JPH039563A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH039563A JPH039563A JP1144705A JP14470589A JPH039563A JP H039563 A JPH039563 A JP H039563A JP 1144705 A JP1144705 A JP 1144705A JP 14470589 A JP14470589 A JP 14470589A JP H039563 A JPH039563 A JP H039563A
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Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置、特に、固体撮像装置の遮光膜に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
従来、固体撮像装置の遮光膜は第２図の断面図に示すよ
うな構成であった。
うな構成であった。
第２国において、１はＮ型半導体基板、２はＰウェル層
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート酸化膜
、７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜
、９はＢＰＳＧ膜、１０はシリコンを０．５ｗｔ、９６
以上含有したアルミニウム遮光膜、１１は化学的気相成
長方法によって形成されたシリコン酸化膜（ＣＶＤ酸化
膜）を示す。すなわち、第２図のように、Ｎ型半導体基
板１上にＰウェル層２、フォトダイオードのＮ型不純物
層３、Ｎウェル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５、ゲ
ート酸化膜６、多結晶シリコンゲート電極７、層間絶縁
膜としてシリコン酸１ヒ膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、
さらに、多結晶シリコンゲート電極７上のシリコン酸化
膜８とＢＰＳＧ膜９を介してシリコンを０．５ｗｔ９６
以上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成し、最終保
護用絶縁膜としてＣＶＤ酸化膜１１を形成する。
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート酸化膜
、７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜
、９はＢＰＳＧ膜、１０はシリコンを０．５ｗｔ、９６
以上含有したアルミニウム遮光膜、１１は化学的気相成
長方法によって形成されたシリコン酸化膜（ＣＶＤ酸化
膜）を示す。すなわち、第２図のように、Ｎ型半導体基
板１上にＰウェル層２、フォトダイオードのＮ型不純物
層３、Ｎウェル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５、ゲ
ート酸化膜６、多結晶シリコンゲート電極７、層間絶縁
膜としてシリコン酸１ヒ膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、
さらに、多結晶シリコンゲート電極７上のシリコン酸化
膜８とＢＰＳＧ膜９を介してシリコンを０．５ｗｔ９６
以上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成し、最終保
護用絶縁膜としてＣＶＤ酸化膜１１を形成する。
発明が解決しようとする課題
このような従来例では、アルミニウム遮光膜中のシリコ
ン含有率が０．５ｗｔ％以上と高いため、アルミニウム
ヒロックの発生が著しく、とくに、基板に対して水平方
向へのアルミニウムヒロック（横ヒロック）は、フォト
ダイオードの開口面積を著しく低下させ、フォトダイオ
ード間の感度むらを増大させるという問題があった。
ン含有率が０．５ｗｔ％以上と高いため、アルミニウム
ヒロックの発生が著しく、とくに、基板に対して水平方
向へのアルミニウムヒロック（横ヒロック）は、フォト
ダイオードの開口面積を著しく低下させ、フォトダイオ
ード間の感度むらを増大させるという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、フォトダイ
オード間の感度むらを抑制することのできる固体撮像装
置を提供することを目的とするものである。
オード間の感度むらを抑制することのできる固体撮像装
置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は、−導電型半導体
基板上に形成した光電変換部の表面以外の部分に純度９
９．９％以上のアルミニウムでおおった遮光膜をそなえ
た固体撮像装置である。
基板上に形成した光電変換部の表面以外の部分に純度９
９．９％以上のアルミニウムでおおった遮光膜をそなえ
た固体撮像装置である。
作用
本発明では、アルミニウム遮光膜中の不純物の含有率が
０．１％未満と極めて低いため、アルミニウムヒロック
の発生を著しく低減でき、フォトダイオード間の感度む
らを抑制することができる。
０．１％未満と極めて低いため、アルミニウムヒロック
の発生を著しく低減でき、フォトダイオード間の感度む
らを抑制することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図の断面図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２、
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ＋不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シ
リコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコン酸化
膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、さらに、多結晶シリコン
ゲート電極７上のシリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を介
して、スパッタリング法により純度９９．９％以上のア
ルミニウム遮光膜１２を０．５〜１．０μｍ程度形成し
た後、水素と窒素の混合ガス雰囲気中、３００〜４００
℃程度で熱処理し、最終保護用絶縁膜としてＣＶＤ酸化
膜１１を形成した。
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ＋不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シ
リコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコン酸化
膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、さらに、多結晶シリコン
ゲート電極７上のシリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を介
して、スパッタリング法により純度９９．９％以上のア
ルミニウム遮光膜１２を０．５〜１．０μｍ程度形成し
た後、水素と窒素の混合ガス雰囲気中、３００〜４００
℃程度で熱処理し、最終保護用絶縁膜としてＣＶＤ酸化
膜１１を形成した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、純度９９．９％以上のア
ルミニウム遮光膜を形成することにより、アルミニウム
ヒロックの発生を防止することができ、その結果、フォ
トダイオード間の感度むらを著しく改善できる効果が得
られ、所望の特性の固体撮像装置を実現することができ
る。
ルミニウム遮光膜を形成することにより、アルミニウム
ヒロックの発生を防止することができ、その結果、フォ
トダイオード間の感度むらを著しく改善できる効果が得
られ、所望の特性の固体撮像装置を実現することができ
る。
第１図は本発明の一実施例構成の断面図、第２図は従来
例構成の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ＋不純物層、６・・・・・・ゲート酸化膜、７・
・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・・
シリコン酸化膜、９・・・・・・ＢＰＳＧ膜、１０・・
・・・・シリコンを０．５ｗｔ％以上含有したアルミニ
ウム遮光膜、１１・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１２・・
・・・・純度９９．９％以上のアルミニウム遮光膜。
例構成の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ＋不純物層、６・・・・・・ゲート酸化膜、７・
・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・・
シリコン酸化膜、９・・・・・・ＢＰＳＧ膜、１０・・
・・・・シリコンを０．５ｗｔ％以上含有したアルミニ
ウム遮光膜、１１・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１２・・
・・・・純度９９．９％以上のアルミニウム遮光膜。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に形成した光電変換部の表面以外
の部分に純度９９．９％以上のアルミニウムでおおった
遮光膜を形成したことを特徴とした固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144705A JPH039563A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144705A JPH039563A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH039563A true JPH039563A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15368371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144705A Pending JPH039563A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH039563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687017A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing solid state image sensing device |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP1144705A patent/JPH039563A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687017A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing solid state image sensing device |
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