KR950021707A - 고체촬상장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
2차원 배열된 복수개의 센서부(1)와, 이들 센서부(1)의 수직열마다에 배설되어 센서부(1)로부터 독출된 신호전하를 전송하는 수직전송부(2)를 구비한 CCD이미저 등의 고체촬상장치에 있어서, 수직전송부(2)는 센서부(1)로부터 독출된 신호전하를 전송하는 신호전하 전송부(10)와, 신호전하 전송부(10)상에 절연층(11)을 개재하여 배설된 게이트전극(12)과, 게이트전극(12)상에 층간절연막(14)을 개재하여 형성된 차광층(16)과, 차광층(16)의 바로 밑에 형성된 수소를 함유하는 버퍼층(15)으로 이루어진다. 수소를 함유하는 실리콘질화막등이 버퍼층(15)은 차광층으로부터의 불순물 확산이나 성막시의 대미지를 저지하고, 기판과 산화막과의 계면에 대하여 수소를 공급하여 계면의 상태를 양호하게 할 수 있으므로, 암전류를 저감시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 CCD이미지의 요부의 단면도.
제2도의 있어서의 A-A'선에서 본 단면도.
Claims (12)
- 매트릭스로 배열되고, 각각 입사광의 강도에 상당하는 양의 신호전하를 발생하는 복수개의 센서부와, 센서부의 수직열마다에 배설된 복수개의 수직전송부를 구비하고, 수직전송부는 센서부로부터 독출된 신호전하를 전송하는 신호전하 전송부와, 신호전하 전송부상에 절연층을 개재하여 배설된 게이트전극과, 게이트전극상에 층간절연막을 개재하여 형성된 차광층과, 차광층의 바로 밑에 형성된 수소를 함유하는 버퍼층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 실리콘질화막 또는 실리콘질화산화막인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘질화막은 플라즈마 퇴적된 실리콘질화산화막인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 차광층과 상기 버퍼층 사이에 저반사막을 개재하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제4항에 있어서, 상기 저반사막은 수소흡장합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 차광층은 수소흡장합금으로 이루어지는 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제6항에 있어서, 상기 수소흡장합금은 티탄계 합금인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 센서부상에 걸쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 2차원 배열된 복수개의 센서부와,이들 센서부의 수직열마다에 배설되어 상기 센서부로부터 독출된 신호전하를 전송하는 복수개의 수직전송부를 구비한 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 기판표면측에 형성된 신호전하 전송부의 위쪽에 절연층을 개재하여 게이트 전극을 형성하고, 이어서 상기 게이트전극상 및 상기 센서부상에 층간절연막을 개재하여 수소를 함유하는 버퍼층을 형성하고, 그 후 상기 버퍼층상에 상기 센서부상의 영역을 제외하고 차광층을 적층하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 버퍼층은 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 2차원 배열된 복수개의 센서부와,이들 센서부의 수직열마다에 배설되어 상기 센서부로부터 독출된 신호전하를 전송하는 복수개의 수직전송부를 구비한 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 기판표면측에 형성된 신호전하 전송부의 위쪽에 절연층을 개재하여 게이트 전극을 형성하고, 이어서 상기 게이트전극상 및 상기 센서부상에 층간절연막을 개재하여 수소를 함유하는 버퍼층을 형성하고, 이어서 상기 센서부상의 영역의 상기 버퍼층을 에칭하여, 수직전송부의 상부만을 남겨두고, 이어서 버퍼층의 남은 부분의 표면상에만 차광층을 적층하고, 그 후 전체면에 패시베이션막을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 버퍼층은 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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