JPH04127483A - ＣｕＩｎＳｅ↓２太陽電池の製造方法 - Google Patents
ＣｕＩｎＳｅ↓２太陽電池の製造方法Info
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- JPH04127483A JPH04127483A JP2211951A JP21195190A JPH04127483A JP H04127483 A JPH04127483 A JP H04127483A JP 2211951 A JP2211951 A JP 2211951A JP 21195190 A JP21195190 A JP 21195190A JP H04127483 A JPH04127483 A JP H04127483A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電変換層にＣｕＩｎＳｅ２ ＩＩ膜を用い
るＣｕＩｎＳｅ２太陽電池、の製造方法に関する。
るＣｕＩｎＳｅ２太陽電池、の製造方法に関する。
Ｃｕ１ｎＳｅ茸は直接遷移型のバンド構造を持ち、その
エネルギーギャップが約１＠Ｖであってシリコンのエネ
ルギーギャップ１．７ｓＶより小さいことから、太陽光
スペクトルを長波長側まで育効に活用できるため、高効
率の太陽電池として期待されている。
エネルギーギャップが約１＠Ｖであってシリコンのエネ
ルギーギャップ１．７ｓＶより小さいことから、太陽光
スペクトルを長波長側まで育効に活用できるため、高効
率の太陽電池として期待されている。
またＣｕ／Ｉｎの組成比＜−Ｘ、以下Ｘと略す）で導電
型が制御できるため、ＰＮ接合形成が容易である。さら
に、エネルギーギャップ２．４ｅＶで光入射側の窓層材
料として適しているＣｄＳと格子完敗が比較的近く、そ
の間に良質なヘテロ接合が得られる。このような優れた
特徴を持っているため、Ｃｕ１ｎＳｅ＊とＣｄＳのへテ
ロ接合を有する高効率の太陽電池が得られることが期待
されており、現在活発な研究開発が行われている。
型が制御できるため、ＰＮ接合形成が容易である。さら
に、エネルギーギャップ２．４ｅＶで光入射側の窓層材
料として適しているＣｄＳと格子完敗が比較的近く、そ
の間に良質なヘテロ接合が得られる。このような優れた
特徴を持っているため、Ｃｕ１ｎＳｅ＊とＣｄＳのへテ
ロ接合を有する高効率の太陽電池が得られることが期待
されており、現在活発な研究開発が行われている。
また、その作製方法も非常に容易である。従来の、たと
えばアモルファスシリコンが、プラズマＣＶＤ法のよう
な複雑な装置・プロセスと、モノシラン、あるいはジボ
ラン等の爆発性、自然発火性、毒性のある危険なガスを
使用せねば製造できないのに比較して、簡単な蒸着装置
によりＣｕ、 Ｉｎ。
えばアモルファスシリコンが、プラズマＣＶＤ法のよう
な複雑な装置・プロセスと、モノシラン、あるいはジボ
ラン等の爆発性、自然発火性、毒性のある危険なガスを
使用せねば製造できないのに比較して、簡単な蒸着装置
によりＣｕ、 Ｉｎ。
Ｓｅを一層ずつ形成し、アニールしてカルコパライト化
し、その上にＣｄＳを蒸着するだけで良好なＣｄＳ ／
Ｃｕ１ｎＳｅ、接合が得られる。このため非常に容易
に高効率の多結晶太陽電池用の膜が製造できる。
し、その上にＣｄＳを蒸着するだけで良好なＣｄＳ ／
Ｃｕ１ｎＳｅ、接合が得られる。このため非常に容易
に高効率の多結晶太陽電池用の膜が製造できる。
ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２系太陽電池の変換効率はＸに非
常に敏感なため、高い変換効率を得るためには、この制
御がとくに重要である。蒸着法では膜厚モニタを使用し
、各層の厚みを比較的高精度で設定できる。しかし蒸着
槽内分布による不均一あるいは真空度変化による測定誤
差により、最良精度は±５％である。この方法では各層
の膜厚比と組成比が同じになるため、どうしても目標組
成からのずれは避けることができない。
常に敏感なため、高い変換効率を得るためには、この制
御がとくに重要である。蒸着法では膜厚モニタを使用し
、各層の厚みを比較的高精度で設定できる。しかし蒸着
槽内分布による不均一あるいは真空度変化による測定誤
差により、最良精度は±５％である。この方法では各層
の膜厚比と組成比が同じになるため、どうしても目標組
成からのずれは避けることができない。
Ｃｕ１ｎＳｅｔの導電型はＸ＜０．８のＩｎの多い側で
Ｎ型、Ｘ＞０．８のＣｕの多い側でＰ型となる。ＣｄＳ
はＮ型であるため、Ｃｕ１ｎＳｅ２をＰ型にする必要が
ある。また、化学量論比（Ｘ−１）では抵抗率が大きく
なるため、直列抵抗損失が増加し効率は低下する。一方
、Ｘ＜０．９では良好なセル特性が得られない、それ故
、Ｘ−０，９２±０．０２の再現性よく実現する必要が
ある。このため、膜厚精度が±５％の蒸着法では歩留ま
りの低下を避けることができない。
Ｎ型、Ｘ＞０．８のＣｕの多い側でＰ型となる。ＣｄＳ
はＮ型であるため、Ｃｕ１ｎＳｅ２をＰ型にする必要が
ある。また、化学量論比（Ｘ−１）では抵抗率が大きく
なるため、直列抵抗損失が増加し効率は低下する。一方
、Ｘ＜０．９では良好なセル特性が得られない、それ故
、Ｘ−０，９２±０．０２の再現性よく実現する必要が
ある。このため、膜厚精度が±５％の蒸着法では歩留ま
りの低下を避けることができない。
ほかにも薄膜形成法として、イオンビーム蒸着法、スパ
ッタ法、スプレー法等があるが、低コスト化、大面積化
、高効率化の３条件を同時に満たさず、評価検討できる
レベルには達していない。
ッタ法、スプレー法等があるが、低コスト化、大面積化
、高効率化の３条件を同時に満たさず、評価検討できる
レベルには達していない。
さらに、本出閣人らの特許出願に係り、特開昭６３−２
８５９７４号公報で公知の方法として、単結晶Ｃｕ１ｎ
Ｓｅ２を粉砕して得られた粉末を含有するペーストを用
いて、スクリーン印刷および焼結によりＣｕ１ｎＳｅ。
８５９７４号公報で公知の方法として、単結晶Ｃｕ１ｎ
Ｓｅ２を粉砕して得られた粉末を含有するペーストを用
いて、スクリーン印刷および焼結によりＣｕ１ｎＳｅ。
薄膜を形成する方法がある。しかし、この方法によって
得られた薄膜は表面が平滑にならず、接合の特性が均一
にならないこと、またＸ−１以外の組成の（：ｕＩｎＳ
ｅ、薄膜を形成することが難しいという問題がある。
得られた薄膜は表面が平滑にならず、接合の特性が均一
にならないこと、またＸ−１以外の組成の（：ｕＩｎＳ
ｅ、薄膜を形成することが難しいという問題がある。
本発明は、上述の問題を解決し、所定のＣｕ／Ｉｎ組成
比を高精度で有するＣｕ１ｎＳｅ、 ｉｌ膜の、大面積
化、低コスト化の可能な方法で形成するＣｕ１ｎＳｅ。
比を高精度で有するＣｕ１ｎＳｅ、 ｉｌ膜の、大面積
化、低コスト化の可能な方法で形成するＣｕ１ｎＳｅ。
太陽電池の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、所定のＣｕ／
Ｉｎ組成比を持つ銅・インジウム合金からなる箔を作製
し、その箔を基体表面の電極膜上に圧着して所定の厚さ
の合金膜にしたのち、その合金膜表面上にセレン膜を被
着し、加熱して得られたＣｕ１ｎＳｅ、膜を用いて光電
変換層を形成するものとする。また、本発明は所定の（
：ｕ／Ｉｎ組成比を持つ銅・インジウム合金からなる箔
を作製し、その箔を基体表面の電極膜上に圧着して所定
の厚さの合金膜にしたのち、その合金膜表面上にセレン
膜を被着し、加熱してＣｕ１ａＳｅｌ膜を形成し、その
Ｃｕ１ｎＳｅａ膜の上にＣｄＳ膜を積層して光電変換層
を形成するものとする。さらに、本発明は、上記の光電
変換層のＣｄＳ膜の上に酸化亜鉛膜を積層するものとす
る。あるいはまた、本発明は所定のＣｕ／Ｉｎ組成比を
持つ銅・インジウム合金からなる箔を作製し、その箔を
基体表面の電極膜上に圧着して所定の厚さの合金膜にし
たのち、その合金膜表面上にセレン膜を被着し、加熱し
てＣｕＩｎＳｅｇ ｌを形成し、そのＣｕＩｎ５ｅｔ膜
の上にＺｎ（：ｄｓ膜を積層して光電変換層を形成する
ものとする。
Ｉｎ組成比を持つ銅・インジウム合金からなる箔を作製
し、その箔を基体表面の電極膜上に圧着して所定の厚さ
の合金膜にしたのち、その合金膜表面上にセレン膜を被
着し、加熱して得られたＣｕ１ｎＳｅ、膜を用いて光電
変換層を形成するものとする。また、本発明は所定の（
：ｕ／Ｉｎ組成比を持つ銅・インジウム合金からなる箔
を作製し、その箔を基体表面の電極膜上に圧着して所定
の厚さの合金膜にしたのち、その合金膜表面上にセレン
膜を被着し、加熱してＣｕ１ａＳｅｌ膜を形成し、その
Ｃｕ１ｎＳｅａ膜の上にＣｄＳ膜を積層して光電変換層
を形成するものとする。さらに、本発明は、上記の光電
変換層のＣｄＳ膜の上に酸化亜鉛膜を積層するものとす
る。あるいはまた、本発明は所定のＣｕ／Ｉｎ組成比を
持つ銅・インジウム合金からなる箔を作製し、その箔を
基体表面の電極膜上に圧着して所定の厚さの合金膜にし
たのち、その合金膜表面上にセレン膜を被着し、加熱し
てＣｕＩｎＳｅｇ ｌを形成し、そのＣｕＩｎ５ｅｔ膜
の上にＺｎ（：ｄｓ膜を積層して光電変換層を形成する
ものとする。
所定のＣｕ／Ｉｎ組成比をもつＣｕ−Ｉｎ合金は、両成
分金属の溶融、混合により容易に作成できる。この合金
は延性に富むため、圧延によりある程度薄くしたのち、
基体表面の電極膜上に圧着することにより容易に所定の
厚さの合金膜にすることができる。この合金膜上にＳｅ
膜を被着し、加熱すれば、Ｓｅが合金膜中に入り、Ｃｕ
ＩｎＳｅｚのカルコパイライト構造をもつ多結晶薄膜に
なる。この膜の厚さは前に形成した合金膜の厚さに比例
するので、所期の厚さにすることができる。 Ｓｅの蒸
気圧が高いため、Ｓｅが過剰にあっても、化学量論比を
超える部分は蒸発して抜ける。このようにして得られた
電極膜上の目標組成のＰ型Ｃｕ１ｎＳｅｔ膜の上にＮ型
のＣｄＳ膜を積層すれば、大面積の光電変換層が得られ
る。さらに、ＣｄＳ膜の上にＺｎＯ膜を積層すれば、Ｃ
ｄＳ中にＺｎが拡散し、窓層材料であるＣｄＳの光学的
エネルギーギャップが広がる。このため光吸収損失が低
減され、光発生電流が大きくなる。その結果、高変換効
率が実現できる。同じ作用は、ＣｄＳ膜の代わりにＺｎ
ＣｄＳ膜を積層することによでも実現できる。
分金属の溶融、混合により容易に作成できる。この合金
は延性に富むため、圧延によりある程度薄くしたのち、
基体表面の電極膜上に圧着することにより容易に所定の
厚さの合金膜にすることができる。この合金膜上にＳｅ
膜を被着し、加熱すれば、Ｓｅが合金膜中に入り、Ｃｕ
ＩｎＳｅｚのカルコパイライト構造をもつ多結晶薄膜に
なる。この膜の厚さは前に形成した合金膜の厚さに比例
するので、所期の厚さにすることができる。 Ｓｅの蒸
気圧が高いため、Ｓｅが過剰にあっても、化学量論比を
超える部分は蒸発して抜ける。このようにして得られた
電極膜上の目標組成のＰ型Ｃｕ１ｎＳｅｔ膜の上にＮ型
のＣｄＳ膜を積層すれば、大面積の光電変換層が得られ
る。さらに、ＣｄＳ膜の上にＺｎＯ膜を積層すれば、Ｃ
ｄＳ中にＺｎが拡散し、窓層材料であるＣｄＳの光学的
エネルギーギャップが広がる。このため光吸収損失が低
減され、光発生電流が大きくなる。その結果、高変換効
率が実現できる。同じ作用は、ＣｄＳ膜の代わりにＺｎ
ＣｄＳ膜を積層することによでも実現できる。
実施例１：
第１図（ａｌ 〜ｆｆｌ ニ本発明の一実施例のＣｄＳ
／ＣｕＩｎＳｅ２太陽電池製造工程を示す、先ず、ガラ
ス基板１の上に１４の厚さのＭｏ膜２を蒸着した （同
図ｆａｔ）。
／ＣｕＩｎＳｅ２太陽電池製造工程を示す、先ず、ガラ
ス基板１の上に１４の厚さのＭｏ膜２を蒸着した （同
図ｆａｔ）。
このＭｏ膜は太陽電池の一方の電極となる。別にＣｕと
Ｉｎのモル組成比０．９２ Ｆ １．００の合金を溶製
し、圧延じて厚さ２０ｍのＣｕ−Ｉｎｎ合金箔作成し、
Ｍｏ膜２の幅に合わせて切断したものをＭｏ膜の上に載
せ１１０℃に加熱し、超音波を加えて圧着して１−の厚
さのＣｕ−Ｉｎ合金膜３とした（同図（ｂｌ）、つぎに
蒸着により厚さ２−のＳｅ膜４を形成しく同図（Ｃ））
、次いで酸素雰囲気中で４００℃で１時間アニールし、
ＣｕＩｎＳｅ２のカルコバイライト構造をもつ多結晶薄
膜５とした （同図（ｄｌ）、前述のようにＳｅの過剰
部分は蒸発して抜け、また太陽電池にしたときの変換効
率はＳｅ量に鈍感であるため、Ｓｅ膜４の厚みは２１ｒ
ｍ以上でもよい、さらに、５ｏＩＩ１１１ノ厚さ（ＤＣ
ｄＳ＠６を蒸着してペテロ接合を形成し、１ｊ１１の厚
さのＺｎＯ膜７を蒸着してＺｎ拡散源を兼ねる透明電極
とした （同図（８１）、最後に、ＺｎＯ膜７の縁部に
Ｍからなる０、５−の厚さの金属電極８を形成し、Ｍｏ
膜２に端子９１を、電極８に端子９２を接続して太陽電
池とした （同図ｆｆ１）。
Ｉｎのモル組成比０．９２ Ｆ １．００の合金を溶製
し、圧延じて厚さ２０ｍのＣｕ−Ｉｎｎ合金箔作成し、
Ｍｏ膜２の幅に合わせて切断したものをＭｏ膜の上に載
せ１１０℃に加熱し、超音波を加えて圧着して１−の厚
さのＣｕ−Ｉｎ合金膜３とした（同図（ｂｌ）、つぎに
蒸着により厚さ２−のＳｅ膜４を形成しく同図（Ｃ））
、次いで酸素雰囲気中で４００℃で１時間アニールし、
ＣｕＩｎＳｅ２のカルコバイライト構造をもつ多結晶薄
膜５とした （同図（ｄｌ）、前述のようにＳｅの過剰
部分は蒸発して抜け、また太陽電池にしたときの変換効
率はＳｅ量に鈍感であるため、Ｓｅ膜４の厚みは２１ｒ
ｍ以上でもよい、さらに、５ｏＩＩ１１１ノ厚さ（ＤＣ
ｄＳ＠６を蒸着してペテロ接合を形成し、１ｊ１１の厚
さのＺｎＯ膜７を蒸着してＺｎ拡散源を兼ねる透明電極
とした （同図（８１）、最後に、ＺｎＯ膜７の縁部に
Ｍからなる０、５−の厚さの金属電極８を形成し、Ｍｏ
膜２に端子９１を、電極８に端子９２を接続して太陽電
池とした （同図ｆｆ１）。
この太陽電池を１００−一／−の強度を持つソーラーシ
ュミレータで出力測定したところ、１■角で開放電圧Ｖ
ｏｃ＝０．３ Ｖ、短絡電流Ｉ ｓｃ −３５ｍＡ、変
換効率として５％が得られた。これはＣｕ、 Ｉｎ、
Ｓｅの一層ごとずつの蒸着によって形成したＣｕＩｎＳ
ｅ２ Ｉｌｌを用いた太陽電池と同じ効率であった。一
方歩留まりは、蒸着法によるものでは２０％であったの
に対し、本発明の実施例による太陽電池の場合は８０％
まで向上した。
ュミレータで出力測定したところ、１■角で開放電圧Ｖ
ｏｃ＝０．３ Ｖ、短絡電流Ｉ ｓｃ −３５ｍＡ、変
換効率として５％が得られた。これはＣｕ、 Ｉｎ、
Ｓｅの一層ごとずつの蒸着によって形成したＣｕＩｎＳ
ｅ２ Ｉｌｌを用いた太陽電池と同じ効率であった。一
方歩留まりは、蒸着法によるものでは２０％であったの
に対し、本発明の実施例による太陽電池の場合は８０％
まで向上した。
実施例２：
第２図ｃ＆）〜（幻は本発明の別の実施例のＣｄＳ ／
ＣｕＩｎＳｅ２太陽電池製造高低を示し、第１図と共通
の部分には同一の符号が付されている。この実施例の実
施例１と異なる点は次の遺りである。
ＣｕＩｎＳｅ２太陽電池製造高低を示し、第１図と共通
の部分には同一の符号が付されている。この実施例の実
施例１と異なる点は次の遺りである。
（イ）第２図（ｆ）においてＺｎＯ９１７をスパツクに
より厚さ１ｎに形成した。
より厚さ１ｎに形成した。
（口ｌ Ｚｎ０１１１７の上にさらに透明導電材料であ
るｉＴＯの膜１０を０．２−の厚さに積層し、透明電極
の導電率を改善した （第２図（梢）。
るｉＴＯの膜１０を０．２−の厚さに積層し、透明電極
の導電率を改善した （第２図（梢）。
この太陽電池の出力特性をＬｏｏｍ／−の強度を持つソ
ーラーシュミレータ−で測定したところ、１鶴角でＶｏ
ｃ”０．３２ｖ＋ Ｉ ５ｃ−３７１１Ａ、変換効率
として６％が得られた。
ーラーシュミレータ−で測定したところ、１鶴角でＶｏ
ｃ”０．３２ｖ＋ Ｉ ５ｃ−３７１１Ａ、変換効率
として６％が得られた。
実施例３：
第３図（ａ）〜（ｆｌは本発明のさらに別の実施例のＺ
ｎＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２太陽電池製造工程を示し、第
１゜第２図と共通の部分には同一の符号が付されている
。第３図ｔａ＋〜（ｄｌにおいては第１図、第２図にお
けると同じ工程であるが、そのあと蒸着によりＺｎＣｄ
Ｓ膜１１を０．２４の厚さに形成した（第３図（ａｌ）
。
ｎＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２太陽電池製造工程を示し、第
１゜第２図と共通の部分には同一の符号が付されている
。第３図ｔａ＋〜（ｄｌにおいては第１図、第２図にお
けると同じ工程であるが、そのあと蒸着によりＺｎＣｄ
Ｓ膜１１を０．２４の厚さに形成した（第３図（ａｌ）
。
ＺｎＣｄＳもＮ型であるが、その中のＺｎが多いと結晶
性の低下および光吸収損失の増大ももたらし、少ないと
エネルギーギャップ拡大の効果が小さいため、１０％程
度が適当である。最後にＩＴＯ！１１０を積層して遇明
電掻とし、Ｍ電極８を形成した（第３図（ｆ）） こ
の太陽電池の出力特性を１００ｓ＋Ｗ ／ｄの強度を持
つソーラーシュミレータ−で測定したところ、１謹角で
Ｖ ｏｃ ＝ ０．３３Ｖ 、 Ｉ ｓｃ −３５ｍ
Ａ、変換効率として５．５％が得られた。
性の低下および光吸収損失の増大ももたらし、少ないと
エネルギーギャップ拡大の効果が小さいため、１０％程
度が適当である。最後にＩＴＯ！１１０を積層して遇明
電掻とし、Ｍ電極８を形成した（第３図（ｆ）） こ
の太陽電池の出力特性を１００ｓ＋Ｗ ／ｄの強度を持
つソーラーシュミレータ−で測定したところ、１謹角で
Ｖ ｏｃ ＝ ０．３３Ｖ 、 Ｉ ｓｃ −３５ｍ
Ａ、変換効率として５．５％が得られた。
Ｃ発明の効果〕
本発明は、Ｃｕ−Ｉｎ合金箔にＳｅを拡散させることに
より、高精度の所期のＣｕ／Ｉｎ組成比をもつＣｕｆＳ
ｅｔ ｉｌｌ膜を形成することができ、従来の方法では
高効率を得るための組成制御が難しかったＣｄＳ／Ｃｕ
１ｎＳｅオ太陽電池を低コストで製造することが可能に
なった。さらに、本発明によるＣｕＩｎＳｅｚ膜はＣｄ
Ｓ膜以外の膜、例えばＺｎＣｄＳ膜とのへテロ接合形成
あるいはｐおよびｎ形ＣｕＩａＳｅｔ膜によるホモ接合
形成にも用いることができ、今後のＣｕＩｎＳｅｚ系太
陽電池の開発に有効に適用できる。
より、高精度の所期のＣｕ／Ｉｎ組成比をもつＣｕｆＳ
ｅｔ ｉｌｌ膜を形成することができ、従来の方法では
高効率を得るための組成制御が難しかったＣｄＳ／Ｃｕ
１ｎＳｅオ太陽電池を低コストで製造することが可能に
なった。さらに、本発明によるＣｕＩｎＳｅｚ膜はＣｄ
Ｓ膜以外の膜、例えばＺｎＣｄＳ膜とのへテロ接合形成
あるいはｐおよびｎ形ＣｕＩａＳｅｔ膜によるホモ接合
形成にも用いることができ、今後のＣｕＩｎＳｅｚ系太
陽電池の開発に有効に適用できる。
第１図は本発明の一実施例のＣｄＳ／ＣｕｌｎＳｅｇ太
陽電池の製造工程をｌａｌ〜（ｆ）の順に模式的に示す
断面図、第２図は本発明の別の実施例のＣｄＳ／Ｃｕ１
ｎＳｅｔ太陽電池の製造工程をｆａｌ〜（幻の順に模式
的に示す断面図、第３図は本発明のさらに別の実施例の
ＺｎＣｄＳ ／ Ｃｕ１ｎＳｅｔ太陽電池の製造工程を
（ａ） 〜ｆｆｌの順に模式的に示す断面図である。 １ニガラス基板、２：Ｍｏ膜、３：Ｃｕ−Ｉｎ合金膜、
４ ： ＳｅＦ！Ｉ、 ５ ： Ｃｕ１ｎＳｅｔ ＩＩ
！、 ６ ： ＣｄＳ膜、７：ＺｎＯ膜、１０：ＩＴＯ
ｌｌ、１１ ： ＺｎＣｄＳ膜。 代理人弁理士 山 口 １−−− 第１図 第２図
陽電池の製造工程をｌａｌ〜（ｆ）の順に模式的に示す
断面図、第２図は本発明の別の実施例のＣｄＳ／Ｃｕ１
ｎＳｅｔ太陽電池の製造工程をｆａｌ〜（幻の順に模式
的に示す断面図、第３図は本発明のさらに別の実施例の
ＺｎＣｄＳ ／ Ｃｕ１ｎＳｅｔ太陽電池の製造工程を
（ａ） 〜ｆｆｌの順に模式的に示す断面図である。 １ニガラス基板、２：Ｍｏ膜、３：Ｃｕ−Ｉｎ合金膜、
４ ： ＳｅＦ！Ｉ、 ５ ： Ｃｕ１ｎＳｅｔ ＩＩ
！、 ６ ： ＣｄＳ膜、７：ＺｎＯ膜、１０：ＩＴＯ
ｌｌ、１１ ： ＺｎＣｄＳ膜。 代理人弁理士 山 口 １−−− 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）所定のＣｕ／Ｉｎ組成比を持つ銅・インジウム合金
からなる箔を作製し、その箔を基体表面の電極膜上に圧
着して所定の厚さの合金膜にしたのち、その合金膜表面
上にセレン膜を被着し、加熱して得られたＣｕＩｎＳｅ
＿２膜を用いて光電変換層を形成することを特徴とする
ＣｕＩｎＳｅ＿２太陽電池の製造方法。 ２）所定のＣｕ／Ｉｎ組成比を持つ銅・インジウム合金
からなる箔を作製し、その箔を基体表面の電極膜上に圧
着して所定の厚さの合金膜にしたのち、その合金膜表面
上にセレン膜を被着し、加熱してＣｕＩｎＳｅ＿２膜を
形成し、そのＣｕＩｎＳｅ＿２膜の上にＣｄＳ膜を積層
して光電変換層を形成することを特徴とするＣｕＩｎＳ
ｅ＿２太陽電池の製造方法。 ３）光電変換層のＣｄＳ膜の上に酸化亜鉛膜を積層する
請求項２記載のＣｕＩｎＳｅ＿２太陽電池の製造方法。 ４）酸化亜鉛膜の上に透明導電材料よりなる膜を積層す
る請求項３記載のＣｕＩｎＳｅ＿２太陽電池の製造方法
。 ５）所定のＣｕ／Ｉｎ組成比を持つ銅・インジウム合金
からなる箔を作製し、その箔を基体表面の電極膜上に圧
着して所定の厚さの合金膜にしたのち、その合金膜表面
上にセレン膜を被着し、加熱してＣｕＩｎＳｅ＿２膜を
形成し、そのＣｕＩｎＳｅ＿２膜の上にＺｎＣｄＳ膜を
積層して光電変換層を形成することを特徴とするＣｕＩ
ｎＳｅ＿２太陽電池の製造方法。 ６）光電変換層のＺｎＣｄＳ膜の上に透明導電材料より
なる膜を積層する請求項５記載のＣｕＩｎＳｅ＿２太陽
電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16325190 | 1990-06-21 | ||
| JP2-163251 | 1990-06-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127483A true JPH04127483A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=15770236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211951A Pending JPH04127483A (ja) | 1990-06-21 | 1990-08-10 | ＣｕＩｎＳｅ↓２太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04127483A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566162B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-05-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of producing Cu (In, Ga) (Se, S) 2 semiconductor film |
| JPWO2011118203A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-07-04 | 株式会社クラレ | 化合物半導体粒子組成物、化合物半導体膜とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池 |
| JP2015508239A (ja) * | 2012-02-28 | 2015-03-16 | Tdk株式会社 | 化合物半導体太陽電池 |
| CN109872944A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-11 | 西北有色金属研究院 | 一种铜铟硫太阳能电池吸收层的制备方法 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2211951A patent/JPH04127483A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566162B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-05-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of producing Cu (In, Ga) (Se, S) 2 semiconductor film |
| JPWO2011118203A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-07-04 | 株式会社クラレ | 化合物半導体粒子組成物、化合物半導体膜とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池 |
| JP2015508239A (ja) * | 2012-02-28 | 2015-03-16 | Tdk株式会社 | 化合物半導体太陽電池 |
| CN109872944A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-11 | 西北有色金属研究院 | 一种铜铟硫太阳能电池吸收层的制备方法 |
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