JPS61148870A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS61148870A JPS61148870A JP27148684A JP27148684A JPS61148870A JP S61148870 A JPS61148870 A JP S61148870A JP 27148684 A JP27148684 A JP 27148684A JP 27148684 A JP27148684 A JP 27148684A JP S61148870 A JPS61148870 A JP S61148870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solid
- wiring
- silicon
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関する。
近年、オフィスオートメーションをはじめとする情報産
業の発展に伴ない使用される装置の小型化、簡易化に対
する要求が高まっている。ファクシミＩＪ等の原稿読み
取り部においても、縮小光学系を必要としない密層型イ
メージセンサ−による装置の小型化が検討されている。
業の発展に伴ない使用される装置の小型化、簡易化に対
する要求が高まっている。ファクシミＩＪ等の原稿読み
取り部においても、縮小光学系を必要としない密層型イ
メージセンサ−による装置の小型化が検討されている。
該密看イメージセンサーの光電変換部材としては従来の
Ｏｄｅ等にかわり、水素化非晶質シリコン（ａ−８ｉ：
Ｒ）が注目されている、 ａ−８ｉ：Ｂを用いた密着型イメージセンサ−の構造と
しては、各々のａ−８ｉ：ＨセンサーにＴＰＴ（薄喚ト
ランジスタ）を設けた構造、各々のセンサーにブロッキ
ングダイオードを設はマトリックス配線した構造が検討
されている。
Ｏｄｅ等にかわり、水素化非晶質シリコン（ａ−８ｉ：
Ｒ）が注目されている、 ａ−８ｉ：Ｂを用いた密着型イメージセンサ−の構造と
しては、各々のａ−８ｉ：ＨセンサーにＴＰＴ（薄喚ト
ランジスタ）を設けた構造、各々のセンサーにブロッキ
ングダイオードを設はマトリックス配線した構造が検討
されている。
ただし、前者の構造には
ｉｌｌ Ｐｏ１ｙ−８ｉ ＴＩＦＴを用いた場合、ス
イッチング用ＴＰＴ及びシフトレジスタをセンサーと同
一基板上に形成できるもののプロセス上の制約から基板
の大型化が難しい。
イッチング用ＴＰＴ及びシフトレジスタをセンサーと同
一基板上に形成できるもののプロセス上の制約から基板
の大型化が難しい。
（２１ａ −Ｓｉ −Ｔ Ｆ Ｔを用いた場合、ＴＦ’
ＴのＯＮ電流が低く、高速読み出しには向かない。
ＴのＯＮ電流が低く、高速読み出しには向かない。
等の問題点があり、簡便に低コストで大型の密着センサ
ーができるという点から後者の構造が年目されている。
ーができるという点から後者の構造が年目されている。
従来のフォトダイオード及びブロッキングダイオードを
有する密着センサーの構造としては、光が透明基板側か
ら入射する構造と、逆に、基板の反対側から入射する構
造とが提案されているが、後者の構造では、素子上に形
成される保護膜を通して光が入射する為、該保護膜とし
ては、光吸収係数が小さい材質を用い、しかも、保護−
厚の均一性を高くしなければならない等の問題を有して
おり前者の構造を採用したほうが有利であると思われる
。
有する密着センサーの構造としては、光が透明基板側か
ら入射する構造と、逆に、基板の反対側から入射する構
造とが提案されているが、後者の構造では、素子上に形
成される保護膜を通して光が入射する為、該保護膜とし
ては、光吸収係数が小さい材質を用い、しかも、保護−
厚の均一性を高くしなければならない等の問題を有して
おり前者の構造を採用したほうが有利であると思われる
。
さて、従来の基板側エリ光が入射する密着センサーとし
ては１．ＴＪＡＰ Ｖｏｗ ２２ ’８５ Ｓ
ｕｐｐｌｅ−ｍｅｎｔ ２２−１ ｐ、 ４５７に
示された様な構造が提案されている。該構造を第２図に
示す。＠２図において、２１、ガラス基板、２２）ａ−
８１層２５、Ｉｎ、ｏ、 、 ２４、Ｍ１２５、Ｐｔ／
Ｎｉ０ｒ 。
ては１．ＴＪＡＰ Ｖｏｗ ２２ ’８５ Ｓ
ｕｐｐｌｅ−ｍｅｎｔ ２２−１ ｐ、 ４５７に
示された様な構造が提案されている。該構造を第２図に
示す。＠２図において、２１、ガラス基板、２２）ａ−
８１層２５、Ｉｎ、ｏ、 、 ２４、Ｍ１２５、Ｐｔ／
Ｎｉ０ｒ 。
２６、Ａｕ１０ｒ、 ２７、層間絶縁膜である。図にお
いて、電極２５側がブロッキングダイオードであり、上
下部電極で遮光されている（ただし、このままでは、十
分遮光されてはいない）。又、電極２５側がフォトダイ
オードである０ 尚、ブロッキングダイオードｄＰｔ／ａ−８ｉの接合を
利用したショットキーダイオードであり、ａ−８１層は
単層構造を用いている。
いて、電極２５側がブロッキングダイオードであり、上
下部電極で遮光されている（ただし、このままでは、十
分遮光されてはいない）。又、電極２５側がフォトダイ
オードである０ 尚、ブロッキングダイオードｄＰｔ／ａ−８ｉの接合を
利用したショットキーダイオードであり、ａ−８１層は
単層構造を用いている。
続いて、第５図に走査回路図を示す、、ｆａ”図におい
て、５１はブロッキングダイオード、３２はフォトダイ
オード、５５は共通電極、３４は個別電極、５５及び５
６は走査回路、５７は読取シ回路である。
て、５１はブロッキングダイオード、３２はフォトダイ
オード、５５は共通電極、３４は個別電極、５５及び５
６は走査回路、５７は読取シ回路である。
しかし、萌述の従来技術では、製造プロセスが複雑で計
６回のフォト工程を必要とする他、金属配線を２層にす
るなど、工程の簡単化が望まれる。
６回のフォト工程を必要とする他、金属配線を２層にす
るなど、工程の簡単化が望まれる。
又、齢記文献で示されている様に１フオトダイオードの
特性も十分な特性とは言えない。
特性も十分な特性とは言えない。
本発明の固体撮像装置は、配線部１４及び遮光層％４１
を同一材料で同一工程で形成することを特徴とする。
を同一材料で同一工程で形成することを特徴とする。
本発明の上記構成に工れば、配＠部１４及び遮光層１４
′を同一材料で同一工程で形成し、第１図に示した構造
を採用することにより、従来型と比べてフォト工程が１
工程少ない５工程になり、製造プロセスも大巾に簡略化
される。さらに、フォトダイオード及びブロッキングダ
イオード部を３層構造とし、カーボン及びリン又はボロ
ンを適量ドーピングすることＩｔｃｘ９、上部電極及び
配線部１６の金属材料の材質に工らずに良好なセンサー
特性及びダイオード特性が得られる。
′を同一材料で同一工程で形成し、第１図に示した構造
を採用することにより、従来型と比べてフォト工程が１
工程少ない５工程になり、製造プロセスも大巾に簡略化
される。さらに、フォトダイオード及びブロッキングダ
イオード部を３層構造とし、カーボン及びリン又はボロ
ンを適量ドーピングすることＩｔｃｘ９、上部電極及び
配線部１６の金属材料の材質に工らずに良好なセンサー
特性及びダイオード特性が得られる。
第１囚は、本発明の実施例における断面図である。第１
図において、１１は絶縁性透明基板、１２は透明電極で
工Ｔｏ（酸化インジウム錫）、工ｎ。
図において、１１は絶縁性透明基板、１２は透明電極で
工Ｔｏ（酸化インジウム錫）、工ｎ。
０＠ 、 Ｂｒ５Ｏ＠等より成る。１５は層間絶縁膜で
ＣＶＤ法、８Ｐ法等に工り８１０．又はＳｉ、Ｎ４を形
成するか、プラス−ｒ ＣＶ Ｄ法によりａ−８ｉＮＸ
又はＳ ｉｏｘ又は５ｉＯｘＮＹ等を形成するか、絶縁
性有機樹脂を塗布する等の方法により形成される。１４
′は遮光層、１４は下層配線部であり、同一工程で同一
材料にＬシ形成される。１５はａ −Ｓ ｉ層であり、
５層構造を採用している。１６はダイオード部の上部電
極及び上部配線部である。１７は上下層配線を結ぶコン
タクトホールであす、マトリックス状の配線を形成して
いる。尚、ａ−８１層１５の構造としては、少なくとも
シリコンを含有する非晶質半導体層（８ｇ２層）を少な
くともシリコンを含有し、元素周期表中用ｍ−ｂ族を混
入した非晶質半導体層（第１層）と少なくともシリコン
を含有し、元素周期表中筒ｙ−ｂ族を混入した非晶質半
導体層（第５層）でサンドイッチした構造が一般的であ
るが、上記構造では、フォトダイオードの短波長側の感
度が低く、ブロッキングダイオードの逆方向の電流が十
分に小さくならない。
ＣＶＤ法、８Ｐ法等に工り８１０．又はＳｉ、Ｎ４を形
成するか、プラス−ｒ ＣＶ Ｄ法によりａ−８ｉＮＸ
又はＳ ｉｏｘ又は５ｉＯｘＮＹ等を形成するか、絶縁
性有機樹脂を塗布する等の方法により形成される。１４
′は遮光層、１４は下層配線部であり、同一工程で同一
材料にＬシ形成される。１５はａ −Ｓ ｉ層であり、
５層構造を採用している。１６はダイオード部の上部電
極及び上部配線部である。１７は上下層配線を結ぶコン
タクトホールであす、マトリックス状の配線を形成して
いる。尚、ａ−８１層１５の構造としては、少なくとも
シリコンを含有する非晶質半導体層（８ｇ２層）を少な
くともシリコンを含有し、元素周期表中用ｍ−ｂ族を混
入した非晶質半導体層（第１層）と少なくともシリコン
を含有し、元素周期表中筒ｙ−ｂ族を混入した非晶質半
導体層（第５層）でサンドイッチした構造が一般的であ
るが、上記構造では、フォトダイオードの短波長側の感
度が低く、ブロッキングダイオードの逆方向の電流が十
分に小さくならない。
これらは、上記８１層１層にカーボンをドーピングする
ことＫより共に改善される。又、フォトダイオードの電
極材として、Ｍ系金属を用いた場合には第１層にカーボ
ンをドーピングしただけでは、ブロッキングダイオード
の逆方向電流を十分に低く押さえられない場合がある。
ことＫより共に改善される。又、フォトダイオードの電
極材として、Ｍ系金属を用いた場合には第１層にカーボ
ンをドーピングしただけでは、ブロッキングダイオード
の逆方向電流を十分に低く押さえられない場合がある。
この場合には、第５層にもカーボンをドーピングするこ
とにより、十分低い逆方向電流が得られる。
とにより、十分低い逆方向電流が得られる。
又、ダイオードの電極材として、Ｍ系金属を用いる場合
には、Ｍの他に８１を含有する金属材料を用いることに
工り、ダイオード特性、センサー特性の信頼性が向上す
る。これは、ＡＥ−８ｉ系金属材料を用いることに工す
、ａ−８ｉ層と電極材料との相互拡散が低減できること
によるものと思われる。尚、ダイオード部の上部電極は
、配線部と同一工程で形成されることから、導電率の高
い金属、例えばＭ系金属を用いることが望ましく、上部
電極材としてＭ系金属を用いた場合にも十分なセンサー
特性、及びダイオード特性が高い信頼性で得られること
は重要である。
には、Ｍの他に８１を含有する金属材料を用いることに
工り、ダイオード特性、センサー特性の信頼性が向上す
る。これは、ＡＥ−８ｉ系金属材料を用いることに工す
、ａ−８ｉ層と電極材料との相互拡散が低減できること
によるものと思われる。尚、ダイオード部の上部電極は
、配線部と同一工程で形成されることから、導電率の高
い金属、例えばＭ系金属を用いることが望ましく、上部
電極材としてＭ系金属を用いた場合にも十分なセンサー
特性、及びダイオード特性が高い信頼性で得られること
は重要である。
又、第１図に示した構造において、上部電極及び配線部
１６の他に、下層配線ｆｆＢ１４にも、Ｍ基金属材を用
いることに工す、上部配線と下層配線のコンタクト抵抗
を異なる金属材を両配線に用いた場合と比べて低く押さ
えることができ、配線抵抗を大巾に低く押さえることが
できる。尚、この場合にはコンタクトホール１７を開け
た後、上部配線を形成する前に、下層のＭ基金属表面の
薄い酸化膜を逆スパツタ等の方法にエリ取り除く必要が
ある。
１６の他に、下層配線ｆｆＢ１４にも、Ｍ基金属材を用
いることに工す、上部配線と下層配線のコンタクト抵抗
を異なる金属材を両配線に用いた場合と比べて低く押さ
えることができ、配線抵抗を大巾に低く押さえることが
できる。尚、この場合にはコンタクトホール１７を開け
た後、上部配線を形成する前に、下層のＭ基金属表面の
薄い酸化膜を逆スパツタ等の方法にエリ取り除く必要が
ある。
尚、本発明に２けるセンサー構造としては、第１図に示
した構造の他にも数種の構造が考えられるが、その−例
を第４図に示す、第４因にシいて４１は絶縁性透明基板
、４２は透明電極、４３は眉間絶縁頃、４４は下層配線
部、４４′は遮光層であり、同一工程で同一材料にエリ
形成される。
した構造の他にも数種の構造が考えられるが、その−例
を第４図に示す、第４因にシいて４１は絶縁性透明基板
、４２は透明電極、４３は眉間絶縁頃、４４は下層配線
部、４４′は遮光層であり、同一工程で同一材料にエリ
形成される。
４５はａ −Ｓ ｉ層、４６は上部電極及び上部配線部
であり５４７Ｆｉコンタクトホールである。＠４図に示
した構造も＠１図と同様に５回のフォト工程で作製でき
る。ただ、透明電極４２と上部配線部４６の接合部が新
たに加わる為、配線抵抗の点からは、第１図の構造のほ
うが有利である。
であり５４７Ｆｉコンタクトホールである。＠４図に示
した構造も＠１図と同様に５回のフォト工程で作製でき
る。ただ、透明電極４２と上部配線部４６の接合部が新
たに加わる為、配線抵抗の点からは、第１図の構造のほ
うが有利である。
又、第４図に示した構造の他にも、遮光層及び下層配線
を形成後、その上に透明電極を形成し、ａ−８１層を形
成しパターニングした後で層間絶縁膜を形成し、ダイオ
ード部上部と上下層配線のコンタクト部に穴を開け、上
部配線部及び上部電極を形成する等の構造も考えられる
。
を形成後、その上に透明電極を形成し、ａ−８１層を形
成しパターニングした後で層間絶縁膜を形成し、ダイオ
ード部上部と上下層配線のコンタクト部に穴を開け、上
部配線部及び上部電極を形成する等の構造も考えられる
。
以上述べた様に、本発明のセンサー構造を採用すること
に工り、従来型と比べてフォト工程が１工程少ない５工
程ですむ他、ａ−８ｉ層を５層構造とすることに工り、
ダイオード部の上部電極及び上部配線部を同一材料で形
成しても良好なセンサー特性が得られるようになった。
に工り、従来型と比べてフォト工程が１工程少ない５工
程ですむ他、ａ−８ｉ層を５層構造とすることに工り、
ダイオード部の上部電極及び上部配線部を同一材料で形
成しても良好なセンサー特性が得られるようになった。
さらに、上部電極及び上部配線部１６及び下層配線部１
４を全てＭ基金属材料にすることにエリ、配線抵抗を大
巾に低減することもできる。
４を全てＭ基金属材料にすることにエリ、配線抵抗を大
巾に低減することもできる。
第１図は本発明に基づくセンサ構造の実施例を示した図
である。 ＷＪｚ図は従来のセンサ構造を示した図である。 第５図は走査回路図である。 第４図は本発明に基づくセンサ構造の実施例を示した図
である。 Ｉｔ、２１．４１・・・絶縁基板 １５，２２゜４５−
＝ａ−８ｉ層 １５，２７．４５一層間絶縁嗅 １２，
２５．４２・・・透明電極 １６．４６・・・上部電極
及び上部配線 １４’、４４／・・・遮光層１４．４４
−−−下層配線 ２５ ”・Ｐｔ／Ｎｉ０ｒ ２６・
・・Ａｕ１０ｒ ５１・・・ブロッキングダイオー
ド５２・・・フォトダイオード ５５・・・共通電極
５４・・・個別電極 ５５．５６・・・走査回路 ５７
・・・読取り回路 以 上
である。 ＷＪｚ図は従来のセンサ構造を示した図である。 第５図は走査回路図である。 第４図は本発明に基づくセンサ構造の実施例を示した図
である。 Ｉｔ、２１．４１・・・絶縁基板 １５，２２゜４５−
＝ａ−８ｉ層 １５，２７．４５一層間絶縁嗅 １２，
２５．４２・・・透明電極 １６．４６・・・上部電極
及び上部配線 １４’、４４／・・・遮光層１４．４４
−−−下層配線 ２５ ”・Ｐｔ／Ｎｉ０ｒ ２６・
・・Ａｕ１０ｒ ５１・・・ブロッキングダイオー
ド５２・・・フォトダイオード ５５・・・共通電極
５４・・・個別電極 ５５．５６・・・走査回路 ５７
・・・読取り回路 以 上
Claims (4)
- （１）絶縁性透明基板上にシリコンを含有する非晶質半
導体を素子材としたフォトダイオード及びブロッキング
ダイオードを有し基板側より光が入射する構造とした固
体撮像装置において、配線部１４及び遮光層１４′を同
一材料で同一工程で形成することを特徴とする固体撮像
装置。 - （２）特許請求の範囲第１項において、透明電極１２を
フォトダイオードとブロッキングダイオードの共通電極
として用いたことを特徴とする固体撮像装置。 - （３）特許請求の範囲第１項、第２項のいずれかにおい
て、遮光層１４′及び配線部１４及び１６に少なくとも
アルミニウム及びシリコンを含有する金属材料を用いた
ことを特徴とする固体撮像装置。 - （４）特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかにおい
て、フォトダイオード及びブロッキングダイオードとし
て、少なくともシリコン及びカーボンを含有し元素周期
表中第III−ｂ族の元素を混入した非晶質半導体層と少
なくともシリコンを含有する非晶質半導体層と少なくと
もシリコン及びカーボンを含有し元素周期表中第Ｖ−ｂ
族の元素を混入した非晶質半導体層を積層した構造を用
いたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27148684A JPS61148870A (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27148684A JPS61148870A (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148870A true JPS61148870A (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=17500715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27148684A Pending JPS61148870A (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148870A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060040A (en) * | 1987-11-14 | 1991-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| US5159422A (en) * | 1987-06-17 | 1992-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
| US5202575A (en) * | 1990-05-18 | 1993-04-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | TFT-driven image sensor including a reduced-size capacitor structure |
| FR2880990A1 (fr) * | 2005-01-14 | 2006-07-21 | St Microelectronics Sa | Dispositif semi-conducteur optique a diodes photo-sensibles et procede de fabrication d'un tel dispositif. |
-
1984
- 1984-12-22 JP JP27148684A patent/JPS61148870A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5159422A (en) * | 1987-06-17 | 1992-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
| US5060040A (en) * | 1987-11-14 | 1991-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| US5202575A (en) * | 1990-05-18 | 1993-04-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | TFT-driven image sensor including a reduced-size capacitor structure |
| FR2880990A1 (fr) * | 2005-01-14 | 2006-07-21 | St Microelectronics Sa | Dispositif semi-conducteur optique a diodes photo-sensibles et procede de fabrication d'un tel dispositif. |
| US7709916B2 (en) | 2005-01-14 | 2010-05-04 | Stmicroelectronics S.A. | Optical semiconductor device having photosensitive diodes and process for fabricating such a device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110808272B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN103579272B (zh) | 成像装置、成像系统和成像装置的制造方法 | |
| US20050179063A1 (en) | Image sensor with vertically integrated thin-film photodiode | |
| US9520437B2 (en) | Flexible APS X-ray imager with MOTFT pixel readout and a pin diode sensing element | |
| KR950021707A (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
| US4471371A (en) | Thin film image pickup element | |
| US7060592B2 (en) | Image sensor and fabricating method thereof | |
| JPH0456468B2 (ja) | ||
| JP3964017B2 (ja) | 放射撮像装置用のコンタクト・パッド | |
| JP2010251496A (ja) | イメージセンサー | |
| JPS61148870A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US6806454B1 (en) | Image sensors with via-coupled photoconductive mediums | |
| JPH0449787B2 (ja) | ||
| US5083171A (en) | Image sensor | |
| CN109031819A (zh) | 显示面板、显示面板的控制方法和显示设备 | |
| JPS61203668A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JP3146509B2 (ja) | ２次元密着型イメージセンサ | |
| JP2021119594A (ja) | 撮像装置 | |
| JPS59163860A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS63164270A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPS61287263A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPS60227467A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH11121728A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS61133658A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPH01214061A (ja) | 固体撮像装置 |