JPH039564A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH039564A JPH039564A JP1144707A JP14470789A JPH039564A JP H039564 A JPH039564 A JP H039564A JP 1144707 A JP1144707 A JP 1144707A JP 14470789 A JP14470789 A JP 14470789A JP H039564 A JPH039564 A JP H039564A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置、特に、固体撮像装置の遮光膜構
造に関するものである。
造に関するものである。
従来の技術
従来、固体撮像装置の遮光膜は第２図の断面に示すよう
な構成であった。
な構成であった。
第２図において、１はＮ型半導体基板、２はＰウェル層
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート酸化膜
、７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜
、９はＢＰＳＧ膜、１０はシリコンを０．５ｗｔ％以上
含有したアルミニウム遮光膜、１１は化学的気相成長方
法で形成されたシリコン酸化膜（ＣＶＤ酸化膜）を示す
。すなわち、第２図のように、Ｎ型半導体基板１上にＰ
ウェル層２、フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウ
ェル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５、ゲート酸化膜
６、多結晶シリコンゲート電極７、層間絶縁膜としてシ
リコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、さらに、多結
晶シリコンゲート電極７上のシリコン酸化膜８とＢＰＳ
Ｇ膜９を介してシリコンを０．５ｗｔ％以上含有したア
ルミニウム遮光膜１０を形成し、最終保護用絶縁膜とし
てＣＶＤ酸化膜１１を形成する。
、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウェル
層、５は素子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート酸化膜
、７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜
、９はＢＰＳＧ膜、１０はシリコンを０．５ｗｔ％以上
含有したアルミニウム遮光膜、１１は化学的気相成長方
法で形成されたシリコン酸化膜（ＣＶＤ酸化膜）を示す
。すなわち、第２図のように、Ｎ型半導体基板１上にＰ
ウェル層２、フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウ
ェル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５、ゲート酸化膜
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リコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、さらに、多結
晶シリコンゲート電極７上のシリコン酸化膜８とＢＰＳ
Ｇ膜９を介してシリコンを０．５ｗｔ％以上含有したア
ルミニウム遮光膜１０を形成し、最終保護用絶縁膜とし
てＣＶＤ酸化膜１１を形成する。
発明が解決しようとする課題
このような従来例では、アルミニウムヒロックの発生が
著しく、とくに、基板に対して水平方向へのアルミニウ
ムヒロック（横ヒロック）は、フォトダイオードの開口
面積を著しく低下させ、フォトダイオード間の感度むら
を増大させるという問題があった。
著しく、とくに、基板に対して水平方向へのアルミニウ
ムヒロック（横ヒロック）は、フォトダイオードの開口
面積を著しく低下させ、フォトダイオード間の感度むら
を増大させるという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、フォトダイ
オード間の感度むらを抑制することのできる固体撮像装
置を提供することを目的とするものである。
オード間の感度むらを抑制することのできる固体撮像装
置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は、−導電型半導体
基板上に形成した光電変換部の表面以外をアルミニウム
遮光膜で覆い、さらに前記アルミニウム遮光膜の側壁及
び上面をモリブデン、タングステン等の高融点金属膜で
被覆した固体撮像装置である。
基板上に形成した光電変換部の表面以外をアルミニウム
遮光膜で覆い、さらに前記アルミニウム遮光膜の側壁及
び上面をモリブデン、タングステン等の高融点金属膜で
被覆した固体撮像装置である。
作用
本発明では、アルミニウム遮光膜の側壁及び上面がモリ
ブデン、タングステン等の高融点金属膜で被覆されるた
め、アルミニウムヒロックの発生を著しく低減でき、フ
ォトダイオード間の感度むらを抑制することができる。
ブデン、タングステン等の高融点金属膜で被覆されるた
め、アルミニウムヒロックの発生を著しく低減でき、フ
ォトダイオード間の感度むらを抑制することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図の断面図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２．
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ十型不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶
シリコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコン酸
化膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、さらに、多結晶シリコ
ンゲート電極７上のシリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を
介して、スパッタリング法によりシリコンをＱ 、５
ｗ ｔ％以上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成し
た後、六フッ化タングステン（ＷＦｓ）と水素（Ｈ２）
の混合ガス中で３００〜５００℃程度の熱処理を施し、
アルミニウム遮光膜１０の側壁及び上面にのみ１０００
〜２０００Ａ程度の膜厚のタングステン膜１２を選択成
長させ、最終保護用絶縁膜としてＣＶＤ酸化膜１１を形
成する。ここでＷＦＧガスの代わりＭｏＦｅを１吏用す
ればモリブデンが選択成長される。
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素
子分離用のＰ十型不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶
シリコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコン酸
化膜８とＢＰＳＧ膜９を形成し、さらに、多結晶シリコ
ンゲート電極７上のシリコン酸化膜８とＢＰＳＧ膜９を
介して、スパッタリング法によりシリコンをＱ 、５
ｗ ｔ％以上含有したアルミニウム遮光膜１０を形成し
た後、六フッ化タングステン（ＷＦｓ）と水素（Ｈ２）
の混合ガス中で３００〜５００℃程度の熱処理を施し、
アルミニウム遮光膜１０の側壁及び上面にのみ１０００
〜２０００Ａ程度の膜厚のタングステン膜１２を選択成
長させ、最終保護用絶縁膜としてＣＶＤ酸化膜１１を形
成する。ここでＷＦＧガスの代わりＭｏＦｅを１吏用す
ればモリブデンが選択成長される。
発明の効果
以上のように本発明によれば、アルミニウム遮光膜の側
壁及び上面を、モリブデン、タングステン等の高融点金
属膜で被覆することにより、アルミニウムヒロックの発
生を抑制することができ、その結果、フォトダイオード
間の感度むらを著しく改善できる効果が得られ、所望の
特性の固体撮像装置を実現することができる。
壁及び上面を、モリブデン、タングステン等の高融点金
属膜で被覆することにより、アルミニウムヒロックの発
生を抑制することができ、その結果、フォトダイオード
間の感度むらを著しく改善できる効果が得られ、所望の
特性の固体撮像装置を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成断面図、第２図は
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ十不柿物層、６・・・・・・ゲート酸化膜、７・
・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・・
シリコン酸化膜、９・・・・・・ＢＰＳＧ膜、１０・・
・・・・シリコンを０．５ｗｔ％以上含有したアルミニ
ウム遮光膜、１１・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１２・・
・・・・タングステン膜。
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・フォトダイオードのＮ型不純物層
、４・・・・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離
用のＰ十不柿物層、６・・・・・・ゲート酸化膜、７・
・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・・
シリコン酸化膜、９・・・・・・ＢＰＳＧ膜、１０・・
・・・・シリコンを０．５ｗｔ％以上含有したアルミニ
ウム遮光膜、１１・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１２・・
・・・・タングステン膜。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に形成した光電変換部の表面以外
をアルミニウム遮光膜で覆い、かつ、前記アルミニウム
遮光膜の側壁及び上面を高融点金属膜で被覆したことを
特徴とした固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144707A JP2523873B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144707A JP2523873B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH039564A true JPH039564A (ja) | 1991-01-17 |
| JP2523873B2 JP2523873B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=15368419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144707A Expired - Lifetime JP2523873B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523873B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102456A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US5336919A (en) * | 1990-11-26 | 1994-08-09 | Nec Corporation | Solid-state image pickup device with high melting point metal shield |
| EP0687017A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing solid state image sensing device |
| JP2007331777A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Taiyo Kogyo Corp | 保冷装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280350U (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | ||
| JPS63127153U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP1144707A patent/JP2523873B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280350U (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | ||
| JPS63127153U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336919A (en) * | 1990-11-26 | 1994-08-09 | Nec Corporation | Solid-state image pickup device with high melting point metal shield |
| JPH05102456A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| EP0687017A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing solid state image sensing device |
| JP2007331777A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Taiyo Kogyo Corp | 保冷装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2523873B2 (ja) | 1996-08-14 |
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