JPH07106543A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH07106543A JPH07106543A JP5251255A JP25125593A JPH07106543A JP H07106543 A JPH07106543 A JP H07106543A JP 5251255 A JP5251255 A JP 5251255A JP 25125593 A JP25125593 A JP 25125593A JP H07106543 A JPH07106543 A JP H07106543A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】固体撮像装置の暗電流およびスミアを低減させ
る。 【構成】シリコン基板表面１に７００℃以上のＣＶＤ法
で第１ゲート酸化膜６を形成し、その後、ＣＶＤ法によ
り第１多結晶シリコン膜を設けパターニングして第１電
荷転送電極７を形成する。次にＣＶＤ法により第２ゲー
ト酸化膜９を形成した後、ＣＶＤ法により薄膜の第２多
結晶シリコン膜からなる第２電荷転送電極１０を形成す
る。
る。 【構成】シリコン基板表面１に７００℃以上のＣＶＤ法
で第１ゲート酸化膜６を形成し、その後、ＣＶＤ法によ
り第１多結晶シリコン膜を設けパターニングして第１電
荷転送電極７を形成する。次にＣＶＤ法により第２ゲー
ト酸化膜９を形成した後、ＣＶＤ法により薄膜の第２多
結晶シリコン膜からなる第２電荷転送電極１０を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置の製造方法を図４
（ａ）〜（ｃ）の断面図を用いて説明する。
（ａ）〜（ｃ）の断面図を用いて説明する。
【０００３】まず図４（ａ）に示すように、ｎ型シリコ
ン基板１上にｐ型ウェル層２を形成し、次でｐ型不純物
とｎ型不純物のイオン注入により垂直ＣＣＤのｐ型ウェ
ル層３とｎ型ウェル層４を形成する。次で９００℃以上
の高温熱酸化法により第１ゲート酸化膜１６の形成した
のちＣＶＤ法により多結晶シリコン膜を４００ｎｍの厚
さに成長しパターニングして第１電荷転送電極７Ａを形
成する。
ン基板１上にｐ型ウェル層２を形成し、次でｐ型不純物
とｎ型不純物のイオン注入により垂直ＣＣＤのｐ型ウェ
ル層３とｎ型ウェル層４を形成する。次で９００℃以上
の高温熱酸化法により第１ゲート酸化膜１６の形成した
のちＣＶＤ法により多結晶シリコン膜を４００ｎｍの厚
さに成長しパターニングして第１電荷転送電極７Ａを形
成する。
【０００４】次に図４（ｂ）に示すように、９００℃以
上の高温で熱酸化し第１ゲート酸化膜１６上に厚さ６０
〜１００ｎｍの第２ゲート酸化膜１９を形成する。この
時、第１電荷転送電極７Ａの表面も熱酸化され酸化膜２
０が形成される。従って、この方式では、第２ゲート酸
化膜１９を形成した時、第１電荷転送電極７Ａの端部が
上部に持ち上げられる。
上の高温で熱酸化し第１ゲート酸化膜１６上に厚さ６０
〜１００ｎｍの第２ゲート酸化膜１９を形成する。この
時、第１電荷転送電極７Ａの表面も熱酸化され酸化膜２
０が形成される。従って、この方式では、第２ゲート酸
化膜１９を形成した時、第１電荷転送電極７Ａの端部が
上部に持ち上げられる。
【０００５】その後、図４（ｃ）に示すように、多結晶
シリコンからなる第２電荷転送電極１０Ａのパターンを
形成すると、第１電荷転送電極７Ａの端部でエッチング
残りが発生するため、第２電荷転送電極１０Ａのパター
ン間でショートが発生する。また、第１電荷転送電極７
Ａが上部に持ち上げられるため段差が厳しくなり、後で
形成する遮光膜のカバーレッジが悪くなるという問題が
ある。
シリコンからなる第２電荷転送電極１０Ａのパターンを
形成すると、第１電荷転送電極７Ａの端部でエッチング
残りが発生するため、第２電荷転送電極１０Ａのパター
ン間でショートが発生する。また、第１電荷転送電極７
Ａが上部に持ち上げられるため段差が厳しくなり、後で
形成する遮光膜のカバーレッジが悪くなるという問題が
ある。
【０００６】図５（ａ）〜（ｄ）は、この問題点を解決
する従来の他の製造方法を説明するための半導体チップ
の断面図である。この方法は、ゲート絶縁膜を酸化膜と
窒化膜及び酸化膜の積層構造で形成するものである。
する従来の他の製造方法を説明するための半導体チップ
の断面図である。この方法は、ゲート絶縁膜を酸化膜と
窒化膜及び酸化膜の積層構造で形成するものである。
【０００７】即ち、図５（ａ）に示すように、ｐ型ウェ
ル層４上に９００℃以上の高温酸化法により厚さ約５０
ｎｍの熱酸化膜１６Ａを形成し、その上に５００℃以上
のＣＶＤ法により厚さ２０ｎｍの窒化膜１６Ｂを形成す
る。次に、７００℃以上のＣＶＤ法により厚さ約２０ｎ
ｍの酸化膜１６Ｃを積層し第１ゲート絶縁膜を形成す
る。その後、ＣＶＤ法により第１多結晶シリコン膜を４
００ｎｍ成長し所定の形状にパターニングして第１電荷
転送電極７Ｂを形成する。
ル層４上に９００℃以上の高温酸化法により厚さ約５０
ｎｍの熱酸化膜１６Ａを形成し、その上に５００℃以上
のＣＶＤ法により厚さ２０ｎｍの窒化膜１６Ｂを形成す
る。次に、７００℃以上のＣＶＤ法により厚さ約２０ｎ
ｍの酸化膜１６Ｃを積層し第１ゲート絶縁膜を形成す
る。その後、ＣＶＤ法により第１多結晶シリコン膜を４
００ｎｍ成長し所定の形状にパターニングして第１電荷
転送電極７Ｂを形成する。
【０００８】次に、図５（ｂ）に示すように、第１電荷
転送電極７ＢをマスクにＣＶＤ酸化膜１６Ｃをウェット
エッチングにより除去する。その後、第１電荷転送電極
７Ｂを９００℃以上の高温熱酸化法により約２００ｎｍ
の膜厚を得るように酸化し、酸化膜２０Ａを形成する。
この時、第１電荷転送電極７Ｂ以外の領域は窒化膜１６
Ｂによりマスクされほとんど酸化されない。
転送電極７ＢをマスクにＣＶＤ酸化膜１６Ｃをウェット
エッチングにより除去する。その後、第１電荷転送電極
７Ｂを９００℃以上の高温熱酸化法により約２００ｎｍ
の膜厚を得るように酸化し、酸化膜２０Ａを形成する。
この時、第１電荷転送電極７Ｂ以外の領域は窒化膜１６
Ｂによりマスクされほとんど酸化されない。
【０００９】次に、図５（ｃ）に示すように、７００℃
以上のＣＶＤ法により厚さ約２０ｎｍの酸化膜１９Ａを
形成して熱酸化膜１６Ａと窒化膜１６Ｂ及びＣＶＤ酸化
膜１９Ａからなる積層構造の第２ゲート絶縁膜を形成す
る。次にＣＶＤ法により第２多結晶シリコン膜を約４０
０ｎｍ成長し所定の形状にパターニングして第２電荷転
送電極１０Ｂを形成する。
以上のＣＶＤ法により厚さ約２０ｎｍの酸化膜１９Ａを
形成して熱酸化膜１６Ａと窒化膜１６Ｂ及びＣＶＤ酸化
膜１９Ａからなる積層構造の第２ゲート絶縁膜を形成す
る。次にＣＶＤ法により第２多結晶シリコン膜を約４０
０ｎｍ成長し所定の形状にパターニングして第２電荷転
送電極１０Ｂを形成する。
【００１０】次に、図５（ｄ）に示すように、全面に層
間絶縁膜１１ＡをＣＶＤ法により形成し、その後、金属
材料よりなる遮光膜１２Ａを所定の形状に形成する。こ
の従来の方法では、窒化膜１６Ｂを設けることで不必要
な部分の酸化が防止できるため、図４で説明したような
第１電荷転送電極７Ｂの端部の持ち上がりが防止でき
る。
間絶縁膜１１ＡをＣＶＤ法により形成し、その後、金属
材料よりなる遮光膜１２Ａを所定の形状に形成する。こ
の従来の方法では、窒化膜１６Ｂを設けることで不必要
な部分の酸化が防止できるため、図４で説明したような
第１電荷転送電極７Ｂの端部の持ち上がりが防止でき
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の固体撮像装置の製造方法では、第１及び第２のゲー
ト絶縁膜を熱酸化膜１６Ａと窒化膜１６Ｂと、ＣＶＤ酸
化膜１６Ｃ又は１９Ａの積層構造により形成しているた
め、シリコンと酸化膜界面のシリコンのダングリングボ
ンド（Ｓｉの未結合手）を多く発生させ、界面準位密度
を過剰にして暗電流を増加させるという問題があった。
また、第１多結晶シリコン膜（第１の電荷転送電極）を
熱酸化して形成した酸化膜２０Ａは、通常のシリコン結
晶を酸化した膜に比べてシリコンのグレインサイズが大
きいためリーク電流が多く流れ、また、十分な耐圧がえ
られないという問題があった。この耐圧を向上させるた
めには、第１多結晶シリコン膜を熱酸化して厚い酸化膜
を形成することも一法ではあるが、そのためには第１多
結晶シリコン膜の膜厚を約４００ｎｍと厚くして熱酸化
に耐えるように形成する必要がある。この場合は、第１
電荷転送電極７Ｂとその上の酸化膜２０Ａ、１９Ａの膜
厚が厚く形成されることになり、その後に遮光膜１２Ａ
が形成されると、遮光膜端部から斜め方向に浸入する光
成分が多くなるためスミアが増加するという問題があっ
た。
来の固体撮像装置の製造方法では、第１及び第２のゲー
ト絶縁膜を熱酸化膜１６Ａと窒化膜１６Ｂと、ＣＶＤ酸
化膜１６Ｃ又は１９Ａの積層構造により形成しているた
め、シリコンと酸化膜界面のシリコンのダングリングボ
ンド（Ｓｉの未結合手）を多く発生させ、界面準位密度
を過剰にして暗電流を増加させるという問題があった。
また、第１多結晶シリコン膜（第１の電荷転送電極）を
熱酸化して形成した酸化膜２０Ａは、通常のシリコン結
晶を酸化した膜に比べてシリコンのグレインサイズが大
きいためリーク電流が多く流れ、また、十分な耐圧がえ
られないという問題があった。この耐圧を向上させるた
めには、第１多結晶シリコン膜を熱酸化して厚い酸化膜
を形成することも一法ではあるが、そのためには第１多
結晶シリコン膜の膜厚を約４００ｎｍと厚くして熱酸化
に耐えるように形成する必要がある。この場合は、第１
電荷転送電極７Ｂとその上の酸化膜２０Ａ、１９Ａの膜
厚が厚く形成されることになり、その後に遮光膜１２Ａ
が形成されると、遮光膜端部から斜め方向に浸入する光
成分が多くなるためスミアが増加するという問題があっ
た。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置の
製造方法は、第１導電型の半導体基板に第２導電型ウェ
ル層を形成したのち光電変換部に第１導電型領域を電荷
転送部に第１導電型ウェル層をそれぞれ形成する工程
と、全面に第１ゲート絶縁膜を形成したのち第１多結晶
シリコン膜を形成しパターニングして第１電荷転送電極
を形成する工程と、露出した前記第１ゲート絶縁膜を除
去したのち少くともＣＶＤ法により全面に第２ゲート絶
縁膜を形成する工程と、この第２ゲート絶縁膜上に第２
多結晶シリコン膜を形成したのちパターニングし第２電
荷転送電極を形成する工程と、この第２電荷転送電極を
含む全面に層間絶縁膜を形成したのち前記光電変換部を
除く領域に遮光膜を形成する工程とを含むものである。
製造方法は、第１導電型の半導体基板に第２導電型ウェ
ル層を形成したのち光電変換部に第１導電型領域を電荷
転送部に第１導電型ウェル層をそれぞれ形成する工程
と、全面に第１ゲート絶縁膜を形成したのち第１多結晶
シリコン膜を形成しパターニングして第１電荷転送電極
を形成する工程と、露出した前記第１ゲート絶縁膜を除
去したのち少くともＣＶＤ法により全面に第２ゲート絶
縁膜を形成する工程と、この第２ゲート絶縁膜上に第２
多結晶シリコン膜を形成したのちパターニングし第２電
荷転送電極を形成する工程と、この第２電荷転送電極を
含む全面に層間絶縁膜を形成したのち前記光電変換部を
除く領域に遮光膜を形成する工程とを含むものである。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施例に
係わる固体撮像装置の一画素の構成を示す平面図、Ａ−
Ａ線断面図及びＢ−Ｂ線断面図であり、特に平面図は電
荷転送電極と遮光膜との位置関係を示している。図１
（ａ）〜（ｃ）において、１はｎ型シリコン基板、２は
ｐ型ウェル層で、３，４は垂直ＣＣＤのｐ型ウェル層と
ｎ型ウェル層、５は光電変換部のｎ型領域、６は第１ゲ
ート酸化膜、７は第１電荷転送電極（多結晶シリコン
膜）、８は光電変換部のｎ型領域の表面を完全に空乏化
させて暗電流を低減するための浅いｐ型領域、９は第２
ゲート酸化膜、１０は第２電荷転送電極、１１は層間絶
縁膜、１２は金属材料からなる遮光膜である。
する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施例に
係わる固体撮像装置の一画素の構成を示す平面図、Ａ−
Ａ線断面図及びＢ−Ｂ線断面図であり、特に平面図は電
荷転送電極と遮光膜との位置関係を示している。図１
（ａ）〜（ｃ）において、１はｎ型シリコン基板、２は
ｐ型ウェル層で、３，４は垂直ＣＣＤのｐ型ウェル層と
ｎ型ウェル層、５は光電変換部のｎ型領域、６は第１ゲ
ート酸化膜、７は第１電荷転送電極（多結晶シリコン
膜）、８は光電変換部のｎ型領域の表面を完全に空乏化
させて暗電流を低減するための浅いｐ型領域、９は第２
ゲート酸化膜、１０は第２電荷転送電極、１１は層間絶
縁膜、１２は金属材料からなる遮光膜である。
【００１４】次に、本発明の第１の実施例の製造方法に
ついて、図２（ａ）〜（ｄ）の断面図を併用して説明す
る。
ついて、図２（ａ）〜（ｄ）の断面図を併用して説明す
る。
【００１５】まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型シリ
コン基板１の表面にボロンをイオン注入し、その後、高
温熱処理をすることによりｐ型のウェル層２を形成す
る。次に、フォトレジストをマスクにｐ型不純物とｎ型
不純物のイオンを注入して信号電荷転送部の埋め込みチ
ャネルのｐ型ウェル層３とｎ型ウェル層４を形成する。
次で光電変換部のｎ型領域５をｎ型不純物のイオン注入
により形成する。尚、ｎ型領域５はｐ型ウェル層３、ｎ
型ウェル層４の前に形成してもよい。次に、ＣＶＤ法で
ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏガスを反応させて厚さ約７０ｎｍの第
１ゲート酸化膜６を形成する。ゲート酸化膜の厚さは、
耐圧の低下を防止ぐ為に１０ｎｍ以上に、そしてスミア
の増加を抑制する為に１００ｎｍ以下がよい。次に、Ｃ
ＶＤ法により第１多結晶シリコン膜を約１００〜２５０
ｎｍ成長し、その後、選択エッチングで所定の形状にパ
ターニングし第１電荷転送電極７を形成する。
コン基板１の表面にボロンをイオン注入し、その後、高
温熱処理をすることによりｐ型のウェル層２を形成す
る。次に、フォトレジストをマスクにｐ型不純物とｎ型
不純物のイオンを注入して信号電荷転送部の埋め込みチ
ャネルのｐ型ウェル層３とｎ型ウェル層４を形成する。
次で光電変換部のｎ型領域５をｎ型不純物のイオン注入
により形成する。尚、ｎ型領域５はｐ型ウェル層３、ｎ
型ウェル層４の前に形成してもよい。次に、ＣＶＤ法で
ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏガスを反応させて厚さ約７０ｎｍの第
１ゲート酸化膜６を形成する。ゲート酸化膜の厚さは、
耐圧の低下を防止ぐ為に１０ｎｍ以上に、そしてスミア
の増加を抑制する為に１００ｎｍ以下がよい。次に、Ｃ
ＶＤ法により第１多結晶シリコン膜を約１００〜２５０
ｎｍ成長し、その後、選択エッチングで所定の形状にパ
ターニングし第１電荷転送電極７を形成する。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、第１電荷
転送電極７をマスクに第１ゲート酸化膜をフッ酸液でウ
ェットエッチングし除去する。次に、ＣＶＤ法で厚さ約
７０ｎｍの第２ゲート酸化膜９を形成する。
転送電極７をマスクに第１ゲート酸化膜をフッ酸液でウ
ェットエッチングし除去する。次に、ＣＶＤ法で厚さ約
７０ｎｍの第２ゲート酸化膜９を形成する。
【００１７】次に、図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法
により第２多結晶シリコン膜を約１００〜２５０ｎｍ成
長した後、選択エッチングで所定の形状にパターニング
し第２電荷転送電極１０を形成する。第２ゲート酸化膜
９は第１と第２電荷転送電極間の層間絶縁膜を兼ねてい
る。ここで問題となるのがこの層間絶縁膜の絶縁耐圧で
ある。従来の製造方法では図４、図５で説明したよう
に、多結晶シリコン膜を酸化する場合、多結晶シリコン
膜の成長と不純物拡散時にグレインサイズが大きくなっ
ているため、長時間の熱処理が必要となり、絶縁耐圧の
面から酸化膜厚も約２００ｎｍ以上と厚く形成しなけれ
ばならない。これに比べて第１の実施例のＣＶＤ酸化膜
は約７０ｎｍの膜厚で４１Ｖの絶縁耐圧が得られ、従来
の多結晶シリコン膜酸化による酸化膜厚約２００ｎｍと
同等の結果が得られた。
により第２多結晶シリコン膜を約１００〜２５０ｎｍ成
長した後、選択エッチングで所定の形状にパターニング
し第２電荷転送電極１０を形成する。第２ゲート酸化膜
９は第１と第２電荷転送電極間の層間絶縁膜を兼ねてい
る。ここで問題となるのがこの層間絶縁膜の絶縁耐圧で
ある。従来の製造方法では図４、図５で説明したよう
に、多結晶シリコン膜を酸化する場合、多結晶シリコン
膜の成長と不純物拡散時にグレインサイズが大きくなっ
ているため、長時間の熱処理が必要となり、絶縁耐圧の
面から酸化膜厚も約２００ｎｍ以上と厚く形成しなけれ
ばならない。これに比べて第１の実施例のＣＶＤ酸化膜
は約７０ｎｍの膜厚で４１Ｖの絶縁耐圧が得られ、従来
の多結晶シリコン膜酸化による酸化膜厚約２００ｎｍと
同等の結果が得られた。
【００１８】次に、図２（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法
により酸化膜等からなる層間絶縁膜１１を約１００ｎｍ
の厚さに形成した後、ＷやＡｌ等の金属材料からなる遮
光膜１２を、例えば、ＷＦ6 をソースガスに用いたスパ
ッタ法で約４００ｎｍ成長し所定の形状にパターニング
する。この遮光膜１２は図１（ｂ）に示したように、光
電変換部５に入射した光を他の領域に入らないように遮
断するものである。
により酸化膜等からなる層間絶縁膜１１を約１００ｎｍ
の厚さに形成した後、ＷやＡｌ等の金属材料からなる遮
光膜１２を、例えば、ＷＦ6 をソースガスに用いたスパ
ッタ法で約４００ｎｍ成長し所定の形状にパターニング
する。この遮光膜１２は図１（ｂ）に示したように、光
電変換部５に入射した光を他の領域に入らないように遮
断するものである。
【００１９】このように第１の実施例によれば、電荷転
送電極用の多結晶シリコン膜を薄くできるため、遮光膜
端部からの斜め方向に浸入する光成分を低減できる。す
なわち、多結晶シリコン膜厚が４００ｎｍの従来例では
スミアレベルが−１１０ｄＢであったものが２５０ｎｍ
の本実施例では−１２０ｄＢに減少した。
送電極用の多結晶シリコン膜を薄くできるため、遮光膜
端部からの斜め方向に浸入する光成分を低減できる。す
なわち、多結晶シリコン膜厚が４００ｎｍの従来例では
スミアレベルが−１１０ｄＢであったものが２５０ｎｍ
の本実施例では−１２０ｄＢに減少した。
【００２０】また第１の実施例においては、第２のゲー
ト酸化膜をＣＶＤ法により形成しているため窒化膜を用
いる従来例に比べてストレスが少くなり、シリコンのダ
ングリングボンドが少くなる。この為暗電流出力を従来
の３．４ｍＶから１．１ｍＶにまで改善することができ
た。
ト酸化膜をＣＶＤ法により形成しているため窒化膜を用
いる従来例に比べてストレスが少くなり、シリコンのダ
ングリングボンドが少くなる。この為暗電流出力を従来
の３．４ｍＶから１．１ｍＶにまで改善することができ
た。
【００２１】図３（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実
施例を説明するための半導体チップの断面図である。ま
ず図３（ａ）に示うように、第１の実施例と同じ方法で
第１電荷転送電極を形成し第１ゲート酸化膜６の不要部
分を除去する。次に、図３（ｂ）に示すように、第２ゲ
ート酸化膜を熱酸化法による厚さ５〜２０ｎｍの酸化膜
９Ａとその後の７００℃以上のＣＶＤ法での厚さ約６０
ｎｍの酸化膜９Ｂの積層膜で構成する。以下第２電荷転
送電極１０等の形成は第１の実施例と同じである。この
第２の実施例では、熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜の積層構造
で第２ゲート酸化膜を形成しているため、第１と第２電
荷転送電極間の絶縁耐圧が第１の実施例より約１０％向
上する。
施例を説明するための半導体チップの断面図である。ま
ず図３（ａ）に示うように、第１の実施例と同じ方法で
第１電荷転送電極を形成し第１ゲート酸化膜６の不要部
分を除去する。次に、図３（ｂ）に示すように、第２ゲ
ート酸化膜を熱酸化法による厚さ５〜２０ｎｍの酸化膜
９Ａとその後の７００℃以上のＣＶＤ法での厚さ約６０
ｎｍの酸化膜９Ｂの積層膜で構成する。以下第２電荷転
送電極１０等の形成は第１の実施例と同じである。この
第２の実施例では、熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜の積層構造
で第２ゲート酸化膜を形成しているため、第１と第２電
荷転送電極間の絶縁耐圧が第１の実施例より約１０％向
上する。
【００２２】なお、上記実施例では第１ゲート絶縁膜と
してＣＶＤ法による酸化膜を用いた場合について説明し
たが、熱酸化法による酸化膜を用いても本発明の目的を
達成することができ、その選択は自由である。
してＣＶＤ法による酸化膜を用いた場合について説明し
たが、熱酸化法による酸化膜を用いても本発明の目的を
達成することができ、その選択は自由である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、第２ゲー
ト絶縁膜を気相成長法により形成することにより、スト
レスを少なくしてシリコンと酸化膜界面のシリコンのダ
ングリングボンドを少なくして界面準位密度を低減でき
るため、暗電流を低減させることができるという効果を
有する。また、ＣＶＤ酸化膜は、リンドープ多結晶シリ
コンを酸化した膜に比べて薄い膜でも第１と第２電荷転
送電極間の絶縁耐圧を十分確保できる。更に第１と第２
の多結晶シリコン膜を薄くできるため、遮光膜のカバー
レッジを良好にしてスミア特性を改善できるという効果
を有する。
ト絶縁膜を気相成長法により形成することにより、スト
レスを少なくしてシリコンと酸化膜界面のシリコンのダ
ングリングボンドを少なくして界面準位密度を低減でき
るため、暗電流を低減させることができるという効果を
有する。また、ＣＶＤ酸化膜は、リンドープ多結晶シリ
コンを酸化した膜に比べて薄い膜でも第１と第２電荷転
送電極間の絶縁耐圧を十分確保できる。更に第１と第２
の多結晶シリコン膜を薄くできるため、遮光膜のカバー
レッジを良好にしてスミア特性を改善できるという効果
を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための半導体
チップの平面図及び断面図。
チップの平面図及び断面図。
【図２】本発明の第１の実施例を説明するための半導体
チップの断面図。
チップの断面図。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための半導体
チップの断面図。
チップの断面図。
【図４】従来の固体撮像装置の製造方法を説明するため
の半導体チップの断面図。
の半導体チップの断面図。
【図５】従来の他の固体撮像装置の製造方法を説明する
ための半導体チップの断面図。
ための半導体チップの断面図。
１ ｎ型シリコン基板 ２ ｐ型ウェル層 ３ ｐ型ウェル層（垂直ＣＣＤ） ４ ｎ型ウェル層（垂直ＣＣＤ） ５ ｎ型領域（光電変換部） ６，１６ 第１ゲート酸化膜 ７，７Ａ，７Ｂ 第１電荷転送電極 ８ ｐ型領域 ９，１９ 第２ゲート酸化膜 １０，１０Ａ，１０Ｂ 第２電荷転送電極 １１，１１Ａ 層間絶縁膜 １２，１２Ａ 遮光膜 ９Ａ，１６Ａ，２０，２０Ａ 熱酸化膜 ９Ｂ，１６Ｃ，１９Ａ ＣＶＤ酸化膜 １６Ｂ 窒化膜
Claims (2)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板に第２導電型ウ
ェル層を形成したのち光電変換部に第１導電型領域を電
荷転送部に第１導電型ウェル層をそれぞれ形成する工程
と、全面に第１ゲート絶縁膜を形成したのち第１多結晶
シリコン膜を形成しパターニングして第１電荷転送電極
を形成する工程と、露出した前記第１ゲート絶縁膜を除
去したのち少くともＣＶＤ法により全面に第２ゲート絶
縁膜を形成する工程と、この第２ゲート絶縁膜上に第２
多結晶シリコン膜を形成したのちパターニングし第２電
荷転送電極を形成する工程と、この第２電荷転送電極を
含む全面に層間絶縁膜を形成したのち前記光電変換部を
除く領域に遮光膜を形成する工程とを含むことを特徴と
する固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】 第２ゲート絶縁膜の形成工程が熱酸化法
により酸化膜を形成する工程とＣＶＤ法により酸化膜を
形成する工程とを含む請求項１記載の固体撮像装置の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5251255A JPH07106543A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US08/319,101 US5492852A (en) | 1993-10-07 | 1994-10-06 | Method for fabricating a solid imaging device having improved smear and breakdown voltage characteristics |
| KR1019940025760A KR100218849B1 (ko) | 1993-10-07 | 1994-10-07 | 고체촬상소자의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5251255A JPH07106543A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106543A true JPH07106543A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17220054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5251255A Pending JPH07106543A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392261B1 (en) | 1997-09-03 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
| JP2007189020A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618578A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-16 | 三洋電機株式会社 | 吸収冷凍機の不凝縮ガス排出装置 |
| JPS63312677A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04207075A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH04324632A (ja) * | 1991-04-24 | 1992-11-13 | Sharp Corp | 半導体装置の絶縁膜の製造方法 |
-
1993
- 1993-10-07 JP JP5251255A patent/JPH07106543A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970819 |