JPH05152557A - Ｃｃｄ固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
Ｃｃｄ固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JPH05152557A JPH05152557A JP3314254A JP31425491A JPH05152557A JP H05152557 A JPH05152557 A JP H05152557A JP 3314254 A JP3314254 A JP 3314254A JP 31425491 A JP31425491 A JP 31425491A JP H05152557 A JPH05152557 A JP H05152557A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スミア特性を改善したＣＣＤ固体撮像素子を
提供する。 【構成】 第２のゲート絶縁膜８上に第１の半導体膜９
とシリサイド膜１０を堆積した後、第２の半導体膜１４
を堆積し、転送電極７を遮光するようにパターンニング
して第１の遮光膜とする。第１の遮光膜上に例えばボロ
ンフォスフォシリケートガラスで形成された層間絶縁膜
１１をパイロ雰囲気で熱処理することによってパイロフ
ローして層間絶縁膜１１の最上面を平坦化する。このと
きパイロ雰囲気中から層間絶縁膜１１中を拡散したＨ2
Ｏは第２の半導体膜１４を酸化することで消費されるの
でシリサイド膜１０を酸化することはなく、ＣＣＤ固体
撮像素子にスミア特性の劣化を生じない。
提供する。 【構成】 第２のゲート絶縁膜８上に第１の半導体膜９
とシリサイド膜１０を堆積した後、第２の半導体膜１４
を堆積し、転送電極７を遮光するようにパターンニング
して第１の遮光膜とする。第１の遮光膜上に例えばボロ
ンフォスフォシリケートガラスで形成された層間絶縁膜
１１をパイロ雰囲気で熱処理することによってパイロフ
ローして層間絶縁膜１１の最上面を平坦化する。このと
きパイロ雰囲気中から層間絶縁膜１１中を拡散したＨ2
Ｏは第２の半導体膜１４を酸化することで消費されるの
でシリサイド膜１０を酸化することはなく、ＣＣＤ固体
撮像素子にスミア特性の劣化を生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スミア特性を改善した
ＣＣＤ固体撮像素子およびその製造方法に関する。
ＣＣＤ固体撮像素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術によるＣＣＤ固体撮像素子の
断面構造を図３に示す（特開平２−１５６６７０号公報
参照）。図３において、１は半導体基板、２はフォトダ
イオード、３は第１の分離拡散層、４は第２の分離拡散
層、５は転送チャンネル、６は第１のゲート絶縁膜、７
は転送電極、８は第２のゲート絶縁膜、９は第１の半導
体膜、１０はシリサイド膜、１１は層間絶縁膜、１２は
第２の遮光膜、１３は表面保護膜を示している。
断面構造を図３に示す（特開平２−１５６６７０号公報
参照）。図３において、１は半導体基板、２はフォトダ
イオード、３は第１の分離拡散層、４は第２の分離拡散
層、５は転送チャンネル、６は第１のゲート絶縁膜、７
は転送電極、８は第２のゲート絶縁膜、９は第１の半導
体膜、１０はシリサイド膜、１１は層間絶縁膜、１２は
第２の遮光膜、１３は表面保護膜を示している。
【０００３】図３に従って、従来のＣＣＤ固体撮像素子
の動作を説明する。半導体基板１に形成されたフォトダ
イオード２は入射した光子を光電変換してフォトキャリ
アを生成する。第１の分離拡散層３と第２の分離拡散層
４によって、転送チャンネル５はフォトダイオード２か
ら電気的に分離されている。第１のゲート絶縁膜６を介
して半導体基板上１に設けられた転送電極７に所定の電
圧パルスを印加することにより、前記フォトキャリアが
転送チャンネル５に読み出され、あるいは前記フォトキ
ャリアが転送チャンネル５内を転送される。転送電極７
上には第２のゲート絶縁膜８を介して、ポリシリコン等
の第１の半導体膜９とタングステンシリサイド等のシリ
サイド膜１０とからなる第１の遮光膜が形成され、転送
チャンネル５に光が入射することを防止している。
の動作を説明する。半導体基板１に形成されたフォトダ
イオード２は入射した光子を光電変換してフォトキャリ
アを生成する。第１の分離拡散層３と第２の分離拡散層
４によって、転送チャンネル５はフォトダイオード２か
ら電気的に分離されている。第１のゲート絶縁膜６を介
して半導体基板上１に設けられた転送電極７に所定の電
圧パルスを印加することにより、前記フォトキャリアが
転送チャンネル５に読み出され、あるいは前記フォトキ
ャリアが転送チャンネル５内を転送される。転送電極７
上には第２のゲート絶縁膜８を介して、ポリシリコン等
の第１の半導体膜９とタングステンシリサイド等のシリ
サイド膜１０とからなる第１の遮光膜が形成され、転送
チャンネル５に光が入射することを防止している。
【０００４】第１の遮光膜の遮光効果は主に光の透過率
が小さいシリサイド膜１０によるもので、第１の半導体
膜９はシリサイド膜１０の内部応力を緩和して剥離する
ことを防止するために必要である。本従来例ではシリサ
イド膜１０を遮光膜の構成要素として用いているが、シ
リサイド膜１０の代わりに例えばタングステンやチタ
ン、モリブデン等の高融点金属単体膜を用いた場合に
も、応力を緩和して剥離を防止するために下地として第
１の半導体膜９を備えている。
が小さいシリサイド膜１０によるもので、第１の半導体
膜９はシリサイド膜１０の内部応力を緩和して剥離する
ことを防止するために必要である。本従来例ではシリサ
イド膜１０を遮光膜の構成要素として用いているが、シ
リサイド膜１０の代わりに例えばタングステンやチタ
ン、モリブデン等の高融点金属単体膜を用いた場合に
も、応力を緩和して剥離を防止するために下地として第
１の半導体膜９を備えている。
【０００５】第２のゲート絶縁膜８は転送チャンネル５
に斜め上方からの入射光等の光が漏れ込むことを防ぐた
めに薄膜化されており、ゲート絶縁膜８の表面の段差は
急峻になっている。そのため、第１の遮光膜は、段差被
覆性を改善するために適度に薄膜化されて形成される。
に斜め上方からの入射光等の光が漏れ込むことを防ぐた
めに薄膜化されており、ゲート絶縁膜８の表面の段差は
急峻になっている。そのため、第１の遮光膜は、段差被
覆性を改善するために適度に薄膜化されて形成される。
【０００６】薄膜化された第１の遮光膜の遮光性は低下
するので、第１の遮光膜との間に層間絶縁膜１１を介し
てアルミニウム等によって第２の遮光膜１２が形成され
る。
するので、第１の遮光膜との間に層間絶縁膜１１を介し
てアルミニウム等によって第２の遮光膜１２が形成され
る。
【０００７】第２の遮光膜１２は、ＣＣＤ固体撮像素子
のスミア特性をより改善するために、第１の遮光膜上を
完全に覆う形状を有することが望ましい。しかし、転送
電極７の端部上において層間絶縁膜１１の最上面に大き
な段差形状が形成されていると、その段差部において第
２の遮光膜１２の段差被覆性に劣化を生じるため充分な
遮光効果が期待できなくなる。そこで、層間絶縁膜１１
は、Ｈ2とＯ2の混合ガスによるパイロ雰囲気中での熱処
理によって最上面がパイロフローされたボロンフォスフ
ォシリケートグラス膜（ＢＰＳＧ膜）やフォスフォシリ
ケートガラス膜（ＰＳＧ膜）で形成され、第２の遮光膜
の段差被覆性が改善されるように図られている。
のスミア特性をより改善するために、第１の遮光膜上を
完全に覆う形状を有することが望ましい。しかし、転送
電極７の端部上において層間絶縁膜１１の最上面に大き
な段差形状が形成されていると、その段差部において第
２の遮光膜１２の段差被覆性に劣化を生じるため充分な
遮光効果が期待できなくなる。そこで、層間絶縁膜１１
は、Ｈ2とＯ2の混合ガスによるパイロ雰囲気中での熱処
理によって最上面がパイロフローされたボロンフォスフ
ォシリケートグラス膜（ＢＰＳＧ膜）やフォスフォシリ
ケートガラス膜（ＰＳＧ膜）で形成され、第２の遮光膜
の段差被覆性が改善されるように図られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３の従来の
技術によるＣＣＤ固体撮像素子のように、第２の遮光膜
の段差被覆性を改善する目的でパイロフローにより層間
絶縁膜１１を平坦化する場合、パイロ雰囲気中から層間
絶縁膜１１中に拡散したＨ2Ｏ分子がシリサイド膜１０
を酸化するため、第１の遮光膜の特に端部において形状
が損なわれて遮光特性が著しく劣化する。このため、転
送電極７の端部付近の遮光は第２の遮光膜１２に強く依
存することになるが、層間絶縁膜１１が平坦化のために
充分な厚さをもって形成されているために転送チャンネ
ル５への光の漏れ込みが著しく、その結果としてＣＣＤ
固体撮像素子のスミア特性に悪影響を及ぼすと言う課題
があった。このような状況は、シリサイド膜１０の代り
にタングステンやチタン、モリブデン等の高融点金属単
体膜を用いた場合も同様である。
技術によるＣＣＤ固体撮像素子のように、第２の遮光膜
の段差被覆性を改善する目的でパイロフローにより層間
絶縁膜１１を平坦化する場合、パイロ雰囲気中から層間
絶縁膜１１中に拡散したＨ2Ｏ分子がシリサイド膜１０
を酸化するため、第１の遮光膜の特に端部において形状
が損なわれて遮光特性が著しく劣化する。このため、転
送電極７の端部付近の遮光は第２の遮光膜１２に強く依
存することになるが、層間絶縁膜１１が平坦化のために
充分な厚さをもって形成されているために転送チャンネ
ル５への光の漏れ込みが著しく、その結果としてＣＣＤ
固体撮像素子のスミア特性に悪影響を及ぼすと言う課題
があった。このような状況は、シリサイド膜１０の代り
にタングステンやチタン、モリブデン等の高融点金属単
体膜を用いた場合も同様である。
【０００９】本発明は、上記の課題を解決するもので、
パイロ雰囲気中での熱処理によって層間絶縁膜の最上部
を充分に平坦化することができ、かつシリサイド膜の酸
化を防止することによりスミア特性の劣化を防止するこ
とが可能なＣＣＤ固体撮像素子を提供することを目的と
するものである。
パイロ雰囲気中での熱処理によって層間絶縁膜の最上部
を充分に平坦化することができ、かつシリサイド膜の酸
化を防止することによりスミア特性の劣化を防止するこ
とが可能なＣＣＤ固体撮像素子を提供することを目的と
するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、下層から順に、第１
の半導体膜とシリサイド膜からなる従来の遮光膜上に、
パイロ雰囲気中の熱処理時、シリサイド膜もしくは高融
点金属単体膜の酸化を防ぐための第２の半導体膜を新た
に備えることで構成された第１の遮光膜と、その第１の
遮光膜上に形成された層間絶縁膜とを有する構造を備え
ている。
に本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、下層から順に、第１
の半導体膜とシリサイド膜からなる従来の遮光膜上に、
パイロ雰囲気中の熱処理時、シリサイド膜もしくは高融
点金属単体膜の酸化を防ぐための第２の半導体膜を新た
に備えることで構成された第１の遮光膜と、その第１の
遮光膜上に形成された層間絶縁膜とを有する構造を備え
ている。
【００１１】
【作用】この構成により、パイロフローによって第１の
遮光膜と第２の遮光膜を介する層間絶縁膜を平坦化する
際に、第１の遮光膜を構成するシリサイド膜の酸化が第
２の半導体膜もしくは絶縁膜によって防止され、その結
果としてＣＣＤ固体撮像素子のスミア特性の劣化を防ぐ
ことができる。
遮光膜と第２の遮光膜を介する層間絶縁膜を平坦化する
際に、第１の遮光膜を構成するシリサイド膜の酸化が第
２の半導体膜もしくは絶縁膜によって防止され、その結
果としてＣＣＤ固体撮像素子のスミア特性の劣化を防ぐ
ことができる。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例によるＣＣＤ固体撮像素子
の断面構造を図１に示す。図１において、図３の従来例
と同一の機能を持つ構成要素には同一の番号を付し、説
明を省略する。すなわち本発明の特徴は第２の半導体膜
１４をシリサイド膜１０の上に積層して、第１の半導体
膜９、シリサイド膜１０および第２の半導体膜１４から
なる第１の遮光膜を形成したことである。そしてその第
１の遮光膜の上に層間絶縁膜１１等を順次形成して行っ
ている。このような構造によれば、第２の半導体膜１４
を形成したことにより、層間絶縁膜１１をパイロフロー
によって平坦化する際にパイロ雰囲気中から層間絶縁膜
１１中へ拡散したＨ2Ｏ分子はシリサイド膜１０まで到
達することができず、第１の遮光膜の形状を酸化によっ
て損なうことがないため、ＣＣＤ固体撮像素子のスミア
特性が劣化することを防ぐことができる。
の断面構造を図１に示す。図１において、図３の従来例
と同一の機能を持つ構成要素には同一の番号を付し、説
明を省略する。すなわち本発明の特徴は第２の半導体膜
１４をシリサイド膜１０の上に積層して、第１の半導体
膜９、シリサイド膜１０および第２の半導体膜１４から
なる第１の遮光膜を形成したことである。そしてその第
１の遮光膜の上に層間絶縁膜１１等を順次形成して行っ
ている。このような構造によれば、第２の半導体膜１４
を形成したことにより、層間絶縁膜１１をパイロフロー
によって平坦化する際にパイロ雰囲気中から層間絶縁膜
１１中へ拡散したＨ2Ｏ分子はシリサイド膜１０まで到
達することができず、第１の遮光膜の形状を酸化によっ
て損なうことがないため、ＣＣＤ固体撮像素子のスミア
特性が劣化することを防ぐことができる。
【００１３】次に、図１の実施例の構成方法を図２に従
って順次示す。図２（ａ）は半導体基板１にフォトダイ
オード２と、転送チャンネル５と、第１の分離拡散層３
と、第２の分離拡散層４とがイオン注入と熱拡散によっ
て形成され、第１のゲート絶縁膜６と、転送電極７と、
第２のゲート絶縁膜８とが順次形成された状態を示して
いる。
って順次示す。図２（ａ）は半導体基板１にフォトダイ
オード２と、転送チャンネル５と、第１の分離拡散層３
と、第２の分離拡散層４とがイオン注入と熱拡散によっ
て形成され、第１のゲート絶縁膜６と、転送電極７と、
第２のゲート絶縁膜８とが順次形成された状態を示して
いる。
【００１４】第１のゲート絶縁膜６が形成された後、図
２（ｂ）に示すように減圧化学気相堆積法によって、シ
ランガス（ＳｉＨ4）を用いて第１の半導体膜９として
ポリシリコン膜を１５０ｎｍの厚さで堆積し、ＳｉＨ4
と六フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いてシリサイド
膜１０としてタングステンシリサイド膜を２５０ｎｍの
厚さで順次堆積する。これらの膜厚はＣＣＤ固体撮像素
子のスミア特性から決定されたもので、特にこの膜圧に
限定されるものではない。さらに、シリサイド膜１０上
にＳｉＨ4を用いた減圧化学気相堆積法によって第２の
半導体膜１４としてポリシリコン膜を５０ｎｍ堆積す
る。第１の遮光膜の構成要素として、シリサイド膜１０
上に第２の半導体膜１４を備えている点が従来技術によ
るＣＣＤ固体撮像素子の構造と異なる点である。
２（ｂ）に示すように減圧化学気相堆積法によって、シ
ランガス（ＳｉＨ4）を用いて第１の半導体膜９として
ポリシリコン膜を１５０ｎｍの厚さで堆積し、ＳｉＨ4
と六フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いてシリサイド
膜１０としてタングステンシリサイド膜を２５０ｎｍの
厚さで順次堆積する。これらの膜厚はＣＣＤ固体撮像素
子のスミア特性から決定されたもので、特にこの膜圧に
限定されるものではない。さらに、シリサイド膜１０上
にＳｉＨ4を用いた減圧化学気相堆積法によって第２の
半導体膜１４としてポリシリコン膜を５０ｎｍ堆積す
る。第１の遮光膜の構成要素として、シリサイド膜１０
上に第２の半導体膜１４を備えている点が従来技術によ
るＣＣＤ固体撮像素子の構造と異なる点である。
【００１５】次に、図２（ｃ）に示すようにレジストパ
ターン（図示せず）をマスクとして第１の半導体膜９
と、シリサイド膜１０と、第２の半導体膜１４を異方性
エッチングによってパターニングし、第１の遮光膜を形
成する。本実施例では、この異方性エッチングは例えば
Ｃ１、Ｆ、Ｂｒなどのハロゲンを含むガスを用いたプラ
ズマエッチングによって可能である。第１の遮光膜を形
成した後、層間絶縁膜１１としてボロンフォスフォシリ
ケートガラス膜（ＢＰＳＧ膜）を例えばボロン２．５重
量％、リン６．０重量％、膜厚９００ｎｍの条件で常圧
ＣＶＤ法等の方法により堆積する。熱処理を加える以前
の平坦化がなされていない状態では、層間絶縁膜１１の
表面には段差の大きな部分や、極端な場合として図２
（ｃ）に示すようにＢＰＳＧ膜がオーバーハングした部
分が形成される。
ターン（図示せず）をマスクとして第１の半導体膜９
と、シリサイド膜１０と、第２の半導体膜１４を異方性
エッチングによってパターニングし、第１の遮光膜を形
成する。本実施例では、この異方性エッチングは例えば
Ｃ１、Ｆ、Ｂｒなどのハロゲンを含むガスを用いたプラ
ズマエッチングによって可能である。第１の遮光膜を形
成した後、層間絶縁膜１１としてボロンフォスフォシリ
ケートガラス膜（ＢＰＳＧ膜）を例えばボロン２．５重
量％、リン６．０重量％、膜厚９００ｎｍの条件で常圧
ＣＶＤ法等の方法により堆積する。熱処理を加える以前
の平坦化がなされていない状態では、層間絶縁膜１１の
表面には段差の大きな部分や、極端な場合として図２
（ｃ）に示すようにＢＰＳＧ膜がオーバーハングした部
分が形成される。
【００１６】次に、例えばＯ2，Ｈ2流量をそれぞれ８ｌ
／ｍｉｎ、１５ｌ／ｍｉｎとしてパイロ雰囲気中で９０
０℃の熱処理を加えてパイロフローを行い、層間絶縁膜
１１の最上面の前記段差部分や前記オーバーハング部分
を平坦化する。このとき、シリサイド膜１０上に第２の
半導体膜１４としてポリシリコン膜が存在するので、水
蒸気雰囲気から層間絶縁膜１１中へ拡散したＨ2Ｏ分子
は第２の半導体膜１４を形成するポリシリコン膜の一部
または全部を酸化することで消費されてしまい、シリサ
イド膜１０を酸化することはない。このため、第１の遮
光膜端部の形状が損なわれることがないので、ＣＣＤ固
体撮像素子のスミア特性の劣化を起こさない。次に、図
２（ｄ）に示すように層間絶縁膜１１上に、例えばアル
ミニウムを１μｍの膜厚で堆積した後、レジストパター
ン（図示せず）をマスクとして異方性エッチングを行い
第２の遮光膜１２を形成する。層間絶縁膜１１表面は前
記のように平坦化がなされているので、第２の遮光膜は
端部が急峻で良好な形状に形成することができる。最後
に、例えばプラズマＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を
堆積して表面保護膜１３を形成してＣＣＤ固体撮像素子
が完成する。
／ｍｉｎ、１５ｌ／ｍｉｎとしてパイロ雰囲気中で９０
０℃の熱処理を加えてパイロフローを行い、層間絶縁膜
１１の最上面の前記段差部分や前記オーバーハング部分
を平坦化する。このとき、シリサイド膜１０上に第２の
半導体膜１４としてポリシリコン膜が存在するので、水
蒸気雰囲気から層間絶縁膜１１中へ拡散したＨ2Ｏ分子
は第２の半導体膜１４を形成するポリシリコン膜の一部
または全部を酸化することで消費されてしまい、シリサ
イド膜１０を酸化することはない。このため、第１の遮
光膜端部の形状が損なわれることがないので、ＣＣＤ固
体撮像素子のスミア特性の劣化を起こさない。次に、図
２（ｄ）に示すように層間絶縁膜１１上に、例えばアル
ミニウムを１μｍの膜厚で堆積した後、レジストパター
ン（図示せず）をマスクとして異方性エッチングを行い
第２の遮光膜１２を形成する。層間絶縁膜１１表面は前
記のように平坦化がなされているので、第２の遮光膜は
端部が急峻で良好な形状に形成することができる。最後
に、例えばプラズマＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を
堆積して表面保護膜１３を形成してＣＣＤ固体撮像素子
が完成する。
【００１７】なお、本実施例での第１の半導体膜９とし
てのポリシリコン膜の膜厚を１５０ｎｍとし、シリサイ
ド膜１０の膜厚を２５０ｎｍとしているが、これらの膜
厚は変更してもよい。また、本実施例では第２の半導体
膜１４に膜厚５０ｎｍのポリシリコン膜を用いている
が、第２の半導体膜１４としてのポリシリコン膜は層間
絶縁膜１１中を拡散したＨ2Ｏを消費できるだけの膜厚
を有していればよい。また、本実施例ではシリサイド膜
１０としてタングステンシリサイド膜を用いたが、例え
ば、モリブデンシリサイド膜やチタンシリサイド膜のよ
うな遮光性を有する他のシリサイド膜をシリサイド膜１
０として用いてもよい。
てのポリシリコン膜の膜厚を１５０ｎｍとし、シリサイ
ド膜１０の膜厚を２５０ｎｍとしているが、これらの膜
厚は変更してもよい。また、本実施例では第２の半導体
膜１４に膜厚５０ｎｍのポリシリコン膜を用いている
が、第２の半導体膜１４としてのポリシリコン膜は層間
絶縁膜１１中を拡散したＨ2Ｏを消費できるだけの膜厚
を有していればよい。また、本実施例ではシリサイド膜
１０としてタングステンシリサイド膜を用いたが、例え
ば、モリブデンシリサイド膜やチタンシリサイド膜のよ
うな遮光性を有する他のシリサイド膜をシリサイド膜１
０として用いてもよい。
【００１８】なお、第２の半導体膜１４として、ポリシ
リコン膜を用いる代わりに、例えば非晶質のシリコン
や、多結晶もしくは非晶質のゲルマニウム等をシリサイ
ド膜１０の酸化を防止できるだけの膜厚で用いてもよ
い。また、本実施例のように第２の半導体膜１４を用い
る代わりに半導体以外の材料を用いてもよく、例えばシ
リコン窒化膜（ＳｉＮ）、アルミナ膜（Ａｌ2Ｏ3）等の
絶縁膜を用いてもシリサイド膜１０の酸化を防止するこ
とができる。
リコン膜を用いる代わりに、例えば非晶質のシリコン
や、多結晶もしくは非晶質のゲルマニウム等をシリサイ
ド膜１０の酸化を防止できるだけの膜厚で用いてもよ
い。また、本実施例のように第２の半導体膜１４を用い
る代わりに半導体以外の材料を用いてもよく、例えばシ
リコン窒化膜（ＳｉＮ）、アルミナ膜（Ａｌ2Ｏ3）等の
絶縁膜を用いてもシリサイド膜１０の酸化を防止するこ
とができる。
【００１９】本実施例では層間絶縁膜１１としてＢＰＳ
Ｇ膜を用いたが、層間絶縁膜１１としてはパイロフロー
によって最上面を平坦化できる膜であればよく、例えば
フォスフォシリケートガラス膜（ＰＳＧ膜）等を用いて
もよい。
Ｇ膜を用いたが、層間絶縁膜１１としてはパイロフロー
によって最上面を平坦化できる膜であればよく、例えば
フォスフォシリケートガラス膜（ＰＳＧ膜）等を用いて
もよい。
【００２０】本実施例ではシリサイド膜１０を遮光膜の
構成要素として用いているが、シリサイド膜１０の代わ
りにタングステン、モリブデン、チタンなどの高融点金
属を単体で用いてもよい。
構成要素として用いているが、シリサイド膜１０の代わ
りにタングステン、モリブデン、チタンなどの高融点金
属を単体で用いてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
によるＣＣＤ固体撮像素子は、第１の遮光膜を構成する
シリサイド膜もしくは高融点金属膜上に第２の半導体膜
もしくは絶縁体膜を備えることで、第１の遮光膜上に堆
積された層間絶縁膜をパイロフローによって平坦化する
際の上記シリサイド膜もしくは高融点金属膜の酸化を防
止し、スミア特性の劣化が生じないＣＣＤ固体撮像素子
を提供できる。
によるＣＣＤ固体撮像素子は、第１の遮光膜を構成する
シリサイド膜もしくは高融点金属膜上に第２の半導体膜
もしくは絶縁体膜を備えることで、第１の遮光膜上に堆
積された層間絶縁膜をパイロフローによって平坦化する
際の上記シリサイド膜もしくは高融点金属膜の酸化を防
止し、スミア特性の劣化が生じないＣＣＤ固体撮像素子
を提供できる。
【図１】本発明の一実施例におけるＣＣＤ固体撮像素子
の断面図
の断面図
【図２】図１のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法を示す工
程断面図
程断面図
【図３】従来のＣＣＤ固体撮像素子の断面図
１ 半導体基板 ２ フォトダイオード ３ 第１の分離拡散層 ４ 第２の分離拡散層 ５ 転送チャンネル ６ 第１のゲート絶縁膜 ７ 転送電極 ８ 第２のゲート絶縁膜 ９ 第１の半導体膜 １０ シリサイド膜 １１ 層間絶縁膜 １２ 第２の遮光膜 １３ 表面保護膜 １４ 第２の半導体膜
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板と、その半導体基板の一主面に
形成されたフォトダイオードおよび転送チャンネルと、
そのフォトダイオードおよび転送チャンネルの表面を含
む前記半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜
と、その第１のゲート絶縁膜を介して前記転送チャンネ
ル上に形成された転送電極と、その転送電極の表面に形
成された第２のゲート絶縁膜と、その第２のゲート絶縁
膜を覆うように形成された第１の遮光膜と、その第１の
遮光膜上を少なくとも含む領域に形成された層間絶縁膜
とを少なくとも有するＣＣＤ固体撮像素子において、前
記第１の遮光膜が第１の半導体膜、シリサイド膜および
第２の半導体膜からなることを特徴とするＣＣＤ固体撮
像素子。 - 【請求項２】シリサイド膜に代えて、高融点金属膜とし
たことを特徴とする請求項１記載のＣＣＤ固体撮像素
子。 - 【請求項３】第２の半導体膜に代えて、絶縁膜としたこ
とを特徴とする請求項１または２記載のＣＣＤ固体撮影
素子。 - 【請求項４】層間絶縁膜がパイロ雰囲気中で熱処理によ
り平坦化された層間絶縁膜であることを特徴とする請求
項１，２または３記載のＣＣＤ固体撮像素子。 - 【請求項５】層間絶縁膜をパイロ雰囲気中で熱処理して
平坦化する工程を少なくとも有することを特徴とする請
求項１記載のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03314254A JP3110524B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Ｃｃｄ固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03314254A JP3110524B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Ｃｃｄ固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152557A true JPH05152557A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3110524B2 JP3110524B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=18051140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03314254A Expired - Fee Related JP3110524B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Ｃｃｄ固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3110524B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005228997A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2006114657A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2007088250A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び固体撮像素子を用いたカメラ |
| US7935988B2 (en) | 2005-09-05 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP03314254A patent/JP3110524B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2005228997A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2006114657A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7935988B2 (en) | 2005-09-05 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device |
| US7999291B2 (en) | 2005-09-05 | 2011-08-16 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device |
| US8455291B2 (en) | 2005-09-05 | 2013-06-04 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device |
| JP2007088250A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び固体撮像素子を用いたカメラ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3110524B2 (ja) | 2000-11-20 |
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