JPH0456274A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0456274A JPH0456274A JP2167179A JP16717990A JPH0456274A JP H0456274 A JPH0456274 A JP H0456274A JP 2167179 A JP2167179 A JP 2167179A JP 16717990 A JP16717990 A JP 16717990A JP H0456274 A JPH0456274 A JP H0456274A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置、特に、固体撮像装置の遮光膜構
造に関するものである。
造に関するものである。
従来の技術
従来の固体撮像装置の遮光膜の構成を第２図に従って説
明する。
明する。
第２図において、１はＮ型半導体基板、２はＰウェル層
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート酸化膜
、７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜
、９はＣＶＤ酸化膜、１０はシリコンを０．５ｗｔ％以
上含有したアルミニウム遮光膜、１１はＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜を示す。すなわち、第２図のように、
Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２、フォトダイオード
のＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用のＰ＋不
純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリコンゲート電極
７、眉間絶縁膜としてシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜
９を形成し、さらに、多結晶シリコンゲート電極７上の
シリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介してシリコンを
０．５ｗｔ％以上含有したアルミニウム遮光膜１ｏを形
成し、ＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１を形成する
。
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート酸化膜
、７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜
、９はＣＶＤ酸化膜、１０はシリコンを０．５ｗｔ％以
上含有したアルミニウム遮光膜、１１はＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜を示す。すなわち、第２図のように、
Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２、フォトダイオード
のＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用のＰ＋不
純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリコンゲート電極
７、眉間絶縁膜としてシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜
９を形成し、さらに、多結晶シリコンゲート電極７上の
シリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介してシリコンを
０．５ｗｔ％以上含有したアルミニウム遮光膜１ｏを形
成し、ＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１を形成する
。
発明が解決しようとする課題
このような従来例では、アルミニウムヒロックの発生が
著しく、特に、Ｎ型半導体基板１に対して水平方向への
アルミニウムヒロック（横ヒロック）は、フォトダイオ
ードの開口面積を著しく低下させ、フォトダイオード間
の感度むらを増大させるという問題があった。また、固
体撮像素子の表面にオンチップカラーフィルターを形成
する場合、アルミニウム遮光膜１０からの反射光により
、有機高分子材料からなる染色層の解像度不良が発生す
るという問題もあった。
著しく、特に、Ｎ型半導体基板１に対して水平方向への
アルミニウムヒロック（横ヒロック）は、フォトダイオ
ードの開口面積を著しく低下させ、フォトダイオード間
の感度むらを増大させるという問題があった。また、固
体撮像素子の表面にオンチップカラーフィルターを形成
する場合、アルミニウム遮光膜１０からの反射光により
、有機高分子材料からなる染色層の解像度不良が発生す
るという問題もあった。
本発明はこのような課題を解決するもので、フォトダイ
オード間の感度むらを抑制することができ、また、アル
ミニウム遮光膜からの反射光によるオンチップカラーフ
ィルターの染色層の解像度不良を防止することができる
固体撮像装置を提供することを目的とするものである。
オード間の感度むらを抑制することができ、また、アル
ミニウム遮光膜からの反射光によるオンチップカラーフ
ィルターの染色層の解像度不良を防止することができる
固体撮像装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は、−導電型半導体
基板上に形成した光電変換部の表面以外を覆ったアルミ
ニウム遮光膜の側壁及び上面を窒化チタニウムで被覆し
た固体撮像装置である。
基板上に形成した光電変換部の表面以外を覆ったアルミ
ニウム遮光膜の側壁及び上面を窒化チタニウムで被覆し
た固体撮像装置である。
作用
本発明は、アルミニウム遮光膜の側壁及び上面が窒化チ
タニウム膜で被覆されるため、アルミニウムヒロックの
発生を著しく低減でき、フォトダイオード間の感度むら
を抑制することができる。
タニウム膜で被覆されるため、アルミニウムヒロックの
発生を著しく低減でき、フォトダイオード間の感度むら
を抑制することができる。
また、窒化チタニウム膜の反射率は、アルミニウム遮光
膜の反射率の約５分の１と著しく低いため、アルミニウ
ム遮光膜がらの反射光を著しく低減でき、オンチップカ
ラーフィルターの染色層の解像度不良の発生を防止する
ことができる。
膜の反射率の約５分の１と著しく低いため、アルミニウ
ム遮光膜がらの反射光を著しく低減でき、オンチップカ
ラーフィルターの染色層の解像度不良の発生を防止する
ことができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図の固体撮像装
置の断面図に基づいて説明する。
置の断面図に基づいて説明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２、
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ＋型不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶
シリコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコン酸
化膜８とＣＶＤ酸化膜９を形成し、さらに、多結晶シリ
コンゲート電極７上のシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜
９を介して、スパッタリング法によりシリコンを０．５
ｗｔ％以上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成した
後、スパッタリング法により、ガス圧力約５ｍＴｏｒｒ
のアルゴンと窒素の混合ガス雰囲気中で、チタニウムタ
ーゲットを用いて、約５００Ａの窒化チタニウム膜１２
をアルミニウム遮光膜１ｏの側壁及び上面に選択的に形
成し、ＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１を形成する
。
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ＋型不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶
シリコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコン酸
化膜８とＣＶＤ酸化膜９を形成し、さらに、多結晶シリ
コンゲート電極７上のシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜
９を介して、スパッタリング法によりシリコンを０．５
ｗｔ％以上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成した
後、スパッタリング法により、ガス圧力約５ｍＴｏｒｒ
のアルゴンと窒素の混合ガス雰囲気中で、チタニウムタ
ーゲットを用いて、約５００Ａの窒化チタニウム膜１２
をアルミニウム遮光膜１ｏの側壁及び上面に選択的に形
成し、ＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１を形成する
。
発明の効果
以上のように本発明によれば、アルミニウム遮光膜の側
壁及び上面を、窒化チタニウム膜で被覆できるため、ア
ルミニウムヒロックの発生を著しく低減でき、フォトダ
イオード間の感度むらを著しく改善できる効果が得られ
る。また、アルミニウム遮光膜のｇ４壁及び上面が反射
率の低い窒化チタニウム膜で被覆できるため、アルミニ
ウム遮光膜からの反射光を著しく低減でき、オンチップ
カラーフィルターの染色層の解像度不良の発生を防止で
きる効果が得られ、所望の特性の固体撮像装置を実現す
ることができる。
壁及び上面を、窒化チタニウム膜で被覆できるため、ア
ルミニウムヒロックの発生を著しく低減でき、フォトダ
イオード間の感度むらを著しく改善できる効果が得られ
る。また、アルミニウム遮光膜のｇ４壁及び上面が反射
率の低い窒化チタニウム膜で被覆できるため、アルミニ
ウム遮光膜からの反射光を著しく低減でき、オンチップ
カラーフィルターの染色層の解像度不良の発生を防止で
きる効果が得られ、所望の特性の固体撮像装置を実現す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成断面図、第２図は
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ十不純物層、６・・・・・・ゲート酸化膜、７・
・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・・
シリコン酸化膜、９・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１０・
・・・・・シリコンを０．５ｗｔ％以上含有したアルミ
ニウム遮光膜、１１・・・・・・ＣＶＤ絶縁膜からなる
表面保護膜、１２・・・・・・窒化チタニウム膜。 代理人の氏名−弁理士 粟野重孝 はが１名ｆｆ ゲート電秒 第２図
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ十不純物層、６・・・・・・ゲート酸化膜、７・
・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・・
シリコン酸化膜、９・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１０・
・・・・・シリコンを０．５ｗｔ％以上含有したアルミ
ニウム遮光膜、１１・・・・・・ＣＶＤ絶縁膜からなる
表面保護膜、１２・・・・・・窒化チタニウム膜。 代理人の氏名−弁理士 粟野重孝 はが１名ｆｆ ゲート電秒 第２図
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に形成した光電変換部の表面以
外を覆ったアルミニウム遮光膜の側壁及び上面を窒化チ
タニウム膜で被覆することを特徴とした固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167179A JPH0456274A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167179A JPH0456274A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456274A true JPH0456274A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15844890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167179A Pending JPH0456274A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456274A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669481A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US5942749A (en) * | 1996-07-29 | 1999-08-24 | Nec Corporation | Photodetector having means for processing optical input signals |
| US6278169B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-08-21 | Analog Devices, Inc. | Image sensor shielding |
| JP4761174B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2011-08-31 | アイシン精機株式会社 | 回転式バルブ装置 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167179A patent/JPH0456274A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669481A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US5942749A (en) * | 1996-07-29 | 1999-08-24 | Nec Corporation | Photodetector having means for processing optical input signals |
| US6278169B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-08-21 | Analog Devices, Inc. | Image sensor shielding |
| JP4761174B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2011-08-31 | アイシン精機株式会社 | 回転式バルブ装置 |
| US8127793B2 (en) | 2008-12-22 | 2012-03-06 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Rotary valve apparatus |
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