JPH03227570A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH03227570A JPH03227570A JP2022455A JP2245590A JPH03227570A JP H03227570 A JPH03227570 A JP H03227570A JP 2022455 A JP2022455 A JP 2022455A JP 2245590 A JP2245590 A JP 2245590A JP H03227570 A JPH03227570 A JP H03227570A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置の製造方法、特に、固体撮像装置
の最終保護用絶縁膜の製造方法に関するものである。
の最終保護用絶縁膜の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、固体撮像装置の最終保護用絶縁膜の形成方法は第
２図に示すような構成であった。
２図に示すような構成であった。
第２図において、１はＮ型半導体基板、２はアラニル層
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ＋ 不純物層、６はゲート酸化
膜、７は多結晶ンリコンゲート電極、８はシリコン酸化
膜、９はＢＰＳＧ膜、１０はシリコンを０．５ｗｔ％以
上含有したアルミニウム遮光膜、１１は常圧ＣＶＤ法に
よるシリコン酸化膜を示す。すなわち、第２図のように
、Ｎ型半導体基板１上にアラニル層２、フォトダイオー
ドのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用のＰ＋
不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリコンゲート電
極７、層間絶縁膜としてシリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜
９を形成し、さらに、多結晶シリコンゲート電極７上の
シリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を介してシリコンを０
．５ｗｔ％以上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成
し、最終保護用絶縁膜として、常圧ＣＶＤ法により、シ
ラン（ＳｉＨ＋）と酸素（０２）を原料ガスに用いて、
成長温度４００〜４５０℃にて、常圧ＣＶＤシリコン酸
化膜１１を形成する。
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ＋ 不純物層、６はゲート酸化
膜、７は多結晶ンリコンゲート電極、８はシリコン酸化
膜、９はＢＰＳＧ膜、１０はシリコンを０．５ｗｔ％以
上含有したアルミニウム遮光膜、１１は常圧ＣＶＤ法に
よるシリコン酸化膜を示す。すなわち、第２図のように
、Ｎ型半導体基板１上にアラニル層２、フォトダイオー
ドのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用のＰ＋
不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリコンゲート電
極７、層間絶縁膜としてシリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜
９を形成し、さらに、多結晶シリコンゲート電極７上の
シリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を介してシリコンを０
．５ｗｔ％以上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成
し、最終保護用絶縁膜として、常圧ＣＶＤ法により、シ
ラン（ＳｉＨ＋）と酸素（０２）を原料ガスに用いて、
成長温度４００〜４５０℃にて、常圧ＣＶＤシリコン酸
化膜１１を形成する。
発明が解決しようとする課題
このような従来例では、最終保護用絶縁膜の成長温度が
４００〜４５０℃と高く、アルミニウム遮光膜のヒロッ
クの発生が著しく、とくに、基板に対して水平方向への
アルミニウム遮光膜のヒロック（横ヒロック）は、フォ
トダイオードの開口面積を著しく低下させ、フォトダイ
オード間の感度むらを増大させるという問題があった。
４００〜４５０℃と高く、アルミニウム遮光膜のヒロッ
クの発生が著しく、とくに、基板に対して水平方向への
アルミニウム遮光膜のヒロック（横ヒロック）は、フォ
トダイオードの開口面積を著しく低下させ、フォトダイ
オード間の感度むらを増大させるという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、フォトダイ
オード間の感度むらを抑制することのできる固体撮像装
置の製造方法を提供することを目的とするものである。
オード間の感度むらを抑制することのできる固体撮像装
置の製造方法を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は、−導電型半導体
基板上に形成した光電変換部の一表面以外をアルミニウ
ム遮光膜で覆った後、前記光電変換部と前記アルミニウ
ム遮光膜の全面にプラズマＣＶＤ法または光ＣＶＤ法に
よりシリコン酸化膜を形成する工程を具備した固体撮像
装置の製造方法を提供するものである。
基板上に形成した光電変換部の一表面以外をアルミニウ
ム遮光膜で覆った後、前記光電変換部と前記アルミニウ
ム遮光膜の全面にプラズマＣＶＤ法または光ＣＶＤ法に
よりシリコン酸化膜を形成する工程を具備した固体撮像
装置の製造方法を提供するものである。
作用
本発明では、最終保護用絶縁膜をプラズマＣＶＤ法また
は光ＣＶＤ法によって形成しているため、常圧Ｃｖ′Ｄ
法に比較してプロセスの低温化が図れ、かつ、圧縮性応
力を有する最終保護用絶縁膜を形成することができ、ア
ルミニウム遮光膜のヒロックの発生を著しく低減でき、
フォトダイオード間の感度むらを抑制することができる
。
は光ＣＶＤ法によって形成しているため、常圧Ｃｖ′Ｄ
法に比較してプロセスの低温化が図れ、かつ、圧縮性応
力を有する最終保護用絶縁膜を形成することができ、ア
ルミニウム遮光膜のヒロックの発生を著しく低減でき、
フォトダイオード間の感度むらを抑制することができる
。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図に基づいて説
明する。
明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１上にアラニル層２、
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ゛不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シ
リコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコン酸化
膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、さらに多結晶シリコンゲ
ート電極７上のシリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を介し
て、スパッタリング法によりシリコンを０．５ｗｔ％以
上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成し、最終保護
膜として、プラズマＣＶＤ法により、シラン（ＳｉＨ＜
）と亜酸化窒素（Ｎ２０）を原料ガスに用いて、反応圧
力０．２〜１． ＯＴｏｒｒ、成長温度２５０〜３００
℃にて、全面に、５０００〜１００００λ程度の膜厚の
プラズマＣＶＤシリコン酸化膜１２を形成する。なお、
プラズマＣＶＤシリコン酸化膜１２の代わりに光ＣＶＤ
シリコン酸化膜を形成してもよい。
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ゛不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シ
リコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコン酸化
膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、さらに多結晶シリコンゲ
ート電極７上のシリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を介し
て、スパッタリング法によりシリコンを０．５ｗｔ％以
上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成し、最終保護
膜として、プラズマＣＶＤ法により、シラン（ＳｉＨ＜
）と亜酸化窒素（Ｎ２０）を原料ガスに用いて、反応圧
力０．２〜１． ＯＴｏｒｒ、成長温度２５０〜３００
℃にて、全面に、５０００〜１００００λ程度の膜厚の
プラズマＣＶＤシリコン酸化膜１２を形成する。なお、
プラズマＣＶＤシリコン酸化膜１２の代わりに光ＣＶＤ
シリコン酸化膜を形成してもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、最終保護用絶縁膜をプラ
ズマＣＶＤ法または光ＣＶＤ法によって形成することに
より、アルミニウム遮光膜のヒロックの発生を抑制する
ことができ、その結果、フォトダイオード間の感度むら
を著しく改善できる効果が得られ、所望の特性の固体撮
像装置を提供することができる。
ズマＣＶＤ法または光ＣＶＤ法によって形成することに
より、アルミニウム遮光膜のヒロックの発生を抑制する
ことができ、その結果、フォトダイオード間の感度むら
を著しく改善できる効果が得られ、所望の特性の固体撮
像装置を提供することができる。
第１図は、本発明の一実、施例により得られる固体撮像
装置の構成断面図、第２図は従来例により得られる固体
撮像装置の構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・アラニ
ル層、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ＋不純物層、６・・・・・・ゲート最酸化膜、７
・・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・
・シリコン酸化膜、９・・・・・・ＢＰＳＧ膜、１０・
・・・・・シリコンを０．５ｗｔ％以上含有したアルミ
ニウム遮光膜、１１・・・・・・常圧ＣＶＤシリコン酸
化膜、１２・・・・・・プラズマＣＶＤシリコン酸化膜
。
装置の構成断面図、第２図は従来例により得られる固体
撮像装置の構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・アラニ
ル層、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ＋不純物層、６・・・・・・ゲート最酸化膜、７
・・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・
・シリコン酸化膜、９・・・・・・ＢＰＳＧ膜、１０・
・・・・・シリコンを０．５ｗｔ％以上含有したアルミ
ニウム遮光膜、１１・・・・・・常圧ＣＶＤシリコン酸
化膜、１２・・・・・・プラズマＣＶＤシリコン酸化膜
。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に形成した光電変換部の表面以外
をアルミニウム遮光膜で覆った後、前記光電変換部と前
記アルミニウム遮光膜の全面にプラズマＣＶＤ法または
光ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を具備
することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022455A JPH03227570A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022455A JPH03227570A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227570A true JPH03227570A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=12083186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022455A Pending JPH03227570A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03227570A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257165A (ja) * | 1984-06-02 | 1985-12-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS6344761A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-02-01 JP JP2022455A patent/JPH03227570A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257165A (ja) * | 1984-06-02 | 1985-12-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS6344761A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
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