JPS61226974A - セレンフオトダイオ−ド - Google Patents
セレンフオトダイオ−ドInfo
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- JPS61226974A JPS61226974A JP60068078A JP6807885A JPS61226974A JP S61226974 A JPS61226974 A JP S61226974A JP 60068078 A JP60068078 A JP 60068078A JP 6807885 A JP6807885 A JP 6807885A JP S61226974 A JPS61226974 A JP S61226974A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、セレンを母材料としたセレンフォトダイオー
ドに関する。
ドに関する。
［従来の技術］
可視光用受光素子には、現在、単結晶Ｓｉや、アモルフ
ァスＳｉを母材としたＳｉ系フォトダイオードが主流を
占めている。しかしながら、これらの素子にも、その用
途によっては、問題となる点が少なからずある。例えば
、両者共、短波長域における感度が十分でなく、さらに
、後者では、低開度域（＜１０＝ １ｕｘ）において、
照度に対する光電流の直線性に難があること等がその一
例である。
ァスＳｉを母材としたＳｉ系フォトダイオードが主流を
占めている。しかしながら、これらの素子にも、その用
途によっては、問題となる点が少なからずある。例えば
、両者共、短波長域における感度が十分でなく、さらに
、後者では、低開度域（＜１０＝ １ｕｘ）において、
照度に対する光電流の直線性に難があること等がその一
例である。
一方、Ｓｉ以外の光センサ材料として古くから知られて
いるものにＳｉｅがある。とりわけ、ＧｄＯ／Ｓｅ光電
池は、そのスペクトル感度が視感度に近いことから、照
度計等に広く利用されていた。しかし、照度に対する光
電流の非直線性や光応答速度が遅いなどの欠点があるた
め、現在では、その応用範囲は限られている。
いるものにＳｉｅがある。とりわけ、ＧｄＯ／Ｓｅ光電
池は、そのスペクトル感度が視感度に近いことから、照
度計等に広く利用されていた。しかし、照度に対する光
電流の非直線性や光応答速度が遅いなどの欠点があるた
め、現在では、その応用範囲は限られている。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、上記の問題点は、Ｓｅ自体にあるのではなく
、ＧｄＯ／Ｓｅ接合に起因する面が多い。また、Ｓｅは
、安価であることの外、プロセス温度が低い（＜ ２０
０℃）素子製造工程が簡単なと、製造面から有利な点も
多い。
、ＧｄＯ／Ｓｅ接合に起因する面が多い。また、Ｓｅは
、安価であることの外、プロセス温度が低い（＜ ２０
０℃）素子製造工程が簡単なと、製造面から有利な点も
多い。
そこで、本出願人の一人は、上記欠点を改善し、利点を
活かすべく、Ｓｓを母材とした新構造の素子を提案した
（特開昭５８−１３０５７８号）。
活かすべく、Ｓｓを母材とした新構造の素子を提案した
（特開昭５８−１３０５７８号）。
この素子は、光入射する透明材料の基板と、該基板」二
に形成された透明導電層と、該透明導電層上に形成され
た金属または半導体薄膜と、該金属または半導体薄膜」
−に形成されたセレン結晶膜と、該セレン結晶膜」−に
形成された高仕事関数金属と、前記透明導電層と前記高
仕事関数金属とにそれぞれ設けられた外部導線対とを備
えて構成される。
に形成された透明導電層と、該透明導電層上に形成され
た金属または半導体薄膜と、該金属または半導体薄膜」
−に形成されたセレン結晶膜と、該セレン結晶膜」−に
形成された高仕事関数金属と、前記透明導電層と前記高
仕事関数金属とにそれぞれ設けられた外部導線対とを備
えて構成される。
この素子によれば、高照度域における光電流の直線性、
および、応答時間は、Ｓｉフォトダイオードと同等に改
善されている。
および、応答時間は、Ｓｉフォトダイオードと同等に改
善されている。
しかし、この素子は、暗電流を十分低く抑えることがで
きず、低照度域（＜１ｌｕｘ）における光電流の直線性
、即ち、微弱信号に対するＳＮ比が悪いという問題があ
った。そのため、Ｓｉ系のフォトダイオードに完全に対
応しきれてはいなかった。また、出力光電流、電圧もあ
まり大きくなかったゆ 本発明は、１−記問題点を解決すべくなされたもので、
暗電流を大幅に減少でき、また、低照度域での光電流の
直線性を改善したＳＮ比の優れたセレンフォトダイオー
ドを提供することを目的とする。
きず、低照度域（＜１ｌｕｘ）における光電流の直線性
、即ち、微弱信号に対するＳＮ比が悪いという問題があ
った。そのため、Ｓｉ系のフォトダイオードに完全に対
応しきれてはいなかった。また、出力光電流、電圧もあ
まり大きくなかったゆ 本発明は、１−記問題点を解決すべくなされたもので、
暗電流を大幅に減少でき、また、低照度域での光電流の
直線性を改善したＳＮ比の優れたセレンフォトダイオー
ドを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、透明材料からなる基板と、母材料としてセレ
ンを使用するセレンフォトダイオードに適用され、その
問題点解決手段として、次の構成要件を備えることを特
徴とする。
ンを使用するセレンフォトダイオードに適用され、その
問題点解決手段として、次の構成要件を備えることを特
徴とする。
第１に、透明導電層と、著しい光導電性を有しすると共
にセレンに対しへテロ接合を形成する半導体薄膜と、セ
レン結晶膜と、裏面電極とを上記透明基板上に順次積層
して設ける。
にセレンに対しへテロ接合を形成する半導体薄膜と、セ
レン結晶膜と、裏面電極とを上記透明基板上に順次積層
して設ける。
第２に、」二足セレン結晶膜の厚さを １〜２０ＪＬｍ
とする。
とする。
」−記構成要件について、さらに詳細に説明する。
第１の構成要件において、透明導電層は、導電性に優れ
、かつ、透光性の有る材料を用いる。この種の物質とし
ては、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎｏｗｉｄ
ｅ）が知られている。このＩＴＯは、通常、ガラス基板
−１−に形成され、ＩＴＯガラスとして知られている。
、かつ、透光性の有る材料を用いる。この種の物質とし
ては、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎｏｗｉｄ
ｅ）が知られている。このＩＴＯは、通常、ガラス基板
−１−に形成され、ＩＴＯガラスとして知られている。
この他の例としては、酸化スズや、Ｔｉ等の金属ｖｊｖ
などが挙げられる。
などが挙げられる。
また、第２の構成要件において、」二足半導体薄膜は、
Ｎ型の伝導型を示す半導体を使用する。この例としては
、Ｎ型の半導体であるＴｉＯ２を代表とするチタン酸化
物がある。このチタン酸化物は、例えば、高周波スパッ
タリング等の手段で被着形成される。
Ｎ型の伝導型を示す半導体を使用する。この例としては
、Ｎ型の半導体であるＴｉＯ２を代表とするチタン酸化
物がある。このチタン酸化物は、例えば、高周波スパッ
タリング等の手段で被着形成される。
」−記セレン結晶膜は、セレンな真空蒸着等の手段によ
りアモルファス状に被着形成し、そのセレン層を熱処理
することにより、結晶化して形成される。その膜厚は、
第２の構成要件に示すように、 １〜２０ＩＬ１１とす
る。
りアモルファス状に被着形成し、そのセレン層を熱処理
することにより、結晶化して形成される。その膜厚は、
第２の構成要件に示すように、 １〜２０ＩＬ１１とす
る。
［作用］
−Ｉ−記構成において、透明導電層は、電極としての作
用を有する。また、透明であるので、光をペテロ接合ま
で確実に入射させる作用がある。
用を有する。また、透明であるので、光をペテロ接合ま
で確実に入射させる作用がある。
半導体薄膜は、セレン結晶膜と接してペテロ接合を形成
し、光起電力作用を生じさせる。また、本発明で使用す
る半導体薄膜は、暗時には高抵抗であり、高照度下では
低抵抗となる。即ち、著しい光導電性を有するため、暗
電流を低減するよう作用する。
し、光起電力作用を生じさせる。また、本発明で使用す
る半導体薄膜は、暗時には高抵抗であり、高照度下では
低抵抗となる。即ち、著しい光導電性を有するため、暗
電流を低減するよう作用する。
゛セレン結晶膜は、 １〜２０ｐＬｆｆｌとすることに
より、ピンホールの発生を抑え、リーク電流を減少させ
る。この目的のためには、膜厚をより厚くすることが望
ましいが、直列抵抗が増大して、出力光電流が減少する
ので、」二足範囲に留める。
より、ピンホールの発生を抑え、リーク電流を減少させ
る。この目的のためには、膜厚をより厚くすることが望
ましいが、直列抵抗が増大して、出力光電流が減少する
ので、」二足範囲に留める。
本発明は、上記各作用により、暗電流を大幅に減少でき
、また、低照度域での光電流の直線性を改善できて、Ｓ
Ｎ比を向」ニジたセレンフォトダイオードを実現できる
。
、また、低照度域での光電流の直線性を改善できて、Ｓ
Ｎ比を向」ニジたセレンフォトダイオードを実現できる
。
［実施例］
本発明の実施例について図面を参照して説明する。
〈実施例の構成〉
第１図に本発明のセレンフォトダイオードの一実施例の
構造を示し、第２図にその製造工程を示す。
構造を示し、第２図にその製造工程を示す。
同ＩＮにおいて、実施例のセレンフォトダイオードは、
ガラス基板ｌの」−に、透明導電層２と、半導体薄膜３
と、セレン結晶膜５と、裏面電極６とを順次積層して設
け、透明導電層２と裏面電極６とに各々外部導線７．８
を接続し、かつ、背面側をモールド９でＳＩ ＩＩ−し
てｍ成される。
ガラス基板ｌの」−に、透明導電層２と、半導体薄膜３
と、セレン結晶膜５と、裏面電極６とを順次積層して設
け、透明導電層２と裏面電極６とに各々外部導線７．８
を接続し、かつ、背面側をモールド９でＳＩ ＩＩ−し
てｍ成される。
に記透明導電層２としては、本実施例では、上述したＩ
ＴＯを使用する。なお、このＩＴＯは、ＩＴＯガラス基
板として市販されている。本実施例では、シート抵抗ｌ
ＯΩ、光透過率８３％のＩＴＯガラス基板を使用してい
る。
ＴＯを使用する。なお、このＩＴＯは、ＩＴＯガラス基
板として市販されている。本実施例では、シート抵抗ｌ
ＯΩ、光透過率８３％のＩＴＯガラス基板を使用してい
る。
半導体薄膜３は、チタン酸化物であるＴｉＯ２を被着し
て形成される。そのＩ膜厚は、適宜設定し得る゛が、本
実施例では、約５０ｎｍ程度である。なお、本実施例に
おけるＴｉｆｈ膜は、光透過率〉８０％、暗抵抗率〜１
０８Ωｃ１１、および、疑似太陽光１００ｍＷ／ｃｍ２
下でｔｏｎΩＣ１１であり、著しい光導電性を有する。
て形成される。そのＩ膜厚は、適宜設定し得る゛が、本
実施例では、約５０ｎｍ程度である。なお、本実施例に
おけるＴｉｆｈ膜は、光透過率〉８０％、暗抵抗率〜１
０８Ωｃ１１、および、疑似太陽光１００ｍＷ／ｃｍ２
下でｔｏｎΩＣ１１であり、著しい光導電性を有する。
セレン結晶膜５は、セレンを １〜２０＃ＬＩＩ真空蒸
着したも真空熱処理して結晶化させて形成する。
着したも真空熱処理して結晶化させて形成する。
本実施例では、１０ｇｍの膜厚で被着しである。蒸着し
たセレンは、９９．９９９％の高純度のものを使用した
。
たセレンは、９９．９９９％の高純度のものを使用した
。
裏面電極６は、セレンとオーミック接触して電極を構成
するもので、本実施例では、Ａｕを真空蒸着して形成し
である。
するもので、本実施例では、Ａｕを真空蒸着して形成し
である。
外部導線７．８は、適当な導線がらなり、導電塗料等で
接続しである。そして、モールド９は、エポキシ樹脂等
を使用し、上記各層２〜６および外部導線７，８を保護
すべく、基板１の裏面側に塗着される。
接続しである。そして、モールド９は、エポキシ樹脂等
を使用し、上記各層２〜６および外部導線７，８を保護
すべく、基板１の裏面側に塗着される。
次に、本実施例のセレンフォトダイオードの製造工程に
ついて、第２図に示す工程図を参照して説明する。
ついて、第２図に示す工程図を参照して説明する。
■基板洗浄工程
透明導電層２としてＩＴＯ膜を被着したＩＴＯガラス基
板ｌを、イソプロピルアルコール中で１０分間ずつ２回
超音波洗浄。
板ｌを、イソプロピルアルコール中で１０分間ずつ２回
超音波洗浄。
■Ｔｉ（ｈスパツタ工程
Ａｒ、０２１対ｌの雰囲気中で、高周波スパッタ法によ
り、半導体薄膜３としてＴ １０２ＦｆＪを５０ｎｍ程
度堆積。この時の基板温度は、２００〜３００℃である
。
り、半導体薄膜３としてＴ １０２ＦｆＪを５０ｎｍ程
度堆積。この時の基板温度は、２００〜３００℃である
。
■Ｔｅ蒸着工程
」−記半導体薄膜３上に、セレン層を形成するに先立ち
、金属ないし半導体の薄膜４を被着形成する。この金属
ないし半導体の薄膜４は、例えば、Ｔｅ、 ５ｅＴｅ等
を真空蒸着して形成する。その膜厚は、極めて薄くてよ
く、セレン結晶Ｈ３の厚さの約０．０５％程度とする。
、金属ないし半導体の薄膜４を被着形成する。この金属
ないし半導体の薄膜４は、例えば、Ｔｅ、 ５ｅＴｅ等
を真空蒸着して形成する。その膜厚は、極めて薄くてよ
く、セレン結晶Ｈ３の厚さの約０．０５％程度とする。
本実施例では、真空蒸着によりＴｅを約２ｎｍはと堆積
する。
する。
■Ｓｅ蒸着工程
真空蒸着により、セレン結晶Ｍ５となるＳｅを約１０ｗ
ｍはど形成。
ｍはど形成。
■Ａｕ蒸着工程
裏面電極６として高仕事関数金属のＡｕを蒸着。
■熱処理工程
加熱された金属板」−に試料を載置し、 １８０〜１９
０℃、２分間加熱して、Ｓｓを結晶化し、セレン結晶膜
５を形成。同時に、この工程において、上記Ｔｅ蒸着工
程で堆積されたＴｅは、Ｓｅに拡散し、その堆積層消滅
する。
０℃、２分間加熱して、Ｓｓを結晶化し、セレン結晶膜
５を形成。同時に、この工程において、上記Ｔｅ蒸着工
程で堆積されたＴｅは、Ｓｅに拡散し、その堆積層消滅
する。
なお、拡散したＴｅは、Ｓｅの結晶化を促進すると共に
、Ｓｅの剥離を防止するよう作用する。
、Ｓｅの剥離を防止するよう作用する。
■外部導線取付工程
銀ペーストを用いて、外部導線７，８を透明導電層２の
ＩＴＯ膜および裏面電極６のＡｕ膜に各々固着接続。
ＩＴＯ膜および裏面電極６のＡｕ膜に各々固着接続。
■モールド工程
エポキシ系樹脂接着剤で、試料の裏面側のモールド９を
形成。
形成。
〈実施例の作用〉
上述したように構成されたセレンフォトダイオードの作
用について、第３図〜第７図を参照して説明する。なお
１本フォトダイオードの有効受光面積は、１００ｍｍ２
である。
用について、第３図〜第７図を参照して説明する。なお
１本フォトダイオードの有効受光面積は、１００ｍｍ２
である。
第３図に本実施例のセレンフォトダイオードのＡ光源に
おける短絡光電流対照度特性を示す。同図のグラフにお
いて明らかなように、短絡光電流対照度特性が低照度（
〜１Ｏ−３１ｕｘ）から高照度まで直線的に変化する。
おける短絡光電流対照度特性を示す。同図のグラフにお
いて明らかなように、短絡光電流対照度特性が低照度（
〜１Ｏ−３１ｕｘ）から高照度まで直線的に変化する。
従って、光センサとして優れていることが分かる。
第４図に本実施例フォトダイオードの分光感度特性を示
す。同図において、Ｔｊ０２／Ｓｅは本実施例のセレン
フォトダイオード、ＧｄＯ／Ｓｅは従来のセレン光電池
、Ａ−３ｉは従来のアモルファスＳｉフォトダイオード
、および、Ｃ−３ｉは従来の単結晶Ｓｉフォトダイ−オ
ードの分光感度特性を各々示す。同図に示すように、本
実施例〒は、これら従来のフォトダイ−オードと異なり
、 ３００ｎｍ近傍の短波長側にまで感度を有し、かつ
、 ７００ｎｍ以上の長波長側には感度を有しない。従
って、カラーセンサとして、また、カメラ用露出計等の
可視光センサとして好適である。
す。同図において、Ｔｊ０２／Ｓｅは本実施例のセレン
フォトダイオード、ＧｄＯ／Ｓｅは従来のセレン光電池
、Ａ−３ｉは従来のアモルファスＳｉフォトダイオード
、および、Ｃ−３ｉは従来の単結晶Ｓｉフォトダイ−オ
ードの分光感度特性を各々示す。同図に示すように、本
実施例〒は、これら従来のフォトダイ−オードと異なり
、 ３００ｎｍ近傍の短波長側にまで感度を有し、かつ
、 ７００ｎｍ以上の長波長側には感度を有しない。従
って、カラーセンサとして、また、カメラ用露出計等の
可視光センサとして好適である。
第５図に本実施例のフォトダイオードの蛍光灯下（５０
Ｏｔｕｇ相当）における電流密度対電圧特性を従来のセ
レンフォトダイオードの特性と比較して示す。同図から
明らかなように、本実施例では、光電流、光電圧共増加
している。特に、光電圧の増大が著しい。従って、変換
効率が高く、感度の良いセンサを構成し得る。
Ｏｔｕｇ相当）における電流密度対電圧特性を従来のセ
レンフォトダイオードの特性と比較して示す。同図から
明らかなように、本実施例では、光電流、光電圧共増加
している。特に、光電圧の増大が著しい。従って、変換
効率が高く、感度の良いセンサを構成し得る。
第６図に暗時の電流密度対電圧特性のＴ ｉ０２膜厚依
存性（ただし、Ｓｅ膜厚２．７４ｍで一定）を、また、
第７図に暗時の電流密度対電圧特性のＳｅｌり厚依存性
（ただし、ＴｉＯ２膜厚５８ｎｍで一定）を各々示す。
存性（ただし、Ｓｅ膜厚２．７４ｍで一定）を、また、
第７図に暗時の電流密度対電圧特性のＳｅｌり厚依存性
（ただし、ＴｉＯ２膜厚５８ｎｍで一定）を各々示す。
これらの図は、各々当該膜厚のみ変えた同一形状、同一
寸法の試料について計測したものである。これらの図か
ら明らかなように、本実施例では、ＴｉＯ２を被着し、
かつ、Ｓｅの膜厚を ｌｐｍ以上被着することにより、
暗電流が１桁程度減少している。
寸法の試料について計測したものである。これらの図か
ら明らかなように、本実施例では、ＴｉＯ２を被着し、
かつ、Ｓｅの膜厚を ｌｐｍ以上被着することにより、
暗電流が１桁程度減少している。
なお、Ｓｅ膜厚は、２０ｐｍ以上としても、暗電流低減
の効果はそれほど増大せず、かえって、直列抵抗が犬き
くなり、光電流出力に対して無視できない大きさとなる
ので、２０ＪＬｍまでとする。
の効果はそれほど増大せず、かえって、直列抵抗が犬き
くなり、光電流出力に対して無視できない大きさとなる
ので、２０ＪＬｍまでとする。
〈実施例の変形〉
上記実施例の各部の構成に使用した材料は、セレンな除
き、−例を示したに過ぎない。他の材料を使用し得るこ
とはいうまでもない。
き、−例を示したに過ぎない。他の材料を使用し得るこ
とはいうまでもない。
例えば、」二足実施例では、半導体＠膜３としてＴｉ０
２ＪＩｆｆを使用しているが、これに限らず、他のチタ
ン酸化物、或は、その他の金属酸化物等の半導体を使用
できる。
２ＪＩｆｆを使用しているが、これに限らず、他のチタ
ン酸化物、或は、その他の金属酸化物等の半導体を使用
できる。
また、上記実施例では、裏面電極としてＡｕを使用して
いるが、他の金属であってもよい。
いるが、他の金属であってもよい。
［発明の効果］
本発明は、暗電流を大幅に減少でき、また、低照度域で
の光電流の直線性を改善した、ＳＮ比の優れたフォトダ
イオードを実現できる効果がある。
の光電流の直線性を改善した、ＳＮ比の優れたフォトダ
イオードを実現できる効果がある。
また、本発明は、短波長域（〜４００ｎｍ）においても
高感度であり、従来のフォトダイオードでは、十分対応
できなかった用途１例えば、カラーセンサ（特に青につ
いて精度よく検出できるもの）等への応用に対し好適で
ある。
高感度であり、従来のフォトダイオードでは、十分対応
できなかった用途１例えば、カラーセンサ（特に青につ
いて精度よく検出できるもの）等への応用に対し好適で
ある。
第１図は本発明のセレンフォトダイオードの一実施例の
構造を示す断面図、第２図はその製造工程を示す断面図
、第３図は本実施例のセレンフォトダイオードの短絡光
電流対照度特性を示すグラフ、第４図は本実施例フォト
ダイオードの分光感度特性を示すグラフ、第５図は本実
施例のフォトダイオードの光照射時の電流密度対電圧特
性を従来のセレンフォトダイオードの特性と比較して示
すグラフ、第６図は暗時の電流密度対電圧特性のＴｉＯ
２膜厚依存性を示すグラフ、第７図に暗時の電流密度対
電圧特性のＳｅ膜厚依存性をを示すグラフである。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明導電層３・・・
半導体薄膜 ４・・・金属ないし半導体の薄膜 ５・・・セレン結晶膜 ６・・・裏面電極７．８・・
・外部導線 ９・・・モールド
構造を示す断面図、第２図はその製造工程を示す断面図
、第３図は本実施例のセレンフォトダイオードの短絡光
電流対照度特性を示すグラフ、第４図は本実施例フォト
ダイオードの分光感度特性を示すグラフ、第５図は本実
施例のフォトダイオードの光照射時の電流密度対電圧特
性を従来のセレンフォトダイオードの特性と比較して示
すグラフ、第６図は暗時の電流密度対電圧特性のＴｉＯ
２膜厚依存性を示すグラフ、第７図に暗時の電流密度対
電圧特性のＳｅ膜厚依存性をを示すグラフである。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明導電層３・・・
半導体薄膜 ４・・・金属ないし半導体の薄膜 ５・・・セレン結晶膜 ６・・・裏面電極７．８・・
・外部導線 ９・・・モールド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明材料からなる基板と、母材料としてセレンを使用す
るセレンフォトダイオードにおいて、透明導電層と、著
しい光導電性を有すると共にセレンに対しヘテロ接合を
形成する半導体薄膜と、セレン結晶膜と、裏面電極とを
上記透明基板上に順次積層して設け、 かつ、上記セレン結晶膜の厚さを１〜２０μｍとするこ
とを特徴とするセレンフォトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068078A JP2568998B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068078A JP2568998B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61226974A true JPS61226974A (ja) | 1986-10-08 |
| JP2568998B2 JP2568998B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=13363363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60068078A Expired - Lifetime JP2568998B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セレンフォトダイオ−ド、およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568998B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| JP2018006656A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 日本放送協会 | 光電変換膜、光電変換膜の製造方法、光電変換素子、固体撮像素子 |
| US10651408B2 (en) * | 2017-02-14 | 2020-05-12 | International Business Machines Corporation | Selenium-fullerene heterojunction solar cell |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812750A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | 松下電工株式会社 | 積層板の製造法 |
| JPS58130578A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Akio Kunioka | セレン光電池 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP60068078A patent/JP2568998B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812750A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | 松下電工株式会社 | 積層板の製造法 |
| JPS58130578A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Akio Kunioka | セレン光電池 |
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| US5869350A (en) * | 1991-02-27 | 1999-02-09 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of visible light emitting diodes soluble semiconducting polymers |
| US6534329B2 (en) | 1991-02-27 | 2003-03-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| US6878974B2 (en) | 1991-02-27 | 2005-04-12 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| JP2018006656A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 日本放送協会 | 光電変換膜、光電変換膜の製造方法、光電変換素子、固体撮像素子 |
| US10651408B2 (en) * | 2017-02-14 | 2020-05-12 | International Business Machines Corporation | Selenium-fullerene heterojunction solar cell |
| US11411191B2 (en) | 2017-02-14 | 2022-08-09 | International Business Machines Corporation | Selenium-fullerene heterojunction solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2568998B2 (ja) | 1997-01-08 |
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