JPH0730090A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH0730090A JPH0730090A JP5170343A JP17034393A JPH0730090A JP H0730090 A JPH0730090 A JP H0730090A JP 5170343 A JP5170343 A JP 5170343A JP 17034393 A JP17034393 A JP 17034393A JP H0730090 A JPH0730090 A JP H0730090A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像素子の遮光膜の薄膜化を可能にす
る。 【構成】 有効画素領域３６の受光部１を除く他の領域
上に遮光膜４４が形成されてなる固体撮像素子におい
て、遮光膜４４を結晶配向性を引きつがないように複数
の膜、例えばＡｌ薄膜４１，ＴｉＮ薄膜４２及びＡｌ薄
膜４３の積層膜で形成する。
る。 【構成】 有効画素領域３６の受光部１を除く他の領域
上に遮光膜４４が形成されてなる固体撮像素子におい
て、遮光膜４４を結晶配向性を引きつがないように複数
の膜、例えばＡｌ薄膜４１，ＴｉＮ薄膜４２及びＡｌ薄
膜４３の積層膜で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】例えばフレームインターライントランス
ファ（ＦＩＴ）型、インターライントランスファ（Ｉ
Ｔ）型等のＣＣＤ固体撮像素子においては、図５に示す
ように、画素となる複数の受光部１がマトリックス状に
配列され、各受光部列の一側にＣＣＤ構造の垂直転送レ
ジスタ２が設けられた撮像部３を有して成り、この撮像
部３の有効画素領域４の受光部１を除く少なくとも垂直
転送レジスタ２を含む領域上及び黒の基準レベルを規定
するための所謂オプティカルブラック領域５の全面上
に、斜線で示すように、遮光膜例えばＡｌ遮光膜６を形
成して構成される。
ファ（ＦＩＴ）型、インターライントランスファ（Ｉ
Ｔ）型等のＣＣＤ固体撮像素子においては、図５に示す
ように、画素となる複数の受光部１がマトリックス状に
配列され、各受光部列の一側にＣＣＤ構造の垂直転送レ
ジスタ２が設けられた撮像部３を有して成り、この撮像
部３の有効画素領域４の受光部１を除く少なくとも垂直
転送レジスタ２を含む領域上及び黒の基準レベルを規定
するための所謂オプティカルブラック領域５の全面上
に、斜線で示すように、遮光膜例えばＡｌ遮光膜６を形
成して構成される。
【０００３】図６は、図５の有効画素領域４におけるＡ
−Ａ線上の断面の一例を示す。１１は第１導電形例えば
Ｎ形のシリコン基板を示し、この基板１１上の第１の第
２導電形即ちＰ形のウェル領域１２内に、Ｎ形不純物拡
散領域１３と垂直転送レジスタ２を構成するＮ形転送チ
ャンネル領域１４並びにＰ形のチャンネルストップ領域
１５が形成され、上記Ｎ形不純物拡散領域１３上にＰ形
の正電荷蓄積領域１６が、Ｎ形の転送チャネル領域１４
の真下に第２のＰ形ウェル領域１７が夫々形成される。
−Ａ線上の断面の一例を示す。１１は第１導電形例えば
Ｎ形のシリコン基板を示し、この基板１１上の第１の第
２導電形即ちＰ形のウェル領域１２内に、Ｎ形不純物拡
散領域１３と垂直転送レジスタ２を構成するＮ形転送チ
ャンネル領域１４並びにＰ形のチャンネルストップ領域
１５が形成され、上記Ｎ形不純物拡散領域１３上にＰ形
の正電荷蓄積領域１６が、Ｎ形の転送チャネル領域１４
の真下に第２のＰ形ウェル領域１７が夫々形成される。
【０００４】ここで、Ｎ形不純物拡散領域１３とＰ形ウ
ェル領域１２とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰ
Ｄによって受光部（光電変換部）１が構成される。
ェル領域１２とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰ
Ｄによって受光部（光電変換部）１が構成される。
【０００５】そして、垂直転送レジスタ２を構成する転
送チャネル領域１４、チャネルストップ領域１５及び読
み出しゲート部７上にゲート絶縁膜１８を介して多結晶
シリコンからなる転送電極１９が形成され、転送チャネ
ル領域１４、ゲート絶縁膜１８及び転送電極１９により
垂直転送レジスタ２が構成される。
送チャネル領域１４、チャネルストップ領域１５及び読
み出しゲート部７上にゲート絶縁膜１８を介して多結晶
シリコンからなる転送電極１９が形成され、転送チャネ
ル領域１４、ゲート絶縁膜１８及び転送電極１９により
垂直転送レジスタ２が構成される。
【０００６】転送電極１９上及び正電荷蓄積領域１６を
含む全面上に層間絶縁膜２０が積層され、更に転送電極
１９に対応する層間絶縁膜２０上に、スパッタリング等
によって例えば８００ｎｍ程度の厚さに成膜したアルミ
ニウム等の金属遮光膜６が選択的に形成される。上層に
は表面保護膜２２が形成される。
含む全面上に層間絶縁膜２０が積層され、更に転送電極
１９に対応する層間絶縁膜２０上に、スパッタリング等
によって例えば８００ｎｍ程度の厚さに成膜したアルミ
ニウム等の金属遮光膜６が選択的に形成される。上層に
は表面保護膜２２が形成される。
【０００７】上記Ａｌ遮光膜６によって、直接、垂直転
送レジスタ２内に入射される光が阻止され、有効画素領
域４ではこの光入射によるスミアの発生が低減され、オ
プティカルブラック領域５では電気的に黒の基準レベル
が規定される。
送レジスタ２内に入射される光が阻止され、有効画素領
域４ではこの光入射によるスミアの発生が低減され、オ
プティカルブラック領域５では電気的に黒の基準レベル
が規定される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年、固体撮像素子の
高集積化に伴って、デバイスの平面方向だけでなく、段
切れ等を考慮して、厚さ方向にも寸法を小さくする必要
が生じてきた。しかし乍ら、金属遮光膜６の膜厚を薄く
すると、一層膜で形成されているため、図７に示すよう
に、金属遮光膜６の結晶粒２４の粒界が揃い易く、ピン
ホール２５が発生すると、そのピンホール２５から光透
過してしまい、遮光性を低下させてしまう。従って、有
効画素領域４ではこの透過光２６によるスミアが増加
し、固体撮像素子の不良を引き起こすという問題点が生
じて来た。
高集積化に伴って、デバイスの平面方向だけでなく、段
切れ等を考慮して、厚さ方向にも寸法を小さくする必要
が生じてきた。しかし乍ら、金属遮光膜６の膜厚を薄く
すると、一層膜で形成されているため、図７に示すよう
に、金属遮光膜６の結晶粒２４の粒界が揃い易く、ピン
ホール２５が発生すると、そのピンホール２５から光透
過してしまい、遮光性を低下させてしまう。従って、有
効画素領域４ではこの透過光２６によるスミアが増加
し、固体撮像素子の不良を引き起こすという問題点が生
じて来た。
【０００９】一方、オプティカルブラック領域５では光
透過により黒の基準レベルが変動する等の不都合が生じ
るものであった。
透過により黒の基準レベルが変動する等の不都合が生じ
るものであった。
【００１０】本発明は、上述の点に鑑み、遮光膜の膜厚
を薄くしても遮光性を確保し、高信頼性を図った固体撮
像素子を提供するものである。
を薄くしても遮光性を確保し、高信頼性を図った固体撮
像素子を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、有効画素領域
３６の受光部１を除く他の領域上に遮光膜４４が形成さ
れてる固体撮像素子において、遮光膜４４を、結晶の配
向性を引きつがない複数の膜（いわゆる積層膜）で形成
して構成する。
３６の受光部１を除く他の領域上に遮光膜４４が形成さ
れてる固体撮像素子において、遮光膜４４を、結晶の配
向性を引きつがない複数の膜（いわゆる積層膜）で形成
して構成する。
【００１２】また、本発明は、上記固体撮像素子におい
て、遮光膜４４を第１層膜４１，第２層膜４２及び第３
層膜４３の３層膜構造とし、その第２層膜４２を第１層
膜４１及び第３層膜４３と異なる膜で形成して構成す
る。
て、遮光膜４４を第１層膜４１，第２層膜４２及び第３
層膜４３の３層膜構造とし、その第２層膜４２を第１層
膜４１及び第３層膜４３と異なる膜で形成して構成す
る。
【００１３】
【作用】第１の発明においては、固体撮像素子における
遮光膜４４を、結晶の配向性を引きつがない複数の膜で
形成することにより、固体撮像素子の高集積化に伴い遮
光膜４４を薄くしても、遮光膜４４の遮光性が確保され
る。従ってスミア成分の低減が図られ、また、オプティ
カルブラック領域３７での黒の基準レベルに変動が生じ
ない。
遮光膜４４を、結晶の配向性を引きつがない複数の膜で
形成することにより、固体撮像素子の高集積化に伴い遮
光膜４４を薄くしても、遮光膜４４の遮光性が確保され
る。従ってスミア成分の低減が図られ、また、オプティ
カルブラック領域３７での黒の基準レベルに変動が生じ
ない。
【００１４】第２の発明においては、固体撮像素子にお
ける遮光膜４４を、第１層膜４１，第２層膜４２及び第
３層膜４３からなる３層膜構造とし、その中間の第２層
膜４２を他の第１層膜４１及び第３層膜４３と異なる膜
で形成することにより、この遮光膜４４は結晶の配向性
を引きつがない積層膜となる。従って、固体撮像素子の
高集積化に伴い遮光膜４４を薄くしても、遮光膜４４の
遮光性が確保され、スミア成分の低減化、オプティカル
ブラック領域３７での黒の基準レベルの安定化が図れ
る。
ける遮光膜４４を、第１層膜４１，第２層膜４２及び第
３層膜４３からなる３層膜構造とし、その中間の第２層
膜４２を他の第１層膜４１及び第３層膜４３と異なる膜
で形成することにより、この遮光膜４４は結晶の配向性
を引きつがない積層膜となる。従って、固体撮像素子の
高集積化に伴い遮光膜４４を薄くしても、遮光膜４４の
遮光性が確保され、スミア成分の低減化、オプティカル
ブラック領域３７での黒の基準レベルの安定化が図れ
る。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による固体撮像
素子の実施例を説明する。
素子の実施例を説明する。
【００１６】図１及び図２は、本発明をフレームインタ
ーライントランスファ（ＦＩＴ）型のＣＣＤ固体撮像素
子に適用した場合である。
ーライントランスファ（ＦＩＴ）型のＣＣＤ固体撮像素
子に適用した場合である。
【００１７】本例のＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子３０
は、図１に示すように、画素となる複数の受光部１がマ
トリックス状に配列され、各受光部列の一側にＣＣＤ構
造の垂直転送レジスタ２が設けられた撮像部３１と、撮
像部３１の複数の垂直転送レジスタ２に１対１で対応す
るＣＣＤ構造の複数の垂直転送レジスタ３２が設けられ
た蓄積部３３と、蓄積部３３の一側に配されたＣＣＤ構
造の水平転送レジスタ３４と、水平転送レジスタ３４の
出力側に接続された出力回路３５とを備えて成る。そし
て、撮像部３１における有効画素領域３６の受光部１を
除く垂直転送レジスタ２を含む他の領域と、黒の基準レ
ベルを規定するための所謂オプティカルブラック領域３
７及び水平転送レジスタ３４の全面とには、斜線で示す
ように、後述の遮光膜４４が形成される。
は、図１に示すように、画素となる複数の受光部１がマ
トリックス状に配列され、各受光部列の一側にＣＣＤ構
造の垂直転送レジスタ２が設けられた撮像部３１と、撮
像部３１の複数の垂直転送レジスタ２に１対１で対応す
るＣＣＤ構造の複数の垂直転送レジスタ３２が設けられ
た蓄積部３３と、蓄積部３３の一側に配されたＣＣＤ構
造の水平転送レジスタ３４と、水平転送レジスタ３４の
出力側に接続された出力回路３５とを備えて成る。そし
て、撮像部３１における有効画素領域３６の受光部１を
除く垂直転送レジスタ２を含む他の領域と、黒の基準レ
ベルを規定するための所謂オプティカルブラック領域３
７及び水平転送レジスタ３４の全面とには、斜線で示す
ように、後述の遮光膜４４が形成される。
【００１８】このＣＣＤ固体撮像素子３０では、各受光
部１において受光量に応じて光電変換された信号電荷が
垂直転送レジスタ２に読み出され、垂直転送レジスタ２
内を転送して一旦蓄積部３３の垂直転送レジスタ３２に
蓄積される。そして、１水平ライン毎の信号電荷が水平
転送レジスタ３４に転送され、水平転送レジスタ３４内
を順次転送して出力回路３５を通じて出力される。
部１において受光量に応じて光電変換された信号電荷が
垂直転送レジスタ２に読み出され、垂直転送レジスタ２
内を転送して一旦蓄積部３３の垂直転送レジスタ３２に
蓄積される。そして、１水平ライン毎の信号電荷が水平
転送レジスタ３４に転送され、水平転送レジスタ３４内
を順次転送して出力回路３５を通じて出力される。
【００１９】本例においては、遮光膜３８を図２に示す
ように構成する。図２は有効画素領域３６の断面構造
（図１のＡ−Ａ線上の断面図）を示す。この画素領域３
６では、第１導電形例えばＮ形のシリコン基板１１上の
第１の第２導電形即ちＰ形のウェル領域１２内に、Ｎ形
の不純物拡散領域１３と垂直転送レジスタ２を構成する
Ｎ形転送チャネル領域１４並びにＰ形のチャネルストッ
プ領域１５が形成され、上記Ｎ形の不純物拡散領域１３
上にＰ形の正電荷蓄積領域１６が、またＮ形の転送チャ
ネル領域１４の直下に第２のＰ形ウェル領域１７が夫々
形成される。
ように構成する。図２は有効画素領域３６の断面構造
（図１のＡ−Ａ線上の断面図）を示す。この画素領域３
６では、第１導電形例えばＮ形のシリコン基板１１上の
第１の第２導電形即ちＰ形のウェル領域１２内に、Ｎ形
の不純物拡散領域１３と垂直転送レジスタ２を構成する
Ｎ形転送チャネル領域１４並びにＰ形のチャネルストッ
プ領域１５が形成され、上記Ｎ形の不純物拡散領域１３
上にＰ形の正電荷蓄積領域１６が、またＮ形の転送チャ
ネル領域１４の直下に第２のＰ形ウェル領域１７が夫々
形成される。
【００２０】ここで、Ｎ形の不純物拡散領域１３とＰ形
ウェル領域１２とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオード
ＰＤによって受光部（光電変換部）１が構成される。垂
直転送レジスタ２を構成する転送チャネル領域１４、チ
ャネルストップ領域１５及び読み出しゲート部７上に、
ゲート絶縁膜１８を介して例えば多結晶シリコンからな
る転送電極１９が形成され、この転送チャネル領域１
４、ゲート絶縁膜１８及び転送電極１９により垂直転送
レジスタ２が構成される。
ウェル領域１２とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオード
ＰＤによって受光部（光電変換部）１が構成される。垂
直転送レジスタ２を構成する転送チャネル領域１４、チ
ャネルストップ領域１５及び読み出しゲート部７上に、
ゲート絶縁膜１８を介して例えば多結晶シリコンからな
る転送電極１９が形成され、この転送チャネル領域１
４、ゲート絶縁膜１８及び転送電極１９により垂直転送
レジスタ２が構成される。
【００２１】転送電極１９及び正電荷蓄積領域１６上を
含む全面に、層間絶縁膜２０が形成される。
含む全面に、層間絶縁膜２０が形成される。
【００２２】そして、本例では、転送電極１９に対応す
る部分の層間絶縁膜２０上に、第１層目薄膜例えばＡｌ
薄膜４１、第２層目薄膜例えばＴｉＮ薄膜４２及び第３
層目薄膜例えばＡｌ薄膜４３からなる３層膜構造の金属
遮光膜４４が形成される。第２層目のＴｉＮ薄膜４２
は、第１層目のＡｌ薄膜４１の結晶配向性と異なる結晶
配向性を有している。金属遮光膜４４はスパッタリング
等により成膜される。２２は最上層の表面保護膜であ
る。
る部分の層間絶縁膜２０上に、第１層目薄膜例えばＡｌ
薄膜４１、第２層目薄膜例えばＴｉＮ薄膜４２及び第３
層目薄膜例えばＡｌ薄膜４３からなる３層膜構造の金属
遮光膜４４が形成される。第２層目のＴｉＮ薄膜４２
は、第１層目のＡｌ薄膜４１の結晶配向性と異なる結晶
配向性を有している。金属遮光膜４４はスパッタリング
等により成膜される。２２は最上層の表面保護膜であ
る。
【００２３】かかる遮光膜４４は、図４に示すＤ．Ｃマ
グネトロンスパッタリング装置５０を用いて成膜され
る。図３は、成膜された遮光膜４４の膜式図である。
グネトロンスパッタリング装置５０を用いて成膜され
る。図３は、成膜された遮光膜４４の膜式図である。
【００２４】Ｄ．Ｃマグネトロンスパッタリング装置５
０は、中央に真空搬送室５１を有し、その周囲に、予備
排気室５２，Ａｌ−１％Ｓｉターゲット５４を取り付け
た第１の処理室５３，Ｔｉターゲット５６を取り付けた
第２の処理室５５等を有して成る。
０は、中央に真空搬送室５１を有し、その周囲に、予備
排気室５２，Ａｌ−１％Ｓｉターゲット５４を取り付け
た第１の処理室５３，Ｔｉターゲット５６を取り付けた
第２の処理室５５等を有して成る。
【００２５】先ず、装置５０の第１の処理室５３に固体
撮像素子が作り込まれたシリコン基板を搬送し、ここに
おいて、第１層目の薄膜であるＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４４
を２００ｎｍの厚さに成膜する。このときの条件は、ア
ルゴンガスの圧力を８ｍＴｏｒｒ，Ｄ．Ｃ電力を６Ｋ
Ｗ，スパッタ時間を１８ｓｅｃとした。成膜されたＡｌ
−１％Ｓｉ薄膜４１は（１１１）の結晶方位をもった柱
状晶となる（図３参照）。
撮像素子が作り込まれたシリコン基板を搬送し、ここに
おいて、第１層目の薄膜であるＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４４
を２００ｎｍの厚さに成膜する。このときの条件は、ア
ルゴンガスの圧力を８ｍＴｏｒｒ，Ｄ．Ｃ電力を６Ｋ
Ｗ，スパッタ時間を１８ｓｅｃとした。成膜されたＡｌ
−１％Ｓｉ薄膜４１は（１１１）の結晶方位をもった柱
状晶となる（図３参照）。
【００２６】次に、シリコン基板を装置５０の第２の処
理室５５へ真空を破ることなく搬送し、アルゴン及び窒
素の混合ガス中でスパッタリングし、Ａｌ−１％Ｓｉ薄
膜４１上に第２層目の薄膜であるＴｉＮ薄膜４２を４０
ｎｍの厚さに成膜する。このときのアルゴン及び窒素の
混合ガス圧力は８ｍＴｏｒｒ，Ｄ．Ｃ電力は３ＫＷ，ス
パッタ時間は７１ｓｅｃとした。成膜されたＴｉＮ薄膜
４２は、（２００）の結晶方位をもっており、その格子
定数が４．２４１９Åとなる（図３参照）。
理室５５へ真空を破ることなく搬送し、アルゴン及び窒
素の混合ガス中でスパッタリングし、Ａｌ−１％Ｓｉ薄
膜４１上に第２層目の薄膜であるＴｉＮ薄膜４２を４０
ｎｍの厚さに成膜する。このときのアルゴン及び窒素の
混合ガス圧力は８ｍＴｏｒｒ，Ｄ．Ｃ電力は３ＫＷ，ス
パッタ時間は７１ｓｅｃとした。成膜されたＴｉＮ薄膜
４２は、（２００）の結晶方位をもっており、その格子
定数が４．２４１９Åとなる（図３参照）。
【００２７】次に、シリコン基板を第２の処理室５５か
ら第１の処理室５３へ戻し、第１層目のＡｌ−１％Ｓｉ
薄膜４１と同じ条件で、ＴｉＮ薄膜４２上に第３層目の
Ａｌ−１％Ｓｉ薄膜４３を２００ｎｍの厚さに成膜す
る。このＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４３は、（１１１）の結晶
方位をもっており、格子定数が２．８６３１Åである
（図３参照）。
ら第１の処理室５３へ戻し、第１層目のＡｌ−１％Ｓｉ
薄膜４１と同じ条件で、ＴｉＮ薄膜４２上に第３層目の
Ａｌ−１％Ｓｉ薄膜４３を２００ｎｍの厚さに成膜す
る。このＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４３は、（１１１）の結晶
方位をもっており、格子定数が２．８６３１Åである
（図３参照）。
【００２８】このように、（１１１）配向の結晶性を有
したＡｌ薄膜の格子定数が２．８６３１Åであって、第
２層目（中間膜）のＴｉＮ薄膜４２と不整合を生じるた
め、第１層目（下層）のＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４１の結晶
配向性は、第２層目（中間膜）のＴｉＮ薄膜４２で断ち
切られる。
したＡｌ薄膜の格子定数が２．８６３１Åであって、第
２層目（中間膜）のＴｉＮ薄膜４２と不整合を生じるた
め、第１層目（下層）のＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４１の結晶
配向性は、第２層目（中間膜）のＴｉＮ薄膜４２で断ち
切られる。
【００２９】即ち、上層の第３層目のＡｌ−１％Ｓｉ薄
膜４３が下層の第１層目のＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４１の柱
状晶をそのまま引き継がないため、光４５の透過する結
晶粒界が断ち切られたこととなる。
膜４３が下層の第１層目のＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４１の柱
状晶をそのまま引き継がないため、光４５の透過する結
晶粒界が断ち切られたこととなる。
【００３０】以上の工程により、Ａｌ−１％Ｓｉ薄膜４
１，ＴｉＮ薄膜４２及びＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４３の３層
膜構造の遮光膜４４が得られる。その後の工程は、通常
と同様の方法を用いて上記３層膜構造の膜を所望のパタ
ーンにエッチングをして目的とする固体撮像素子を作成
する。
１，ＴｉＮ薄膜４２及びＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４３の３層
膜構造の遮光膜４４が得られる。その後の工程は、通常
と同様の方法を用いて上記３層膜構造の膜を所望のパタ
ーンにエッチングをして目的とする固体撮像素子を作成
する。
【００３１】上述の構成によれば、遮光膜４４を結晶配
向性の連続性を断ち切るように、Ａｌ−１％Ｓｉ薄膜４
１，ＴｉＮ薄膜４２及びＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４３からな
る積層膜で形成することにより、遮光膜４４の遮光性を
向上することができる。従って、固体撮像素子の高集積
化に伴って、遮光膜を薄膜化することができ、スミア成
分の少ない、また黒の基準レベルが変動しない信頼性の
高い高集積固体撮像素子が得られる。
向性の連続性を断ち切るように、Ａｌ−１％Ｓｉ薄膜４
１，ＴｉＮ薄膜４２及びＡｌ−１％Ｓｉ薄膜４３からな
る積層膜で形成することにより、遮光膜４４の遮光性を
向上することができる。従って、固体撮像素子の高集積
化に伴って、遮光膜を薄膜化することができ、スミア成
分の少ない、また黒の基準レベルが変動しない信頼性の
高い高集積固体撮像素子が得られる。
【００３２】上例の遮光膜４４では、中間の第２層目薄
膜をＴｉＮ膜４２で形成したが、第２層目薄膜はこれに
限らず、例えばアモルファスＳｉ，Ｗ，Ｃｒ，ＴｉＯ
Ｎ，金属酸化膜等の薄膜を用いることができる。要は、
第２層目（中間層）の薄膜４２は、第３層目（上層）の
Ａｌ薄膜４３の結晶配向性を乱すことができる薄膜であ
ればよい。
膜をＴｉＮ膜４２で形成したが、第２層目薄膜はこれに
限らず、例えばアモルファスＳｉ，Ｗ，Ｃｒ，ＴｉＯ
Ｎ，金属酸化膜等の薄膜を用いることができる。要は、
第２層目（中間層）の薄膜４２は、第３層目（上層）の
Ａｌ薄膜４３の結晶配向性を乱すことができる薄膜であ
ればよい。
【００３３】第２層目薄膜をスパッタリングで形成する
代わりに、第１層目のＡｌ薄膜表面に酸素プラズマ処理
を施すことによって酸化アルミニウム膜を形成し、この
酸化アルミニウム膜を第２層目薄膜とすることもでき
る。
代わりに、第１層目のＡｌ薄膜表面に酸素プラズマ処理
を施すことによって酸化アルミニウム膜を形成し、この
酸化アルミニウム膜を第２層目薄膜とすることもでき
る。
【００３４】また、上例では第１層目の薄膜４１と第３
層目の薄膜４３を同じＡｌ−１％Ｓｉ薄膜を用いたが、
両薄膜４１及び４３を互に異ならしてもよい。例えば第
１層目がＡｌ−１％Ｓｉ薄膜、第２層目がＴｉＮ，Ｔｉ
ＯＮ等の薄膜、第３層目がＷ薄膜とすることもできる。
層目の薄膜４３を同じＡｌ−１％Ｓｉ薄膜を用いたが、
両薄膜４１及び４３を互に異ならしてもよい。例えば第
１層目がＡｌ−１％Ｓｉ薄膜、第２層目がＴｉＮ，Ｔｉ
ＯＮ等の薄膜、第３層目がＷ薄膜とすることもできる。
【００３５】さらに、結晶配向性を引きつがないようで
あれば２層膜構造で遮光膜を形成することもできる。例
えば第１層目がＡｌ−１％Ｓｉ薄膜、第２層目がＷ薄膜
とすることができる。
あれば２層膜構造で遮光膜を形成することもできる。例
えば第１層目がＡｌ−１％Ｓｉ薄膜、第２層目がＷ薄膜
とすることができる。
【００３６】尚、第１層目の薄膜としては、他部におけ
るシリコン領域にコンタクトをとる際に好適なＡｌ−１
％Ｓｉを用いたが、その他、例えば第１層目薄膜におい
てそのシリコン表面に接する下半分をＡｌ−１％Ｓｉと
し、その上半分を純Ａｌで形成するようにしても可能で
ある。第３層目も純Ａｌで形成することもできる。
るシリコン領域にコンタクトをとる際に好適なＡｌ−１
％Ｓｉを用いたが、その他、例えば第１層目薄膜におい
てそのシリコン表面に接する下半分をＡｌ−１％Ｓｉと
し、その上半分を純Ａｌで形成するようにしても可能で
ある。第３層目も純Ａｌで形成することもできる。
【００３７】上例では、ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子に
適用したが、その他、インターライントランスファ（Ｉ
Ｔ）型のＣＣＤ固体撮像素子等にも適用できる。
適用したが、その他、インターライントランスファ（Ｉ
Ｔ）型のＣＣＤ固体撮像素子等にも適用できる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、膜厚を薄くしても遮光
膜の遮光性を向上することができる。従って、遮光膜を
薄膜化することができ、信頼性の高い高集積の固体撮像
素子を提供することができる。
膜の遮光性を向上することができる。従って、遮光膜を
薄膜化することができ、信頼性の高い高集積の固体撮像
素子を提供することができる。
【図１】本実施例に係るフレームインターライントラン
スファ型ＣＣＤ固体撮像素子の構成図である。
スファ型ＣＣＤ固体撮像素子の構成図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線上の断面図である。
【図３】本実施例に係る遮光膜の模式図である。
【図４】本実施例の遮光膜を成膜するためのＤ．Ｃマグ
ネトロンスパッタリング装置の構成図である。
ネトロンスパッタリング装置の構成図である。
【図５】従来例の説明に供する固体撮像素子の撮像部の
構成図である。
構成図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図７】従来の一層膜構造によるＡｌ遮光膜の模式図で
ある。
ある。
１ 受光部 ２，３２ 垂直転送レジスタ ３，３１ 撮像部 ４，３６ 有効画素領域 ５，３７ オプティカルブラック領域 ６，３８ 遮光膜 ３３ 蓄積部 ３４ 水平転送レジスタ ３５ 出力回路 ４１ 第１層目薄膜 ４２ 第２層目薄膜 ４３ 第３層目薄膜 ５０ Ｄ．Ｃマグネトロンスパッタリング装置
Claims (2)
- 【請求項１】 有効画素領域の受光部を除く他の領域上
に遮光膜が形成されてなる固体撮像素子において、 前記遮光膜が結晶の配向性を引きつがない複数の膜で形
成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記遮光膜が第１層膜、第２層膜及び第
３層膜からなり、該第２層膜が前記第１層膜及び前記第
３層膜と異なる膜で形成されてなることを特徴とする請
求項１記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17034393A JP3362456B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17034393A JP3362456B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 固体撮像素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001313818A Division JP3733891B2 (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730090A true JPH0730090A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3362456B2 JP3362456B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=15903173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17034393A Expired - Lifetime JP3362456B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3362456B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09181292A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Nec Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
| US6133595A (en) * | 1997-04-08 | 2000-10-17 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state imaging device with improved ground adhesion layer |
| JP2013115429A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | イメージセンサチップおよびその製造方法 |
| WO2016103936A1 (ja) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子、および固体撮像素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP17034393A patent/JP3362456B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09181292A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Nec Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
| US6133595A (en) * | 1997-04-08 | 2000-10-17 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state imaging device with improved ground adhesion layer |
| JP2013115429A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | イメージセンサチップおよびその製造方法 |
| WO2016103936A1 (ja) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子、および固体撮像素子の製造方法 |
| JPWO2016103936A1 (ja) * | 2014-12-24 | 2017-08-03 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子、および固体撮像素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3362456B2 (ja) | 2003-01-07 |
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