KR950021707A - 고체촬상장치 및 그 제조방법 - Google Patents

고체촬상장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

2차원 배열된 복수개의 센서부(1)와, 이들 센서부(1)의 수직열마다에 배설되어 센서부(1)로부터 독출된 신호전하를 전송하는 수직전송부(2)를 구비한 CCD이미저 등의 고체촬상장치에 있어서, 수직전송부(2)는 센서부(1)로부터 독출된 신호전하를 전송하는 신호전하 전송부(10)와, 신호전하 전송부(10)상에 절연층(11)을 개재하여 배설된 게이트전극(12)과, 게이트전극(12)상에 층간절연막(14)을 개재하여 형성된 차광층(16)과, 차광층(16)의 바로 밑에 형성된 수소를 함유하는 버퍼층(15)으로 이루어진다. 수소를 함유하는 실리콘질화막등이 버퍼층(15)은 차광층으로부터의 불순물 확산이나 성막시의 대미지를 저지하고, 기판과 산화막과의 계면에 대하여 수소를 공급하여 계면의 상태를 양호하게 할 수 있으므로, 암전류를 저감시킬 수 있다.

Description

고체촬상장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 CCD이미지의 요부의 단면도.
제2도의 있어서의 A-A'선에서 본 단면도.

Claims (12)

  1. 매트릭스로 배열되고, 각각 입사광의 강도에 상당하는 양의 신호전하를 발생하는 복수개의 센서부와, 센서부의 수직열마다에 배설된 복수개의 수직전송부를 구비하고, 수직전송부는 센서부로부터 독출된 신호전하를 전송하는 신호전하 전송부와, 신호전하 전송부상에 절연층을 개재하여 배설된 게이트전극과, 게이트전극상에 층간절연막을 개재하여 형성된 차광층과, 차광층의 바로 밑에 형성된 수소를 함유하는 버퍼층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 실리콘질화막 또는 실리콘질화산화막인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 실리콘질화막은 플라즈마 퇴적된 실리콘질화산화막인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 차광층과 상기 버퍼층 사이에 저반사막을 개재하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 저반사막은 수소흡장합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 차광층은 수소흡장합금으로 이루어지는 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 수소흡장합금은 티탄계 합금인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 센서부상에 걸쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  9. 2차원 배열된 복수개의 센서부와,이들 센서부의 수직열마다에 배설되어 상기 센서부로부터 독출된 신호전하를 전송하는 복수개의 수직전송부를 구비한 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 기판표면측에 형성된 신호전하 전송부의 위쪽에 절연층을 개재하여 게이트 전극을 형성하고, 이어서 상기 게이트전극상 및 상기 센서부상에 층간절연막을 개재하여 수소를 함유하는 버퍼층을 형성하고, 그 후 상기 버퍼층상에 상기 센서부상의 영역을 제외하고 차광층을 적층하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 버퍼층은 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  11. 2차원 배열된 복수개의 센서부와,이들 센서부의 수직열마다에 배설되어 상기 센서부로부터 독출된 신호전하를 전송하는 복수개의 수직전송부를 구비한 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 기판표면측에 형성된 신호전하 전송부의 위쪽에 절연층을 개재하여 게이트 전극을 형성하고, 이어서 상기 게이트전극상 및 상기 센서부상에 층간절연막을 개재하여 수소를 함유하는 버퍼층을 형성하고, 이어서 상기 센서부상의 영역의 상기 버퍼층을 에칭하여, 수직전송부의 상부만을 남겨두고, 이어서 버퍼층의 남은 부분의 표면상에만 차광층을 적층하고, 그 후 전체면에 패시베이션막을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 버퍼층은 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030040865A (ko) * 2001-11-16 2003-05-23 주식회사 하이닉스반도체 암전류를 감소시키기 위한 이미지센서의 제조 방법
KR100866635B1 (ko) * 2006-09-25 2008-11-03 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 촬상장치 및 촬상방법

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW269744B (en) * 1994-08-08 1996-02-01 Matsushita Electron Co Ltd Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
KR0172837B1 (ko) * 1995-08-11 1999-02-01 문정환 고체촬상 소자의 구조
US6040613A (en) * 1996-01-19 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Antireflective coating and wiring line stack
WO1998011608A1 (en) * 1996-09-10 1998-03-19 Philips Electronics N.V. Charge coupled device, and method of manufacturing such a device
JP3070513B2 (ja) * 1997-04-07 2000-07-31 日本電気株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US6133595A (en) * 1997-04-08 2000-10-17 Matsushita Electronics Corporation Solid state imaging device with improved ground adhesion layer
JP3033524B2 (ja) * 1997-05-23 2000-04-17 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP3024595B2 (ja) * 1997-07-04 2000-03-21 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP3702611B2 (ja) * 1997-10-06 2005-10-05 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US6278169B1 (en) 1998-05-07 2001-08-21 Analog Devices, Inc. Image sensor shielding
US6288434B1 (en) * 1999-05-14 2001-09-11 Tower Semiconductor, Ltd. Photodetecting integrated circuits with low cross talk
JP3647390B2 (ja) * 2000-06-08 2005-05-11 キヤノン株式会社 電荷転送装置、固体撮像装置及び撮像システム
JP2002158345A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Shimadzu Corp 固体撮像素子
JP2002208685A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Sony Corp 固体撮像素子
KR20030054791A (ko) * 2001-12-26 2003-07-02 동부전자 주식회사 반도체 소자의 퓨즈 형성 방법
JP2003218341A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP2003229562A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Sony Corp 半導体装置、その製造方法及び半導体製造装置
JP3885769B2 (ja) * 2003-06-02 2007-02-28 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP2005183671A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像検出器
JP2008510960A (ja) * 2004-08-20 2008-04-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 保護層を有するマイクロエレクトロニクスシステム
JP2007080941A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
US20070108546A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-17 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter and imaging system including the same
JP5110820B2 (ja) 2006-08-02 2012-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム
JP6217458B2 (ja) * 2014-03-03 2017-10-25 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
KR102290502B1 (ko) * 2014-07-31 2021-08-19 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP2021166259A (ja) 2020-04-07 2021-10-14 キヤノン株式会社 光電変換装置および機器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3099957B2 (ja) * 1990-01-17 2000-10-16 株式会社リコー 光導電部材
JPH03227063A (ja) * 1990-01-31 1991-10-08 Nec Corp 固体撮像装置
JPH0567767A (ja) * 1991-03-06 1993-03-19 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2853785B2 (ja) * 1992-01-30 1999-02-03 松下電子工業株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US5466612A (en) * 1992-03-11 1995-11-14 Matsushita Electronics Corp. Method of manufacturing a solid-state image pickup device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030040865A (ko) * 2001-11-16 2003-05-23 주식회사 하이닉스반도체 암전류를 감소시키기 위한 이미지센서의 제조 방법
KR100866635B1 (ko) * 2006-09-25 2008-11-03 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 촬상장치 및 촬상방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5565374A (en) 1996-10-15
KR100276616B1 (ko) 2001-02-01
JPH07202160A (ja) 1995-08-04
US5523609A (en) 1996-06-04

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