JPS6216032B2 - - Google Patents
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- JPS6216032B2 JPS6216032B2 JP55087254A JP8725480A JPS6216032B2 JP S6216032 B2 JPS6216032 B2 JP S6216032B2 JP 55087254 A JP55087254 A JP 55087254A JP 8725480 A JP8725480 A JP 8725480A JP S6216032 B2 JPS6216032 B2 JP S6216032B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示電卓または電子時計など低
消費電力機器の電源などに用いられる光電池構体
の製造方法に関するものである。
消費電力機器の電源などに用いられる光電池構体
の製造方法に関するものである。
従来この種の用途にはシリコンの単結晶よりな
る太陽電池を複数個直列接続した光電池構体が用
いられていたが、高純度な単結晶を使用すること
と、複数個の不連続な層状光電池を積層する必要
があるために、必然的にコスト高となることか
ら、通常使用される電池と比較してそれほど魅力
的なものとはなり得ず、ほとんど普及していない
のが現状である。単結晶を使用することにより必
然的に生ずるコスト高の問題を解決するために、
多結晶の半導体膜を用いた光電池も開発されてい
る。その代表的なものとしてはセレン光電池と硫
化カドミウム光電池がある。セレン光電池は分光
感度特性が視感度に近く製造法も比較的簡単であ
るために古くからカメラの露出計などに用いられ
てきているので、これを電卓用の電源として用い
ることはもちろん可能である。しかしながら、変
換効率がシリコン光電池に比較してはるかに低い
ために、同一の出力を得るためには受光面積がシ
リコン光電池の２倍以上を要するという欠点があ
る。一方硫化カドミウム光電池はCdS−Cu2Sヘ
テロ接合の構成のものが主流であり、この場合、
CdS層は真空蒸着法によつて形成された多結晶膜
が主として用いられ、Cu2S層はCdS層の表面の
Cuイオンを含む水溶液中での置換反応によつて
形成され、その後これらを熱処理することによつ
てCdS−Cu2Sヘテロ接合を形成する方法が一般
的である。このようにして得られた硫化カドミウ
ム光電池は変換効率がシリコン光電池とセレン光
電池の中間ぐらいあるが、安定性がまだ悪く実用
化されていない。また電卓用として使用するため
には、普通3V程度の光起電圧が必要であるが、
単一のCdS−Cu2Sヘテロ接合素子では0.4V程度
の光起電圧しか発生できず、これを直列に８素子
程度接続する必要があり、上記のような製造方法
では、特定の場所にCu2S層を形成するためにホ
トリソ技術を必要とし、製造工程も複雑となり大
量生産が困難となる欠点を有している。
る太陽電池を複数個直列接続した光電池構体が用
いられていたが、高純度な単結晶を使用すること
と、複数個の不連続な層状光電池を積層する必要
があるために、必然的にコスト高となることか
ら、通常使用される電池と比較してそれほど魅力
的なものとはなり得ず、ほとんど普及していない
のが現状である。単結晶を使用することにより必
然的に生ずるコスト高の問題を解決するために、
多結晶の半導体膜を用いた光電池も開発されてい
る。その代表的なものとしてはセレン光電池と硫
化カドミウム光電池がある。セレン光電池は分光
感度特性が視感度に近く製造法も比較的簡単であ
るために古くからカメラの露出計などに用いられ
てきているので、これを電卓用の電源として用い
ることはもちろん可能である。しかしながら、変
換効率がシリコン光電池に比較してはるかに低い
ために、同一の出力を得るためには受光面積がシ
リコン光電池の２倍以上を要するという欠点があ
る。一方硫化カドミウム光電池はCdS−Cu2Sヘ
テロ接合の構成のものが主流であり、この場合、
CdS層は真空蒸着法によつて形成された多結晶膜
が主として用いられ、Cu2S層はCdS層の表面の
Cuイオンを含む水溶液中での置換反応によつて
形成され、その後これらを熱処理することによつ
てCdS−Cu2Sヘテロ接合を形成する方法が一般
的である。このようにして得られた硫化カドミウ
ム光電池は変換効率がシリコン光電池とセレン光
電池の中間ぐらいあるが、安定性がまだ悪く実用
化されていない。また電卓用として使用するため
には、普通3V程度の光起電圧が必要であるが、
単一のCdS−Cu2Sヘテロ接合素子では0.4V程度
の光起電圧しか発生できず、これを直列に８素子
程度接続する必要があり、上記のような製造方法
では、特定の場所にCu2S層を形成するためにホ
トリソ技術を必要とし、製造工程も複雑となり大
量生産が困難となる欠点を有している。
本発明はこのような従来の欠点を改良するため
になされたもので、光電変換効率を何ら低下させ
ることなく量産が容易な光電池構体およびその製
造方法を提供するものである。
になされたもので、光電変換効率を何ら低下させ
ることなく量産が容易な光電池構体およびその製
造方法を提供するものである。
以下本発明を図面を参照しつつ実施例に基いて
説明する。
説明する。
第１図ａ〜ｅは本発明の光電池構体の製造方法
の一実施例を説明するための断面工程図である。
まず、透明ガラス基板１に複数個に分割された
CdS膜２を形成する（第１図ａ）。
の一実施例を説明するための断面工程図である。
まず、透明ガラス基板１に複数個に分割された
CdS膜２を形成する（第１図ａ）。
本実施例ではこのCdS膜を形成する方法として
スクリーン印刷、焼結法が選ばれる。この方法は
厚膜回路の製造方法と同一であり、連続自動化で
きるので量産性が良く、低コスト化が容易である
という利点を有している。
スクリーン印刷、焼結法が選ばれる。この方法は
厚膜回路の製造方法と同一であり、連続自動化で
きるので量産性が良く、低コスト化が容易である
という利点を有している。
この方法でCdS膜を形成するには、まず高純度
のCdS粉末にドナー不純物として微量のGaCl2
を、融剤として適量のCdCl2を、また粘結剤とし
て適量のプロピレングリコールを加えたものを混
練してCdSペーストをつくり、これをスクリーン
印刷機でガラス基板上に複数個に分解されたCdS
膜を印刷し、120℃程度に加熱された真空乾燥機
中で粘結剤のプロピレングリコールを蒸発させた
後、ベルト炉で600〜700℃の温度で焼結する。こ
のようにして焼結したCdS膜はｎ型で比抵抗も十
分低く、透明度も良好であるので、次の工程で形
成するｐ型のCdTe膜との間にｐ−ｎヘテロ接合
を形成すると同時にガラス基板の裏面からの入射
光に対する透明電極としての役割りもはたしてい
る。
のCdS粉末にドナー不純物として微量のGaCl2
を、融剤として適量のCdCl2を、また粘結剤とし
て適量のプロピレングリコールを加えたものを混
練してCdSペーストをつくり、これをスクリーン
印刷機でガラス基板上に複数個に分解されたCdS
膜を印刷し、120℃程度に加熱された真空乾燥機
中で粘結剤のプロピレングリコールを蒸発させた
後、ベルト炉で600〜700℃の温度で焼結する。こ
のようにして焼結したCdS膜はｎ型で比抵抗も十
分低く、透明度も良好であるので、次の工程で形
成するｐ型のCdTe膜との間にｐ−ｎヘテロ接合
を形成すると同時にガラス基板の裏面からの入射
光に対する透明電極としての役割りもはたしてい
る。
次に第１図ａに示す工程で得られたCdS膜２の
上に重ねて、複数個に分割されたCdTe膜３を形
成する（第１図ｂ）。このCdTe膜３は分割され
たCdS膜２のそれぞれの特定の一方の端部を少し
残し、他方の端部を完全に覆うように少しずらし
て重ね合わせる。このCdS膜２の露出している端
部の幅は次の工程で形成されるCdTe膜３上のカ
ーボン電極４と隣接したCdS膜２の露出部とを電
気的に相互接続を行う電極の端部が、この隣接し
たCdS膜２上のCdTe膜３の端部に接触しないよ
うな幅に設定すれば良い。このCdTe膜３を形成
する方法も、CdS膜２と同じようにスクリーン印
刷、焼結法を用いる。CdTeペーストは高純度の
CdTe粉末に融剤としてCdCl2粉末を適量加え、
これに粘結剤としてプロピレングリコールを適量
加えて混練して調製する。このペーストをスクリ
ーン印刷ならびに焼結されたCdS膜２の上に上記
のように少しずらして重ねてスクリーン印刷した
後、CdS膜の場合と同じようにベルト炉中で600
〜750℃の温度で焼結してCdTe膜３を形成す
る。
上に重ねて、複数個に分割されたCdTe膜３を形
成する（第１図ｂ）。このCdTe膜３は分割され
たCdS膜２のそれぞれの特定の一方の端部を少し
残し、他方の端部を完全に覆うように少しずらし
て重ね合わせる。このCdS膜２の露出している端
部の幅は次の工程で形成されるCdTe膜３上のカ
ーボン電極４と隣接したCdS膜２の露出部とを電
気的に相互接続を行う電極の端部が、この隣接し
たCdS膜２上のCdTe膜３の端部に接触しないよ
うな幅に設定すれば良い。このCdTe膜３を形成
する方法も、CdS膜２と同じようにスクリーン印
刷、焼結法を用いる。CdTeペーストは高純度の
CdTe粉末に融剤としてCdCl2粉末を適量加え、
これに粘結剤としてプロピレングリコールを適量
加えて混練して調製する。このペーストをスクリ
ーン印刷ならびに焼結されたCdS膜２の上に上記
のように少しずらして重ねてスクリーン印刷した
後、CdS膜の場合と同じようにベルト炉中で600
〜750℃の温度で焼結してCdTe膜３を形成す
る。
このようにして焼結したCdTe膜３はアクセプ
タ不純物を添加しなくても弱いｐ型となるが、そ
の比抵抗は焼結条件によつて相当変化する。一般
に焼結温度が高いほど比抵抗は小さくなる傾向に
ある。これはCdTeの焼結の過程で、Cdおよび
Teが蒸発するが、Cdの方が蒸気圧が高いために
焼結されたCdTe膜はTe過剰となり弱いｐ型にな
るが、焼結温度によつてその程度が異なるためと
考えられるCdTe膜の性質およびCdS膜との接合
のでき具合はCdTe膜の焼結温度によつても変る
が、CdS膜の焼結温度、融剤の添加量および
CdTe膜中への融剤の添加量によつても変化す
る。CdTeを焼結する際にすでに焼結されている
CdS膜と重つた界面ではCdTe中の融剤によつて
CdS焼結層の一部が再溶解されて、界面にCdSと
CdTeの固溶体層が生ずる。この固溶体層の厚さ
はCdTeに添加する融剤の量が多いほど、また
CdTeの焼結温度が高いほど厚くなる。この固溶
体層が厚くなると、CdS膜を透過した光のうちで
短波長側の一部の光がこの固溶体層に吸収されて
CdTe層に到達しなくなるために、光電池の分光
感度特性の短波長側の感度が悪くなり、その光電
池を電卓用の電源として使用する場合、比較的短
波長光の多い螢光灯などの室内光に対する感度が
悪くなるので、この固溶体層の厚みはできるだけ
薄くするのが望ましい。
タ不純物を添加しなくても弱いｐ型となるが、そ
の比抵抗は焼結条件によつて相当変化する。一般
に焼結温度が高いほど比抵抗は小さくなる傾向に
ある。これはCdTeの焼結の過程で、Cdおよび
Teが蒸発するが、Cdの方が蒸気圧が高いために
焼結されたCdTe膜はTe過剰となり弱いｐ型にな
るが、焼結温度によつてその程度が異なるためと
考えられるCdTe膜の性質およびCdS膜との接合
のでき具合はCdTe膜の焼結温度によつても変る
が、CdS膜の焼結温度、融剤の添加量および
CdTe膜中への融剤の添加量によつても変化す
る。CdTeを焼結する際にすでに焼結されている
CdS膜と重つた界面ではCdTe中の融剤によつて
CdS焼結層の一部が再溶解されて、界面にCdSと
CdTeの固溶体層が生ずる。この固溶体層の厚さ
はCdTeに添加する融剤の量が多いほど、また
CdTeの焼結温度が高いほど厚くなる。この固溶
体層が厚くなると、CdS膜を透過した光のうちで
短波長側の一部の光がこの固溶体層に吸収されて
CdTe層に到達しなくなるために、光電池の分光
感度特性の短波長側の感度が悪くなり、その光電
池を電卓用の電源として使用する場合、比較的短
波長光の多い螢光灯などの室内光に対する感度が
悪くなるので、この固溶体層の厚みはできるだけ
薄くするのが望ましい。
次に、第１図ｂに示す工程で得られたCdTe膜
３上にCdTe用の電極４を形成する。CdTe用の
電極４としては、安定性がよく、スクリーン印刷
で形成できるカーボンを主成分とする電極を用い
る。このような電極を得る際には、カーボンペー
スト中にはCdTeに対してアクセプタとして働く
微量の不純物を添加しておき、分割されたCdTe
膜３上にその下のCdS膜２と接触しないように
CdTe膜３の面積より少し小さな面積になるよう
にスクリーン印刷し、乾燥した後、ベルト炉中で
200〜400℃の温度の不活性ガス雰囲気中で熱処理
して、カーボン中の微量のアクセプタ不純物を弱
いｐ型のCdTe膜３中にドープすることによつ
て、CdTe膜３のｐ型を強くして、光電池として
の特性を向上させる。このカーボン電極４とCdS
膜２との間にサンドイツチ状にはさまれた部分の
CdTe膜３の面積が光電池素子の有効受光面積に
相当するので、カーボン電極４の面積はCdTe膜
３からはみ出さない範囲でできるだけ大きくする
ことが望ましい。
３上にCdTe用の電極４を形成する。CdTe用の
電極４としては、安定性がよく、スクリーン印刷
で形成できるカーボンを主成分とする電極を用い
る。このような電極を得る際には、カーボンペー
スト中にはCdTeに対してアクセプタとして働く
微量の不純物を添加しておき、分割されたCdTe
膜３上にその下のCdS膜２と接触しないように
CdTe膜３の面積より少し小さな面積になるよう
にスクリーン印刷し、乾燥した後、ベルト炉中で
200〜400℃の温度の不活性ガス雰囲気中で熱処理
して、カーボン中の微量のアクセプタ不純物を弱
いｐ型のCdTe膜３中にドープすることによつ
て、CdTe膜３のｐ型を強くして、光電池として
の特性を向上させる。このカーボン電極４とCdS
膜２との間にサンドイツチ状にはさまれた部分の
CdTe膜３の面積が光電池素子の有効受光面積に
相当するので、カーボン電極４の面積はCdTe膜
３からはみ出さない範囲でできるだけ大きくする
ことが望ましい。
第１図ｃの工程で複数の光電池素子が同一基板
上に形成されるのであつて、その後、同一基板上
に形成した複数個の独立した光電池素子を電極５
によつて電気的に直列に相互接続する（第１図
ｄ）。この電極５は隣接した素子のカーボン電極
４とCdS膜２の露出部とを電気的に接続するため
のものであるから、カーボン電極４およびCdS膜
２のいずれに対してもオーミツクな接触をする必
要がある。CdS膜２に対するオーミツク電極とし
てはInが最もよく用いられるが、In−Ga合金、In
−Sn合金なども適している。これらの金属電極
を形成する方法としては、真空蒸着が一般的に用
いられているが、製造工程を一貫して連続自動化
するためには、スクリーン印刷で形成するのが望
ましい。ところで、銀ペーストの中にはスクリー
ン印刷できるものもあるが、CdS膜２とオーミツ
ク接触をしない。しかしながら、銀ペーストの中
に少量のIn粉末を添加したものを印刷してInの融
点以上の温度で加熱するとCdSに対してオーミツ
ク接触をする電極が得られるので、この方法を用
いれば、すべての工程をスクリーン印刷、焼結ま
たは熱処理によつて行うことができる。
上に形成されるのであつて、その後、同一基板上
に形成した複数個の独立した光電池素子を電極５
によつて電気的に直列に相互接続する（第１図
ｄ）。この電極５は隣接した素子のカーボン電極
４とCdS膜２の露出部とを電気的に接続するため
のものであるから、カーボン電極４およびCdS膜
２のいずれに対してもオーミツクな接触をする必
要がある。CdS膜２に対するオーミツク電極とし
てはInが最もよく用いられるが、In−Ga合金、In
−Sn合金なども適している。これらの金属電極
を形成する方法としては、真空蒸着が一般的に用
いられているが、製造工程を一貫して連続自動化
するためには、スクリーン印刷で形成するのが望
ましい。ところで、銀ペーストの中にはスクリー
ン印刷できるものもあるが、CdS膜２とオーミツ
ク接触をしない。しかしながら、銀ペーストの中
に少量のIn粉末を添加したものを印刷してInの融
点以上の温度で加熱するとCdSに対してオーミツ
ク接触をする電極が得られるので、この方法を用
いれば、すべての工程をスクリーン印刷、焼結ま
たは熱処理によつて行うことができる。
その後、複数の光電池素子の表面上にこれを保
護するための樹脂層６をコーテイングする（第１
図ｅ）。電卓用電源として用いる場合には使用環
境があまり厳しくないので、シリコーン系の樹脂
をスプレーコーテイングまたはデイツプコーテイ
ングする程度で十分使用に耐えるものが得られ
る。
護するための樹脂層６をコーテイングする（第１
図ｅ）。電卓用電源として用いる場合には使用環
境があまり厳しくないので、シリコーン系の樹脂
をスプレーコーテイングまたはデイツプコーテイ
ングする程度で十分使用に耐えるものが得られ
る。
第２図は本発明の光電池構体の一実施例の部分
平面図である。すなわち、ガラス基板１上にCdS
膜２、CdTe膜３が積層形成され、さらにCdTe
膜３上にカーボン電極４が形成されて複数の光電
池素子が形成され、各光電池素子は電極５により
直列接続されている。直列接続用電極５はカーボ
ン電極４の比抵抗が大きい場合には、カーボン電
極４と重なる部分の面積を広くする方がよい。し
かしAgペーストにInを添加した電極をスクリー
ン印刷で形成する場合には、高価なAgの使用を
少なくするためにカーボン電極４上に全面つける
かわりに格子状につけてもよい。また第２図では
CdTe膜３の上下の端面がCdS膜２の内側にきて
いるが、これはCdS膜２の外側にまで拡大しても
よい。もちろんカーボン電極４の上下の端面もこ
れと同様に拡げることによつて有効受光面積を広
くすることができる。この光電池構体の出力の取
出しは第２図の構成のものでは左端の素子のカー
ボン電極４からプラス側の電極を、右端の素子の
CdS膜２の露出部に接続されたオーミツク電極か
らマイナス側の電極を取り出せばよい。
平面図である。すなわち、ガラス基板１上にCdS
膜２、CdTe膜３が積層形成され、さらにCdTe
膜３上にカーボン電極４が形成されて複数の光電
池素子が形成され、各光電池素子は電極５により
直列接続されている。直列接続用電極５はカーボ
ン電極４の比抵抗が大きい場合には、カーボン電
極４と重なる部分の面積を広くする方がよい。し
かしAgペーストにInを添加した電極をスクリー
ン印刷で形成する場合には、高価なAgの使用を
少なくするためにカーボン電極４上に全面つける
かわりに格子状につけてもよい。また第２図では
CdTe膜３の上下の端面がCdS膜２の内側にきて
いるが、これはCdS膜２の外側にまで拡大しても
よい。もちろんカーボン電極４の上下の端面もこ
れと同様に拡げることによつて有効受光面積を広
くすることができる。この光電池構体の出力の取
出しは第２図の構成のものでは左端の素子のカー
ボン電極４からプラス側の電極を、右端の素子の
CdS膜２の露出部に接続されたオーミツク電極か
らマイナス側の電極を取り出せばよい。
上述した製造工程によつて作成した有効受光面
積1.25cm2の素子を８個直列接続した光電池構体
で、400Lxの白色螢光灯下における開放端電圧
3.4V、短絡電流34μＡ、出力約70μＷの性能が
得られた。また50ｍＷ太陽光相等のタングステン
光における変換効率は約７％であつた。螢光灯下
における性能は螢光灯用シリコン太陽電池とほぼ
同等の性能を有している。
積1.25cm2の素子を８個直列接続した光電池構体
で、400Lxの白色螢光灯下における開放端電圧
3.4V、短絡電流34μＡ、出力約70μＷの性能が
得られた。また50ｍＷ太陽光相等のタングステン
光における変換効率は約７％であつた。螢光灯下
における性能は螢光灯用シリコン太陽電池とほぼ
同等の性能を有している。
以上のように本発明によれば、複数の光電池素
子を基板上に容易に量産性良く、しかも各素子を
直列接続して形成できるので、電卓や電子時計に
用いられる光電池構体をコストで得られる。この
ことが可能となるのは、特に接続用の電極として
CdSに対するオーミツク性を良くするため銀ペー
ストにIn粉末を入れ、かつInの融点以上の熱処理
を行うことにより達成されたものである。しか
も、本発明はスクリーン印刷、焼結処理を施すこ
とで、螢光灯の光に対しても高感度の光電池構体
が得られる。
子を基板上に容易に量産性良く、しかも各素子を
直列接続して形成できるので、電卓や電子時計に
用いられる光電池構体をコストで得られる。この
ことが可能となるのは、特に接続用の電極として
CdSに対するオーミツク性を良くするため銀ペー
ストにIn粉末を入れ、かつInの融点以上の熱処理
を行うことにより達成されたものである。しか
も、本発明はスクリーン印刷、焼結処理を施すこ
とで、螢光灯の光に対しても高感度の光電池構体
が得られる。
第１図ａ〜ｅは本発明の一実施例を示す製造工
程図、第２図は本発明の光電池構体の要部の平面
図である。 １……ガラス基板、２……CdSフイルム、３…
…CdTeフイルム、４……カーボン電極、５……
直列接続用電極、６……樹脂層。
程図、第２図は本発明の光電池構体の要部の平面
図である。 １……ガラス基板、２……CdSフイルム、３…
…CdTeフイルム、４……カーボン電極、５……
直列接続用電極、６……樹脂層。
Claims (1)
- １ 一方の主面から光が入射される透明ガラス基
板の他方の主面上に硫化カドミウムよりなり互い
に分割されるとともに透明電極となる複数の第１
の膜をスクリーン印刷焼結法により形成する工程
と、前記第１の膜を焼結する工程と、前記第１の
膜とヘテロ接合を形成するテルル化カドミウムよ
りなる複数の第２の膜を前記第１の膜上にそれぞ
れスクリーン印刷焼結法により形成する工程と、
前記第２の膜を焼結する工程と、導電性物質より
なる複数の第３の膜を前記第２の膜上にそれぞれ
スクリーン印刷法で形成する工程と、前記第３の
膜を焼結する工程と、In粉末を添加した銀ペース
トをスクリーン印刷しInの融点以上の温度に加熱
することにより、互いに隣接する前記第１の膜と
前記第３の膜とを電気的に接続する工程とを備え
てなることを特徴とする光電池構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8725480A JPS5713775A (en) | 1980-06-28 | 1980-06-28 | Photocell structure and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8725480A JPS5713775A (en) | 1980-06-28 | 1980-06-28 | Photocell structure and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5713775A JPS5713775A (en) | 1982-01-23 |
| JPS6216032B2 true JPS6216032B2 (ja) | 1987-04-10 |
Family
ID=13909649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8725480A Granted JPS5713775A (en) | 1980-06-28 | 1980-06-28 | Photocell structure and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5713775A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130082A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS6393171A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力素子 |
| JP4520545B2 (ja) * | 1998-04-17 | 2010-08-04 | セイコーインスツル株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554994A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-14 | Siemens Ag | Solar battery and method of manufacturing same |
| JPS5577179A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-10 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar cell and prepartion thereof |
-
1980
- 1980-06-28 JP JP8725480A patent/JPS5713775A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554994A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-14 | Siemens Ag | Solar battery and method of manufacturing same |
| JPS5577179A (en) * | 1978-12-05 | 1980-06-10 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar cell and prepartion thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5713775A (en) | 1982-01-23 |
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