃の範囲で（：ｄＴｅの
蒸着を開始し、その後基板温度を降下させつつ４００〜
３２０℃の範囲で蒸着を終了させるようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004958A JPS59129479A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004958A JPS59129479A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129479A true JPS59129479A (ja) | 1984-07-25 |
Family
ID=11598085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58004958A Pending JPS59129479A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129479A (ja) |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP58004958A patent/JPS59129479A/ja active Pending
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