JP2568998B2 - セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法 - Google Patents
セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/0264—Inorganic materials
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-
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、セレンを母材料としたセレンフォトダイオ
ード、およびその製造方法に関する。
ード、およびその製造方法に関する。
［従来の技術］ 可視光用受光素子には、現在、単結晶Siや、アモルフ
ァスSiを母材としたSi系フォトダイオードが主流を占め
ている。しかしながら、これらの素子にも、その用途に
よっては、問題となる点が少なからずある。例えば、両
者共、短波長域における感度が十分でなく、さらに、後
者では、低照度域（＜10-11ux）において、照度に対す
る光電流の直線性に難があること等がその一例である。
ァスSiを母材としたSi系フォトダイオードが主流を占め
ている。しかしながら、これらの素子にも、その用途に
よっては、問題となる点が少なからずある。例えば、両
者共、短波長域における感度が十分でなく、さらに、後
者では、低照度域（＜10-11ux）において、照度に対す
る光電流の直線性に難があること等がその一例である。
一方、Si以外の光センサ材料として古くから知られて
いるものにSeがある。とりわけ、CdO/Se光電池は、その
スペクトル感度が視感度に近いことから、照度計等に広
く利用されていた。しかし、照度に対する光電流の非直
線性や光応答速度が遅いなどの欠点があるため、現在で
は、その応用範囲は限られている。
いるものにSeがある。とりわけ、CdO/Se光電池は、その
スペクトル感度が視感度に近いことから、照度計等に広
く利用されていた。しかし、照度に対する光電流の非直
線性や光応答速度が遅いなどの欠点があるため、現在で
は、その応用範囲は限られている。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、上記の問題点は、Se自体にあるのではな
く、CdO/Se接合に起因する面が多い。また、Seは、安価
であることの外、プリセス温度が低い（＜200℃）素子
製造工程が簡単など、製造面から有利な点も多い。
く、CdO/Se接合に起因する面が多い。また、Seは、安価
であることの外、プリセス温度が低い（＜200℃）素子
製造工程が簡単など、製造面から有利な点も多い。
そこで、本出願人の一人は、上記欠点を改善し、利点
を活かすべく、Seを母材とした新構造の素子を提案した
（特開昭58−130578号）。
を活かすべく、Seを母材とした新構造の素子を提案した
（特開昭58−130578号）。
この素子は、光入射する透明材料の基板と、該基板上
に形成された透明導電層と、該透明導電層上に形成され
た金属または半導体薄膜と、該金属または半導体薄膜上
に形成されたセレン結晶膜と、該セレン結晶膜上に形成
された高仕事関数金属と、前記透明導電層と前記高仕事
関数金属とにそれぞれ設けられた外部導線対とを備えて
構成される。
に形成された透明導電層と、該透明導電層上に形成され
た金属または半導体薄膜と、該金属または半導体薄膜上
に形成されたセレン結晶膜と、該セレン結晶膜上に形成
された高仕事関数金属と、前記透明導電層と前記高仕事
関数金属とにそれぞれ設けられた外部導線対とを備えて
構成される。
この素子によれば、高照度域における光電流の直線
性、および、応答時間は、Siフォトダイオードと同等に
改善されている。
性、および、応答時間は、Siフォトダイオードと同等に
改善されている。
しかし、この素子は、暗電流を十分低く抑えることが
できず、低照度域（＜1 1ux）における光電流の直線
性、即ち、微弱信号に対するSN比が悪いという問題があ
った。そのため、Si系のフォトダイオードに完全に対応
しきれてはいなかった。また、出力光電流、電圧もあま
り大きくなかった。
できず、低照度域（＜1 1ux）における光電流の直線
性、即ち、微弱信号に対するSN比が悪いという問題があ
った。そのため、Si系のフォトダイオードに完全に対応
しきれてはいなかった。また、出力光電流、電圧もあま
り大きくなかった。
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、
暗電流を大幅に減少でき、また、低照度域での光電流の
直線性を改善したSN比の優れたセレンフォトダイオード
を提供することを目的とする。
暗電流を大幅に減少でき、また、低照度域での光電流の
直線性を改善したSN比の優れたセレンフォトダイオード
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、セレンフォトダイオード、およびその製造
方法に係るものである。
方法に係るものである。
本発明のセレンフォトダイオードは、透明材料からな
る基板と、透明導電層と、半導体薄膜と、セレン結晶膜
と、裏面電極とが、この順で積層されており、上記半導
体薄膜は、光導電性を有すると共に、セレンに対しヘテ
ロ接合を形成し、上記セレン結晶膜は、テルルを含有す
る。
る基板と、透明導電層と、半導体薄膜と、セレン結晶膜
と、裏面電極とが、この順で積層されており、上記半導
体薄膜は、光導電性を有すると共に、セレンに対しヘテ
ロ接合を形成し、上記セレン結晶膜は、テルルを含有す
る。
本発明のセレンフォトダイオードの製造方法は、少な
くとも一方の面に透明導電層を有するガラス基板の該透
明導電層上に、光導電性を有する半導体薄膜を形成する
半導体薄膜形成工程と、上記半導体薄膜上に、テルルお
よびセレン化テルルのうちの少なくともいずれか一方を
堆積させるテルル堆積工程と、上記テルルまたはセレン
化テルルの堆積層上に、セレンの膜を形成するセレン膜
形成工程と、上記セレン膜上に裏面電極を形成する裏面
電極形成工程と、上記セレン膜のセレンを結晶化し、厚
さ１〜20μｍのセレン結晶膜を形成するセレン結晶膜形
成工程とを有する。
くとも一方の面に透明導電層を有するガラス基板の該透
明導電層上に、光導電性を有する半導体薄膜を形成する
半導体薄膜形成工程と、上記半導体薄膜上に、テルルお
よびセレン化テルルのうちの少なくともいずれか一方を
堆積させるテルル堆積工程と、上記テルルまたはセレン
化テルルの堆積層上に、セレンの膜を形成するセレン膜
形成工程と、上記セレン膜上に裏面電極を形成する裏面
電極形成工程と、上記セレン膜のセレンを結晶化し、厚
さ１〜20μｍのセレン結晶膜を形成するセレン結晶膜形
成工程とを有する。
上記構成要件について、さらに詳細に説明する。
なお、上記ガラス基板上の、透明導電層は、導電性に
優れ、かつ、透光性の有る材料を用いる。この種の物質
としては、例えば、ITO（indium tinoxide）が知られて
いる。このITOは、通常、ガラス基板上に形成され、ITO
ガラスとして知られている。この他の例としては、酸化
スズや、Ti等の金属薄膜などが挙げられる。
優れ、かつ、透光性の有る材料を用いる。この種の物質
としては、例えば、ITO（indium tinoxide）が知られて
いる。このITOは、通常、ガラス基板上に形成され、ITO
ガラスとして知られている。この他の例としては、酸化
スズや、Ti等の金属薄膜などが挙げられる。
また、上記半導体薄膜は、Ｎ型の伝導型を示す半導体
を使用する。この例としては、Ｎ型の半導体であるTiO2
を代表とするチタン酸化物がある。このチタン酸化物
は、例えば、高周波スパッタリング等の手段で被着形成
される。
を使用する。この例としては、Ｎ型の半導体であるTiO2
を代表とするチタン酸化物がある。このチタン酸化物
は、例えば、高周波スパッタリング等の手段で被着形成
される。
上記セレン結晶膜は、セレンを真空蒸着等の手段によ
りアモルファス状に被着形成し、そのセレン層を熱処理
することにより、結晶化して形成される。その膜厚は、
１〜20μｍとする。また、テルル堆積工程において、形
成されるテルル（および／またはセレン化テルル）堆積
層の厚さは、上記セレン結晶膜の厚さの約0.05％である
ことが望ましい。
りアモルファス状に被着形成し、そのセレン層を熱処理
することにより、結晶化して形成される。その膜厚は、
１〜20μｍとする。また、テルル堆積工程において、形
成されるテルル（および／またはセレン化テルル）堆積
層の厚さは、上記セレン結晶膜の厚さの約0.05％である
ことが望ましい。
［作用］ 上記構成において、透明導電層は、電極としての作用
を有する。また、透明であるので、光をヘテロ接合まで
確実に入射させる作用がある。
を有する。また、透明であるので、光をヘテロ接合まで
確実に入射させる作用がある。
半導体薄膜は、セレン結晶膜と接してヘテロ接合を形
成し、光起電力作用を生じさせる。また、本発明で使用
する半導体薄膜は、暗時には高抵抗であり、高照度下で
は低抵抗となる。即ち、著しい光導電性を有するため、
暗電流を低減するよう作用する。
成し、光起電力作用を生じさせる。また、本発明で使用
する半導体薄膜は、暗時には高抵抗であり、高照度下で
は低抵抗となる。即ち、著しい光導電性を有するため、
暗電流を低減するよう作用する。
セレン結晶膜は、１〜20μｍとすることにより、ピン
ホールの発生を抑え、リーク電流を減少させる。この目
的のためには、膜厚をより厚くすることが望ましいが、
直列抵抗が増大して、出力光電流が減少するので、上記
範囲に留める。
ホールの発生を抑え、リーク電流を減少させる。この目
的のためには、膜厚をより厚くすることが望ましいが、
直列抵抗が増大して、出力光電流が減少するので、上記
範囲に留める。
本発明は、上記各作用により、暗電流を大幅に減少で
き、また、低照度域での光電流の直線性を改善できて、
SN比を向上させたセレンフォトダイオードを実現でき
る。
き、また、低照度域での光電流の直線性を改善できて、
SN比を向上させたセレンフォトダイオードを実現でき
る。
なお、上記テルル（および／またはセレン化テルル）
堆積層のTeは、Seの結晶化のための熱処理において、セ
レンの層中に拡散し、セレンの結晶化を促進すると共
に、セレン結晶膜の剥離を防止する作用がある。
堆積層のTeは、Seの結晶化のための熱処理において、セ
レンの層中に拡散し、セレンの結晶化を促進すると共
に、セレン結晶膜の剥離を防止する作用がある。
［実施例］ 本発明の実施例について図面を参照して説明する。
＜実施例の構成＞ 第１図に本発明のセレンフォトダイオードの一実施例
の構造を示し、第２図にその製造工程を示す。
の構造を示し、第２図にその製造工程を示す。
同図において、実施例のセレンフォトダイオードは、
ガラス基板１の上に、透明導電層２と、半導体薄膜３
と、セレン結晶膜５と、裏面電極６とを順次積層して設
け、透明導電層２と裏面電極６とに各々外部導線7,8を
接続し、かつ、背面側をモールド９で封止して構成され
る。
ガラス基板１の上に、透明導電層２と、半導体薄膜３
と、セレン結晶膜５と、裏面電極６とを順次積層して設
け、透明導電層２と裏面電極６とに各々外部導線7,8を
接続し、かつ、背面側をモールド９で封止して構成され
る。
上記透明導電層２としては、本実施例では、上述した
ITOを使用する。なお、このITOは、ITOガラス基板とし
て市販されている。本実施例では、シート抵抗10Ω、光
透過率83％のITOガラス基板を使用している。
ITOを使用する。なお、このITOは、ITOガラス基板とし
て市販されている。本実施例では、シート抵抗10Ω、光
透過率83％のITOガラス基板を使用している。
半導体薄膜３は、チタン酸化物であるTiO2を透明導電
層２上に被着して形成される。その膜厚は、適宜設定し
得るが、本実施例では、約50nm程度である。なお、本実
施例におけるTiO2膜は、光透過率＞90％、暗抵抗率〜10
8Ωcm、および、疑似太陽光100mW/cm2下で104であり、
著しい光導電性を有する。
層２上に被着して形成される。その膜厚は、適宜設定し
得るが、本実施例では、約50nm程度である。なお、本実
施例におけるTiO2膜は、光透過率＞90％、暗抵抗率〜10
8Ωcm、および、疑似太陽光100mW/cm2下で104であり、
著しい光導電性を有する。
セレン結晶膜５は、セレンを１〜20μｍ真空蒸着した
ものを熱処理して結晶化させて形成する。本実施例で
は、10μｍの膜厚で被着してある。蒸着したセレンは、
99.999％の高純度のものを使用した。
ものを熱処理して結晶化させて形成する。本実施例で
は、10μｍの膜厚で被着してある。蒸着したセレンは、
99.999％の高純度のものを使用した。
裏面電極６は、セレンとオーミック接触して電極を構
成するもので、本実施例では、Auを真空蒸着して形成し
てある。
成するもので、本実施例では、Auを真空蒸着して形成し
てある。
外部導線7,8は、適当な導線からなり、導電塗料等で
接続してある。そして、モールド９は、エポキシ樹脂等
を使用し、上記各層２〜６および外部導線7,8を保護す
べく、基板１の裏面側に塗着される。
接続してある。そして、モールド９は、エポキシ樹脂等
を使用し、上記各層２〜６および外部導線7,8を保護す
べく、基板１の裏面側に塗着される。
次に、本実施例のセレンフォトダイオードの製造工程
について、第２図に示す工程図を参照して説明する。
について、第２図に示す工程図を参照して説明する。
基板洗浄工程 透明導電層２としてITO膜を被着したITOガラス基板１
を、イソプロピルアルコール中で10分間ずつ２回超音波
洗浄。
を、イソプロピルアルコール中で10分間ずつ２回超音波
洗浄。
TiO2スパッタ工程 Ar,O2１対１の雰囲気中で、高周波スパッタ法によ
り、半導体薄膜３としてTiO2膜を50nm程度堆積。この時
の基板温度は、200〜300℃である。
り、半導体薄膜３としてTiO2膜を50nm程度堆積。この時
の基板温度は、200〜300℃である。
Te蒸着工程 上記半導体薄膜３上に、セレン層を形成するに先立
ち、金属ないし半導体の薄膜４を被着形成する。この金
属ないし半導体の薄膜４は、例えば、Te、SeTe等を真空
蒸着して形成する。その膜厚は、極めて薄くてよく、セ
レン結晶膜３の厚さの約0.05％程度とする。本実施例で
は、真空蒸着によりTeを約2nmほど堆積する。
ち、金属ないし半導体の薄膜４を被着形成する。この金
属ないし半導体の薄膜４は、例えば、Te、SeTe等を真空
蒸着して形成する。その膜厚は、極めて薄くてよく、セ
レン結晶膜３の厚さの約0.05％程度とする。本実施例で
は、真空蒸着によりTeを約2nmほど堆積する。
Se蒸着工程 真空蒸着により、セレン結晶膜５となるSeを約10μｍ
ほど形成。
ほど形成。
Au蒸着工程 裏面電極６として高仕事関数金属のAuを蒸着。
熱処理工程 加熱された金属板上に試料を載置し、180〜190℃、２
分間加熱して、Seを結晶化し、セレン結晶膜５を形成。
同時に、この工程において、上記Te蒸着工程で堆積され
たTeは、Seに拡散し、その堆積層は消滅する。
分間加熱して、Seを結晶化し、セレン結晶膜５を形成。
同時に、この工程において、上記Te蒸着工程で堆積され
たTeは、Seに拡散し、その堆積層は消滅する。
なお、拡散したTeは、Seの結晶化を促進すると共に、
セレン結晶膜の剥離を防止するよう作用する。
セレン結晶膜の剥離を防止するよう作用する。
外部導線取付工程 銀ペーストを用いて、外部導線7,8を透明導電層２のI
TO膜および裏面電極６のAU膜に各々固着接続。
TO膜および裏面電極６のAU膜に各々固着接続。
モールド工程 エポキシ系樹脂接着剤で、試料の裏面側のモールド９
を形成。
を形成。
＜実施例の作用＞ 上述したように構成されたセレンフォトダイオードの
作用について、第３図〜第７図を参照して説明する。な
お、本フォトダイオードの有効受光面積は、100mm2であ
る。
作用について、第３図〜第７図を参照して説明する。な
お、本フォトダイオードの有効受光面積は、100mm2であ
る。
第３図に本実施例のセレンフォトダイオードのＡ光源
における短絡光電流対照度特性を示す。同図のグラフに
おいて明らかなように、短絡光電流対照度特性が低照度
（〜10-3lux）から高照度まで直線的に変化する。従っ
て、光センサとして優れていることが分かる。
における短絡光電流対照度特性を示す。同図のグラフに
おいて明らかなように、短絡光電流対照度特性が低照度
（〜10-3lux）から高照度まで直線的に変化する。従っ
て、光センサとして優れていることが分かる。
第４図に本実施例フォトダイオードの分光感度特性を
示す。同図において、TiO2/Seは本実施例のセレンフォ
トダイオード、CdO/Seは従来のセレン光電池、ａ−Siは
従来のアモルファスSiフォトダイオード、および、ｃ−
Siは従来の単結晶Siフォトダイオードの分光感度特性を
各々示す。同図に示すように、本実施例では、これら従
来のフォトダイオードと異なり、300nm近傍の短波長側
にまで感度を有し、かつ、700nm以上の長波長側には感
度を有しない。従って、カラーセンサとして、また、カ
メラ用露出計等の可視光センサとして好適である。
示す。同図において、TiO2/Seは本実施例のセレンフォ
トダイオード、CdO/Seは従来のセレン光電池、ａ−Siは
従来のアモルファスSiフォトダイオード、および、ｃ−
Siは従来の単結晶Siフォトダイオードの分光感度特性を
各々示す。同図に示すように、本実施例では、これら従
来のフォトダイオードと異なり、300nm近傍の短波長側
にまで感度を有し、かつ、700nm以上の長波長側には感
度を有しない。従って、カラーセンサとして、また、カ
メラ用露出計等の可視光センサとして好適である。
第５図に本実施例のフォトダイオードの蛍光灯下（50
0lux相当）における電流密度対電圧特性を従来のセレン
フォトダイオードの特性と比較して示す。同図から明ら
かなように、本実施例では、光電流、光電圧共増加して
いる。特に、光電圧の増大が著しい。従って、変換効率
が高く、感度の良いセンサを構成し得る。
0lux相当）における電流密度対電圧特性を従来のセレン
フォトダイオードの特性と比較して示す。同図から明ら
かなように、本実施例では、光電流、光電圧共増加して
いる。特に、光電圧の増大が著しい。従って、変換効率
が高く、感度の良いセンサを構成し得る。
第６図に暗時の電流密度対電圧特性のTiO2膜厚依存性
（ただし、Se膜厚2.7μｍで一定）を、また、第７図に
暗時の電流密度対電圧特性のSe膜厚依存性（ただし、Ti
O2膜厚56nmで一定）を各々示す。これらの図は、各々当
該膜厚のみ変えた同一形状、同一寸法の試料について計
測したものである。これらの図から明らかなように、本
実施例では、TiO2を被着し、かつ、Seの膜厚を１μｍ以
上被着することにより、暗電流が１桁程度減少してい
る。
（ただし、Se膜厚2.7μｍで一定）を、また、第７図に
暗時の電流密度対電圧特性のSe膜厚依存性（ただし、Ti
O2膜厚56nmで一定）を各々示す。これらの図は、各々当
該膜厚のみ変えた同一形状、同一寸法の試料について計
測したものである。これらの図から明らかなように、本
実施例では、TiO2を被着し、かつ、Seの膜厚を１μｍ以
上被着することにより、暗電流が１桁程度減少してい
る。
なお、Se膜厚は、20μｍ以上としても、暗電流低減の
効果はそれほど増大せず、かえって、直列抵抗が大きく
なり、光電流出力に対して無視できない大きさとなるの
で、20μｍまでとする。
効果はそれほど増大せず、かえって、直列抵抗が大きく
なり、光電流出力に対して無視できない大きさとなるの
で、20μｍまでとする。
＜実施例の変形＞ 上記実施例の各部の構成に使用した材料は、セレンを
除き、一例を示したに過ぎない。他の材料を使用し得る
ことはいうまでもない。
除き、一例を示したに過ぎない。他の材料を使用し得る
ことはいうまでもない。
例えば、上記実施例では、半導体薄膜３としてTiO2膜
を使用しているが、これに限らず、他のチタン酸化物、
或は、その他の金属酸化物等の半導体を使用できる。
を使用しているが、これに限らず、他のチタン酸化物、
或は、その他の金属酸化物等の半導体を使用できる。
また、上記実施例では、裏面電極としてAuを使用して
いるが、他の金属であってもよい。
いるが、他の金属であってもよい。
［発明の効果］ 本発明は、暗電流を大幅に減少でき、また、低照度域
での光電流の直線性を改善した、SN比の優れたフォトダ
イオードを実現できる効果がある。
での光電流の直線性を改善した、SN比の優れたフォトダ
イオードを実現できる効果がある。
また、本発明は、短波長域（〜400nm）においても高
感度であり、従来のフォトダイオードでは、十分対応で
きなかった用途、例えば、カラーセンサ（特に青につい
て精度よく検出できるもの）等への応用に対し好適であ
る。
感度であり、従来のフォトダイオードでは、十分対応で
きなかった用途、例えば、カラーセンサ（特に青につい
て精度よく検出できるもの）等への応用に対し好適であ
る。
第１図は本発明のセレンフォトダイオードの一実施例の
構造を示す断面図、第２図はその製造工程を示す断面
図、第３図は本実施例のセレンフォトダイオードの短絡
光電流対照度特性を示すグラフ、第４図は本実施例フォ
トダイオードの分光感度特性を示すグラフ、第５図は本
実施例のフォトダイオードの光照射時の電流密度対電圧
特性を従来のセレンフォトダイオードの特性と比較して
示すグラフ、第６図は暗時の電流密度対電圧特性のTiO2
膜厚依存性を示すグラフ、第７図に暗時の電流密度対電
圧特性のSe膜厚依存性をを示すグラフである。 １…ガラス基板、２…透明導電層 ３…半導体薄膜 ４…金属ないし半導体の薄膜 ５…セレン結晶膜、６…裏面電極 7,8…外部導線 ９…モールド
構造を示す断面図、第２図はその製造工程を示す断面
図、第３図は本実施例のセレンフォトダイオードの短絡
光電流対照度特性を示すグラフ、第４図は本実施例フォ
トダイオードの分光感度特性を示すグラフ、第５図は本
実施例のフォトダイオードの光照射時の電流密度対電圧
特性を従来のセレンフォトダイオードの特性と比較して
示すグラフ、第６図は暗時の電流密度対電圧特性のTiO2
膜厚依存性を示すグラフ、第７図に暗時の電流密度対電
圧特性のSe膜厚依存性をを示すグラフである。 １…ガラス基板、２…透明導電層 ３…半導体薄膜 ４…金属ないし半導体の薄膜 ５…セレン結晶膜、６…裏面電極 7,8…外部導線 ９…モールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 国岡 昭夫 日野市百草971―264 (56)参考文献 特開 昭58−130578（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−12750（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】この順で積層された、透明材料からなる基
板と、透明導電層と、半導体薄膜と、セレン結晶膜と、
裏面電極とを備え、 一端が上記透明導電層に接続され、他端が外部に露出し
た第１の外部導線と、 一端が上記裏面電極に接続され、他端が外部に露出した
第２の外部導線と、 上記透明導電層の半導体薄膜側の面から上記裏面電極ま
でと、上記第１の外部導線の上記透明導電層に接続され
た端部と、上記第２の外部導線の上記裏面電極に接続さ
れた端部とを覆うモールド樹脂とを、さらに備え、 上記半導体薄膜は、チタン酸化物からなり、光導電性を
有すると共に、セレンに対しヘテロ接合を形成し、 上記セレン結晶膜は、厚さが１〜20μｍであることを特
徴とするセレンフォトダイオード。 - 【請求項２】少なくとも一方の面に透明導電層を有する
ガラス基板の該透明導電層上に、光導電性を有する半導
体薄膜であるチタン酸化物膜を形成する半導体薄膜形成
工程と、 上記半導体薄膜上に、テルルおよびセレン化テルルのう
ちの少なくともいずれか一方を堆積させるテルル堆積工
程と、 上記テルルまたはセレン化テルルの堆積層上に、セレン
の膜を形成するセレン膜形成工程と、 上記セレン膜上に裏面電極を形成する裏面電極形成工程
と、 加熱することにより、上記堆積層中のテルルを上記セレ
ンの膜中に拡散させつつ、上記セレン膜のセレンを結晶
化し、厚さ１〜20μｍのセレン結晶膜を形成するセレン
結晶膜形成工程と、 上記透明導電層の表裏両面のうち上記半導体膜の形成さ
れた側の面に、第１の外部導線を接続し、上記裏面電極
に、第２の外部導線を接続する外部導線接続工程と、 上記透明導電層の半導体膜側の面から、上記裏面電極ま
でと、上記第１の外部導線の上記透明導電層に接続され
た端部と、上記第２の外部導線の上記裏面電極に接続さ
れた端部とを覆うようにモールドする工程とを有するこ
とを特徴とするセレンフォトダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068078A JP2568998B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068078A JP2568998B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61226974A JPS61226974A (ja) | 1986-10-08 |
| JP2568998B2 true JP2568998B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=13363363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60068078A Expired - Lifetime JP2568998B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568998B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| JP6820163B2 (ja) * | 2016-07-06 | 2021-01-27 | 日本放送協会 | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法および固体撮像素子 |
| US10651408B2 (en) | 2017-02-14 | 2020-05-12 | International Business Machines Corporation | Selenium-fullerene heterojunction solar cell |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812750A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | 松下電工株式会社 | 積層板の製造法 |
| JPS58130578A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Akio Kunioka | セレン光電池 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP60068078A patent/JP2568998B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61226974A (ja) | 1986-10-08 |
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